JPS59121629A - 高透磁率合金膜の製造方法 - Google Patents
高透磁率合金膜の製造方法Info
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- JPS59121629A JPS59121629A JP22879382A JP22879382A JPS59121629A JP S59121629 A JPS59121629 A JP S59121629A JP 22879382 A JP22879382 A JP 22879382A JP 22879382 A JP22879382 A JP 22879382A JP S59121629 A JPS59121629 A JP S59121629A
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- Japan
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- alloy
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は鉄とアルミニウムと硅素とを含有する磁性合金
膜（センダスト合金膜）を作成する為の新規な製造方法
に関する。
膜（センダスト合金膜）を作成する為の新規な製造方法
に関する。
〈従来技術〉
従来、高透磁率であり磁気ヘッドの材料として極めて有
用なものとして鉄・アルミニウム・硅素の合金（センタ
スト合金）がよく知られている。
用なものとして鉄・アルミニウム・硅素の合金（センタ
スト合金）がよく知られている。
そして従来のセンタスト合金の膜形成方法としては次の
様なものが知られている。即ち、（］） センタスト
合金のバルク材を研磨する事によって所定の膜厚に加工
する方法、（２） スパッタリングにより所定の膜厚
のセンタスト合金膜を形成する方法、（３）液体急冷法
によりセンダスト合金膜を形成する方法である。しかし
上記（１）の方法はセンタスト合金のバルク材が脆性を
有するため非常に加工しにくいものである。又上記（２
）の方法では成膜速度が非常に遅いため磁気ヘッド用等
の比較的に厚い膜を作成する為の製法としては適さない
。又上記（３）の方法ではセンダスト合金膜の膜厚が作
製条件によって決定されてし７まうという制約があり好
ましくない。更番こ作製膜を加工する場合にセンダスト
合金膜の脆性の問題及び粒径の大きさの問題が残り好ま
しい方法とは言えない。
様なものが知られている。即ち、（］） センタスト
合金のバルク材を研磨する事によって所定の膜厚に加工
する方法、（２） スパッタリングにより所定の膜厚
のセンタスト合金膜を形成する方法、（３）液体急冷法
によりセンダスト合金膜を形成する方法である。しかし
上記（１）の方法はセンタスト合金のバルク材が脆性を
有するため非常に加工しにくいものである。又上記（２
）の方法では成膜速度が非常に遅いため磁気ヘッド用等
の比較的に厚い膜を作成する為の製法としては適さない
。又上記（３）の方法ではセンダスト合金膜の膜厚が作
製条件によって決定されてし７まうという制約があり好
ましくない。更番こ作製膜を加工する場合にセンダスト
合金膜の脆性の問題及び粒径の大きさの問題が残り好ま
しい方法とは言えない。
〈目的〉
本発明は以上の従来の製造方法とは全く異なる製造方法
によってセンダスト合金膜を形成するものであり、成膜
速度が速くしかも適正組成のセンダスト合金膜を得るこ
とのできる新規・有用な製法を提供することを目的とす
るものである。
によってセンダスト合金膜を形成するものであり、成膜
速度が速くしかも適正組成のセンダスト合金膜を得るこ
とのできる新規・有用な製法を提供することを目的とす
るものである。
〈実施例〉
本発明に係る高透磁率合金膜の製造方法は鉄とアルミニ
ウムと硅素とによって構成されアルミニウムの組成が１
乃至６ｗｔ ％、硅素の組成が２０乃至３５ｗｔ ％で
ある合金タブレットに真空中で電子ビームを照射して加
熱せしめ、該加熱によって前記合金タブレットより蒸発
した物質を基板上に蒸着せしめることによって適正組成
の磁性膜を形成するものである。
ウムと硅素とによって構成されアルミニウムの組成が１
乃至６ｗｔ ％、硅素の組成が２０乃至３５ｗｔ ％で
ある合金タブレットに真空中で電子ビームを照射して加
熱せしめ、該加熱によって前記合金タブレットより蒸発
した物質を基板上に蒸着せしめることによって適正組成
の磁性膜を形成するものである。
一般にセンダスト合金はその透磁率が組成比によって大
きく変化し特定組成範囲において鋭いピークが存在する
ことが知られている。従って組成比の調整はセンダスト
合金の磁気特性の改善に関し重要な問題である。通常使
用されているセンダスト合金はアルミニウムが５ｗｔ
％、硅素が９５ｗｔ％、あるいはアルミニウムか５ｗｔ
％、硅素が５ｗｔ ％のものでありこれらは高透磁率
を有する。しかしこの様な高透磁率を有するセンダスト
合金膜を本発明の如き電子ビームによる真空蒸着で行な
い成功した例は本発明者の知る限りにおいテ未だ無ッた
。その理由はセンダスト合金膜を真空蒸着によって成膜
する場合、鉄、アルミニウム。
きく変化し特定組成範囲において鋭いピークが存在する
ことが知られている。従って組成比の調整はセンダスト
合金の磁気特性の改善に関し重要な問題である。通常使
用されているセンダスト合金はアルミニウムが５ｗｔ
％、硅素が９５ｗｔ％、あるいはアルミニウムか５ｗｔ
％、硅素が５ｗｔ ％のものでありこれらは高透磁率
を有する。しかしこの様な高透磁率を有するセンダスト
合金膜を本発明の如き電子ビームによる真空蒸着で行な
い成功した例は本発明者の知る限りにおいテ未だ無ッた
。その理由はセンダスト合金膜を真空蒸着によって成膜
する場合、鉄、アルミニウム。
硅素の各成分の蒸気圧が大きく異なる為に適切な組成の
膜を形成する事が極めて困難であったからに他ならない
。しかし本発明者は鋭意研究の結果合金タフレットの組
成をアルミニウムの組成を１乃至５ｗｔ％、硅素の組成
を２０乃至３５ｗｔ％とすることで高品質のセンダスト
合金膜を電子ヒ゛−ム蒸着によって作成することが可能
であると０１うことを見い出したのである。
膜を形成する事が極めて困難であったからに他ならない
。しかし本発明者は鋭意研究の結果合金タフレットの組
成をアルミニウムの組成を１乃至５ｗｔ％、硅素の組成
を２０乃至３５ｗｔ％とすることで高品質のセンダスト
合金膜を電子ヒ゛−ム蒸着によって作成することが可能
であると０１うことを見い出したのである。
次に本発明に係る高透磁率合金膜の製造方法の実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る製法において用いた電子ビーム蒸
着装置の構成説明図である。１は真空ペルジャーであっ
てこの内部は高真空に保たれる。
着装置の構成説明図である。１は真空ペルジャーであっ
てこの内部は高真空に保たれる。
２は蒸着膜を付着する為の基板である。３は該基板２を
加熱する為のヒーターである。４はハース（るつぼ）で
あり該ハース４内に合金タブレット５が配置される。６
はフィラメントであり、該フィラメント６から発せられ
た電子ビーム７は磁界によって曲げられて合金タブレッ
ト５に照射せられる。８は加熱せられた上記合金タブレ
ット５から蒸発した物質を遮断あるいは通過せしめるシ
ャッターである。勿論上記合金タブレット５の組成はア
ルミニウムを１乃至６ｗｔ％、硅素を２０乃至：８５ｗ
ｔ ％、残りを鉄とする。上記基板２はセンダスト合金
と熱膨張係数が近い、即ち熱膨張係数がＩＯＣＩ−１８
０（ＸＩＯ５ｄｅｇ ’ ）程度の感光性ガラス（
例えばコーニング社製のホトセラム、ホヤガラス社製の
ＰＥＧシリーズ）、結晶性ガラス、非磁性フェライト、
セラミック、ステン看くス（ＳＵＳ３０４）等である。
加熱する為のヒーターである。４はハース（るつぼ）で
あり該ハース４内に合金タブレット５が配置される。６
はフィラメントであり、該フィラメント６から発せられ
た電子ビーム７は磁界によって曲げられて合金タブレッ
ト５に照射せられる。８は加熱せられた上記合金タブレ
ット５から蒸発した物質を遮断あるいは通過せしめるシ
ャッターである。勿論上記合金タブレット５の組成はア
ルミニウムを１乃至６ｗｔ％、硅素を２０乃至：８５ｗ
ｔ ％、残りを鉄とする。上記基板２はセンダスト合金
と熱膨張係数が近い、即ち熱膨張係数がＩＯＣＩ−１８
０（ＸＩＯ５ｄｅｇ ’ ）程度の感光性ガラス（
例えばコーニング社製のホトセラム、ホヤガラス社製の
ＰＥＧシリーズ）、結晶性ガラス、非磁性フェライト、
セラミック、ステン看くス（ＳＵＳ３０４）等である。
以上の構成の電子ビーム蒸着装置を用いて次の様な蒸着
条件にてセンダスト合金膜を作製した。
条件にてセンダスト合金膜を作製した。
即ち、合金タブレット５をアルミニウムが４ｗｔ％、硅
素が２７．５ｗｔ ％の組成のものを使用し、基板２の
温度を蒸着膜の密着性を向上させる為にヒータ３により
４００℃に加熱（１００〜６００℃が好ましい）し、蒸
着工程における電子銃への投入パワーを１００ＫＷに設
定し、電子ヒームをハース４内全体に掃射（ｓｗｅｅｐ
）Ｌ、又、上記電子銃への投入パワーを上昇せしめｌ
０ＫＷに達した時から１分間経過する時点迄の間シャッ
ター８を閉成して基板２上における蒸着を遮断し、その
後シャッター８を開成して基板２上において蒸着膜を形
成した。そして蒸着時間を５分、１０分。
素が２７．５ｗｔ ％の組成のものを使用し、基板２の
温度を蒸着膜の密着性を向上させる為にヒータ３により
４００℃に加熱（１００〜６００℃が好ましい）し、蒸
着工程における電子銃への投入パワーを１００ＫＷに設
定し、電子ヒームをハース４内全体に掃射（ｓｗｅｅｐ
）Ｌ、又、上記電子銃への投入パワーを上昇せしめｌ
０ＫＷに達した時から１分間経過する時点迄の間シャッ
ター８を閉成して基板２上における蒸着を遮断し、その
後シャッター８を開成して基板２上において蒸着膜を形
成した。そして蒸着時間を５分、１０分。
２０分、３０分に夫々設定して４種の蒸着膜を得た。
以上の蒸着条件によって得られた膜の組成を化学分析し
たところ次表の結果が得られた。
たところ次表の結果が得られた。
表
同表によれは蒸着時間によって組成が変化しているが蒸
着時間を調整すれば前述した高透磁率膜の組成ζこ近い
膜が作成できることがわかる。
着時間を調整すれば前述した高透磁率膜の組成ζこ近い
膜が作成できることがわかる。
又、第２図に上記表の結果を利用して得た蒸着開始から
５分の間ζこ蒸着された膜、及び５分から１０分の間に
蒸着された膜、及び１０分から２０分の間に蒸着された
膜、及び２０分から３０分の間に蒸着された膜の各膜の
組成の変化のグラフ図を示す。同図から理解される如（
各成分の蒸気圧の違い１こよって合金タブレット５から
蒸発する物質の成分濃度が異なる為に蒸着膜の組成も時
間に応じて変化している。特にアルミニウムは蒸気圧が
高いので加熱によって速く蒸発している。因に上記電子
ビーム蒸着装置における電子銃への投入パワーが設定パ
ワーのｌ０ＫＷに達した時より１分間経過する時点迄の
シャッター８の開成は、特にその間にアルミニウム成分
が多量に蒸発し状態が不安定であるからである。しかし
、実験によれば基板２上における成膜のアルミニウムの
組成が略４ｗｊ ％乃至２０ｗｔ％の蒸着組成番こなる
時点迄はシャッター８を閉成し、基板２上における成膜
のアルミニウムの組成が略４ｗｔ ％乃至］ ５ｗｔ％
になる時点てシャッター８を開成し蒸着膜を形成するよ
うにすれは適正な組成の蒸着膜を得ることができること
が判明した。
５分の間ζこ蒸着された膜、及び５分から１０分の間に
蒸着された膜、及び１０分から２０分の間に蒸着された
膜、及び２０分から３０分の間に蒸着された膜の各膜の
組成の変化のグラフ図を示す。同図から理解される如（
各成分の蒸気圧の違い１こよって合金タブレット５から
蒸発する物質の成分濃度が異なる為に蒸着膜の組成も時
間に応じて変化している。特にアルミニウムは蒸気圧が
高いので加熱によって速く蒸発している。因に上記電子
ビーム蒸着装置における電子銃への投入パワーが設定パ
ワーのｌ０ＫＷに達した時より１分間経過する時点迄の
シャッター８の開成は、特にその間にアルミニウム成分
が多量に蒸発し状態が不安定であるからである。しかし
、実験によれば基板２上における成膜のアルミニウムの
組成が略４ｗｊ ％乃至２０ｗｔ％の蒸着組成番こなる
時点迄はシャッター８を閉成し、基板２上における成膜
のアルミニウムの組成が略４ｗｔ ％乃至］ ５ｗｔ％
になる時点てシャッター８を開成し蒸着膜を形成するよ
うにすれは適正な組成の蒸着膜を得ることができること
が判明した。
又、す、上の蒸着条件と同様の条件で蒸着膜を形成しそ
の磁気的特性等について調へたところ次の様（こなった
。
の磁気的特性等について調へたところ次の様（こなった
。
即ちアルミニウムが４ｗｔ ％、硅素が２７．５ｗｔ％
、残りが鉄の合金タブレツｉ−５を使用し、基板２の温
度を蒸着膜の密着性を向上させる為にヒータ３により４
００°Ｃに加熱し、蒸着工程における電子銃への投入パ
ワーをｌ０ＫＷに設定し、電子ビームをハース４内全体
に掃射（ｓｗｅｅｐ ）Ｌ、、又、上記電子銃への投入
パワーを上昇せしめ１０に、Ｗに達した時から３分間経
過した時点迄の間シ −ャッター８を閉成して基板２
上における蒸着を遮断し、その後シャッター８を開成し
て基板２上において蒸着膜を形成した。そして蒸着時間
を１０分間としたところアルミニウムが４．２ｗｔ ％
、硅素が９．４ｗｔ ％、残りが鉄の組成の極めて良好
なセンダスト合金膜を形成することができた。この膜に
ついて各種測定を行なったところ膜厚が４５ＩＬｍ、飽
和磁束密度が１１９００Ｇ１電気抵抗が９０μΩＧ、保
磁力が１．７０ｅ、ビッカース硬度が５９０であった。
、残りが鉄の合金タブレツｉ−５を使用し、基板２の温
度を蒸着膜の密着性を向上させる為にヒータ３により４
００°Ｃに加熱し、蒸着工程における電子銃への投入パ
ワーをｌ０ＫＷに設定し、電子ビームをハース４内全体
に掃射（ｓｗｅｅｐ ）Ｌ、、又、上記電子銃への投入
パワーを上昇せしめ１０に、Ｗに達した時から３分間経
過した時点迄の間シ −ャッター８を閉成して基板２
上における蒸着を遮断し、その後シャッター８を開成し
て基板２上において蒸着膜を形成した。そして蒸着時間
を１０分間としたところアルミニウムが４．２ｗｔ ％
、硅素が９．４ｗｔ ％、残りが鉄の組成の極めて良好
なセンダスト合金膜を形成することができた。この膜に
ついて各種測定を行なったところ膜厚が４５ＩＬｍ、飽
和磁束密度が１１９００Ｇ１電気抵抗が９０μΩＧ、保
磁力が１．７０ｅ、ビッカース硬度が５９０であった。
又実効透磁率については第３図に示す特性が得られた。
同図において明瞭に示される如く高周波帯域に至るまで
良好な透磁率特性が確認された。一般に高周波帯域にお
いて高い実効透磁率を得る為には微細な結晶粘を有する
結晶構造が必要であると言われている。そこで上記蒸着
膜についてＸ線回折による分析を行なった結果を次に示
す。第４図は蒸着膜の（０２２）面でのＸ線回折パター
ンのグラフ図である。同グラフ図の半値巾からデバイシ
ェラ−の式より算出したところ上記蒸着膜の粘径は約３
００λであり極めて微細であることが判明した。
良好な透磁率特性が確認された。一般に高周波帯域にお
いて高い実効透磁率を得る為には微細な結晶粘を有する
結晶構造が必要であると言われている。そこで上記蒸着
膜についてＸ線回折による分析を行なった結果を次に示
す。第４図は蒸着膜の（０２２）面でのＸ線回折パター
ンのグラフ図である。同グラフ図の半値巾からデバイシ
ェラ−の式より算出したところ上記蒸着膜の粘径は約３
００λであり極めて微細であることが判明した。
く効果〉
以上詳細に説明した本発明（こよれば電子ビームによる
真空蒸着を行なう為に成膜速度を非常に速くできる（０
１〜１μｍ／分が可能である。）。
真空蒸着を行なう為に成膜速度を非常に速くできる（０
１〜１μｍ／分が可能である。）。
この点は例えは磁気ヘッドのコアとして厚膜のセンタス
ト合金膜を作製する場合に極めて重要な要素である。例
えばスパッタリングによる成膜に比して電子ビームによ
る真空蒸着による成膜は成膜速度の点において格段に優
れている。
ト合金膜を作製する場合に極めて重要な要素である。例
えばスパッタリングによる成膜に比して電子ビームによ
る真空蒸着による成膜は成膜速度の点において格段に優
れている。
又、電子ビームによる真空蒸着によって磁気ヘットのコ
ア用の厚膜のセンタスト合金膜を作製すれば、蒸着プロ
セス、ドライプロセス加工によってコア用の厚膜のバッ
チ処理が可能となるという大きな利点がある。
ア用の厚膜のセンタスト合金膜を作製すれば、蒸着プロ
セス、ドライプロセス加工によってコア用の厚膜のバッ
チ処理が可能となるという大きな利点がある。
又、前述したさおり本発明に係る製造方法（こよれは適
正組成のセンタスト合金膜を得ることができるので高透
磁率のセンタスト合金膜が得られる。
正組成のセンタスト合金膜を得ることができるので高透
磁率のセンタスト合金膜が得られる。
又周波数特性についても充分なものを得ることができる
ので高密度磁気記録再生用ヘッドへの応用も可能となる
。
ので高密度磁気記録再生用ヘッドへの応用も可能となる
。
第１図は本発明（こ係る製法を行なう為に用いた電子ビ
ーム蒸着装置の構成説明図、第２図は組成の変化を示す
グラフ図、第３図は実効透磁率の周波数特性のグラフ図
、第４図はＸ線回折パターンのグラフ図を示す。 図中、１：真空ペルジャー、２：基板、３：ヒータ、４
：ハース、５：合金タフレスト、６ フィラメント、７
：電子ビーム、８：シャッター。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第 ７ 図
ーム蒸着装置の構成説明図、第２図は組成の変化を示す
グラフ図、第３図は実効透磁率の周波数特性のグラフ図
、第４図はＸ線回折パターンのグラフ図を示す。 図中、１：真空ペルジャー、２：基板、３：ヒータ、４
：ハース、５：合金タフレスト、６ フィラメント、７
：電子ビーム、８：シャッター。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第 ７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄とアルミニウムと硅素とによって構成されアルミ
ニウムの組成が１乃至５ｗｊ％、硅素の組成が２０乃至
３５ｗｔ％である合金タフレットに真空中で電子ビーム
を照射して加熱せしめ、該加熱によって前記合金タブレ
ットより蒸発した物質を基板上に蒸着せしめて適正組成
の磁性膜を形成したことを特徴とする高透磁率合金膜の
製造方法。 ２、前記基板上における成膜のアルミニウムの組成が略
４乃至２０ｗｔ％の蒸着組成になる時点迄はシャッター
を閉成し、前記基板上における蒸着を遮断したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の高、透磁率合金膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22879382A JPS59121629A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 高透磁率合金膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22879382A JPS59121629A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 高透磁率合金膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121629A true JPS59121629A (ja) | 1984-07-13 |
| JPH0159727B2 JPH0159727B2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=16881935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22879382A Granted JPS59121629A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 高透磁率合金膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121629A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260611A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Sharp Corp | 軟磁性膜 |
| JPH0463114U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-29 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP22879382A patent/JPS59121629A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260611A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Sharp Corp | 軟磁性膜 |
| JPH0463114U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0159727B2 (ja) | 1989-12-19 |
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