JPH0254757A - 多結晶薄膜の形成方法 - Google Patents
多結晶薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0254757A JPH0254757A JP20351788A JP20351788A JPH0254757A JP H0254757 A JPH0254757 A JP H0254757A JP 20351788 A JP20351788 A JP 20351788A JP 20351788 A JP20351788 A JP 20351788A JP H0254757 A JPH0254757 A JP H0254757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- orientation
- film
- substrate
- ion beam
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005465 channeling Effects 0.000 abstract description 13
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、多結晶薄膜の形成方法に関する。
［従来の技術］
高周波帯域で使用される磁気ヘッドのコア材には、高透
磁率を有し、熱的にも安定なパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系
合金）、センダスト（Ｆｅ −３ｔ−Ａ、１’系合金）
等の結晶質の軟磁性薄膜が実用化されている。
磁率を有し、熱的にも安定なパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系
合金）、センダスト（Ｆｅ −３ｔ−Ａ、１’系合金）
等の結晶質の軟磁性薄膜が実用化されている。
従来、上述した薄膜はスパッタ法や蒸着法により所定の
基板上に成膜する方法により形成されている。この成膜
に際し、基板温度や基板バイアス電圧を変えることによ
り薄膜の結晶組織を制御することができる。
基板上に成膜する方法により形成されている。この成膜
に際し、基板温度や基板バイアス電圧を変えることによ
り薄膜の結晶組織を制御することができる。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の方法によれば、多結晶薄膜を構成する各
結晶粒の面方位を膜面に対して平行に配向させることが
可能である。しかしながら、膜面内での結晶軸方位まで
制御できず、膜面内では結晶粒の方位がばらばらに分散
しているため、透磁率の高周波特性が損われるという問
題があった。
結晶粒の面方位を膜面に対して平行に配向させることが
可能である。しかしながら、膜面内での結晶軸方位まで
制御できず、膜面内では結晶粒の方位がばらばらに分散
しているため、透磁率の高周波特性が損われるという問
題があった。
即ち、結晶質の磁性材料は結晶磁気異方性を有し、特定
の方位に磁化の向きを揃える性質を有するため、上記方
法で形成した多結晶薄膜のように膜面内で結晶粒の軸方
位がばらばらであると、面内の磁化にスキューやリップ
ルと呼ばれる局所的なゆらぎが発生し、既述のように透
磁率の高周波特性が損われる。
の方位に磁化の向きを揃える性質を有するため、上記方
法で形成した多結晶薄膜のように膜面内で結晶粒の軸方
位がばらばらであると、面内の磁化にスキューやリップ
ルと呼ばれる局所的なゆらぎが発生し、既述のように透
磁率の高周波特性が損われる。
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、結晶粒の面方位が膜面に平行に配向されると共に
、膜面内での軸方位が同一方向に揃って配向された多結
晶薄膜を形成し得る方法を提供しようとするものである
。
ので、結晶粒の面方位が膜面に平行に配向されると共に
、膜面内での軸方位が同一方向に揃って配向された多結
晶薄膜を形成し得る方法を提供しようとするものである
。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板表面に蒸着材料を真空蒸着法又はスパッ
タリング法によって成膜すると共に基板温度又は基板バ
イアス電圧を制御しながら、該基板表面に形成する最終
材料の多結晶薄膜の結晶配向組織のイオンビーム入射時
のイオンビームと格子原子の衝突断面積が最少である方
位、つまりイオンビームに対して最大のチャンネルを有
する方位（以下、チャンネリング方位と称す）に対して
±５″の範囲の角度でイオン源からイオンビームを照射
することを特徴とする多結晶薄膜の形成方法である。
タリング法によって成膜すると共に基板温度又は基板バ
イアス電圧を制御しながら、該基板表面に形成する最終
材料の多結晶薄膜の結晶配向組織のイオンビーム入射時
のイオンビームと格子原子の衝突断面積が最少である方
位、つまりイオンビームに対して最大のチャンネルを有
する方位（以下、チャンネリング方位と称す）に対して
±５″の範囲の角度でイオン源からイオンビームを照射
することを特徴とする多結晶薄膜の形成方法である。
上記蒸着材料としては、各種の金属、合金等を挙げるこ
とができる。
とができる。
上記イオンビームとしては、Ａｒ５ＨｅＳＮｅ。
Ｎ２、Ｎ２等を挙げることができる。但し、前記イオン
ビームとしてＮ２を用いた場合には、成膜された最終材
料は窒化物となる。
ビームとしてＮ２を用いた場合には、成膜された最終材
料は窒化物となる。
上記イオン源からのイオンビームの照射角度をチャンネ
リング方位に対して±５°に限定した理由は、それらの
範囲を逸脱すると膜面内で軸方位が同一方向に揃って配
向された多結晶薄膜を形成することができなくなるから
である。
リング方位に対して±５°に限定した理由は、それらの
範囲を逸脱すると膜面内で軸方位が同一方向に揃って配
向された多結晶薄膜を形成することができなくなるから
である。
上記イオンビームの照射にあたっては、成膜途中の膜に
対するエネルギー（例えばビーム電流或いは加速電圧）
を比較的高い条件して行なうことが望ましい。
対するエネルギー（例えばビーム電流或いは加速電圧）
を比較的高い条件して行なうことが望ましい。
［作用コ
本発明によれば、基板表面に蒸着材料を真空蒸着法又は
スパッタリング法によって成膜すると共に基板温度又は
基板バイアス電圧を制御しながら、チャンネリング方位
に対して±５°の範囲の角度でイオン源からイオンビー
ム゛を照射することによって、結晶粒の面方位が膜面に
平行に配向されると共に、膜面内でも軸方位が同一方向
にｔＩｌＭって配向された多結晶薄膜を基板表面に形成
できる。即ち、基板表面に蒸着材料を真空蒸着法又はス
パッタリング法によって成膜すると共に基板温度又は基
板バイアス電圧を制御することによって、結晶粒の面方
位を膜面に平行に配向できる。かかる条件での蒸着材料
の基板への成膜と同時にイオンビームを照射することに
よって、膜成長とイオンビームによるスパッタリング（
エツチング）が同時に進行する。この時、前記基板表面
にチャンネリング方位に対して±５°の範囲の角度でイ
オン源からイオンビームを照射すると、該チャンネリン
グ方位がイオンビームの入射方向と一致している結晶成
長核はあまりエツチングされず、かつイオン衝撃による
温度上昇も小さいが、チャンネリング方位がイオンビー
ムの入射方向とずれている結晶成長核はイオンビームに
より激しくエツチングされ、かつそれに伴って温度も上
昇する。その結果、チャンネリング方位がイオンビーム
の入射方向に一致する結晶成長核で優先的な結晶成長が
起る。従って、結晶粒のチャンネリング方位がイオンビ
ームの入射方向に一致する配向組織が形成される。この
ように結晶粒の特定の面方位を基板温度又は基板バイア
ス電圧を制御することにより基板面に平行に配向させ、
更にイオンビームの照射により結晶粒をチャンネリング
方位に揃えることによって、結果的には膜面内でも軸方
位が同一方向に揃って配向された多結晶薄膜を基板表面
に形成できる。
スパッタリング法によって成膜すると共に基板温度又は
基板バイアス電圧を制御しながら、チャンネリング方位
に対して±５°の範囲の角度でイオン源からイオンビー
ム゛を照射することによって、結晶粒の面方位が膜面に
平行に配向されると共に、膜面内でも軸方位が同一方向
にｔＩｌＭって配向された多結晶薄膜を基板表面に形成
できる。即ち、基板表面に蒸着材料を真空蒸着法又はス
パッタリング法によって成膜すると共に基板温度又は基
板バイアス電圧を制御することによって、結晶粒の面方
位を膜面に平行に配向できる。かかる条件での蒸着材料
の基板への成膜と同時にイオンビームを照射することに
よって、膜成長とイオンビームによるスパッタリング（
エツチング）が同時に進行する。この時、前記基板表面
にチャンネリング方位に対して±５°の範囲の角度でイ
オン源からイオンビームを照射すると、該チャンネリン
グ方位がイオンビームの入射方向と一致している結晶成
長核はあまりエツチングされず、かつイオン衝撃による
温度上昇も小さいが、チャンネリング方位がイオンビー
ムの入射方向とずれている結晶成長核はイオンビームに
より激しくエツチングされ、かつそれに伴って温度も上
昇する。その結果、チャンネリング方位がイオンビーム
の入射方向に一致する結晶成長核で優先的な結晶成長が
起る。従って、結晶粒のチャンネリング方位がイオンビ
ームの入射方向に一致する配向組織が形成される。この
ように結晶粒の特定の面方位を基板温度又は基板バイア
ス電圧を制御することにより基板面に平行に配向させ、
更にイオンビームの照射により結晶粒をチャンネリング
方位に揃えることによって、結果的には膜面内でも軸方
位が同一方向に揃って配向された多結晶薄膜を基板表面
に形成できる。
［実施例コ
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
まず、ガラス基板（コーニング社製商品名；＃ ７０５
９）をイオン源を備えた真空蒸着装置の真空チャンバ内
の基板ホルダに保持し、該チャンバ内を真空排気して真
空度をＩ Ｘ １０＝ ｔｏｒｒとした後、基板ホルダ
により基板を３００ ”Ｃに加熱しながら該ホルダ直下
のチャンバ内に配置したルツボがらＦｃ原子を蒸発させ
て前記ガラス基板表面に２０人／ｓｅｅの蒸着速度で成
膜した。同時に、イオン源から アルゴンイオンを前記
基板の法線に対して５５°の入射角度で加速電圧１００
０ｅＶ、ビーム電流０．７ｍＡ／護の条件で照射して厚
さ１μｍの多結晶Ｆｅ′４膜をガラス基板上に形成した
。なお、アルゴンイオンの入射角度は（００１）面が基
板面に平行に配向した多結晶Ｆｅ薄膜の＜１１１＞方位
にイオンビームの入射方位が一致するように設定した。
９）をイオン源を備えた真空蒸着装置の真空チャンバ内
の基板ホルダに保持し、該チャンバ内を真空排気して真
空度をＩ Ｘ １０＝ ｔｏｒｒとした後、基板ホルダ
により基板を３００ ”Ｃに加熱しながら該ホルダ直下
のチャンバ内に配置したルツボがらＦｃ原子を蒸発させ
て前記ガラス基板表面に２０人／ｓｅｅの蒸着速度で成
膜した。同時に、イオン源から アルゴンイオンを前記
基板の法線に対して５５°の入射角度で加速電圧１００
０ｅＶ、ビーム電流０．７ｍＡ／護の条件で照射して厚
さ１μｍの多結晶Ｆｅ′４膜をガラス基板上に形成した
。なお、アルゴンイオンの入射角度は（００１）面が基
板面に平行に配向した多結晶Ｆｅ薄膜の＜１１１＞方位
にイオンビームの入射方位が一致するように設定した。
＜１１１＞方位は、Ｆｅ結晶のイオンビームに対して最
大のチャンネルを有する方位、つまりチャンネリング方
位であり、入射イオンとＦｅ原子の衝突断面積が最小で
ある。
大のチャンネルを有する方位、つまりチャンネリング方
位であり、入射イオンとＦｅ原子の衝突断面積が最小で
ある。
比較例１
まず、ガラス基板（コーニング社製商品名；＃ ７０５
９）を真空蒸着装置の真空チャンバ内の基板ホルダに保
持し、該チャンバ内を真空排気して真空度をＩ Ｘ １
Ｏ−６ｔｏｒｒとした。つづいて、基板ホルダにより基
板を３００℃に加熱しながら該ホルダ直下のチャンバ内
に配置したルツボからＦｅ原子を蒸発させて前記ガラス
基板表面に２０人の蒸着速度で成膜して厚さ１μｍの多
結晶Ｆｅ薄膜を形成した。
９）を真空蒸着装置の真空チャンバ内の基板ホルダに保
持し、該チャンバ内を真空排気して真空度をＩ Ｘ １
Ｏ−６ｔｏｒｒとした。つづいて、基板ホルダにより基
板を３００℃に加熱しながら該ホルダ直下のチャンバ内
に配置したルツボからＦｅ原子を蒸発させて前記ガラス
基板表面に２０人の蒸着速度で成膜して厚さ１μｍの多
結晶Ｆｅ薄膜を形成した。
しかして、本実施例１及び比較例１の多結晶Ｆｃ薄膜の
結晶状態を調べた。その結果、本実施例１では第１図に
示すようにガラス基板１上に結晶粒２の（００１）面が
基板１に平行に、又［１１０１方位が膜面内の同一方向
に揃って配向している多結晶Ｆｅ薄膜３が形成されてい
ることが確認された。ここでの結晶粒の方位の関係は、
第２図に示すように結晶粒の（００１）面が基板面７に
平行に配向し、かつ［１１１］方位がイオンビームの入
射方向５に配向し、その結果、［１１０］方位が基板面
７とイオンビームの入射面６の交線方向８に揃って配向
している。これに対し、比較例１では第４図に示すよう
にガラス基ｔ！ｉ２１上に形成された多結晶Ｆｅ薄膜３
′における結晶粒２″の（００１’）面が基板１面に平
行に配向されいるものの、膜面内の軸方位はランダムで
結晶方位が分散していることが確認された。
結晶状態を調べた。その結果、本実施例１では第１図に
示すようにガラス基板１上に結晶粒２の（００１）面が
基板１に平行に、又［１１０１方位が膜面内の同一方向
に揃って配向している多結晶Ｆｅ薄膜３が形成されてい
ることが確認された。ここでの結晶粒の方位の関係は、
第２図に示すように結晶粒の（００１）面が基板面７に
平行に配向し、かつ［１１１］方位がイオンビームの入
射方向５に配向し、その結果、［１１０］方位が基板面
７とイオンビームの入射面６の交線方向８に揃って配向
している。これに対し、比較例１では第４図に示すよう
にガラス基ｔ！ｉ２１上に形成された多結晶Ｆｅ薄膜３
′における結晶粒２″の（００１’）面が基板１面に平
行に配向されいるものの、膜面内の軸方位はランダムで
結晶方位が分散していることが確認された。
実施例２
まず、ガラス基板（コーニング社製商品名；＃ ７０５
９）をイオン源を備えた直流マグネトロンスパッタリン
グ装置の真空チャンバ内の基板ホルダに保持し、該チャ
ンバ内を真空排気し、ながらアルゴンガスをチャンバ内
に導入して真空度を］、 Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒとした
後、基板ホルダにより基板を５０℃に加熱しながら該ホ
ルダ直下のチャンバ内に配置したセンダスト合金（Ｆｅ
−８ｉ −Ａ）系合金）からなるターゲットとチャン
バ間に４００Ｗの電力を印加してターゲットから該合金
粒子をスパッタリングさせて前記ガス基板表面に２０人
／ＳＣＣの速度で成膜した。同時に、イオン源からアル
ゴンイオンを前記基板の法線に対して３５″の入射角度
で加速電圧１０００ｅＶ、ビーム電流０．７ｍＡ／ ｃ
ｉの条件で照射して厚さ１μｍの多結晶センダスト合金
薄膜をガラス基板上に形成した。なお、アルゴンイオン
の入射角度は（１１０）面が基板面に平行に配向したセ
ンダスト合金薄膜の＜１１１＞方位にイオンビームの入
射方位が一致するように設定した。センダスト合金薄膜
の＜１１１＞方位は、イオンビームに対して最大のチャ
ンネルを有する方位、つまりチャンネリング方位である
。
９）をイオン源を備えた直流マグネトロンスパッタリン
グ装置の真空チャンバ内の基板ホルダに保持し、該チャ
ンバ内を真空排気し、ながらアルゴンガスをチャンバ内
に導入して真空度を］、 Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒとした
後、基板ホルダにより基板を５０℃に加熱しながら該ホ
ルダ直下のチャンバ内に配置したセンダスト合金（Ｆｅ
−８ｉ −Ａ）系合金）からなるターゲットとチャン
バ間に４００Ｗの電力を印加してターゲットから該合金
粒子をスパッタリングさせて前記ガス基板表面に２０人
／ＳＣＣの速度で成膜した。同時に、イオン源からアル
ゴンイオンを前記基板の法線に対して３５″の入射角度
で加速電圧１０００ｅＶ、ビーム電流０．７ｍＡ／ ｃ
ｉの条件で照射して厚さ１μｍの多結晶センダスト合金
薄膜をガラス基板上に形成した。なお、アルゴンイオン
の入射角度は（１１０）面が基板面に平行に配向したセ
ンダスト合金薄膜の＜１１１＞方位にイオンビームの入
射方位が一致するように設定した。センダスト合金薄膜
の＜１１１＞方位は、イオンビームに対して最大のチャ
ンネルを有する方位、つまりチャンネリング方位である
。
比較例２
まず、ガラス基板（コーニング社製商品名；＃７０５９
） ヲ直流マグネトロンスパッタリング装置の真空チャ
ンバ内の基板ホルダに保持した。つづいて、チャンバ内
を真空排気しながらアルゴンガスをチャンバ内に導入し
て真空度をｌ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒとした後、基板ホ
ルダにより基板を５０℃に加熱しながら該ホルダ直下の
チャンバ内に配置したセンダスト合金（Ｆｃ −３ｌ−
ＡＩ系合金）からなるターゲットとチャンバ間に４００
Ｗの電力を印加してターゲットから該合金粒子をスパッ
タリングさせて前記ガラス基板表面に２０人／ ｓｅｅ
の速度で成膜して多結晶センダスト合金薄膜を形成した
。
） ヲ直流マグネトロンスパッタリング装置の真空チャ
ンバ内の基板ホルダに保持した。つづいて、チャンバ内
を真空排気しながらアルゴンガスをチャンバ内に導入し
て真空度をｌ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒとした後、基板ホ
ルダにより基板を５０℃に加熱しながら該ホルダ直下の
チャンバ内に配置したセンダスト合金（Ｆｃ −３ｌ−
ＡＩ系合金）からなるターゲットとチャンバ間に４００
Ｗの電力を印加してターゲットから該合金粒子をスパッ
タリングさせて前記ガラス基板表面に２０人／ ｓｅｅ
の速度で成膜して多結晶センダスト合金薄膜を形成した
。
しかして、本実施例２及び比較例２の多結晶センダスト
合金薄膜の結晶状態を調べた。その結果、本実施例２で
はガラス基板上に結晶粒が（１１０）面が基板面に平行
に配向し、かつ［１１１，１ｌ方位がイオンビームの入
射方向に配向し、その結果として［００１］方位が基板
面とイオンビームの入射面の交線方向に揃って配向して
いる多結晶センダスト合金薄膜が形成されているこ・と
が確認された。
合金薄膜の結晶状態を調べた。その結果、本実施例２で
はガラス基板上に結晶粒が（１１０）面が基板面に平行
に配向し、かつ［１１１，１ｌ方位がイオンビームの入
射方向に配向し、その結果として［００１］方位が基板
面とイオンビームの入射面の交線方向に揃って配向して
いる多結晶センダスト合金薄膜が形成されているこ・と
が確認された。
これに対し、比較例２ではガラス基板上に形成された多
結晶ゼンダスト合金薄膜における結晶粒の（１１０）面
が基板面に平行に配向されているものの、膜面内の軸方
位はランダムで結晶方位が分散していることが確認され
た。
結晶ゼンダスト合金薄膜における結晶粒の（１１０）面
が基板面に平行に配向されているものの、膜面内の軸方
位はランダムで結晶方位が分散していることが確認され
た。
また、前記実施例２及び比較例２の多結晶センダスト合
金薄膜について比透磁率の高周波領域での周波数特性を
調べたところ、第３図に示す特性図を得た。なお、第３
図中のＡは本実施例２の多結晶センダスト合金薄膜の特
性線、Ｂは比較例２のと同薄膜の特性線を示す。この第
３図から明らかなように本実施例２のように面内で結晶
方位の揃った結晶粒からなる多結晶センダスト薄膜は、
比較例２の同薄膜に比べて高周波特性が著しく優れてい
ることがわかる。
金薄膜について比透磁率の高周波領域での周波数特性を
調べたところ、第３図に示す特性図を得た。なお、第３
図中のＡは本実施例２の多結晶センダスト合金薄膜の特
性線、Ｂは比較例２のと同薄膜の特性線を示す。この第
３図から明らかなように本実施例２のように面内で結晶
方位の揃った結晶粒からなる多結晶センダスト薄膜は、
比較例２の同薄膜に比べて高周波特性が著しく優れてい
ることがわかる。
なお、上記実施例では多結晶薄膜の結晶の面方位を基板
表面に平行に配向させる手段として、基板温度を制御す
る方法を採用したが、基板にバイアスを印加したり、基
板に下地層を予め形成することによって多結晶薄膜の結
晶の面方位を基板表面に平行に配向させるようににして
もよい。
表面に平行に配向させる手段として、基板温度を制御す
る方法を採用したが、基板にバイアスを印加したり、基
板に下地層を予め形成することによって多結晶薄膜の結
晶の面方位を基板表面に平行に配向させるようににして
もよい。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によれば結晶粒の面方位が膜
面に平行に配向されると共に、膜面内での軸方位が同一
方向に揃って配向された多結晶薄膜を形成でき、ひいて
は磁気ヘッドのコア材等に応用される高周波帯域での高
透磁率特性を有する磁性薄膜などに好適な多結晶薄膜の
形成方法を提供できる。
面に平行に配向されると共に、膜面内での軸方位が同一
方向に揃って配向された多結晶薄膜を形成でき、ひいて
は磁気ヘッドのコア材等に応用される高周波帯域での高
透磁率特性を有する磁性薄膜などに好適な多結晶薄膜の
形成方法を提供できる。
第１図は本発明の実施例１におけるガラス基板上に形成
された多結晶Ｆｅ薄膜の結晶状態を示す概略図、第２図
は実施例１で形成された多結晶Ｆｅ薄膜の軸方位を説明
するための概略図、第３甲は実施例２及び比較例２で形
成された多結晶センダスト合金薄膜の周波数−比透磁率
を示す特性図、第４図は比較例１におけるガラス基板上
に形成された多結晶Ｆｅ薄膜の結晶状態を示す概略図で
ある。 ・・・ガラス基板、２・・・結晶粒、３・・・多結晶Ｆ
ｅ薄膜、４・・・基板面法線、５・・・イオンビーム入
射方位、６・・・イオンビーム入射面、７・・・基板面
、８・・・イオンビーム入射面と基板面の交線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １図 第２図
された多結晶Ｆｅ薄膜の結晶状態を示す概略図、第２図
は実施例１で形成された多結晶Ｆｅ薄膜の軸方位を説明
するための概略図、第３甲は実施例２及び比較例２で形
成された多結晶センダスト合金薄膜の周波数−比透磁率
を示す特性図、第４図は比較例１におけるガラス基板上
に形成された多結晶Ｆｅ薄膜の結晶状態を示す概略図で
ある。 ・・・ガラス基板、２・・・結晶粒、３・・・多結晶Ｆ
ｅ薄膜、４・・・基板面法線、５・・・イオンビーム入
射方位、６・・・イオンビーム入射面、７・・・基板面
、８・・・イオンビーム入射面と基板面の交線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １図 第２図
Claims (1)
- 基板表面に蒸着材料を真空蒸着法又はスパッタリング
法によって成膜すると共に基板温度又は基板バイアス電
圧を制御しながら、該基板表面に形成する最終材料の多
結晶薄膜の結晶配向組織のイオンビーム入射時のイオン
ビームと格子原子の衝突断面積が最少である方位に対し
て±５゜の範囲の角度でイオン源からイオンビームを照
射することを特徴とする多結晶薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203517A JPH0747816B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203517A JPH0747816B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254757A true JPH0254757A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0747816B2 JPH0747816B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16475463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63203517A Expired - Lifetime JPH0747816B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747816B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04329867A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Fujikura Ltd | 多結晶薄膜の製造装置 |
| JPH04329865A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Fujikura Ltd | 多結晶薄膜 |
| US5650378A (en) * | 1992-10-02 | 1997-07-22 | Fujikura Ltd. | Method of making polycrystalline thin film and superconducting oxide body |
| WO1998017846A1 (fr) * | 1996-10-23 | 1998-04-30 | Fujikura, Ltd. | Procede pour preparer une couche mince polycristalline, procede pour preparer un supraconducteur de type oxyde, et dispositif associe |
| US9963777B2 (en) | 2012-10-08 | 2018-05-08 | Analog Devices, Inc. | Methods of forming a thin film resistor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173723A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP63203517A patent/JPH0747816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173723A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04329867A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Fujikura Ltd | 多結晶薄膜の製造装置 |
| JPH04329865A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Fujikura Ltd | 多結晶薄膜 |
| US5650378A (en) * | 1992-10-02 | 1997-07-22 | Fujikura Ltd. | Method of making polycrystalline thin film and superconducting oxide body |
| WO1998017846A1 (fr) * | 1996-10-23 | 1998-04-30 | Fujikura, Ltd. | Procede pour preparer une couche mince polycristalline, procede pour preparer un supraconducteur de type oxyde, et dispositif associe |
| US9963777B2 (en) | 2012-10-08 | 2018-05-08 | Analog Devices, Inc. | Methods of forming a thin film resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0747816B2 (ja) | 1995-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sonnenberg et al. | Preparation of biaxially aligned cubic zirconia films on pyrex glass substrates using ion‐beam assisted deposition | |
| JP2742631B2 (ja) | 非晶質磁性膜の製造方法 | |
| JP2957421B2 (ja) | 薄膜磁石およびその製造方法ならびに円筒形強磁性薄膜 | |
| US5147734A (en) | Magnetic recording media manufactured by a process in which a negative bias voltage is applied to the substrate during sputtering | |
| EP0135118A2 (en) | Method of producing fine particles | |
| JPH0254757A (ja) | 多結晶薄膜の形成方法 | |
| JPH01319670A (ja) | 双軸異方性を有する単結晶磁気被膜を製造する方法 | |
| JPH0280562A (ja) | 鉄ガーネット層の製造方法、光導波路およびインテグレーテッドオプトエレクトロニクス素子 | |
| JPH02129361A (ja) | 二酸化クロム薄膜の形成方法 | |
| JPH09256139A (ja) | 酸化亜鉛膜の製造方法 | |
| JPS6050757B2 (ja) | 単結晶膜の製造方法 | |
| JP2777599B2 (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JP3227768B2 (ja) | 銅薄膜の結晶配向制御方法 | |
| JPS59136415A (ja) | 高透磁率合金膜の製造方法 | |
| JPS6130018B2 (ja) | ||
| JPH0252415A (ja) | 一軸異方性を有する磁性薄膜の形成方法 | |
| JPH03265123A (ja) | 結晶質半導体膜の形成方法 | |
| JPS6276710A (ja) | 磁性薄膜の製造方法 | |
| Ishii et al. | Deposition of ferromagnetic metal thin films by ion beam sputtering | |
| JPH048506B2 (ja) | ||
| JPH02184594A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS59121629A (ja) | 高透磁率合金膜の製造方法 | |
| JPH0953171A (ja) | 磁歪薄膜の製造方法 | |
| JPH0472062A (ja) | 結晶膜の製造方法 | |
| JPS6174142A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080524 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090524 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090524 Year of fee payment: 14 |