JPH01255669A - ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法 - Google Patents
ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法Info
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- JPH01255669A JPH01255669A JP8073988A JP8073988A JPH01255669A JP H01255669 A JPH01255669 A JP H01255669A JP 8073988 A JP8073988 A JP 8073988A JP 8073988 A JP8073988 A JP 8073988A JP H01255669 A JPH01255669 A JP H01255669A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビームスパッタ法により2成分以上の多成分
からなる合金、化合物等の多成分物質被膜を基体上に形
成する方法の改良に関するものであって、特に多成分物
質の基体上への析出に際して、各成分の化学量論比を安
定して、高情度にコントロールし、高性能、高品質の多
成分物質被膜を形成する方法に関するものである。
からなる合金、化合物等の多成分物質被膜を基体上に形
成する方法の改良に関するものであって、特に多成分物
質の基体上への析出に際して、各成分の化学量論比を安
定して、高情度にコントロールし、高性能、高品質の多
成分物質被膜を形成する方法に関するものである。
最近材料表面の機能化或いは改質を目的として、細線、
フィラメント、テープ等の基体表面にPVD(物理的蒸
着)法等の気相析出反応により所望の物質の被膜を形成
する事が行なわれており、特に基体上に磁性体(Fe、
Co合金等)やセラミックス等の合金や化合物即ち多成
分物質の被膜を形成する事が工業的に注目されている。
フィラメント、テープ等の基体表面にPVD(物理的蒸
着)法等の気相析出反応により所望の物質の被膜を形成
する事が行なわれており、特に基体上に磁性体(Fe、
Co合金等)やセラミックス等の合金や化合物即ち多成
分物質の被膜を形成する事が工業的に注目されている。
前記PVD法としては、−aにスパッタ法、真空蒸着法
等が用いられており、多成分物質からなる被膜組成の精
密なコントロール法としては、特殊な真空蒸着法である
MBE(分子線エピタキシー)法が提案されているが、
この方法は成膜スピ−ドが0.1〜1人/ s e c
又はそれ以下であって非常に遅く、特殊な場合を除き工
業的でない。
等が用いられており、多成分物質からなる被膜組成の精
密なコントロール法としては、特殊な真空蒸着法である
MBE(分子線エピタキシー)法が提案されているが、
この方法は成膜スピ−ドが0.1〜1人/ s e c
又はそれ以下であって非常に遅く、特殊な場合を除き工
業的でない。
一方一般のPVD法においては、ターゲットの組成と基
板上に形成される被膜の組成とが通常異なっており、多
成分物質の被膜を形成する際には例えば以下の様な方法
が取られている。
板上に形成される被膜の組成とが通常異なっており、多
成分物質の被膜を形成する際には例えば以下の様な方法
が取られている。
(1)ターゲットの組成と基板上に形成される被膜の組
成との関係を予め実験的に求めておき、所望の被膜組成
が得られる様な組成のターゲットを用いる。
成との関係を予め実験的に求めておき、所望の被膜組成
が得られる様な組成のターゲットを用いる。
(2)被膜を構成する各成分毎に異なったターゲットを
用い、各々のターゲットを所定のスピードでスパッタま
たは蒸発せしめて、基板上に析出被膜を形成させる。
用い、各々のターゲットを所定のスピードでスパッタま
たは蒸発せしめて、基板上に析出被膜を形成させる。
然しながら、前記(1)の方法においては、PVDの進
行と共に、スパッタされにく゛い成分が蓄積して、ター
ゲット表面の組成が変化し、又得られる被膜組成はPV
D条件の影響を受けやすく、各成分の化学量論比を安定
してコントロールする事が困難であった。又前記(2)
の方法においては、成分数と同じ数のターゲットが必要
であり、設備が著しく大型化するという問題があった。
行と共に、スパッタされにく゛い成分が蓄積して、ター
ゲット表面の組成が変化し、又得られる被膜組成はPV
D条件の影響を受けやすく、各成分の化学量論比を安定
してコントロールする事が困難であった。又前記(2)
の方法においては、成分数と同じ数のターゲットが必要
であり、設備が著しく大型化するという問題があった。
特にプラズマスパッタにおいては、プラスマ間の干渉を
抑える為の特殊な工夫が必要であり、装置の構造が複雑
化して実用的でなかった。
抑える為の特殊な工夫が必要であり、装置の構造が複雑
化して実用的でなかった。
即ち解決すべき技術課題として、
(1)長期にわたり安定して、且つその組成を精密にコ
ントロールして、多成分物質の被膜を成膜する事。
ントロールして、多成分物質の被膜を成膜する事。
(2)被膜形成装置が経済的な装置である事。
(3)成膜スピードが大きい事。
等があり、これらを満足する多成分物質からなる被膜の
形成方法の開発が工業的に強く求められて本発明は上記
の点に鑑み鋭意研究の結果なされたものであり、その目
的とするところは、基体上に多成分物質の被膜を形成す
るに際して、その形成被膜組成を安定して、且つ高精度
にコントロール出来る方法を提供する事である。
形成方法の開発が工業的に強く求められて本発明は上記
の点に鑑み鋭意研究の結果なされたものであり、その目
的とするところは、基体上に多成分物質の被膜を形成す
るに際して、その形成被膜組成を安定して、且つ高精度
にコントロール出来る方法を提供する事である。
即ち本発明は、高エネルギービームをターゲットに照射
し、該ターゲットを構成する原子を飛散せしめて、対置
された基体上に析出せしめる方法(以下ビームスパッタ
法と称す)において、前記ターゲットとして、その長さ
方向(X方向)又は幅方向(Y方向)に平行な方向に直
列に配置されている少なくとも2種の異なる物質の部分
ターゲットから構成されており、その構成比率は基体上
に析出する析出物の組成比に合わせて調整されている矩
形板状ターゲットを用い、前記ターゲット表面を高エネ
ルギービームに対して、X方向及びY方向に相対的に運
動させつつ、該矩形板状ターゲットの表面に高エネルギ
ービームを照射して。
し、該ターゲットを構成する原子を飛散せしめて、対置
された基体上に析出せしめる方法(以下ビームスパッタ
法と称す)において、前記ターゲットとして、その長さ
方向(X方向)又は幅方向(Y方向)に平行な方向に直
列に配置されている少なくとも2種の異なる物質の部分
ターゲットから構成されており、その構成比率は基体上
に析出する析出物の組成比に合わせて調整されている矩
形板状ターゲットを用い、前記ターゲット表面を高エネ
ルギービームに対して、X方向及びY方向に相対的に運
動させつつ、該矩形板状ターゲットの表面に高エネルギ
ービームを照射して。
原子を飛散せしめる事を特徴とするビームスパッタ法に
よる多成分物質膜の形成方法である。
よる多成分物質膜の形成方法である。
次に本発明方法を図面を用いて具体的に説明する。第1
図は本発明方法における高エネルギービームとしてレー
ザー光を用いた場合の一実施例を示す概略説明図であっ
て、1は真空チャンバー、2はX−Y運動が可能な矩形
板状ターゲット、3は析出基板、4はホルダー、5は窓
、6はレーザー光、7は光源、8は集光レンズである。
図は本発明方法における高エネルギービームとしてレー
ザー光を用いた場合の一実施例を示す概略説明図であっ
て、1は真空チャンバー、2はX−Y運動が可能な矩形
板状ターゲット、3は析出基板、4はホルダー、5は窓
、6はレーザー光、7は光源、8は集光レンズである。
真空チャンバー1 (YJ¥気系は図示せず)内にX−
Y運動が可能な矩形板状ターゲット2と、該ターゲット
2に対置された析出基体3が配置されており、該析出基
体3はホルダー4上に支持されていて、必要に応じてX
−Y運動又は回転運動を行なう、又前記X−Y運動が可
能な矩形板状ターゲット2は、その長さ方向(X方向)
及び幅方向(Y方向)に、それぞれ任意の膜室スピード
で往復運動を行なう。
Y運動が可能な矩形板状ターゲット2と、該ターゲット
2に対置された析出基体3が配置されており、該析出基
体3はホルダー4上に支持されていて、必要に応じてX
−Y運動又は回転運動を行なう、又前記X−Y運動が可
能な矩形板状ターゲット2は、その長さ方向(X方向)
及び幅方向(Y方向)に、それぞれ任意の膜室スピード
で往復運動を行なう。
而して、光源7、集光レンズ8等の光学系(パワーメー
ター系等は図示せず)より供給されたレーザー光6は、
真空チャンバー1に設けられた窓5を通して、X−Y運
動する矩形板状ターゲット2の全表面上に照射される。
ター系等は図示せず)より供給されたレーザー光6は、
真空チャンバー1に設けられた窓5を通して、X−Y運
動する矩形板状ターゲット2の全表面上に照射される。
前記矩形板状ターゲット2に吸収されたレーザー光の熱
的又は熱的十光化学的作用により、部分ターゲットを構
成する原子は薄発、スパッタされて、対置された基板3
上に析出する。尚基板3は、ホルダー4内に内蔵されて
いる加熱冷却機構により、所望の温度に調整が可能であ
る。又真空チャンバー1の真空度は、必要な平均自由行
路長により選定されるものであり、多くの場合10−3
〜10−’T o r r又はそれ以下である。更に酸
化物等を析出させる場合は、残留ガスとしての酸素を用
いて酸化させる事、即ち反応性スパッタを行なう事が有
用である。
的又は熱的十光化学的作用により、部分ターゲットを構
成する原子は薄発、スパッタされて、対置された基板3
上に析出する。尚基板3は、ホルダー4内に内蔵されて
いる加熱冷却機構により、所望の温度に調整が可能であ
る。又真空チャンバー1の真空度は、必要な平均自由行
路長により選定されるものであり、多くの場合10−3
〜10−’T o r r又はそれ以下である。更に酸
化物等を析出させる場合は、残留ガスとしての酸素を用
いて酸化させる事、即ち反応性スパッタを行なう事が有
用である。
向上起倒では、レーザー光は固定しておいて、矩形板状
ターゲットをX−Y運動させたが、逆に矩形板状ターゲ
ットは固定しておいて、レーザー光をX−X方向に走査
させてもよ(、或いは例えば該矩形板状ターゲットをX
方向に往復運動させつつ、レーザー光をX方向に走査さ
せる等の方法によっても差し支えない。
ターゲットをX−Y運動させたが、逆に矩形板状ターゲ
ットは固定しておいて、レーザー光をX−X方向に走査
させてもよ(、或いは例えば該矩形板状ターゲットをX
方向に往復運動させつつ、レーザー光をX方向に走査さ
せる等の方法によっても差し支えない。
以上のレーザー光スパッタにおける矩形板状ターゲット
2の構成例を第2図に例示する。
2の構成例を第2図に例示する。
該矩形板状ターゲット2は、3種の異なる物質の部分タ
ーゲット(2A、2B及び2G)が、長さ方向(X方向
)に直列に配置されて構成され℃いる。これらの各部分
ターゲットは、ロー付1す、接着等任意の手段により互
いに接合する事が可能であり、或いは所望の支持体上に
これらの各部分ターゲットを接合して、矩形板状ターゲ
ットを構成しても差し支えない。
ーゲット(2A、2B及び2G)が、長さ方向(X方向
)に直列に配置されて構成され℃いる。これらの各部分
ターゲットは、ロー付1す、接着等任意の手段により互
いに接合する事が可能であり、或いは所望の支持体上に
これらの各部分ターゲットを接合して、矩形板状ターゲ
ットを構成しても差し支えない。
以上の説明は、高エネルギービームとしてレーザー光を
用いた場合のものであるが、イオンビーム、電子ビーム
等の高エネルギービームを用いる事も可能であり、これ
らのビームを用いた場合は、レーザー光の場合と異なり
、電磁気的にこれらのビームを制御して、集束、ガイド
する事が出来る。
用いた場合のものであるが、イオンビーム、電子ビーム
等の高エネルギービームを用いる事も可能であり、これ
らのビームを用いた場合は、レーザー光の場合と異なり
、電磁気的にこれらのビームを制御して、集束、ガイド
する事が出来る。
(作用〕
本発明方法によれば、単一のビーム源で、矩形板状ター
ゲットを構成する複数の成分をそれぞれ独立にスパッタ
する事が出来る為、長期間にわたってターゲット表面の
組成変化がなく、形成された多成分物質被膜の組成が安
定している。
ゲットを構成する複数の成分をそれぞれ独立にスパッタ
する事が出来る為、長期間にわたってターゲット表面の
組成変化がなく、形成された多成分物質被膜の組成が安
定している。
又本発明方法においては、光源パワー又はスパッタ速度
と矩形板状ターゲットの高エネルギービームに対する相
対的な運動速度との組み合わせにより、1スキヤン当た
りの(又は1周期当たりの)各成分の析出量を経験的に
選択する事が出来る。この方法で入オーダーの多層膜を
得る事も出来るが、スパッタ中の基板温度条件によって
は、前記多層膜中の各析出物を互いに反応させて、合金
又は化合物を形成させる事も可能である。又スパッタ終
了後に、必要に応じて熱処理を行ない、所望の合金化又
は化合物化を完結させる事が実用的である。
と矩形板状ターゲットの高エネルギービームに対する相
対的な運動速度との組み合わせにより、1スキヤン当た
りの(又は1周期当たりの)各成分の析出量を経験的に
選択する事が出来る。この方法で入オーダーの多層膜を
得る事も出来るが、スパッタ中の基板温度条件によって
は、前記多層膜中の各析出物を互いに反応させて、合金
又は化合物を形成させる事も可能である。又スパッタ終
了後に、必要に応じて熱処理を行ない、所望の合金化又
は化合物化を完結させる事が実用的である。
更に本発明方法は、CO,L/−ザー、Nd:YAGレ
ーザ−、KrF又はArFレーザー等各種波長やパワー
のレーザー光源を用いる事により、最も有効に利用出来
るものである。レーザー光は、イオンビームや電子ビー
ムに比べて、パワー密度が高く、従って被膜の析出速度
をより大きくする事が出来る。即ちイオンビームスパッ
タや電子ビーム蒸着法が1〜10人/ s e c位の
析出速度であるのに対して、レーザー光を用いた場合は
10〜1000人/ s e cの析出速度が可能であ
り、この点で従来PVD法の工業的不利点を大幅に改善
出来る。向上記の短波長レーザー光により、光化学反応
効果も期待出来る事は言うまでもない。
ーザ−、KrF又はArFレーザー等各種波長やパワー
のレーザー光源を用いる事により、最も有効に利用出来
るものである。レーザー光は、イオンビームや電子ビー
ムに比べて、パワー密度が高く、従って被膜の析出速度
をより大きくする事が出来る。即ちイオンビームスパッ
タや電子ビーム蒸着法が1〜10人/ s e c位の
析出速度であるのに対して、レーザー光を用いた場合は
10〜1000人/ s e cの析出速度が可能であ
り、この点で従来PVD法の工業的不利点を大幅に改善
出来る。向上記の短波長レーザー光により、光化学反応
効果も期待出来る事は言うまでもない。
〔実施例1〕
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。第1
図において、光源7としてNd : YAGレーザ−(
λ−1.06人、0.5kw)を用い、真空チャンバー
1内の真空度を10−’To r rとした。ターゲッ
ト2としては、第2図におけるX方向に直列にAu、P
d、Agを体積比で5=5=1の比率で組み合わせて、
長さ(X): 10mm、幅(Y): 5mm、厚さ:
3mmとした矩形板状ターゲットを用い、該矩形板状タ
ーゲットをX方向に360回/分、10m/minの速
度で往復運動させた。
図において、光源7としてNd : YAGレーザ−(
λ−1.06人、0.5kw)を用い、真空チャンバー
1内の真空度を10−’To r rとした。ターゲッ
ト2としては、第2図におけるX方向に直列にAu、P
d、Agを体積比で5=5=1の比率で組み合わせて、
長さ(X): 10mm、幅(Y): 5mm、厚さ:
3mmとした矩形板状ターゲットを用い、該矩形板状タ
ーゲットをX方向に360回/分、10m/minの速
度で往復運動させた。
前記レーザー光は、0.1mmφのスポットとして、前
記矩形板状ターゲット2の表面上に照射した。この際集
光レンズ8を作動させて、該レーザー光を矩形板状ター
ゲット2の幅方向(X方向)に走査させた。又析出基板
3としては、NiメツキしたBe−Cuバネ板を600
”Cに加熱して使用した。
記矩形板状ターゲット2の表面上に照射した。この際集
光レンズ8を作動させて、該レーザー光を矩形板状ター
ゲット2の幅方向(X方向)に走査させた。又析出基板
3としては、NiメツキしたBe−Cuバネ板を600
”Cに加熱して使用した。
この様にしてビームスパッタを行なって、1分間で厚さ
約1μmの60wt%Au−30wt%Pd−10wt
%Ag合金膜を得た。
約1μmの60wt%Au−30wt%Pd−10wt
%Ag合金膜を得た。
同様な操作を10回及び100回繰り返して行ない、得
られた合金被膜のそれぞれについて組成分析を行なった
が、第2表に示した様にその組成に本質的変化は認めら
れなかった。
られた合金被膜のそれぞれについて組成分析を行なった
が、第2表に示した様にその組成に本質的変化は認めら
れなかった。
而して得た製品を電子機器のコネクター接続片として用
いる為、第1表に示した条件で加速劣化試験を行ない、
試験前後の接触抵抗を測定して、その結果を第2表に示
した。
いる為、第1表に示した条件で加速劣化試験を行ない、
試験前後の接触抵抗を測定して、その結果を第2表に示
した。
尚比較の為、Au、Pd、Agを前記5:5:1の組成
になる様に合金化した単一矩形板状ターゲットを用いて
、同様にビームスパッタを行なった場合についても、得
られた合金被膜の組成分析及び加速劣化試験を行ない、
その結果を第2表に併記した。
になる様に合金化した単一矩形板状ターゲットを用いて
、同様にビームスパッタを行なった場合についても、得
られた合金被膜の組成分析及び加速劣化試験を行ない、
その結果を第2表に併記した。
第 1 表
第2表から明らかな様に、本発明方法によれば所望の組
成の多成分物質被膜を安定して得る事が出来、加速劣化
試験を行なっても、接触抵抗の増重は殆ど認められなか
った。一方従来法による多成分物質被膜を形成した比較
例品は、被膜の組成変動が激しく、且つ加速劣化試験に
より著しく劣化していた。
成の多成分物質被膜を安定して得る事が出来、加速劣化
試験を行なっても、接触抵抗の増重は殆ど認められなか
った。一方従来法による多成分物質被膜を形成した比較
例品は、被膜の組成変動が激しく、且つ加速劣化試験に
より著しく劣化していた。
〔実施例2〕
第1図において、光源7としてCW C0wレーザー
(2kw)を用い、真空チャンバー1内を10−’To
r rの酸素雰囲気として、S r T i 03誘
電体膜の生成を行なった。矩形板状ターゲット2として
は、第2図におけるX方向に直列にSrOの焼結体とT
ie、の焼゛結体とを体積比で35:65の比率で組み
合わせて、長さ(X):1りmm、幅(Y):5mm、
厚さ:3mmとした十形板状ターゲットを用いた。
(2kw)を用い、真空チャンバー1内を10−’To
r rの酸素雰囲気として、S r T i 03誘
電体膜の生成を行なった。矩形板状ターゲット2として
は、第2図におけるX方向に直列にSrOの焼結体とT
ie、の焼゛結体とを体積比で35:65の比率で組み
合わせて、長さ(X):1りmm、幅(Y):5mm、
厚さ:3mmとした十形板状ターゲットを用いた。
前記レーザー光は、0.4mmφのスポットとして、前
記矩形板状ターゲット20表面上に照射した。この際集
光レンズ8を作動させて、咳レーザ−光を矩形板状ター
ゲットの長さ方向(X方向)及び幅方向(Y方向)に走
査させた。又析出基板3としては、550℃に加熱した
AI!、、O!を使用した。
記矩形板状ターゲット20表面上に照射した。この際集
光レンズ8を作動させて、咳レーザ−光を矩形板状ター
ゲットの長さ方向(X方向)及び幅方向(Y方向)に走
査させた。又析出基板3としては、550℃に加熱した
AI!、、O!を使用した。
この様にしてビームスパッタを行なって、5分間で厚さ
約1.5μmの多成分物質被膜を得た。而して得られた
製品を酸素気流中で、450℃×10分間熱処理して仕
上げた。
約1.5μmの多成分物質被膜を得た。而して得られた
製品を酸素気流中で、450℃×10分間熱処理して仕
上げた。
これについて、X線回折を行ない、5rTiOsである
事を確認した。又ICP分析を行なたところ、Sr :
Tiのモル比は1:1.05であった。
事を確認した。又ICP分析を行なたところ、Sr :
Tiのモル比は1:1.05であった。
尚比較の為、5rTiOzをターゲットとして、同様な
ビームスパッタを行なったが、X線回折により5rTi
O,の生成を確認する事が出来なかった。
ビームスパッタを行なったが、X線回折により5rTi
O,の生成を確認する事が出来なかった。
又5rTiO,ターゲツトを用いて、RFマグネトロン
スパッタを行なったところ、厚さ1.5μmの被膜を得
るのに約2時間を要し、Sr:Tiのモル比は1:0.
67であって、化学量論比より大きくずれたものであっ
た。
スパッタを行なったところ、厚さ1.5μmの被膜を得
るのに約2時間を要し、Sr:Tiのモル比は1:0.
67であって、化学量論比より大きくずれたものであっ
た。
本発明方法によれば、基体上に組成を安定して、且つ高
精度にコントロールされた多成分物質被膜を形成する事
が出来、しかも前記多成分物質被膜の形成を迅速に行な
う事が出来る等、工業上顕著な効果を奏するものである
。
精度にコントロールされた多成分物質被膜を形成する事
が出来、しかも前記多成分物質被膜の形成を迅速に行な
う事が出来る等、工業上顕著な効果を奏するものである
。
本発明方法は、エネルギー密度が大きくて、且つハンド
リグが容易なレーザー光を用いる時、その効果を最も工
業的に実現出来るが、イオンビーム等地のビームを用い
た場合も、その特徴を活かして、工業的に有用なスパッ
タ成膜法が実現出来る。
リグが容易なレーザー光を用いる時、その効果を最も工
業的に実現出来るが、イオンビーム等地のビームを用い
た場合も、その特徴を活かして、工業的に有用なスパッ
タ成膜法が実現出来る。
第1図は本発明方法によるスパッタ成膜法の一実施例を
示す概略説明図、第2図は、本発明方法に使用するター
ゲットの構成例を示す斜視図である。 1・・−真空チャンパー、2・−・矩形板状ターゲット
、2A、2B、2C・一部分ターゲット、3−・・析出
基板、4・・・ホルダー、5−窓、6・・・レーザー光
、7・・−光源、8−・・集光レンズ。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第1図 / Y 第2図
示す概略説明図、第2図は、本発明方法に使用するター
ゲットの構成例を示す斜視図である。 1・・−真空チャンパー、2・−・矩形板状ターゲット
、2A、2B、2C・一部分ターゲット、3−・・析出
基板、4・・・ホルダー、5−窓、6・・・レーザー光
、7・・−光源、8−・・集光レンズ。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第1図 / Y 第2図
Claims (1)
- 高エネルギービームをターゲットに照射し、該ターゲッ
トを構成する原子を飛散せしめて、対置された基体上に
析出せしめる方法において、前記ターゲットとして、そ
の長さ方向(X方向)又は幅方向(Y方向)に平行な方
向に直列に配置されている少なくとも2種の異なる物質
の部分ターゲットから構成されており、その構成比率は
基体上に析出する析出物の組成比に合わせて調整されて
いる矩形板状ターゲットを用い、前記ターゲット表面を
高エネルギービームに対して、X方向及びY方向に相対
的に運動させつつ、該矩形板状ターゲットの表面に高エ
ネルギービームを照射して、原子を飛散せしめる事を特
徴とするビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8073988A JPH01255669A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8073988A JPH01255669A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01255669A true JPH01255669A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13726764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8073988A Pending JPH01255669A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01255669A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188192A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 構造化層を付着させるための方法及び装置 |
JPH06188191A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 半導体素子の機能的構造の製造プロセスおよび製造装置 |
US6488821B2 (en) | 2001-03-16 | 2002-12-03 | 4 Wave Inc. | System and method for performing sputter deposition using a divergent ion beam source and a rotating substrate |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8073988A patent/JPH01255669A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188192A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 構造化層を付着させるための方法及び装置 |
JPH06188191A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 半導体素子の機能的構造の製造プロセスおよび製造装置 |
US6488821B2 (en) | 2001-03-16 | 2002-12-03 | 4 Wave Inc. | System and method for performing sputter deposition using a divergent ion beam source and a rotating substrate |
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