JPS60169561A - 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置及び薄膜形成方法Info
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- JPS60169561A JPS60169561A JP59026794A JP2679484A JPS60169561A JP S60169561 A JPS60169561 A JP S60169561A JP 59026794 A JP59026794 A JP 59026794A JP 2679484 A JP2679484 A JP 2679484A JP S60169561 A JPS60169561 A JP S60169561A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substance
- electron beam
- heating means
- film forming
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関するもので
ある。
ある。
従来、比較的高融点の金属を蒸着して４ｉＦ状月等の基
体に薄膜を形成する場合、第′１図に示づ通り、蒸発源
１に収納された金属２に電子ど一ム３を照射して加熱蒸
発させている。ところで商業生産規模でこのようイｒ製
造を行なう場合に１は金属が安定して蒸発し、蒸着速度
が早いことが要求される。
体に薄膜を形成する場合、第′１図に示づ通り、蒸発源
１に収納された金属２に電子ど一ム３を照射して加熱蒸
発させている。ところで商業生産規模でこのようイｒ製
造を行なう場合に１は金属が安定して蒸発し、蒸着速度
が早いことが要求される。
が、電子ビームにより金属を蒸発さける場合、電子ヒー
ムのエネルギーを増加することにより蒸着速度は増加η
るが、溶融した金属面のゆれが大きくなりそのため蒸発
が不安定となり、蒸着にムラが生じ均一な薄膜を得るこ
とができない欠点かあつ ノこ 。
ムのエネルギーを増加することにより蒸着速度は増加η
るが、溶融した金属面のゆれが大きくなりそのため蒸発
が不安定となり、蒸着にムラが生じ均一な薄膜を得るこ
とができない欠点かあつ ノこ 。
本発明は、以上の欠点を改良し、均一な薄膜を早い速度
で形成しつる薄膜形成装置及び薄膜形成方法の提供を目
的と丈るものである。
で形成しつる薄膜形成装置及び薄膜形成方法の提供を目
的と丈るものである。
本発明は、上記の目的を達成するために、蒸発源に収納
された物質を蒸発して基体に（！Ｊ １し薄膜を形成し
つる薄膜形成装置において、物質に電子ビームを前身」
シてｈＤ熱しうる第１加熱手段と、該第１加熱手段とは
眉なる手段により前記物質を加熱しつる第２手段とを設
けることを特徴とづ−る薄膜形成装置を提供するもので
ある。
された物質を蒸発して基体に（！Ｊ １し薄膜を形成し
つる薄膜形成装置において、物質に電子ビームを前身」
シてｈＤ熱しうる第１加熱手段と、該第１加熱手段とは
眉なる手段により前記物質を加熱しつる第２手段とを設
けることを特徴とづ−る薄膜形成装置を提供するもので
ある。
また、本発明は、上記の目的を達成りるために、蒸発源
に収納された物質を蒸発して基体にイ」着し薄膜を形成
しうる薄膜形成方法にａ）いて、物質に電子ビームを照
射して加熱するとともに、該電子ビーム以外の手段によ
り前記物質を加熱して蒸発づることを特徴どづる薄膜形
成方法を（；？供Ｊる６のである。
に収納された物質を蒸発して基体にイ」着し薄膜を形成
しうる薄膜形成方法にａ）いて、物質に電子ビームを照
射して加熱するとともに、該電子ビーム以外の手段によ
り前記物質を加熱して蒸発づることを特徴どづる薄膜形
成方法を（；？供Ｊる６のである。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明ηる。
第２図において、１１は所定の真空度に保持されＩζ真
空槽である。１２は、供給ローラであり、高分子フィル
ムや紙等の帯状材からなる基体１３が巻回されている。
空槽である。１２は、供給ローラであり、高分子フィル
ムや紙等の帯状材からなる基体１３が巻回されている。
１４は基体１３を巻き取るための巻取りローラである。
１５は、カーボンや酸化マグネシウム等からなる蒸発源
であり、金属や脂肪酸等の物質１６が収納されている。
であり、金属や脂肪酸等の物質１６が収納されている。
１７は、真空槽１１壁に取り付けられた電子ビーム源か
らなる第１加熱手段であり、蒸発源１５に収納された物
質１６に所定出力の電子ビームを照射しうるちのである
。１８は、蒸発源１５の近傍に設（プられた第２加熱手
段で゛あり、ヒーター１つと電源２０とから構成される
。
らなる第１加熱手段であり、蒸発源１５に収納された物
質１６に所定出力の電子ビームを照射しうるちのである
。１８は、蒸発源１５の近傍に設（プられた第２加熱手
段で゛あり、ヒーター１つと電源２０とから構成される
。
次に、上記実施例の作用について述べる。
第１加熱手段１７から比較的低エネルギーの電子ビー１
）２１を蒸発源′１５に収納された物質１６に照射して
、この物質１６を加熱づる。また、電源２０からヒータ
ー１９に電流を流してヒーター′１９を発熱さぜ、物質
１６を加熱する。すなわち、物質１６は電子ビーム２１
とヒーター１９により加熱溶融し、蒸発して、走行中の
基体１３にイ」着Ｊる。
）２１を蒸発源′１５に収納された物質１６に照射して
、この物質１６を加熱づる。また、電源２０からヒータ
ー１９に電流を流してヒーター′１９を発熱さぜ、物質
１６を加熱する。すなわち、物質１６は電子ビーム２１
とヒーター１９により加熱溶融し、蒸発して、走行中の
基体１３にイ」着Ｊる。
リ−なわち、物質′１６は、電子ビーム２１のみによっ
て加熱されることがないために、′１を子ビーム２１の
エネルギーか比較的低くてすみ、安定して魚発し、かつ
第２加熱手段１８を適当に調節することにより基体１３
への蒸着速度も早くづることかできる。
て加熱されることがないために、′１を子ビーム２１の
エネルギーか比較的低くてすみ、安定して魚発し、かつ
第２加熱手段１８を適当に調節することにより基体１３
への蒸着速度も早くづることかできる。
また、第３図は本発明の他の実施例を示し、特に、第２
加熱手段２２として高周波加熱用水冷コイルを用い、高
周波により蒸発源２３に収納された物質２４を加熱づる
もので、第２図に示した実゛施例と同様な効果が得られ
る。
加熱手段２２として高周波加熱用水冷コイルを用い、高
周波により蒸発源２３に収納された物質２４を加熱づる
もので、第２図に示した実゛施例と同様な効果が得られ
る。
次に、本発明と従来例とについて膜厚の変動幅を測定し
た。
た。
本発明は、第２図の実施例を用い、電子ビームの出力を
７ｋｗ、ヒーター１９の出力を５ｋＷ、蒸発源を酸化マ
グネシウム系耐火ルツボ、収納された物質をコバルト、
基体をポリエステルフィルムどした。また、従来例は、
第１図の実施例を用い、電子ビームの出ノ〕を１２ｋｗ
どし他の条件は本発明と同一とした。ポリ１ステルフイ
ルムに形成されたコバルト薄膜の膜厚は光透過性膜厚モ
ニターにより測定した。この結果、本発明の膜厚の変動
幅が約１０％であるのに対して従来例は約２０％となり
、前者は後者の約１／′２どなっている。
７ｋｗ、ヒーター１９の出力を５ｋＷ、蒸発源を酸化マ
グネシウム系耐火ルツボ、収納された物質をコバルト、
基体をポリエステルフィルムどした。また、従来例は、
第１図の実施例を用い、電子ビームの出ノ〕を１２ｋｗ
どし他の条件は本発明と同一とした。ポリ１ステルフイ
ルムに形成されたコバルト薄膜の膜厚は光透過性膜厚モ
ニターにより測定した。この結果、本発明の膜厚の変動
幅が約１０％であるのに対して従来例は約２０％となり
、前者は後者の約１／′２どなっている。
以上の通り、本発明によれば、電子ビーム以外の加熱手
段を付用づることにより、膜厚の変動の小さい薄膜を早
い速度で形成しつる薄膜形成装置及び薄膜形成方法が得
られる。
段を付用づることにより、膜厚の変動の小さい薄膜を早
い速度で形成しつる薄膜形成装置及び薄膜形成方法が得
られる。
第１図は従来の薄膜形成装置の正面断面図、第２図は本
発明の実施例の正面断面図、第３図は本発明の他の実施
例の正面断面図を示づ。 １３・・・基体、 １５．２３・・・蒸発源、１６．２
／Ｉ・・・物質、 １７・・・第１加熱コ・段、１８．
２２・・・第２加熱手段。 特Ｂ′１出Ｉη）人 日立コンテンリ゛株式会社第１図 第２図 第３図
発明の実施例の正面断面図、第３図は本発明の他の実施
例の正面断面図を示づ。 １３・・・基体、 １５．２３・・・蒸発源、１６．２
／Ｉ・・・物質、 １７・・・第１加熱コ・段、１８．
２２・・・第２加熱手段。 特Ｂ′１出Ｉη）人 日立コンテンリ゛株式会社第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１） 蒸発源に収納された物質を蒸発して基体に付着
し薄膜を形成しつる薄膜形成装置において、物質に電子
ビームを照射して加熱しうる第１加熱手段と、該第１加
熱手段とは異なる手段により前記物質を加熱しうる第２
加熱手段とを設けることを特徴とする薄膜形成装置。 - （２）蒸発源に収納された物質を蒸発して基体に付着し
薄膜を形成しつる薄膜形成方法において、物質に電子ビ
ームを照射して加熱りるとともに、該電子ビーム以外の
手段により前記物質を加熱して蒸発づ−ることを特徴ど
づる薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59026794A JPS60169561A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59026794A JPS60169561A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169561A true JPS60169561A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12203224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59026794A Pending JPS60169561A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013112894A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着装置、電子銃及び真空蒸着方法 |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP59026794A patent/JPS60169561A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013112894A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着装置、電子銃及び真空蒸着方法 |
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