JPS6046367A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6046367A JPS6046367A JP15354383A JP15354383A JPS6046367A JP S6046367 A JPS6046367 A JP S6046367A JP 15354383 A JP15354383 A JP 15354383A JP 15354383 A JP15354383 A JP 15354383A JP S6046367 A JPS6046367 A JP S6046367A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- vapor deposition
- control circuit
- evaporation
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は蒸着装置に係り、特に電子ビーム加熱型蒸着装
置の改良に関するものである。
置の改良に関するものである。
ｆｂ） 技術の背景
電子ビーム加熱型蒸着装置は、坩堝内の蒸発源材料表面
に直接、電子ビームを磁気偏向コイル等によって誘導し
て集中照射し、局部的に加熱して蒸着を行うものである
から、極めて効率が良く、高融点材料の蒸着に特に適し
ている。又蒸着源坩堝等との反応による汚染が殆どな（
、更に電子ビーム強度の制御により蒸着速度を自由に制
御できる特長を有している。
に直接、電子ビームを磁気偏向コイル等によって誘導し
て集中照射し、局部的に加熱して蒸着を行うものである
から、極めて効率が良く、高融点材料の蒸着に特に適し
ている。又蒸着源坩堝等との反応による汚染が殆どな（
、更に電子ビーム強度の制御により蒸着速度を自由に制
御できる特長を有している。
＋ｃ＋ 従来技術と問題点
ところで上記のような従来の電子ビーム加熱型蒸着装置
によって、例えば１０等からなる昇華性の物質、或いは
Ａ１２０３．５ｉ０２等からなる酸化物を蒸着してこれ
らの薄膜を形成する場合、電子ビームによって照射加熱
された坩堝内の前記昇華性の物質、或いは蒸着時にも高
粘性を示す酸化物からなる蒸発源材料は、金属蒸発源材
料のようにその殆どが溶融して該蒸発源材料表面が當に
平坦状になるといった現象は見られず、一般にビーム照
射部分のみが局部加熱されて直接昇華したり、又部分的
に溶融し、蒸発して友着が行われるため、第１図に示す
ように上記蒸発源坩堝１内の蒸発源材料２に、電子ビー
ム４の照射方向に沿って傾斜、又は偏向ビームバスに沿
う円弧を描くように方向性のある深い穴３が順次穿設さ
れていき、防火３により蒸発源材料２からの蒸発蒸気の
指向性が顕著となり、蒸着膜の膜厚分布の不均一化、蒸
着速度の低下等が発生して良品質の蒸着膜を再現性良く
形成する上で大きな障害となつ°ζいた。更には上記穴
３が坩堝１の底部に達して該底部に電子ビーム４が照射
される恐れもあった。
によって、例えば１０等からなる昇華性の物質、或いは
Ａ１２０３．５ｉ０２等からなる酸化物を蒸着してこれ
らの薄膜を形成する場合、電子ビームによって照射加熱
された坩堝内の前記昇華性の物質、或いは蒸着時にも高
粘性を示す酸化物からなる蒸発源材料は、金属蒸発源材
料のようにその殆どが溶融して該蒸発源材料表面が當に
平坦状になるといった現象は見られず、一般にビーム照
射部分のみが局部加熱されて直接昇華したり、又部分的
に溶融し、蒸発して友着が行われるため、第１図に示す
ように上記蒸発源坩堝１内の蒸発源材料２に、電子ビー
ム４の照射方向に沿って傾斜、又は偏向ビームバスに沿
う円弧を描くように方向性のある深い穴３が順次穿設さ
れていき、防火３により蒸発源材料２からの蒸発蒸気の
指向性が顕著となり、蒸着膜の膜厚分布の不均一化、蒸
着速度の低下等が発生して良品質の蒸着膜を再現性良く
形成する上で大きな障害となつ°ζいた。更には上記穴
３が坩堝１の底部に達して該底部に電子ビーム４が照射
される恐れもあった。
そこで蒸発源坩堝１内の蒸発源材料２に対して電子ビー
ム４の照射位置を、一定速度で万偏なく繰り返し移動さ
せたり、又該ビーム照射位置を一定膜厚毎、或いは一定
蒸着時間毎等に位置度えを行う方法も試みられているが
、何れの方法によっても穿設された再現性のないランダ
ムな穴形状の変化には十分な対応ができず、一定時間毎
にオペレータが膜厚測定装置によって得られる蒸着速度
の変化を観察したり、上記蒸発源坩堝ｌを真空に被包し
た真空ペルジャーの覗き窓がら該坩堝１内の蒸発源材料
２に穿設される穴３の形状を観察しながら、電子ビーム
４の照射位置を蒸発源坩堝１内の蒸発源材料２の最適位
置に移動させるといった煩雑な方法がとられていた。
ム４の照射位置を、一定速度で万偏なく繰り返し移動さ
せたり、又該ビーム照射位置を一定膜厚毎、或いは一定
蒸着時間毎等に位置度えを行う方法も試みられているが
、何れの方法によっても穿設された再現性のないランダ
ムな穴形状の変化には十分な対応ができず、一定時間毎
にオペレータが膜厚測定装置によって得られる蒸着速度
の変化を観察したり、上記蒸発源坩堝ｌを真空に被包し
た真空ペルジャーの覗き窓がら該坩堝１内の蒸発源材料
２に穿設される穴３の形状を観察しながら、電子ビーム
４の照射位置を蒸発源坩堝１内の蒸発源材料２の最適位
置に移動させるといった煩雑な方法がとられていた。
ｆｄｌ ｇ発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するため、范着速度を監
視するための膜厚測定手段がらの蒸着速度信号を、ビー
ム位置制御回路を介して電子ビームの照射位置を移動制
御するビーム偏向機構系にフィードバンクして蒸発源坩
堝内の蒸発源材料に対する電子ビームの照射位置を、常
に所定の蒸着速度が得られる最適位置に移動制御し得る
新規な電子ビーム加熱型蒸着装置を提供することを目的
とするものである。
視するための膜厚測定手段がらの蒸着速度信号を、ビー
ム位置制御回路を介して電子ビームの照射位置を移動制
御するビーム偏向機構系にフィードバンクして蒸発源坩
堝内の蒸発源材料に対する電子ビームの照射位置を、常
に所定の蒸着速度が得られる最適位置に移動制御し得る
新規な電子ビーム加熱型蒸着装置を提供することを目的
とするものである。
ｔｅｌ 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、装置内に配置された
蒸発源坩堝内の蒸発源材料に、電子ビーム発生部より放
射した電子ビームをビーム偏向機構系により誘導入射せ
しめて蒸発源材料を加熱し、かつ蒸発させて該坩堝上に
離間して配置した被蒸着基板面に蒸着膜を被着形成する
装置構成において、上記ビーム偏向機構系と膜厚測定手
段との間に、該膜厚測定手段からの蒸着速度信号によっ
て前記ビーム偏向機構系を制御して、前記暴発源坩堝内
の蒸発源材料に対する電子ビームの照射位置を移ｖＪ課
整するビーム位置制御回路を設けたことを特徴とする′
ｉＭ着装置を提供することによって達成される。
蒸発源坩堝内の蒸発源材料に、電子ビーム発生部より放
射した電子ビームをビーム偏向機構系により誘導入射せ
しめて蒸発源材料を加熱し、かつ蒸発させて該坩堝上に
離間して配置した被蒸着基板面に蒸着膜を被着形成する
装置構成において、上記ビーム偏向機構系と膜厚測定手
段との間に、該膜厚測定手段からの蒸着速度信号によっ
て前記ビーム偏向機構系を制御して、前記暴発源坩堝内
の蒸発源材料に対する電子ビームの照射位置を移ｖＪ課
整するビーム位置制御回路を設けたことを特徴とする′
ｉＭ着装置を提供することによって達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明に係る蒸着装置の電子ビーム照射位置制
御系の一実施例を示す構成図である。
御系の一実施例を示す構成図である。
図において、２１は装置内に配置された例えば酸化物か
らなる蒸発源材料２２を収容した蒸発源坩堝であり、該
蒸発源坩堝２１の外周には電子ビーム発生部２３より放
射した電子ビーム２４を、蒸発源坩堝２１内の蒸発源材
料２２に誘導照射せしめるビーム偏向機構系、例えばＸ
偏向コイル２５とＹ偏向コイル２６が配置され、咳Ｘ偏
向コイル２５とＹ偏向コイル２６は電磁偏向制御回路２
７と接続されている。又一方、前記電子ビーム発生部２
３側には高電圧電源回路３３と、蒸着膜厚センサ２８と
連なる膜厚測定器２９からの蒸着速度信号を、該ビーム
発生部２３の電子−ビームパワーの制御にフィードバッ
クするためのエミッション制御回路３０が接続されてい
る。
らなる蒸発源材料２２を収容した蒸発源坩堝であり、該
蒸発源坩堝２１の外周には電子ビーム発生部２３より放
射した電子ビーム２４を、蒸発源坩堝２１内の蒸発源材
料２２に誘導照射せしめるビーム偏向機構系、例えばＸ
偏向コイル２５とＹ偏向コイル２６が配置され、咳Ｘ偏
向コイル２５とＹ偏向コイル２６は電磁偏向制御回路２
７と接続されている。又一方、前記電子ビーム発生部２
３側には高電圧電源回路３３と、蒸着膜厚センサ２８と
連なる膜厚測定器２９からの蒸着速度信号を、該ビーム
発生部２３の電子−ビームパワーの制御にフィードバッ
クするためのエミッション制御回路３０が接続されてい
る。
しかしてこのような構成の従来の電子ビー２−蒸着装置
に対して、本発明においては上記電磁偏向制御回路２７
と膜厚測定器２９との間に、該膜厚測定器２９からの蒸
着速度信号を前記電磁偏向制御回路２７にフィードバン
クするためのビーム位置制御回路３１が設けられている
。即ち本実施例では前記電磁偏向制御回路２７と膜厚測
定器２９との間に、エミッション制御回路３０と接続さ
れた演算制御回路３２を介してビーム位置制御回路３１
が接続配置されている。
に対して、本発明においては上記電磁偏向制御回路２７
と膜厚測定器２９との間に、該膜厚測定器２９からの蒸
着速度信号を前記電磁偏向制御回路２７にフィードバン
クするためのビーム位置制御回路３１が設けられている
。即ち本実施例では前記電磁偏向制御回路２７と膜厚測
定器２９との間に、エミッション制御回路３０と接続さ
れた演算制御回路３２を介してビーム位置制御回路３１
が接続配置されている。
従って蒸着中に電子ビーム２４の照射加熱によって蒸発
源坩堝２１内の蒸発源材料２２に穴が穿設され蒸着速度
が低下すると、この現象は蔑着膜厚センザ２８によって
検知され、膜厚測定器２９より出力した蒸着速度信号は
、演算制御回路３２を経由してビーム位置制御回路３１
に送られる。ここで変換されたビーム位置制御信号を電
磁偏向制御回路２７にフィードバックすることにより、
前記蒸発源材料２２に対する電子ビーム２４の照射位置
を自動的に、最も蒸着速度が大きくなる位置に移動調整
することが可能となる。更に当該フィードバック制御と
、膜厚測定器２９より出力した蒸着速度信号をエミッシ
ョン制御回路３０にフィードバックし、電子ビーム発生
部２３より放射する電子ビームパワーを制御して蒸着速
度を開整するフィードバンク制御とを前記演算制御回路
３２にて関連制御するようにすれば、電子ビームパワー
に対する蒸着速度の比（蒸着速度／ビームパワー！４蒸
着効率）を大きくなるように制御することができる等、
均一な膜厚を有する良質の蒸着膜を再現性良く得ること
が可能になる。
源坩堝２１内の蒸発源材料２２に穴が穿設され蒸着速度
が低下すると、この現象は蔑着膜厚センザ２８によって
検知され、膜厚測定器２９より出力した蒸着速度信号は
、演算制御回路３２を経由してビーム位置制御回路３１
に送られる。ここで変換されたビーム位置制御信号を電
磁偏向制御回路２７にフィードバックすることにより、
前記蒸発源材料２２に対する電子ビーム２４の照射位置
を自動的に、最も蒸着速度が大きくなる位置に移動調整
することが可能となる。更に当該フィードバック制御と
、膜厚測定器２９より出力した蒸着速度信号をエミッシ
ョン制御回路３０にフィードバックし、電子ビーム発生
部２３より放射する電子ビームパワーを制御して蒸着速
度を開整するフィードバンク制御とを前記演算制御回路
３２にて関連制御するようにすれば、電子ビームパワー
に対する蒸着速度の比（蒸着速度／ビームパワー！４蒸
着効率）を大きくなるように制御することができる等、
均一な膜厚を有する良質の蒸着膜を再現性良く得ること
が可能になる。
尚、上記演算制御回路３２としては、マイクロコンピュ
ータ等を用いて蒸発源材料の性質、蒸着状況に応じて最
適な蒸着条件となるプログラムにより演算制御するよう
にしてもよい。
ータ等を用いて蒸発源材料の性質、蒸着状況に応じて最
適な蒸着条件となるプログラムにより演算制御するよう
にしてもよい。
（幻 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る蒸着装置
によれば、蒸着速度の減少に対応して蒸発源材料に対す
る電子ビームの照射位置を、最も蒸着速度が大きくなる
位置に自動的に移動調整することが可能となり、人為的
に蒸着速度の監視及び蒸発源材料に対する電子ビームの
照射位置を移動調整する必要が無くなる等、均一な膜厚
を有する良質の蒸着膜を再現性良く得ることが可能にな
る。又従来より付設されている蒸着速度を電子ビームパ
ワーの制御にフィードバンクする制御系と併合して関連
制御することにより、更に蒸着効率を向上することがで
き、実用上優れた効果を有する。よってこの種の蒸着装
置に適用して極めて有利である。
によれば、蒸着速度の減少に対応して蒸発源材料に対す
る電子ビームの照射位置を、最も蒸着速度が大きくなる
位置に自動的に移動調整することが可能となり、人為的
に蒸着速度の監視及び蒸発源材料に対する電子ビームの
照射位置を移動調整する必要が無くなる等、均一な膜厚
を有する良質の蒸着膜を再現性良く得ることが可能にな
る。又従来より付設されている蒸着速度を電子ビームパ
ワーの制御にフィードバンクする制御系と併合して関連
制御することにより、更に蒸着効率を向上することがで
き、実用上優れた効果を有する。よってこの種の蒸着装
置に適用して極めて有利である。
第１図は従来の蒸着装置において、蒸発源材料に対して
電子ビームを照射した際の現象を説明する図、第２図は
本発明に係る蒸着装置の電子ビーム照射位置制御系の一
実施例を示す構成図である。 図面において、２１は蒸発源坩堝、２２は蒸Ｂ源材料、
２３は電子ビーム発生源、２４は電子ビーム、２５はＸ
偏向コイル、２６はＹ偏向コイル、２７は電磁偏向制御
回路、２８は蒸着膜厚セン号、２９は膜厚測定器、３０
はエミッション制御回路、３１はビーム位置制御回路、
３２は演算制御回路、３３は高電圧電源回路を示す。 とニ′
電子ビームを照射した際の現象を説明する図、第２図は
本発明に係る蒸着装置の電子ビーム照射位置制御系の一
実施例を示す構成図である。 図面において、２１は蒸発源坩堝、２２は蒸Ｂ源材料、
２３は電子ビーム発生源、２４は電子ビーム、２５はＸ
偏向コイル、２６はＹ偏向コイル、２７は電磁偏向制御
回路、２８は蒸着膜厚セン号、２９は膜厚測定器、３０
はエミッション制御回路、３１はビーム位置制御回路、
３２は演算制御回路、３３は高電圧電源回路を示す。 とニ′
Claims (1)
- 装置内に配置された蒸発源坩堝内の蒸発源材料に、電子
ビーム発生部より放射した電子ビームを、ビーム偏向機
構系により誘導入射せしめて蒸発源材料を加熱し、かつ
蒸発させて該坩堝上に離間して配置した被蒸着基板面に
蒸着膜を袖着形、成する装置構成において、上記ビーム
偏向機５火系と膜厚測定手段との間に、該膜厚測定手段
からの蒸着速度信号によって前記ビーム偏向機構系を制
御して、蒸発源坩堝内の蒸発源材料に対する電子ビーム
の照射位置を移動調整するビーム位置制御回路を設けた
ことを特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15354383A JPS6046367A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15354383A JPS6046367A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046367A true JPS6046367A (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=15564810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15354383A Pending JPS6046367A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046367A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624863A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Anelva Corp | 電子銃の蒸発速度分布制御装置 |
| US5346554A (en) * | 1990-04-12 | 1994-09-13 | Seiko Instruments Inc. | Apparatus for forming a thin film |
| WO2008093676A1 (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Canon Anelva Corporation | 電子銃蒸着装置及び電子銃蒸着装置を用いた成膜方法 |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15354383A patent/JPS6046367A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624863A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Anelva Corp | 電子銃の蒸発速度分布制御装置 |
| JPH0254428B2 (ja) * | 1985-06-29 | 1990-11-21 | Anelva Corp | |
| US5346554A (en) * | 1990-04-12 | 1994-09-13 | Seiko Instruments Inc. | Apparatus for forming a thin film |
| WO2008093676A1 (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Canon Anelva Corporation | 電子銃蒸着装置及び電子銃蒸着装置を用いた成膜方法 |
| JP4796154B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2011-10-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子銃蒸着装置及び電子銃蒸着装置を用いた成膜方法 |
| US8133528B2 (en) | 2007-01-30 | 2012-03-13 | Canon Anelva Corporation | Electron gun evaporation apparatus and film formation method using the electron gun evaporation apparatus |
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