JP4796154B2 - 電子銃蒸着装置及び電子銃蒸着装置を用いた成膜方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子銃を用いて半導体用ウェハ及び電子部品用基板上にメタル等の成膜を行う電子銃蒸着装置に関するものである。特に、坩堝内の蒸発源の利用効率を高めるために、蒸発源に照射される電子ビームの照射範囲を制御し、制限する電子ビーム位置制御部を備えた電子銃蒸着装置、その電子銃蒸着装置を用いた成膜方法に関する。

電子銃蒸着装置は、対象物の表面に成膜する装置として産業の各分野に盛んに使用されている。特に、磁気ヘッド、磁気ディスク等を始めとする各種電子部品の製造では、各種導電膜や絶縁膜の作成に電子銃蒸着装置は多用されている。

従来の電子銃蒸着装置の概略構成を図４に基づいて説明する。

真空に排気可能な真空チャンバ１内の下部に電子ビーム発生部６１と、電子銃走査コイル６２と、坩堝６３とからなる電子銃６が配置されている。また、真空チャンバ１内に配置されている基板３上に形成される膜の膜厚成長速度を把握し、制御する膜厚コントローラ１３が備えられている。そして、電子ビーム発生部６１に高電圧を供給する電子銃電源１０、電子ビーム発生部６１のフィラメント電力を制御するフィラメントコントローラ１１、電子銃走査コイル６２に直流電流を供給することにより坩堝内の蒸発源７に当たる電子ビームの位置を制御するスウィープコントローラ（ＳＷＥＥＰコントローラ）１２と、電子銃装置を制御する装置コントローラ１４とが備えられている。

真空チャンバ１の外部に配置されているフィラメントコントローラ１１は、電子ビーム発生部６１のフィラメントに電力を供給し点灯させるものであり、電子ビーム発生部６１にマイナスの直流高電圧（−６ｋＶ〜−１０ｋＶ）を供給し、電子ビームを作り出すものである。

真空チャンバ１は、真空排気手段２によって、１．０Ｅ−４Ｐａ〜１．０Ｅ−６Ｐａ台の真空度に排気される。また、真空チャンバ１上部には、基板３が配置される基板ホルダー４が設置され、その基板ホルダー４の下部には、膜厚をモニタする膜厚センサ５が設置されている。膜厚センサ５には、膜厚コントローラ１３が接続されている。膜厚センサ５が測定する基板３上に形成される膜の膜厚に基づいて、膜厚コントローラ１３は、基板３上に形成される膜の膜厚成長速度を把握することができる。

電子銃６を構成する電子ビーム発生部６１は、電子銃電源１０からマイナスの直流高電圧（−６ｋＶ〜−１０ｋＶ）が供給されて電子ビームを作りだす。電子銃走査コイル６２は、電子ビーム発生部６１により作り出された電子ビームを約１８０°偏向させるとともに、電子ビーム照射位置を制御する。また、坩堝６３は、膜付のための蒸発源７を載置するものであり、坩堝６３自体は冷却機構により冷却されるようになっている。

次に、このように構成される従来の電子銃蒸着装置によって、基板ホルダー４に配置された基板３に成膜するまでの工程について説明する。

真空チャンバ１内が大気圧の状態で、基板ホルダー４に基板３を配置すると共に坩堝６３に蒸発源７を供給する。以上の準備が完了したら真空チャンバ１を密閉し、真空排気手段２は真空チャンバ１内を真空に（真空度が１．０Ｅ−４Ｐａに到達するまで）排気する。真空排気が完了したら、坩堝６３を冷却させるために付設してある冷却機構に冷却水を流した後、電子銃電源１０を作動させ、設定したマイナスの直流電圧を印加する。印加する電圧は−６ｋＶ〜−１０ｋＶとなる。

高電圧の設定が完了したら、次にエミッション電流計を見ながら所定のエミッション電流の値に設定する。フィラメントにかかる電力に比例して、エミッション電流の値は増大する。エミッション電流が流れると坩堝６３内の蒸発源７に電子ビームが電子ビーム発生部６１から照射され、この電子ビームにより蒸発源７が加熱される。このときの電子ビームの電力は、電子ビーム発生部６１の印加電圧とエミッション電流の積となる。

一般的に、Ａｌ材料を蒸着するときの電子銃印加電圧が６ｋＶ、エミッション電流が１Ａのとき、電子ビーム電力は６ｋＷとなる。その後、電子ビームが蒸発源７に照射されると、蒸発源７が高温に加熱されて蒸発が始まり、基板ホルダー４に配置してある基板３に蒸着膜が付着する。基板３に所定の膜厚が付着したら、フィラメントへの電力供給を停止することでエミッション電流がゼロとなる。

エミッション電流がゼロとなれば、電子ビームの電力は０となり、蒸発源７への電子ビームの照射が停止する。

膜厚センサ５によって、基板３上の膜厚が測定され、膜厚センサ５の測定結果に基づき、膜厚センサ５に接続された膜厚コントローラ１３は、成膜中の膜厚成長速度を算出し、次式より所定の膜厚となるまでの成膜時間を求め、成膜時間を管理する。成膜時間の管理により、膜厚コントローラ１３は、基板３に所定の膜厚を形成するための成膜を制御する。

（基板３の膜厚）／（膜厚成長速度）＝成膜時間

所定の膜厚の成膜が完了したら、電子銃電源１０を停止し、電圧の印加を停止することで、成膜工程が完了する。

一方、従来の電子銃蒸着装置の中には、電子銃の電子ビームスポット、すなわち、電子ビームの照射位置が固定されているため、坩堝内に供給された蒸発源の減少が均一、一様とならないものもある。

そのため、蒸発源の減少を均一、一様とするために、電子ビームの照射位置をＸ軸、Ｙ軸方向に走査させ、蒸発源を平均的に蒸発させる方法が提案されている（特許文献１）。
特開平１１−２０００１８号公報

しかし、坩堝内の蒸発源は、電子ビームの照射位置によって均一な蒸発が得られるというものではないことは知られている。

図２は、坩堝内の蒸発源に対するＸ軸方向の電子ビームの照射位置と基板上の膜厚成長速度との関係を概略的に表した図である。図２のＡ、Ｂは、Ｙ軸方向に電子ビームの照射位置を変更したスウィープの軌跡を例示する。図２は、坩堝内の蒸着源に対して、Ｘ軸方向に照射位置を変えた場合の膜厚成長速度の分布として、坩堝の中心から径方向の縁部に向かって膜厚成長速度が一様に分布するａ部と、坩堝の径方向の縁部で急激に膜厚成長速度が低下するｂ部と、があることを表している。この傾向は、Ｘ軸に垂直なＹ軸方向のスウィープの軌跡も同様のものとなる。

ここで、ｂ部で成膜成長速度が低減する理由としては、坩堝は熱伝導の良い銅材で構成されていることと、その坩堝内部に冷却水が流れる溝が設定され、坩堝自体が常に低温に冷却されていることがあげられる。その為、坩堝自体に電子ビームを短時間（数秒）照射しても坩堝から蒸発源が蒸発することがなく、膜厚成長速度が著しく低下するからである。

また、このような電子ビームの照射位置による膜厚成長速度の違いを回避すべく、従来の電子ビームの照射位置をＸ軸、Ｙ軸方向に走査させて、蒸発源を平均的に蒸発させる方法では、電子ビームの照射位置を蒸発源外の坩堝まで広げてしまわないよう、その照射位置のＸ軸、Ｙ軸方向への走査幅は、安全を考慮して僅かな範囲に止められている。

その為、蒸発源の中心付近の一部分のみを使用し、坩堝の内壁に近い縁部まで十分に使用し切っていないにもかかわらず、蒸発源を交換する必要があった。すなわち、蒸発源の全体量の３０〜４０％を使用した時点で蒸発源の交換を余儀なくされ、蒸発源の利用効率は悪いものであった。特に金、銀等の高価な材料を蒸発源として使用する場合には、蒸発源の利用効率が悪いことは、経済性の面でも大きな負担となるものであった。

本発明は、上記の課題を鑑み、坩堝に載置された蒸発源に対し電子ビームを広範囲に照射することができ、蒸発源の利用効率を向上させることが可能な蒸着技術を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するべく、本発明にかかる電子銃蒸着装置は、真空に排気可能な真空チャンバ内に、フィラメントから発生した熱電子に電圧を印加して加速することにより電子ビームを生成する電子銃と、当該電子ビームを蒸発源に照射して当該蒸発源を加熱蒸発させて基板上に形成される蒸着膜の膜厚成長速度を把握する膜厚コントローラと、当該電子ビームの蒸発源に対する照射位置を制御するスウィープコントローラとを有する電子銃蒸着装置であって、前記スウィープコントローラから電子ビームの照射位置に関する情報と、前記膜厚コントローラから前記照射位置に対応する膜厚成長速度の情報と、を取得して、前記蒸発源に対して電子ビームの照射が可能な照射可能範囲を決定し、かつ記憶する電子ビーム位置制御手段を備えることを特徴とする。

あるいは、電子銃蒸着装置を用いた成膜方法は、真空に排気可能な真空チャンバ内で、フィラメントから発生した熱電子に電圧を印加して加速することにより電子ビームを生成する電子銃と、当該電子ビームを蒸発源に照射して当該蒸発源を加熱蒸発させて基板上に形成される蒸着膜の膜厚成長速度を把握する膜厚コントローラと、当該電子ビームの蒸発源に対する照射位置を制御するスウィープコントローラとを有する電子銃蒸着装置を用いた成膜方法であって、当該電子銃蒸着装置を用いた成膜方法が、前記スウィープコントローラから電子ビームの照射位置に関する情報と、前記膜厚コントローラから前記照射位置に対応する膜厚成長速度の情報と、を取得する取得工程と、前記取得工程により取得された前記電子ビームの照射位置に関する情報と、当該照射位置に対応する前記膜厚成長速度の情報と、に基づき、前記蒸発源に対して電子ビームの照射が可能な照射可能範囲を決定し、メモリに記憶する電子ビーム位置制御工程と、前記電子ビーム位置制御工程によって決定された前記照射可能範囲で、前記蒸発源に対して前記電子ビームを照射して当該蒸発源を加熱蒸発させて前記基板上に蒸着膜を蒸着する蒸着工程と、を有することを特徴とする。

本発明に拠れば、坩堝に載置された蒸発源に対し電子ビームを広範囲に照射することができ、蒸発源の利用効率を向上させることが可能になる。

添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
本発明の実施形態にかかる電子銃蒸着装置の概略構成を示す図である。 電子銃蒸着装置のＸ軸スウィープと膜厚成長速度との関係を例示する図である。 Ｘ方向及びＹ方向の走査位置と対応する膜厚成長速度との関係から蒸発源に照射する電子ビームの照射範囲を決定する処理の流れを説明するフローチャートである。 従来の電子銃蒸着装置の概略構成を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。

図１は、本願発明の電子銃蒸着装置の概略構成を示す図である。以下の説明において、図４を用いて前述した従来の電子銃蒸着装置と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

まず、電子銃蒸着装置の設置時や、定期メンテナンス時に、電子ビーム位置制御手段として機能する電子銃コントローラ１５は、以下のようにして、予めスウィープ可能な使用範囲（蒸発源に照射する電子ビームの照射範囲）の設定を行う。

スウィープ可能な使用範囲は、スウィープコントローラ１２、膜厚コントローラ１３と膜厚センサ５とを作動させて定めることができる。例えば、スウィープコントローラ１２は、電子ビームの照射位置をＸ軸方向及びＹ軸方向に制御すると共に、膜厚コントローラ１３は、それぞれの照射位置における膜厚成長速度をモニタし、坩堝６３内の平面における膜厚成長速度を把握する。この計測結果に基づき、電子銃コントローラ１５は、スウィープ可能な使用範囲を定めるものである。

図３は、Ｘ方向及びＹ方向の走査位置と対応する膜厚成長速度との関係から蒸発源に照射する電子ビームの照射が可能な範囲（照射可能範囲）を決定する処理の流れを説明するフローチャートである。

ステップＳ３０１において、装置コントローラ１４に電子ビームを照射する範囲（スウィープ範囲）として、坩堝６３内の蒸発源７のどこからどこまでを何ポイントを測定するかを設定する。

ステップＳ３０２において、スウィープコントローラ１２は、電子ビームの照射を開始する位置（スウィープ開始位置）に照射位置を設定する。

ステップＳ３０３において、スウィープコントローラ１２は、電子ビームの照射が可能となるように準備し、電子ビーム発生部６１が照射する電子ビームの出力を固定値に設定する。スウィープコントローラ１２は、電子ビーム発生部６１への高電圧を印加する。その後、フィラメント電力を投入し、エミッション電流を流し、所定の電子ビーム電力を供給する。これと同時に、膜厚センサ５、膜厚コントローラ１３を動作させ膜厚成長速度のモニタが可能な状態としておく。

ステップＳ３０４において、スウィープコントローラ１２の制御の下、電子ビーム発生部６１は電子ビームの出力を開始する。

ステップＳ３０５において、膜厚コントローラ１３は、膜厚センサ５の測定結果に基づき、膜厚成長速度を測定する。

ステップＳ３０６において、電子銃コントローラ１５は、スウィープコントローラ１２から電子ビームの照射位置に関する情報を取得すると共に、膜厚コントローラ１３から電子ビームの照射位置に対応した膜厚成長速度に関する情報を取得して、電子銃コントローラ１５のメモリに記憶する（取得工程）。

ステップＳ３０７において、スウィープコントローラ１２は、電子ビームの照射開始から一定時間が経過したか否か判定し、一定時間が経過していなければ（Ｓ３０７−Ｎｏ）、処理をステップＳ３０４に戻し、同様の処理を繰り返す。一方、ステップＳ３０７の判定で、一定時間が経過していると判定される場合、処理はステップＳ３０８に進められる。

ステップＳ３０８において、スウィープコントローラ１２の制御の下、電子ビーム発生部６１は、電子ビームの出力を停止する。ステップＳ３０９において、装置コントローラ１４は、設定されたスウィープ範囲内の全ての測定ポイントで測定が終了したか判定する。ステップＳ３０１で設定されたスウィープ範囲内の全ての測定が完了していない場合（Ｓ３０９−Ｎｏ）、処理はステップＳ３１０に進められる。

ステップＳ３１０において、スウィープコントローラ１２は、電子ビームの照射位置を次の照射位置に変更して、ステップＳ３０３以降の処理を同様に繰り返す。

電子銃コントローラ１５は、スウィープコントローラ１２から出力されるＸ軸方向の照射位置（Ｘ軸照射位置）と膜厚コントローラ１３でモニタされているＸ軸照射位置における膜厚成長速度情報とを取得して、電子銃コントローラ１５内のメモリに記憶する。次に、スウィープコントローラ１２は、電子ビーム発生部６１から照射される電子ビームをＹ軸方向に照射制御し、膜厚コントローラ１３は、Ｙ軸方向の照射位置（Ｙ軸照射位置）における膜厚成長速度を膜厚コントローラ１３でモニタする。電子銃コントローラ１５はスウィープコントローラ１２から出力されるＹ軸照射位置と膜厚コントローラ１３でモニタされているＹ軸照射位置における膜厚成長速度情報とを取得し、電子銃コントローラ１５内のメモリに記憶する。

ステップＳ３０９において、装置コントローラ１４は、ステップＳ３０１で設定された全てのスウィープ範囲内の測定が全て完了した場合（Ｓ３０９−Ｙｅｓ）、処理を終了する。

電子銃コントローラ１５は、メモリに記憶されたＸ軸照射位置、Ｙ軸照射位置に対応したそれぞれの膜厚成長速度に基づき、電子ビームのそれぞれの走査方向に関して膜厚成長速度の分布が略一定となる範囲を電子ビームの照射が可能な範囲（照射可能範囲）として決定する（電子ビーム位置制御工程）。例えば、図２のａ部に対応する膜厚成長速度が略一定の分布となるＸ方向及びＹ方向の照射範囲を決定する。この決定において、電子銃コントローラ１５は、Ｘ軸、Ｙ軸方向の照射位置ごとの膜厚成長速度と予め定められた基準範囲とを比較して、基準範囲内にある膜厚成長速度の照射範囲を略一定の膜厚成長速度分布を与える照射範囲として決定することができる。

以上の操作を行うことで、膜厚成長速度に基づいた電子ビームのスウィープ可能な使用範囲、すなわち、蒸発源に照射する電子ビームの照射範囲が決定され、これが電子銃コントローラ１５のメモリに記憶される。

また、電子ビームの走査位置と基板上での膜厚成長速度は、蒸着プロセスが同一（例えば、坩堝の材質、形状および蒸発源の材質等）であれば、電子銃コントローラ１５に記憶される電子ビ−ムの照射位置における膜厚成長速度は同等である。従って、たとえ、坩堝の材質、蒸発源の種類と容量等が異なる蒸着工程に変更する場合でも、対応する膜厚成長速度に関する情報が記憶されていれば、異種の蒸発源に対しても、電子ビームの照射範囲（スウィープ可能な使用範囲）決定することが可能であり、蒸発源を高い利用効率で使用することができる。

これによって、電子ビームスポットのＸ軸、Ｙ軸方向への走査幅（照射範囲）を、従来のように、安全をみて僅かな範囲に限定する必要がなくなる。蒸発源７に対して、電子ビームの照射を広範囲に行うことができるようになり、蒸発源７の利用効率を従来の３０〜４０％から７０％〜８０％に高めることができる。

電子銃コントローラ１５は、電子ビーム発生部６１の高電圧の設定、フィラメント電力、エミッション電流、電子ビームのスウィープ範囲の設定等、電子銃蒸着装置の動作に必要となる各種設定を行う装置コントローラ１４に接続されている。本発明の実施形態にかかる電子銃蒸着装置（図１）を実際に操作する場合、図４を用いて説明した従来の電子銃蒸着装置の場合と同様に、装置コントローラ１４により高電圧値の設定、フィラメント電力またはエミッション電流値の設定、電子ビームの照射範囲（スウィープ範囲）が予め設定される。その際に、電子銃コントローラ１５は、装置コントローラ１４によって予め設定されたスウィープ範囲と、電子銃コントローラ１５のメモリに記憶された照射可能範囲とを比較する。

図３のステップＳ３０１において、装置コントローラ１４で設定されたスウィープ範囲の設定値が、電子銃コントローラ１５のメモリ内に記憶された電子ビームの照射可能範囲をオーバーしている場合、電子銃コントローラ１５は、照射可能範囲を超えないように電子ビームの照射の制御を行うと共に、装置コントローラ１４に対し、照射可能範囲を超える設定がなされていることを報知するアンサーバックを行う。

電子銃コントローラ１５は、アラーム（不図示）を内蔵し、坩堝６３中の蒸発源７に照射される電子ビームの照射位置がスウィープ可能な使用範囲の値を越えた場合に、アラームにより警報を発生させることができる。アラームは、電子銃コントローラ１５とは別個の構成とし、電子銃コントローラ１５から照射可能範囲を超えたことを示す信号を装置コントローラ１４が受け取り、装置コントローラ１４が警報を発生するようにすることもできる。

また、坩堝６３中の蒸発源７に照射される電子ビームの照射可能範囲を超えた場合に、電子銃コントローラ１５は、電子ビーム発生部６１へ高電圧を供給する電子銃電源１０の動作を停止させるための動作を行わせることも可能である。このようにすれば、坩堝６３中の蒸発源７に照射される電子ビームの照射位置が照射可能範囲を超えた場合に、電子ビームの照射を停止させ、坩堝６３等の損傷を防止することができる。

本実施形態に拠れば、装置用制御コントローラによって電子ビームの照射可能範囲をオーバーした設定が行われても、電子銃コントローラ１５で決定された照射可能範囲をオーバーしないように電子ビームの照射範囲の制限を行うことができる。電子ビームの照射範囲は常に蒸発源内とすることができるため、電子銃蒸着装置を安定して稼動させることが可能になる。

また、図１の電子銃蒸着装置を用いた成膜方法は、スウィープコントローラ１２から電子ビームの照射位置に関する情報と膜厚コントローラ１３から照射位置に対応する膜厚成長速度の情報とを取得する取得工程と、電子ビームの照射位置に関する情報と、照射位置に対応する膜厚成長速度の情報とに基づき、蒸発源に対して電子ビームの照射が可能な照射可能範囲を決定し、メモリに記憶する電子ビーム位置制御工程と、決定された前記照射可能範囲で、蒸発源に対して電子ビームを照射して蒸発源を加熱蒸発させて基板上に蒸着膜を蒸着する蒸着工程と、を有する。

以上、本発明の好ましい実施形態を添付図面の参照により説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々な形態に変更可能である。

本発明は上記実施形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。

本願は、２００７年１月３０日提出の日本国特許出願特願２００７−１８６９４を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims (6)

1. 真空に排気可能な真空チャンバ内に、フィラメントから発生した熱電子に電圧を印加して加速することにより電子ビームを生成する電子銃と、当該電子ビームを蒸発源に照射して当該蒸発源を加熱蒸発させて基板上に形成される蒸着膜の膜厚成長速度を把握する膜厚コントローラと、当該電子ビームの蒸発源に対する照射位置を制御するスウィープコントローラとを有する電子銃蒸着装置であって、
   前記スウィープコントローラから電子ビームの照射位置に関する情報と、前記膜厚コントローラから前記照射位置に対応する膜厚成長速度の情報と、を取得して、前記蒸発源に対して電子ビームの照射が可能な照射可能範囲を決定し、かつ記憶する電子ビーム位置制御手段を
   備えることを特徴とする電子銃蒸着装置。
2. 前記電子ビーム位置制御手段は、前記電子ビームの照射位置に関する情報と、当該照射位置に対応する前記膜厚成長速度の情報と、に基づき、当該電子ビームのそれぞれの走査方向に関して当該膜厚成長速度の分布が略一定となる範囲を前記照射可能範囲として決定することを特徴とする請求項１に記載の電子銃蒸着装置。
3. 予め設定された電子ビームの照射範囲が、前記電子ビーム位置制御手段により決定された前記照射可能範囲を超えている場合、
   前記電子ビーム位置制御手段は、前記照射可能範囲を超えないように前記電子ビームの照射を制御することを特徴とする請求項１に記載の電子銃蒸着装置。
4. 前記電子ビーム位置制御手段は、前記予め設定された電子ビームの照射範囲が前記照射可能範囲を越えた場合に、アラームを発生させて報知する動作と、電子銃に高電圧を供給する電子銃電源の動作を停止させるための動作と、のうち少なくともいずれか一方の動作を行うことを特徴とする請求項３に記載の電子銃蒸着装置。
5. 真空に排気可能な真空チャンバ内で、フィラメントから発生した熱電子に電圧を印加して加速することにより電子ビームを生成する電子銃と、当該電子ビームを蒸発源に照射して当該蒸発源を加熱蒸発させて基板上に形成される蒸着膜の膜厚成長速度を把握する膜厚コントローラと、当該電子ビームの蒸発源に対する照射位置を制御するスウィープコントローラとを有する電子銃蒸着装置を用いた成膜方法であって、当該電子銃蒸着装置を用いた成膜方法が、
   前記スウィープコントローラから電子ビームの照射位置に関する情報と、前記膜厚コントローラから前記照射位置に対応する膜厚成長速度の情報と、を取得する取得工程と、
   前記取得工程により取得された前記電子ビームの照射位置に関する情報と、当該照射位置に対応する前記膜厚成長速度の情報と、に基づき、前記蒸発源に対して電子ビームの照射が可能な照射可能範囲を決定し、メモリに記憶する電子ビーム位置制御工程と、
   前記電子ビーム位置制御工程によって決定された前記照射可能範囲で、前記蒸発源に対して前記電子ビームを照射して当該蒸発源を加熱蒸発させて前記基板上に蒸着膜を蒸着する蒸着工程と、
   を有することを特徴とする電子銃蒸着装置を用いた成膜方法。
6. 前記電子ビーム位置制御工程では、前記電子ビームの照射位置に関する情報と、当該照射位置に対応する前記膜厚成長速度の情報と、に基づき、当該電子ビームのそれぞれの走査方向に関して当該膜厚成長速度の分布が略一定となる範囲を前記照射可能範囲として決定することを特徴とする請求項５に記載の電子銃蒸着装置を用いた成膜方法。

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