JPS624863A - 電子銃の蒸発速度分布制御装置 - Google Patents
電子銃の蒸発速度分布制御装置Info
- Publication number
- JPS624863A JPS624863A JP14308085A JP14308085A JPS624863A JP S624863 A JPS624863 A JP S624863A JP 14308085 A JP14308085 A JP 14308085A JP 14308085 A JP14308085 A JP 14308085A JP S624863 A JPS624863 A JP S624863A
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- Japan
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- sweep
- film thickness
- electron beam
- evaporation
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子銃のビーム照射によって蒸発する蒸発物質
の真空蒸着室内での蒸発速度分布を可変制御する装置に
関するものである。
の真空蒸着室内での蒸発速度分布を可変制御する装置に
関するものである。
（従来の技術）
半導体回路の膜形成は、真空蒸着室内において、電子銃
から発射された電子ビームを蒸発源に照射し、このビー
ム照射によって蒸発した蒸発物質をウェハ等の回路基板
上に蒸着することにより行われている。そして、このウ
ェハに蒸着される蒸着膜厚は半導体回路の高品質を維持
するため蒸着速度制御装置により制御されている。この
種の蒸着速度制御装置は、電子銃の電子源を駆動し該電
子源から発せられる電子ビーム出力を制御するエミッシ
ョン電源と、電子源から発射された電子ビームを蒸発源
上でスィープさせる偏向器と、この偏向器にスイープ電
力を与えるスイープ電源と、真空蒸着室内の所定位置に
設けられた１個の蒸着速度検出手段とを備えている。
から発射された電子ビームを蒸発源に照射し、このビー
ム照射によって蒸発した蒸発物質をウェハ等の回路基板
上に蒸着することにより行われている。そして、このウ
ェハに蒸着される蒸着膜厚は半導体回路の高品質を維持
するため蒸着速度制御装置により制御されている。この
種の蒸着速度制御装置は、電子銃の電子源を駆動し該電
子源から発せられる電子ビーム出力を制御するエミッシ
ョン電源と、電子源から発射された電子ビームを蒸発源
上でスィープさせる偏向器と、この偏向器にスイープ電
力を与えるスイープ電源と、真空蒸着室内の所定位置に
設けられた１個の蒸着速度検出手段とを備えている。
そしてこの蒸着速度検出手段からの検出信号はエミッシ
ョン電源にフィードバックされ前記真空蒸着室の検出位
置、すなわち、真空蒸着室内の一個所の位置における蒸
着速度が一定となるように電子ビーム出力が制御されて
いる。
ョン電源にフィードバックされ前記真空蒸着室の検出位
置、すなわち、真空蒸着室内の一個所の位置における蒸
着速度が一定となるように電子ビーム出力が制御されて
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のように真空蒸着室内の１個所の位
置における蒸着速度のみを一定に制御し、真空蒸着室内
のその他の部分における蒸着速度をこれから近似する方
式では真空蒸着室内の任意の位置での蒸着速度、換言す
れば真空蒸着室内の蒸発速度分布を完全に制御すること
はできないため、真空蒸着室内に配置されたウェハ等の
蒸着面に蒸着むらが発生してしまうという問題があった
、本発明は上記従来の問題点を解決するためになされた
ものであり、その目的は、ウェハ等に蒸着される蒸発物
質の蒸発速度分布を制御することにより、ウェハ等に均
一な蒸着膜を形成することができる電子銃の蒸発速度分
布制御装置を提供することにある。
置における蒸着速度のみを一定に制御し、真空蒸着室内
のその他の部分における蒸着速度をこれから近似する方
式では真空蒸着室内の任意の位置での蒸着速度、換言す
れば真空蒸着室内の蒸発速度分布を完全に制御すること
はできないため、真空蒸着室内に配置されたウェハ等の
蒸着面に蒸着むらが発生してしまうという問題があった
、本発明は上記従来の問題点を解決するためになされた
ものであり、その目的は、ウェハ等に蒸着される蒸発物
質の蒸発速度分布を制御することにより、ウェハ等に均
一な蒸着膜を形成することができる電子銃の蒸発速度分
布制御装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため次のように構成されて
いる。すなわち、本発明は、真空蒸着室内に配置された
電子銃本体の電子源を駆動し該電子源から発せられる電
子ビーム出力を制御するエミッション電源と、電子源か
ら発射された電子ビームを蒸発源上でスイープさせる偏
向器と、この偏向器に電子ビームのスイープ条件を与え
るスイープ電源とを含む電子銃の蒸発速度分布制御装置
において、真空蒸着室内の互いに異なる複数位置に配設
された蒸着速度検出手段と、各蒸着速度検出手段からの
検出信号によりスイープ電源のビームスイープ条件を制
御するスイープ条件制御回路とが設けられている電子銃
の蒸発速度分布制御装置である。
いる。すなわち、本発明は、真空蒸着室内に配置された
電子銃本体の電子源を駆動し該電子源から発せられる電
子ビーム出力を制御するエミッション電源と、電子源か
ら発射された電子ビームを蒸発源上でスイープさせる偏
向器と、この偏向器に電子ビームのスイープ条件を与え
るスイープ電源とを含む電子銃の蒸発速度分布制御装置
において、真空蒸着室内の互いに異なる複数位置に配設
された蒸着速度検出手段と、各蒸着速度検出手段からの
検出信号によりスイープ電源のビームスイープ条件を制
御するスイープ条件制御回路とが設けられている電子銃
の蒸発速度分布制御装置である。
（作用）
上記構成からなる本発明において、電子源から発射され
る電子ビームの強さは従来と同様にエミッション電源に
より制御され、また電子ビームは偏向器からの作用を受
けて蒸発源上にスイープ照射される。この電子ビームの
スイープ照射により蒸発源から蒸発した蒸発物質はウェ
ハ等の基板に蒸着するが、このとき、真空蒸着室内の異
なる複数の位置での蒸着速度が蒸着速度検出手段によっ
て検出される。そして、各蒸着速度検出手段からの検出
信号はスイープ条件制御回路に供給され、このスイープ
条件制御回路は前記各検出信号に基づいて所要の信号処
理を行い真空蒸着室内の蒸発速度分布が一定となるよう
にビームのスイープ条件、例えばスイープ中心、スイー
プ幅、掃引速度等の条件を求めてスイープ電源に指令す
る。
る電子ビームの強さは従来と同様にエミッション電源に
より制御され、また電子ビームは偏向器からの作用を受
けて蒸発源上にスイープ照射される。この電子ビームの
スイープ照射により蒸発源から蒸発した蒸発物質はウェ
ハ等の基板に蒸着するが、このとき、真空蒸着室内の異
なる複数の位置での蒸着速度が蒸着速度検出手段によっ
て検出される。そして、各蒸着速度検出手段からの検出
信号はスイープ条件制御回路に供給され、このスイープ
条件制御回路は前記各検出信号に基づいて所要の信号処
理を行い真空蒸着室内の蒸発速度分布が一定となるよう
にビームのスイープ条件、例えばスイープ中心、スイー
プ幅、掃引速度等の条件を求めてスイープ電源に指令す
る。
スイープ電源はこの指令を受けて偏向器を駆動し、前記
指令されたスイープ条件にのっとって電子ビームの一軌
跡等の制御を行うのである。このように蒸着速度検出手
段からの検出信号をスイープ条件制御回路にフィードバ
ックすることにより、真空蒸着室内の任意の位置におけ
る蒸発速度を制御することが可能となるものである。
指令されたスイープ条件にのっとって電子ビームの一軌
跡等の制御を行うのである。このように蒸着速度検出手
段からの検出信号をスイープ条件制御回路にフィードバ
ックすることにより、真空蒸着室内の任意の位置におけ
る蒸発速度を制御することが可能となるものである。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図には本発明の一実施例を示すブロック構成が示され
、真空蒸着室内の電子銃本体１には電子ビーム１１を発
射する電子源２と、この電子源２から発射された電子ビ
ーム１１を蒸発源３上にスイープさせる偏向器４とが設
けられている、前記電子ビーム１１の出力はエミッショ
ン電源５によって制御されており−１また偏向器４はス
イープ電源６によって駆動されている。
１図には本発明の一実施例を示すブロック構成が示され
、真空蒸着室内の電子銃本体１には電子ビーム１１を発
射する電子源２と、この電子源２から発射された電子ビ
ーム１１を蒸発源３上にスイープさせる偏向器４とが設
けられている、前記電子ビーム１１の出力はエミッショ
ン電源５によって制御されており−１また偏向器４はス
イープ電源６によって駆動されている。
蒸発源３の上方位置にはウェハ７が配置されており、電
子ビーム１１の照射によって蒸発源３から蒸発した蒸発
物質１２はウェハ７に蒸着する。
子ビーム１１の照射によって蒸発源３から蒸発した蒸発
物質１２はウェハ７に蒸着する。
このウェハ７の近傍位置には蒸着速度検出手段としての
複数の膜厚計、図では第１の膜厚計８と第２の膜厚計９
が異なる位置に設けられている。
複数の膜厚計、図では第１の膜厚計８と第２の膜厚計９
が異なる位置に設けられている。
この第１の膜厚計８は蒸発源３の中心線上（二設けられ
ており、当該第１の膜厚計８と第２の膜厚計９はともに
ウェハ７の各位置に蒸着される蒸着膜厚の変化を間接的
に検出できるようになっている。前記第１の膜厚計８か
ら出力される検出信号の一方はエミッション電源５に分
岐出力され、第１の膜厚計８の検出位置における蒸着速
度の変化に対応させて電子ビーム出力を制御している。
ており、当該第１の膜厚計８と第２の膜厚計９はともに
ウェハ７の各位置に蒸着される蒸着膜厚の変化を間接的
に検出できるようになっている。前記第１の膜厚計８か
ら出力される検出信号の一方はエミッション電源５に分
岐出力され、第１の膜厚計８の検出位置における蒸着速
度の変化に対応させて電子ビーム出力を制御している。
前記第１の膜厚計８から出力される検出信号の他方の分
岐信号および第２の膜厚計９からの検出信号はスイープ
条件制御回路１０に供給されており、このスィープ条件
制御回路１０は第１の膜厚計８および第２の膜厚計９か
らの検出信号に基づいてスィープ電源６に電子ビーム１
１のスイープ条件を次のように指令する。すなわち、ス
イープ条件制御回路１０はスイープ中心位置制御回路と
、スィープ幅制御回路と、掃引速度制御回路とを有して
おり、スイープ中心位置制御回路は第１の膜厚計８と第
２の膜厚計９との検出信号を比較し、あらかじめ設定さ
れた蒸着速度比となるように電子ビーム１１のスィープ
中心位置を変化指令する０例えば、第１の膜厚計８によ
って検出された蒸着速度と第２の膜厚計９によって検出
された蒸着速度とを比較し設定比率に対して、第２の膜
厚計９に検出される蒸着速度が大きい場合は、電子ビー
ム１１のスイープ中心位置を第１の膜厚計８側寄りに変
位させる。
岐信号および第２の膜厚計９からの検出信号はスイープ
条件制御回路１０に供給されており、このスィープ条件
制御回路１０は第１の膜厚計８および第２の膜厚計９か
らの検出信号に基づいてスィープ電源６に電子ビーム１
１のスイープ条件を次のように指令する。すなわち、ス
イープ条件制御回路１０はスイープ中心位置制御回路と
、スィープ幅制御回路と、掃引速度制御回路とを有して
おり、スイープ中心位置制御回路は第１の膜厚計８と第
２の膜厚計９との検出信号を比較し、あらかじめ設定さ
れた蒸着速度比となるように電子ビーム１１のスィープ
中心位置を変化指令する０例えば、第１の膜厚計８によ
って検出された蒸着速度と第２の膜厚計９によって検出
された蒸着速度とを比較し設定比率に対して、第２の膜
厚計９に検出される蒸着速度が大きい場合は、電子ビー
ム１１のスイープ中心位置を第１の膜厚計８側寄りに変
位させる。
一方、スイープ幅制御回路は第１の膜厚計８と第２の膜
厚計９との検出信号を比較し電子ビームのスイープ幅を
変化させる。すなわち、第１の膜厚計８によって検出さ
れた蒸着速度と第２の膜厚計９によって検出された蒸着
速度の比が、設定した比率に対し、第２の膜厚計９によ
り検出される蒸着速度が大きい場合はスイープ幅を小さ
くなるように変化させて設定蒸着速度比に近づけるので
ある。
厚計９との検出信号を比較し電子ビームのスイープ幅を
変化させる。すなわち、第１の膜厚計８によって検出さ
れた蒸着速度と第２の膜厚計９によって検出された蒸着
速度の比が、設定した比率に対し、第２の膜厚計９によ
り検出される蒸着速度が大きい場合はスイープ幅を小さ
くなるように変化させて設定蒸着速度比に近づけるので
ある。
他方、掃引速度制御回路は第１の膜厚計８と第２の膜厚
計９との検出信号値の比を設定比と比較し、例えば、こ
れに対し第２の膜厚計９の検出信号が大きい場合は、掃
引速度が大きくなるように変化させて、設定比に近づけ
る。
計９との検出信号値の比を設定比と比較し、例えば、こ
れに対し第２の膜厚計９の検出信号が大きい場合は、掃
引速度が大きくなるように変化させて、設定比に近づけ
る。
これらスイープ条件制御回路１０によって求められる各
スイープ条件（スイープ中心、スイープ幅および掃引速
度）はスイープ電源６に指令され、スイープ電源６はこ
の指令に基づいて偏向器４を駆動する。この結果、電子
ビームの照射によって蒸発する蒸発物質の蒸着速度は真
空蒸着室内で一定の分布となるように制御されることと
なり、ウェハ７に均一な蒸着膜を形成することが可能と
なるものである。
スイープ条件（スイープ中心、スイープ幅および掃引速
度）はスイープ電源６に指令され、スイープ電源６はこ
の指令に基づいて偏向器４を駆動する。この結果、電子
ビームの照射によって蒸発する蒸発物質の蒸着速度は真
空蒸着室内で一定の分布となるように制御されることと
なり、ウェハ７に均一な蒸着膜を形成することが可能と
なるものである。
なお、上記例では２個の膜厚計８および同９の検出信号
に基づいてスィープ条件を指令制御する例を示したが、
３個以上の膜厚計を設けてスイープ条件を指令するよう
に構成することも可能であり、例えば、第１図状態にお
いて膜厚計９′ （図示せず）を追加し３個の膜厚計８
．同９および同９′を用いてスィープ条件を指令制御す
る場合には、膜厚計８を基準とし、この膜厚計８と膜厚
計９の検出信号に基づいてスイープ中心およびスイープ
幅の指令値を求め、さらに膜厚計８と膜厚計９′の検出
信号に基づいて掃引速度の指令値を求めるようにするこ
ともできる。また多数の膜厚計を用いてより正確なスィ
ープ条件を求める場合には、各膜厚計からの検出信号を
統計的手法によってコンピュータ処理し、このコンピュ
ータ処理信号に基づいてスイープ条件を指令制御するよ
うにしてもよい。
に基づいてスィープ条件を指令制御する例を示したが、
３個以上の膜厚計を設けてスイープ条件を指令するよう
に構成することも可能であり、例えば、第１図状態にお
いて膜厚計９′ （図示せず）を追加し３個の膜厚計８
．同９および同９′を用いてスィープ条件を指令制御す
る場合には、膜厚計８を基準とし、この膜厚計８と膜厚
計９の検出信号に基づいてスイープ中心およびスイープ
幅の指令値を求め、さらに膜厚計８と膜厚計９′の検出
信号に基づいて掃引速度の指令値を求めるようにするこ
ともできる。また多数の膜厚計を用いてより正確なスィ
ープ条件を求める場合には、各膜厚計からの検出信号を
統計的手法によってコンピュータ処理し、このコンピュ
ータ処理信号に基づいてスイープ条件を指令制御するよ
うにしてもよい。
また、本実施例では、電子ビーム１１の強さを従来例と
同様に１個の膜厚計からの検出信号によって制御してい
るが、これを前記スイープ条件を求める場合と同様に、
複数の膜厚計からの検出信号に基づいて制御するように
構成することも可能である。
同様に１個の膜厚計からの検出信号によって制御してい
るが、これを前記スイープ条件を求める場合と同様に、
複数の膜厚計からの検出信号に基づいて制御するように
構成することも可能である。
（発明の効果）
本発明は以上説明したような構成と作用を有するので、
蒸発源から蒸発する蒸発物質の任意の位置における蒸着
速度を自由に制御することができ、したがって、真空蒸
着室内の蒸発速度分布を一定に制御することが可能とな
り、ウェハに蒸着むらのない均一な蒸着膜を形成するこ
とが可能である。
蒸発源から蒸発する蒸発物質の任意の位置における蒸着
速度を自由に制御することができ、したがって、真空蒸
着室内の蒸発速度分布を一定に制御することが可能とな
り、ウェハに蒸着むらのない均一な蒸着膜を形成するこ
とが可能である。
第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。 １・・・・・・電子銃本体、 ２・・・・・・電子源、
３・・・・・・蒸発源、 ４・・・・・・偏向器、５・
・・・・・エミッション電源、 ６・・・・・・スィ
ープ電源、 ７・・・・・・ウェハ、 ８．９・・・・
・・膜厚計、１０・・・・・・スィープ条件制御回路、
１１・・・・・・電子ビーム、 １２・・・・・・蒸
発物質。
る。 １・・・・・・電子銃本体、 ２・・・・・・電子源、
３・・・・・・蒸発源、 ４・・・・・・偏向器、５・
・・・・・エミッション電源、 ６・・・・・・スィ
ープ電源、 ７・・・・・・ウェハ、 ８．９・・・・
・・膜厚計、１０・・・・・・スィープ条件制御回路、
１１・・・・・・電子ビーム、 １２・・・・・・蒸
発物質。
Claims (1)
- 真空蒸着室内に配置された電子銃本体の電子源を駆動し
該電子源から発せられる電子ビーム出力を制御するエミ
ッション電源と、電子源から発射された電子ビームを蒸
発源上でスィープさせる偏向器と、この偏向器に電子ビ
ームのスィープ条件を与えるスィープ電源とを含む電子
銃の蒸発速度分布制御装置において、真空蒸着室内の互
いに異なる複数位置に配設された蒸着速度検出手段と、
各蒸着速度検出手段からの検出信号によりスィープ電源
のスィープ条件を制御するスィープ条件制御回路とが設
けられていることを特徴とする電子銃の蒸発速度分布制
御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14308085A JPS624863A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 電子銃の蒸発速度分布制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14308085A JPS624863A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 電子銃の蒸発速度分布制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624863A true JPS624863A (ja) | 1987-01-10 |
| JPH0254428B2 JPH0254428B2 (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=15330445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14308085A Granted JPS624863A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 電子銃の蒸発速度分布制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624863A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227075A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Evaporation rate controlling apparatus |
| JPS5834171A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 真空蒸着装置 |
| JPS6046367A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-13 | Fujitsu Ltd | 蒸着装置 |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP14308085A patent/JPS624863A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227075A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Evaporation rate controlling apparatus |
| JPS5834171A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 真空蒸着装置 |
| JPS6046367A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-13 | Fujitsu Ltd | 蒸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254428B2 (ja) | 1990-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |