JPH0151814B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0151814B2 JPH0151814B2 JP4266181A JP4266181A JPH0151814B2 JP H0151814 B2 JPH0151814 B2 JP H0151814B2 JP 4266181 A JP4266181 A JP 4266181A JP 4266181 A JP4266181 A JP 4266181A JP H0151814 B2 JPH0151814 B2 JP H0151814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target material
- target
- liquid crystal
- inclination angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 32
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 30
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133734—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by obliquely evaporated films, e.g. Si or SiO2 films
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示器に関し、特に液晶分子を所
定の方向に配向するための一様性の優れた液晶表
示器基板の製造装置に関するものである。 〔従来の技術〕 液晶表示器においては、基板間に封入した液晶
分子を所定の方向に配向するためにいくつかの方
法が提案されている。その方法は概略して次の３
つに分類される。 その１つは、対象基板、例えばガラス基板上に
塗布された有機分子膜を、例えば布のようなもの
で特定方向に研磨して微小な凹凸を形成し、液晶
分子を封入した際にこの凹凸に沿うように基板上
に液晶分子を傾き配向させる、いわゆるラビング
方法である。 他の方法として、ガラス基板へ例えばSiOを斜
めに蒸着し、蒸着膜の成長方向に液晶分子が揃う
ように配向させる、いわゆる斜め蒸着という方法
である。 更に、他の方法として、例えばSiOをガラス基
板へ垂直に蒸着させ、その後イオン線をガラス基
板へ斜めに入射させることにより、ガラス基板上
に方向性を有する凹凸を作成し、その形状によつ
て液晶分子を傾き配向させる、いわゆるイオンエ
ツチング方法である。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかるに、前記ラビング方法では、耐環境性に
優れた液晶表示器を製造するには液晶分子封入の
際のスペーサのガラス溶着のための要求温度が
400〜500℃であるため、液晶分子の傾き配向が失
われることが多い。 一方、斜め蒸着方法では、加熱された点蒸発源
から粒子が放出されるので、対象基板の付着する
粒子の成長方向は扇状となる。このため、液晶分
子の長軸が扇状となるごとく液晶分子が配向し、
一様性の良い液晶表示器は得られない。これを改
善するためには蒸発源と対象基板との距離を長く
とればよいが、実用上限界があり、従つて配列の
不均一性は避けられない。 更に、イオンエツチング方法では、イオン線を
対象基板に入射させる前工程として、対象基板上
に配向膜と同一の物質を斜め蒸着させる工程が必
要であるので、配向処理だけで少なくとも２つ以
上の装置が必要であり、また短時間に製造できな
いという欠点を持つている。 なお、イオンエツチング方法には、対象基板上
に配向膜を蒸着しないで、直接対象基板に対して
エツチングする方法も提案されているが、対象基
板上には液晶分子に電界を印加させ表示を制御す
るための透明電極が部分的に形成してあるため、
異種の物質（ガラス、透明電極）によつてエツチ
ングで作られる「きず」の角度が変わる。そし
て、液晶分子は、配向処理の施されている物質に
よつて斜め配向角が変わり、そのため後者のイオ
ンエツチング方法では斜め配向角を十分に制御で
きない。従つて、液晶分子の一様性は得られな
い。 本発明は上記の諸問題に鑑みて提案されたもの
であつて、耐熱性に優れ、均一な一方向性斜め配
向を与える配向処理を単一の装置で短時間に製造
できる製造装置を提供しようとするものである。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は真空槽内に配置され、同一飛行ベクト
ルをもつ複数のイオンを発生するイオン発生装置
と、 このイオン発生装置から発生される複数のイオ
ンの飛行ベクトルに対して所定の傾斜角度θを成
すように、前記イオン発生装置に対向して前記真
空槽内に配置され、液晶分子を配向させるための
付着物質からなる面状ターゲツト材と、 このターゲツト材を、前記イオン発生装置に対
向するよう保持し、かつ前記イオン発生装置から
発生される複数のイオンの飛行ベクトルに対して
前記ターゲツト材が前記所定の傾斜角度θを成す
ようイオン飛来方向に対する前記ターゲツト材の
傾斜角度を調節する第１保持装置と、 前記複数のイオンの入射によつて前記ターゲツ
ト材から、同一の飛行ベクトルをもつて放出され
る複数の微細粒子が所定の傾斜角度αを成して衝
突するよう前記ターゲツト材に対向して前記真空
槽内に配置された対象基板と、 この対象基板を、前記ターゲツト材に対向する
よう保持し、かつ前記ターゲツト材から放出され
る前記複数の微細粒子が前記対象基板に前記傾斜
角度αを成して衝突するように、かつ前記複数の
微細粒子が前記対象基板に傾斜角度βを成して付
着するよう前記複数の微細粒子の飛来方向に対す
る前記対象基板の傾斜角度を調節する第２保持装
置と、 を具備するという技術的手段を有するものであ
る。 〔実施例〕 以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。第１図に示す液晶表示器基板の製造装置につ
いて説明すると、１０はスパツタ装置などに通常
使用されるイオン発生装置で、真空槽１１の内側
に設置してあり、同一ベクトルをもつ複数のアル
ゴンイオンを発生する。よつて、そのベクトル軌
跡であるアルゴンイオン線１０Ａは第１図に示す
ごとく互いに平行になつている。１２は対象とす
る液晶表示器基板に付着すべき配向用粒子を供給
する平板状のターゲツト材である。このターゲツ
ト材１２はイオン発生装置１０に対向するよう第
１支持装置としての支持装置１３に保持されてい
る。この支持装置１３はイオン発生装置１０から
発生される複数のイオンの飛行ベクトルに対して
ターゲツト材１２が所定の傾斜角度θを成すよう
にイオン飛来方向に対するターゲツト材１２の傾
斜角度を調節するものである。この傾斜角度、即
ちターゲツト材１２に対するアルゴンイオン線１
０Ａの入射角θは好ましは45゜±10゜程度で与えら
れる。そして、ターゲツト材１２はアルゴンイオ
ン線１０Ａの衝突によつて与えられるエネルギー
により第１図に示されるごとく同一ベクトルを有
する複数のSiOの微細粒子片１２Ａを所定の角度
で放出する。 １４は対象とする液晶表示器基板で、例えばガ
ラス板からなる。この基板１４はターゲツト材１
２から同一の飛行ベクトルをもつて放出される複
数の微細粒子片１２Ａが所定の傾斜角度を成して
衝突するようターゲツト材１２に対向して第２の
保持装置としての支持装置１５を介して真空槽１
１内に配置されている。上記傾斜角度、即ち入射
角αは70゜ないしそれより若干大きく設定されて
いる。 この支持装置１５はターゲツト材１２から放出
される複数の微細粒子片１２Ａが基板１４に入射
角αを成して衝突するように、かつその複数の微
細粒子片１２Ａが基板１４に傾斜角βを成して付
着するよう複数の微細粒子片１２Ａの飛来方向に
対する基板１４の傾斜角度を調節するものであ
る。 上記構成において、第２図に図示されるよう
に、ターゲツト材１２から一様な密度で平行に飛
来する微細粒子片１２Ａは、対象基板１４上にお
いて自己遮蔽効果（Self Shadowing effect）に
よつて、その表面に、その垂直方向ａに対して一
様に傾斜角βをもつた突起体１２Ｂとして付着
し、一様な密度の凹凸を形成する。この場合、液
晶表示器基板が大型化するに伴い、ターゲツト材
１２および対象基板１４が大型化する場合にもイ
オン発生装置１０からターゲツト材１２に入射さ
れるとイオン線１０Ａは互いに平行であるため、
イオン線１０Ａが入射した部分から放出される複
数の微細粒子片１２Ａも同一飛行ベクトルをもつ
て対象基板１４に向かつて飛行し、この時、対象
基板１４は所定角度α傾斜しているため、対象基
板上１４にはターゲツト物質である微細粒子片１
２Ａを所定の傾斜角度βを成して均一に付着させ
ることができる。 微細粒子片１２Ａの対象基板１４への衝突の
際、イオンエツチング法のように対象基板１４の
表面に「きず」を付けることはない。なお、ター
ゲツト材１２と液晶表示器基板１４の取付け角度
および位置を変更するか、あるいはイオン発生装
置１０のイオン線密度を変更することにより、付
着粒子の傾斜、付着速度を調節することができ
る。かくして作成された表示器基板は、通常の液
晶封入工程において液晶分子を傾斜角βに対応し
て一様に斜め配向させることができる。この装置
によれば、基板１４の配向処理を同一真空槽１１
内で実施でき、処理工程が合理化される。 ところで、上記製造装置を用いた具体的製造例
について説明すると、イオン発生装置１０から発
生するイオンビームエネルギーを1.5KeV、ター
ゲツト材をSiO2、膜厚約を3000Åとした条件に
おいて、α、β、θの関係次のごとくであつた。
定の方向に配向するための一様性の優れた液晶表
示器基板の製造装置に関するものである。 〔従来の技術〕 液晶表示器においては、基板間に封入した液晶
分子を所定の方向に配向するためにいくつかの方
法が提案されている。その方法は概略して次の３
つに分類される。 その１つは、対象基板、例えばガラス基板上に
塗布された有機分子膜を、例えば布のようなもの
で特定方向に研磨して微小な凹凸を形成し、液晶
分子を封入した際にこの凹凸に沿うように基板上
に液晶分子を傾き配向させる、いわゆるラビング
方法である。 他の方法として、ガラス基板へ例えばSiOを斜
めに蒸着し、蒸着膜の成長方向に液晶分子が揃う
ように配向させる、いわゆる斜め蒸着という方法
である。 更に、他の方法として、例えばSiOをガラス基
板へ垂直に蒸着させ、その後イオン線をガラス基
板へ斜めに入射させることにより、ガラス基板上
に方向性を有する凹凸を作成し、その形状によつ
て液晶分子を傾き配向させる、いわゆるイオンエ
ツチング方法である。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかるに、前記ラビング方法では、耐環境性に
優れた液晶表示器を製造するには液晶分子封入の
際のスペーサのガラス溶着のための要求温度が
400〜500℃であるため、液晶分子の傾き配向が失
われることが多い。 一方、斜め蒸着方法では、加熱された点蒸発源
から粒子が放出されるので、対象基板の付着する
粒子の成長方向は扇状となる。このため、液晶分
子の長軸が扇状となるごとく液晶分子が配向し、
一様性の良い液晶表示器は得られない。これを改
善するためには蒸発源と対象基板との距離を長く
とればよいが、実用上限界があり、従つて配列の
不均一性は避けられない。 更に、イオンエツチング方法では、イオン線を
対象基板に入射させる前工程として、対象基板上
に配向膜と同一の物質を斜め蒸着させる工程が必
要であるので、配向処理だけで少なくとも２つ以
上の装置が必要であり、また短時間に製造できな
いという欠点を持つている。 なお、イオンエツチング方法には、対象基板上
に配向膜を蒸着しないで、直接対象基板に対して
エツチングする方法も提案されているが、対象基
板上には液晶分子に電界を印加させ表示を制御す
るための透明電極が部分的に形成してあるため、
異種の物質（ガラス、透明電極）によつてエツチ
ングで作られる「きず」の角度が変わる。そし
て、液晶分子は、配向処理の施されている物質に
よつて斜め配向角が変わり、そのため後者のイオ
ンエツチング方法では斜め配向角を十分に制御で
きない。従つて、液晶分子の一様性は得られな
い。 本発明は上記の諸問題に鑑みて提案されたもの
であつて、耐熱性に優れ、均一な一方向性斜め配
向を与える配向処理を単一の装置で短時間に製造
できる製造装置を提供しようとするものである。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は真空槽内に配置され、同一飛行ベクト
ルをもつ複数のイオンを発生するイオン発生装置
と、 このイオン発生装置から発生される複数のイオ
ンの飛行ベクトルに対して所定の傾斜角度θを成
すように、前記イオン発生装置に対向して前記真
空槽内に配置され、液晶分子を配向させるための
付着物質からなる面状ターゲツト材と、 このターゲツト材を、前記イオン発生装置に対
向するよう保持し、かつ前記イオン発生装置から
発生される複数のイオンの飛行ベクトルに対して
前記ターゲツト材が前記所定の傾斜角度θを成す
ようイオン飛来方向に対する前記ターゲツト材の
傾斜角度を調節する第１保持装置と、 前記複数のイオンの入射によつて前記ターゲツ
ト材から、同一の飛行ベクトルをもつて放出され
る複数の微細粒子が所定の傾斜角度αを成して衝
突するよう前記ターゲツト材に対向して前記真空
槽内に配置された対象基板と、 この対象基板を、前記ターゲツト材に対向する
よう保持し、かつ前記ターゲツト材から放出され
る前記複数の微細粒子が前記対象基板に前記傾斜
角度αを成して衝突するように、かつ前記複数の
微細粒子が前記対象基板に傾斜角度βを成して付
着するよう前記複数の微細粒子の飛来方向に対す
る前記対象基板の傾斜角度を調節する第２保持装
置と、 を具備するという技術的手段を有するものであ
る。 〔実施例〕 以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。第１図に示す液晶表示器基板の製造装置につ
いて説明すると、１０はスパツタ装置などに通常
使用されるイオン発生装置で、真空槽１１の内側
に設置してあり、同一ベクトルをもつ複数のアル
ゴンイオンを発生する。よつて、そのベクトル軌
跡であるアルゴンイオン線１０Ａは第１図に示す
ごとく互いに平行になつている。１２は対象とす
る液晶表示器基板に付着すべき配向用粒子を供給
する平板状のターゲツト材である。このターゲツ
ト材１２はイオン発生装置１０に対向するよう第
１支持装置としての支持装置１３に保持されてい
る。この支持装置１３はイオン発生装置１０から
発生される複数のイオンの飛行ベクトルに対して
ターゲツト材１２が所定の傾斜角度θを成すよう
にイオン飛来方向に対するターゲツト材１２の傾
斜角度を調節するものである。この傾斜角度、即
ちターゲツト材１２に対するアルゴンイオン線１
０Ａの入射角θは好ましは45゜±10゜程度で与えら
れる。そして、ターゲツト材１２はアルゴンイオ
ン線１０Ａの衝突によつて与えられるエネルギー
により第１図に示されるごとく同一ベクトルを有
する複数のSiOの微細粒子片１２Ａを所定の角度
で放出する。 １４は対象とする液晶表示器基板で、例えばガ
ラス板からなる。この基板１４はターゲツト材１
２から同一の飛行ベクトルをもつて放出される複
数の微細粒子片１２Ａが所定の傾斜角度を成して
衝突するようターゲツト材１２に対向して第２の
保持装置としての支持装置１５を介して真空槽１
１内に配置されている。上記傾斜角度、即ち入射
角αは70゜ないしそれより若干大きく設定されて
いる。 この支持装置１５はターゲツト材１２から放出
される複数の微細粒子片１２Ａが基板１４に入射
角αを成して衝突するように、かつその複数の微
細粒子片１２Ａが基板１４に傾斜角βを成して付
着するよう複数の微細粒子片１２Ａの飛来方向に
対する基板１４の傾斜角度を調節するものであ
る。 上記構成において、第２図に図示されるよう
に、ターゲツト材１２から一様な密度で平行に飛
来する微細粒子片１２Ａは、対象基板１４上にお
いて自己遮蔽効果（Self Shadowing effect）に
よつて、その表面に、その垂直方向ａに対して一
様に傾斜角βをもつた突起体１２Ｂとして付着
し、一様な密度の凹凸を形成する。この場合、液
晶表示器基板が大型化するに伴い、ターゲツト材
１２および対象基板１４が大型化する場合にもイ
オン発生装置１０からターゲツト材１２に入射さ
れるとイオン線１０Ａは互いに平行であるため、
イオン線１０Ａが入射した部分から放出される複
数の微細粒子片１２Ａも同一飛行ベクトルをもつ
て対象基板１４に向かつて飛行し、この時、対象
基板１４は所定角度α傾斜しているため、対象基
板上１４にはターゲツト物質である微細粒子片１
２Ａを所定の傾斜角度βを成して均一に付着させ
ることができる。 微細粒子片１２Ａの対象基板１４への衝突の
際、イオンエツチング法のように対象基板１４の
表面に「きず」を付けることはない。なお、ター
ゲツト材１２と液晶表示器基板１４の取付け角度
および位置を変更するか、あるいはイオン発生装
置１０のイオン線密度を変更することにより、付
着粒子の傾斜、付着速度を調節することができ
る。かくして作成された表示器基板は、通常の液
晶封入工程において液晶分子を傾斜角βに対応し
て一様に斜め配向させることができる。この装置
によれば、基板１４の配向処理を同一真空槽１１
内で実施でき、処理工程が合理化される。 ところで、上記製造装置を用いた具体的製造例
について説明すると、イオン発生装置１０から発
生するイオンビームエネルギーを1.5KeV、ター
ゲツト材をSiO2、膜厚約を3000Åとした条件に
おいて、α、β、θの関係次のごとくであつた。
以上述べたように本発明によれば、対象基板上
に付着する微細粒子は付着と同時に所定の角度を
成して付着するため、一旦付着した後に、スパツ
タ等によりエツチングするという工程が不必要と
なり、一つの製造装置により、短時間で処理がで
きるという優れた効果が得られる。 また、本発明によれば、対象基板上に付着する
複数の微細粒子は互いに同一飛行ベクトルをもつ
て飛来するため、全付着領域に渡つて均一な角度
で付着させることができ、対象基板、即ち液晶表
示器が大型化した場合にも、均一な付着分布が得
られ、液晶表示分子の均一な配向が可能になると
いう優れた効果が得られる。
に付着する微細粒子は付着と同時に所定の角度を
成して付着するため、一旦付着した後に、スパツ
タ等によりエツチングするという工程が不必要と
なり、一つの製造装置により、短時間で処理がで
きるという優れた効果が得られる。 また、本発明によれば、対象基板上に付着する
複数の微細粒子は互いに同一飛行ベクトルをもつ
て飛来するため、全付着領域に渡つて均一な角度
で付着させることができ、対象基板、即ち液晶表
示器が大型化した場合にも、均一な付着分布が得
られ、液晶表示分子の均一な配向が可能になると
いう優れた効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す製造装置の構
成図、第２図は液晶表示器基板における微細粒子
の付着過程を示す説明図、第３図および第４図は
各々本発明の他の例を示すイオン発生装置と、タ
ーゲツト材と、液晶表示器基板との配置説明図で
ある。 １０…イオン発生装置、１１…真空槽、１２…
ターゲツト材、１３…支持装置、１４…液晶表示
器基板、１５…支持装置。
成図、第２図は液晶表示器基板における微細粒子
の付着過程を示す説明図、第３図および第４図は
各々本発明の他の例を示すイオン発生装置と、タ
ーゲツト材と、液晶表示器基板との配置説明図で
ある。 １０…イオン発生装置、１１…真空槽、１２…
ターゲツト材、１３…支持装置、１４…液晶表示
器基板、１５…支持装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空槽内に配置され、同一飛行ベクトルをも
つ複数のイオンを発生するイオン発生装置と、 このイオン発生装置から発生される複数のイオ
ンの飛行ベクトルに対して所定の傾斜角度θを成
すように、前記イオン発生装置に対向して前記真
空槽内に配置され、液晶分子を配向させるための
付着物質からなる面状ターゲツト材と、 このターゲツト材を、前記イオン発生装置に対
向するよう保持し、かつ前記イオン発生装置から
発生される複数のイオンの飛行ベクトルに対して
前記ターゲツト材が前記所定の傾斜角度θを成す
ようイオン飛来方向に対する前記ターゲツト材の
傾斜角度を調節する第１保持装置と、 前記複数のイオンの入射によつて前記ターゲツ
ト材から、同一の飛行ベクトルをもつて放出され
る複数の微細粒子が所定の傾斜角度αを成して衝
突するよう前記ターゲツト材に対向して前記真空
槽内に配置された対象基板と、 この対象基板を、前記ターゲツト材に対向する
よう保持し、かつ前記ターゲツト材から放出され
る前記複数の微細粒子が前記対象基板に前記傾斜
角度αを成して衝突するように、かつ前記複数の
微細粒子が前記対象基板に傾斜角度βを成して付
着するよう前記複数の微細粒子の飛来方向に対す
る前記対象基板の傾斜角度を調節する第２保持装
置と、 を具備することを特徴とする液晶表示器基板の製
造装置。 ２ 前記ターゲツト材がSiOまたはSiOxからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4266181A JPS57157214A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Production method and device for liquid crystal display substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4266181A JPS57157214A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Production method and device for liquid crystal display substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57157214A JPS57157214A (en) | 1982-09-28 |
| JPH0151814B2 true JPH0151814B2 (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=12642190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4266181A Granted JPS57157214A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Production method and device for liquid crystal display substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57157214A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267027A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Ulvac Corp | 液晶配向膜の形成方法 |
| JPS61267026A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Ulvac Corp | 液晶配向膜の形成方法 |
| KR940000915B1 (ko) * | 1986-01-31 | 1994-02-04 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 표면 처리방법 |
| JP4765337B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 無機配向膜形成装置および無機配向膜の形成方法 |
| JP4201002B2 (ja) | 2005-03-28 | 2008-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、その製造方法およびプロジェクタ |
-
1981
- 1981-03-24 JP JP4266181A patent/JPS57157214A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57157214A (en) | 1982-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62116764A (ja) | 工作物表面へのフイルム折出方法と装置 | |
| JPH1096927A (ja) | 原子ビームによる液晶の整列化 | |
| WO1999047726A1 (en) | Process for depositing atomic to nanometer particle coatings on host particles | |
| NL1001346C2 (nl) | Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van oriënteringslagen op een substraat voor het richten van moleculen van vloeibare kristallen. | |
| JPH0151814B2 (ja) | ||
| JP2001108832A5 (ja) | ||
| US4305801A (en) | Line-of-sight deposition method | |
| JP3336421B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2946402B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| US4652357A (en) | Apparatus for and a method of modifying the properties of a material | |
| JPS5619030A (en) | Production of liquid crystal display element | |
| US6712943B2 (en) | Methods for angle limiting deposition mask | |
| US20220011636A1 (en) | Inorganic alignment film forming apparatus for lcos display | |
| JPH0792569B2 (ja) | 液晶配向層デポジション方法および装置 | |
| KR100329207B1 (ko) | 대면적 증착 방법 및 그 증착 시스템 | |
| JPH09202965A (ja) | 電子ビーム蒸着装置 | |
| JP2548373B2 (ja) | 液晶配向膜の製造法とその製造装置 | |
| JPH0559985B2 (ja) | ||
| JPS6277477A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR100216925B1 (ko) | 고온초전도 박막 제조용 레이저 증착 장치 | |
| JPH0573827B2 (ja) | ||
| JPH03164712A (ja) | 液晶表示装置及びその製造法 | |
| JPH0562459B2 (ja) | ||
| JPS5847685B2 (ja) | エキシヨウノ ブンシハイコウノ タメノソウノ セイセイホウホウオヨビソウチ | |
| JPH09230355A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 |