JPH0673533A - 合金膜の製造方法および蒸着装置 - Google Patents
合金膜の製造方法および蒸着装置Info
- Publication number
- JPH0673533A JPH0673533A JP3675492A JP3675492A JPH0673533A JP H0673533 A JPH0673533 A JP H0673533A JP 3675492 A JP3675492 A JP 3675492A JP 3675492 A JP3675492 A JP 3675492A JP H0673533 A JPH0673533 A JP H0673533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- alloy film
- vapor deposition
- evaporation rate
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 適正な合金組成を有する合金膜を蒸着法で製
造する。 【構成】 複数の金属を蒸発させて基板に合金膜を蒸着
する方法であって、該各金属の蒸発速度を独立して制御
する。 【効果】 目的とする合金膜の組成分を独立して蒸発さ
せて基板に蒸着するもので、しかも各金属の蒸発速度を
独立して制御するものであり、各金属の蒸気圧の差によ
る組成ズレを生じさせることなく適正な組成の合金膜を
製造することができる。
造する。 【構成】 複数の金属を蒸発させて基板に合金膜を蒸着
する方法であって、該各金属の蒸発速度を独立して制御
する。 【効果】 目的とする合金膜の組成分を独立して蒸発さ
せて基板に蒸着するもので、しかも各金属の蒸発速度を
独立して制御するものであり、各金属の蒸気圧の差によ
る組成ズレを生じさせることなく適正な組成の合金膜を
製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は合金膜、特に磁性合金膜
の製造方法に関するもので、適正組成の合金膜を蒸着法
で製造するものである。
の製造方法に関するもので、適正組成の合金膜を蒸着法
で製造するものである。
【０００２】
【従来の技術】合金膜は磁気ヘッドのコア材を始めとす
るあらゆる分野において各用途に要求される特性を有す
るように製造され使用されているが、要求される合金膜
の特性を満たすためにその合金組成を精密に調整するこ
とは重要なことである。また、磁気ヘッドのコア材とし
てはセンダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）が高飽和磁束
密度、高透磁率を有しているために好適に使用されてい
る。
るあらゆる分野において各用途に要求される特性を有す
るように製造され使用されているが、要求される合金膜
の特性を満たすためにその合金組成を精密に調整するこ
とは重要なことである。また、磁気ヘッドのコア材とし
てはセンダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）が高飽和磁束
密度、高透磁率を有しているために好適に使用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、センダ
スト合金は硬く、脆い為、プレス機による抜打ち加工性
が悪い。そこでセンダスト膜の製造にはスパッタ法が適
用されているが、スパッタ法はその成膜速度が非常に遅
く、量産性の低いものであった。さらにスパッタ法は消
費するエネルギも大きく製造上望ましくなかった。対し
て、蒸着法を使用すれば成膜速度は大きいものの、合金
中の各金属の蒸気圧が等しくないために合金膜の組成ズ
レを起こすことがあった。例えば、センダストはＡｌが
２〜６重量％、Ｓｉが９〜２０重量％、残部がＦｅから
なる合金であるが、特にＡｌの蒸気圧が高いことによる
組成ズレが起こってしまうものであった。溶融時間と膜
組成の関係を図２に示す。図２は母合金（Ａｌ：４重量
％、Ｓｉ：２０重量％、Ｆｅ：残部）を加熱して蒸着し
たときにできた合金膜の組成を調べたものである。図２
から、蒸着を開始するまでの溶融時間が短い（成膜速度
が、１０Å／ｓｅｃでは溶融時間約１０分間、６０Å／
ｓｅｃでは約７分間、１００Å／ｓｅｃでは約５分間）
とＡｌの組成分が大きいが、溶融時間が長くなると次第
にＳｉの組成分が増加していることがわかる。従って、
成膜速度または溶融時間が異なると一定の組成の合金膜
を製造することができないものであった。
スト合金は硬く、脆い為、プレス機による抜打ち加工性
が悪い。そこでセンダスト膜の製造にはスパッタ法が適
用されているが、スパッタ法はその成膜速度が非常に遅
く、量産性の低いものであった。さらにスパッタ法は消
費するエネルギも大きく製造上望ましくなかった。対し
て、蒸着法を使用すれば成膜速度は大きいものの、合金
中の各金属の蒸気圧が等しくないために合金膜の組成ズ
レを起こすことがあった。例えば、センダストはＡｌが
２〜６重量％、Ｓｉが９〜２０重量％、残部がＦｅから
なる合金であるが、特にＡｌの蒸気圧が高いことによる
組成ズレが起こってしまうものであった。溶融時間と膜
組成の関係を図２に示す。図２は母合金（Ａｌ：４重量
％、Ｓｉ：２０重量％、Ｆｅ：残部）を加熱して蒸着し
たときにできた合金膜の組成を調べたものである。図２
から、蒸着を開始するまでの溶融時間が短い（成膜速度
が、１０Å／ｓｅｃでは溶融時間約１０分間、６０Å／
ｓｅｃでは約７分間、１００Å／ｓｅｃでは約５分間）
とＡｌの組成分が大きいが、溶融時間が長くなると次第
にＳｉの組成分が増加していることがわかる。従って、
成膜速度または溶融時間が異なると一定の組成の合金膜
を製造することができないものであった。
【０００４】この発明は前記課題を解決するためになさ
れたもので、目的とする合金の組成金属をそれぞれ別個
に独立して蒸発させて、適正な合金組成を有する合金膜
を製造するものである。
れたもので、目的とする合金の組成金属をそれぞれ別個
に独立して蒸発させて、適正な合金組成を有する合金膜
を製造するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の合金膜の
製造方法は、複数の金属を蒸発させて基板に合金膜を蒸
着する方法であって、該各金属の蒸発速度を独立して制
御することを特徴とするものである。
製造方法は、複数の金属を蒸発させて基板に合金膜を蒸
着する方法であって、該各金属の蒸発速度を独立して制
御することを特徴とするものである。
【０００６】請求項２記載の合金膜の製造方法は、Ｆｅ
とＳｉとＡｌをそれぞれ蒸発させて基板にＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金膜を蒸着する方法であって、Ｆｅの蒸発速度が
４０〜１６０Å／ｓｅｃ、Ｓｉの蒸発速度が６〜４０Å
／ｓｅｃ、Ａｌの蒸発速度が３〜２０Å／ｓｅｃである
ことを特徴とするものである。
とＳｉとＡｌをそれぞれ蒸発させて基板にＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金膜を蒸着する方法であって、Ｆｅの蒸発速度が
４０〜１６０Å／ｓｅｃ、Ｓｉの蒸発速度が６〜４０Å
／ｓｅｃ、Ａｌの蒸発速度が３〜２０Å／ｓｅｃである
ことを特徴とするものである。
【０００７】請求項３記載の発明は、蒸発物質の熱電子
との衝突によって生じる励起光の強度を測定することで
該蒸発物質の蒸発速度を検出し、該蒸発物質の蒸発速度
を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の合金
膜の製造方法である。
との衝突によって生じる励起光の強度を測定することで
該蒸発物質の蒸発速度を検出し、該蒸発物質の蒸発速度
を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の合金
膜の製造方法である。
【０００８】請求項４記載の合金膜の製造方法は、請求
項１〜３のいずれかに記載の合金膜の製造方法におい
て、蒸着後に熱処理を施すことを特徴とするものであ
る。
項１〜３のいずれかに記載の合金膜の製造方法におい
て、蒸着後に熱処理を施すことを特徴とするものであ
る。
【０００９】請求項５記載の発明は、熱処理温度範囲
が、５００〜１０００℃であることを特徴とする請求項
４記載の合金膜の製造方法である。
が、５００〜１０００℃であることを特徴とする請求項
４記載の合金膜の製造方法である。
【００１０】請求項６記載の蒸着装置は、チャンバー内
に、蒸発物質を収容するるつぼと、ワークを設置するホ
ルダが設けられている蒸着装置において、蒸発物質の熱
電子との衝突によって生じる励起光の強度を測定するこ
とで該蒸発物質の蒸発速度を検出する蒸発モニタが前記
るつぼに対応して設けられていることを特徴とするもの
である。
に、蒸発物質を収容するるつぼと、ワークを設置するホ
ルダが設けられている蒸着装置において、蒸発物質の熱
電子との衝突によって生じる励起光の強度を測定するこ
とで該蒸発物質の蒸発速度を検出する蒸発モニタが前記
るつぼに対応して設けられていることを特徴とするもの
である。
【００１１】
【作用】本発明の合金膜の製造方法では、複数の金属単
体を独立して加熱し、基板に蒸着させることで合金膜を
製造するものであり、各金属からなる蒸発物質を独立制
御しながら行なうことで、蒸気圧の違い等による組成ズ
レ等が生じることがない。各蒸発物質の蒸発速度の検出
は、蒸発物質の蒸気流に熱電子を衝突させ、衝突するこ
とにより生じる励起光の強度を測定することで行なう。
励起光の強度は蒸気流の密度、換言すれば蒸発速度に比
例するので、生じた励起光の強度を測定すれば蒸発速度
を検出することができる。また励起光は各物質に固有の
波長スペクトルを有しているものであるので、各金属単
体別に励起光の強度を測定することができる。またこの
方法によれば、蒸着時に蒸発速度を連続的に検出するこ
とができるのでフィードバックすることで蒸発速度の制
御を安定して正確に行なうことができる。蒸着された合
金膜に熱処理を施すことで、合金膜の組成の均一化、緻
密化、応力除去を図ることができる。特に、磁性合金膜
を成膜した際に、熱処理温度が５００〜１０００℃の範
囲内であれば、その透磁率を高めることができる。
体を独立して加熱し、基板に蒸着させることで合金膜を
製造するものであり、各金属からなる蒸発物質を独立制
御しながら行なうことで、蒸気圧の違い等による組成ズ
レ等が生じることがない。各蒸発物質の蒸発速度の検出
は、蒸発物質の蒸気流に熱電子を衝突させ、衝突するこ
とにより生じる励起光の強度を測定することで行なう。
励起光の強度は蒸気流の密度、換言すれば蒸発速度に比
例するので、生じた励起光の強度を測定すれば蒸発速度
を検出することができる。また励起光は各物質に固有の
波長スペクトルを有しているものであるので、各金属単
体別に励起光の強度を測定することができる。またこの
方法によれば、蒸着時に蒸発速度を連続的に検出するこ
とができるのでフィードバックすることで蒸発速度の制
御を安定して正確に行なうことができる。蒸着された合
金膜に熱処理を施すことで、合金膜の組成の均一化、緻
密化、応力除去を図ることができる。特に、磁性合金膜
を成膜した際に、熱処理温度が５００〜１０００℃の範
囲内であれば、その透磁率を高めることができる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例を図１に示す蒸着装置を参
照して説明する。蒸着装置１０には、チャンバー１２内
に、第１蒸発物質２０を収容する第１るつぼ１４と第２
蒸発物質２２を収容する第２るつぼ１６と第３蒸発物質
２４を収容する第３るつぼ１８が配置され、該るつぼ１
４，１６，１８に対向する位置には、ワーク２８を設置
するホルダ２６と、ワーク２８を加熱するヒータ（図示
略）が設けられている。また、ワーク２８の近傍で、各
るつぼ、即ち第１るつぼ１４に対応する位置には第１蒸
発モニタ３０、第２るつぼ１６に対応する位置には第２
蒸発モニタ３２、第３るつぼ１８に対応する位置には第
３蒸発モニタ３４が配置されている。第１蒸発モニタ３
０には、第１蒸発物質２０の加熱を調節する第１電源装
置４２を制御する第１制御装置３６が接続されている。
第２蒸発モニタ３２には、第２蒸発物質２２の加熱を調
節する第２電源装置４４を制御する第２制御装置３８が
接続されている。第３蒸発モニタ３４には、第３蒸発物
質２４の加熱を調節する第３電源装置４６を制御する第
３制御装置４０が接続されている。
照して説明する。蒸着装置１０には、チャンバー１２内
に、第１蒸発物質２０を収容する第１るつぼ１４と第２
蒸発物質２２を収容する第２るつぼ１６と第３蒸発物質
２４を収容する第３るつぼ１８が配置され、該るつぼ１
４，１６，１８に対向する位置には、ワーク２８を設置
するホルダ２６と、ワーク２８を加熱するヒータ（図示
略）が設けられている。また、ワーク２８の近傍で、各
るつぼ、即ち第１るつぼ１４に対応する位置には第１蒸
発モニタ３０、第２るつぼ１６に対応する位置には第２
蒸発モニタ３２、第３るつぼ１８に対応する位置には第
３蒸発モニタ３４が配置されている。第１蒸発モニタ３
０には、第１蒸発物質２０の加熱を調節する第１電源装
置４２を制御する第１制御装置３６が接続されている。
第２蒸発モニタ３２には、第２蒸発物質２２の加熱を調
節する第２電源装置４４を制御する第２制御装置３８が
接続されている。第３蒸発モニタ３４には、第３蒸発物
質２４の加熱を調節する第３電源装置４６を制御する第
３制御装置４０が接続されている。
【００１３】センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）膜を
製造する際の実施例を以下に説明する。まず、第１蒸発
物質としてＦｅを第１るつぼ１４に、第２蒸発物質２２
としてＳｉを第２るつぼ１６に、第３蒸発物質２４とし
てＡｌを第３るつぼ１８に収容する。また、ホルダ２６
に基板としてワーク２８を設置する。ワーク２８は複数
個設置した方が量産性が向上するので好ましい。次にチ
ャンバー１２内を減圧し、ヒータでワーク２８を加熱し
た後に、各蒸発物質２０，２２，２４を加熱する。ワー
ク２８は１００℃程度に加熱されれば十分である。各蒸
発物質２０，２２，２４の加熱には電子ビーム法や抵抗
加熱法等を適用できる。尚、どの加熱方法を採ったとし
ても、第１蒸発物質２０の加熱状態は第１電源装置４２
によって制御され、また第２蒸発物質２２の加熱状態は
第２電源装置４４によって制御され、第３蒸発物質２４
の加熱状態は第３電源装置４６で制御される。各蒸発物
質２０，２２，２４は加熱されることで溶融され、蒸発
し、合金膜としてワーク２８に蒸着する。本発明の合金
膜の製造方法は、各蒸発物質の蒸発速度を制御すること
で所望の組成の合金膜を製造するものである。そして、
高透磁率で低保持力かつ高飽和磁束密度という磁性合金
として優れた特性を有する、Ａｌが５．４重量％、Ｓｉ
が９．８重量％、残部がＦｅのセンダスト合金膜は、Ｆ
ｅの蒸発速度が４０〜１６０Å／ｓｅｃ、Ｓｉの蒸発速
度が６〜４０Å／ｓｅｃ、Ａｌの蒸発速度が３〜２０Å
／ｓｅｃであれば適格に製造することができる。
製造する際の実施例を以下に説明する。まず、第１蒸発
物質としてＦｅを第１るつぼ１４に、第２蒸発物質２２
としてＳｉを第２るつぼ１６に、第３蒸発物質２４とし
てＡｌを第３るつぼ１８に収容する。また、ホルダ２６
に基板としてワーク２８を設置する。ワーク２８は複数
個設置した方が量産性が向上するので好ましい。次にチ
ャンバー１２内を減圧し、ヒータでワーク２８を加熱し
た後に、各蒸発物質２０，２２，２４を加熱する。ワー
ク２８は１００℃程度に加熱されれば十分である。各蒸
発物質２０，２２，２４の加熱には電子ビーム法や抵抗
加熱法等を適用できる。尚、どの加熱方法を採ったとし
ても、第１蒸発物質２０の加熱状態は第１電源装置４２
によって制御され、また第２蒸発物質２２の加熱状態は
第２電源装置４４によって制御され、第３蒸発物質２４
の加熱状態は第３電源装置４６で制御される。各蒸発物
質２０，２２，２４は加熱されることで溶融され、蒸発
し、合金膜としてワーク２８に蒸着する。本発明の合金
膜の製造方法は、各蒸発物質の蒸発速度を制御すること
で所望の組成の合金膜を製造するものである。そして、
高透磁率で低保持力かつ高飽和磁束密度という磁性合金
として優れた特性を有する、Ａｌが５．４重量％、Ｓｉ
が９．８重量％、残部がＦｅのセンダスト合金膜は、Ｆ
ｅの蒸発速度が４０〜１６０Å／ｓｅｃ、Ｓｉの蒸発速
度が６〜４０Å／ｓｅｃ、Ａｌの蒸発速度が３〜２０Å
／ｓｅｃであれば適格に製造することができる。
【００１４】各蒸発物質２０，２２，２４の蒸発速度は
各蒸発モニタ３０，３２，３４で検出する。各蒸発モニ
タ３０，３２，３４では、該蒸発モニタ３０，３２，３
４内に取り入れられた蒸発物質に熱電子を衝突させる。
熱電子と衝突した蒸発物質は励起され、その物質固有の
波長スペクトルを有する光を発光する。この発光した光
の強度は各蒸発物質の蒸気流の密度、即ち蒸発速度に比
例する。従ってこの光強度を例えばフォトマルチプライ
ヤで電気信号に変換すれば、各蒸発物質別の蒸発速度に
応じた電気信号を得ることができる。蒸着時には各蒸発
物質を蒸発させながらも、その蒸発速度を各蒸発物質別
に検出し、検出した蒸発速度データは各制御装置３６，
３８，４０に伝達され、各制御装置３６，３８，４０
は、予め各制御装置３６，３８，４０に入力設定してお
いた蒸発速度と比較し、例えば蒸発速度が小さければ高
めるように、また蒸発速度が大きければ低下するように
各電源装置４２，４４，４６を制御する。即ち、蒸発速
度を検出し、フィードバックすることで一定で所望の蒸
発速度を保つ。
各蒸発モニタ３０，３２，３４で検出する。各蒸発モニ
タ３０，３２，３４では、該蒸発モニタ３０，３２，３
４内に取り入れられた蒸発物質に熱電子を衝突させる。
熱電子と衝突した蒸発物質は励起され、その物質固有の
波長スペクトルを有する光を発光する。この発光した光
の強度は各蒸発物質の蒸気流の密度、即ち蒸発速度に比
例する。従ってこの光強度を例えばフォトマルチプライ
ヤで電気信号に変換すれば、各蒸発物質別の蒸発速度に
応じた電気信号を得ることができる。蒸着時には各蒸発
物質を蒸発させながらも、その蒸発速度を各蒸発物質別
に検出し、検出した蒸発速度データは各制御装置３６，
３８，４０に伝達され、各制御装置３６，３８，４０
は、予め各制御装置３６，３８，４０に入力設定してお
いた蒸発速度と比較し、例えば蒸発速度が小さければ高
めるように、また蒸発速度が大きければ低下するように
各電源装置４２，４４，４６を制御する。即ち、蒸発速
度を検出し、フィードバックすることで一定で所望の蒸
発速度を保つ。
【００１５】本実施例の方法によれば、目的とする合金
膜の組成分別に金属を蒸発させて合金膜を製造するもの
で、各金属の蒸発速度を独立して制御することで常に適
正な組成を有する合金膜を製造することのできるもので
ある。
膜の組成分別に金属を蒸発させて合金膜を製造するもの
で、各金属の蒸発速度を独立して制御することで常に適
正な組成を有する合金膜を製造することのできるもので
ある。
【００１６】また、合金膜を蒸着後に熱処理を施すと合
金膜の内部組成が均一化し、膜の緻密化、応力除去、な
らびに透磁率が高まるので、特に磁性合金膜を製造する
ときには熱処理を施すことが好ましい。透磁率（μ1M）
と熱処理の関係を図３に示す。図３で示される合金膜は
センダスト合金膜（Ａｌ：５.４重量％、Ｓｉ：９.８重
量％、Ｆｅ：残部）を膜厚が４μmになるように蒸着し
た後に、１時間熱処理を施したものである。図３から、
熱処理を施すことで透磁率が上昇すると共に、熱処理温
度が８００℃をピークに透磁率が低下していることがわ
かる。熱処理温度が高過ぎると透磁率が低下するのは、
析出物が生成されて内部応力が増加するためと考えられ
る。また、磁気ヘッドのコア材としては実用上、透磁率
（μ1M）は４００以上が必要であるため、熱処理温度は
５００〜１０００℃の範囲内である必要がある。
金膜の内部組成が均一化し、膜の緻密化、応力除去、な
らびに透磁率が高まるので、特に磁性合金膜を製造する
ときには熱処理を施すことが好ましい。透磁率（μ1M）
と熱処理の関係を図３に示す。図３で示される合金膜は
センダスト合金膜（Ａｌ：５.４重量％、Ｓｉ：９.８重
量％、Ｆｅ：残部）を膜厚が４μmになるように蒸着し
た後に、１時間熱処理を施したものである。図３から、
熱処理を施すことで透磁率が上昇すると共に、熱処理温
度が８００℃をピークに透磁率が低下していることがわ
かる。熱処理温度が高過ぎると透磁率が低下するのは、
析出物が生成されて内部応力が増加するためと考えられ
る。また、磁気ヘッドのコア材としては実用上、透磁率
（μ1M）は４００以上が必要であるため、熱処理温度は
５００〜１０００℃の範囲内である必要がある。
【００１７】尚、目的とする合金膜の組成は３種類だけ
でなく、２種類、もしくは４種類以上からなるものであ
ってもよく、その際には蒸発物質およびるつぼの数もそ
れに見合った数となる。さらに、本実施例で示した方法
および蒸着装置はセンダスト膜等の磁性合金膜の製造以
外にもあらゆる合金膜の製造に適用できるのは勿論であ
る。
でなく、２種類、もしくは４種類以上からなるものであ
ってもよく、その際には蒸発物質およびるつぼの数もそ
れに見合った数となる。さらに、本実施例で示した方法
および蒸着装置はセンダスト膜等の磁性合金膜の製造以
外にもあらゆる合金膜の製造に適用できるのは勿論であ
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明の合金膜の製造方法では、目的と
する合金膜の組成分を独立して蒸発させて基板に蒸着す
るもので、しかも各金属の蒸発速度を独立して制御する
ものであり、各金属の蒸気圧の差による組成ズレを生じ
させることなく適正な組成の合金膜を製造することがで
きる。
する合金膜の組成分を独立して蒸発させて基板に蒸着す
るもので、しかも各金属の蒸発速度を独立して制御する
ものであり、各金属の蒸気圧の差による組成ズレを生じ
させることなく適正な組成の合金膜を製造することがで
きる。
【００１９】また蒸着と共に、蒸発物質の蒸発速度を検
出し、これをフィードバックしながら蒸着を連続的に行
なうので蒸発速度を安定して保つことができ、組成ズレ
が生じにくい。さらに、蒸発速度の検出は、蒸発物質の
熱電子との衝突による励起光を利用するもので、各金属
単体毎に独立して正確に測定することができる。
出し、これをフィードバックしながら蒸着を連続的に行
なうので蒸発速度を安定して保つことができ、組成ズレ
が生じにくい。さらに、蒸発速度の検出は、蒸発物質の
熱電子との衝突による励起光を利用するもので、各金属
単体毎に独立して正確に測定することができる。
【００２０】また蒸着法を使用するものであるから、短
時間で成膜し終えることができる。また消費するエネル
ギも小さくすることができる。
時間で成膜し終えることができる。また消費するエネル
ギも小さくすることができる。
【００２１】また蒸着後に熱処理を施すことで、合金膜
の組成の均一化、緻密化、応力除去を図ることができ
る。また、磁性合金膜を製造する際には透磁率を高める
ことができ特に好適である。
の組成の均一化、緻密化、応力除去を図ることができ
る。また、磁性合金膜を製造する際には透磁率を高める
ことができ特に好適である。
【図１】本実施例での蒸着装置の概念図である。
【図２】溶融時間と膜組成の関係を示すグラフである。
【図３】熱処理温度と透磁率の関係を示すグラフであ
る。
る。
１０ 蒸着装置 １２ チャンバー １４ 第１るつぼ １６ 第２るつぼ １８ 第３るつぼ ２０ 第１母金属 ２２ 第２母金属 ２４ 第３母金属 ２６ ホルダ ２８ ワーク ３０ 第１蒸発モニタ ３２ 第２蒸発モニタ ３４ 第３蒸発モニタ ３６ 第１制御装置 ３８ 第２制御装置 ４０ 第３制御装置
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の金属を蒸発させて基板に合金膜を
蒸着する方法であって、該各金属の蒸発速度を独立して
制御することを特徴とする合金膜の製造方法。 - 【請求項２】 ＦｅとＳｉとＡｌをそれぞれ蒸発させて
基板にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜を蒸着する方法であっ
て、Ｆｅの蒸発速度が４０〜１６０Å／ｓｅｃ、Ｓｉの
蒸発速度が６〜４０Å／ｓｅｃ、Ａｌの蒸発速度が３〜
２０Å／ｓｅｃであることを特徴とする合金膜の製造方
法。 - 【請求項３】 蒸発物質の熱電子との衝突によって生じ
る励起光の強度を測定することで該蒸発物質の蒸発速度
を検出し、該蒸発物質の蒸発速度を制御することを特徴
とする請求項１又は２記載の合金膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の合金膜
の製造方法において、蒸着後に熱処理を施すことを特徴
とする合金膜の製造方法。 - 【請求項５】 熱処理温度範囲が、５００〜１０００℃
であることを特徴とする請求項４記載の合金膜の製造方
法。 - 【請求項６】 チャンバー内に、蒸発物質を収容するる
つぼと、ワークを設置するホルダが設けられている蒸着
装置において、 蒸発物質の熱電子との衝突によって生じる励起光の強度
を測定することで該蒸発物質の蒸発速度を検出する蒸発
モニタが前記るつぼに対応して設けられていることを特
徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3675492A JPH0673533A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 合金膜の製造方法および蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3675492A JPH0673533A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 合金膜の製造方法および蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673533A true JPH0673533A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=12478530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3675492A Withdrawn JPH0673533A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 合金膜の製造方法および蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7753380B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-07-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Boot for constant-velocity universal joint |
| CN112359325A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-02-12 | 广东广纳芯科技有限公司 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP3675492A patent/JPH0673533A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7753380B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-07-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Boot for constant-velocity universal joint |
| CN112359325A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-02-12 | 广东广纳芯科技有限公司 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4412899A (en) | Cubic boron nitride preparation utilizing nitrogen gas | |
| CN103668099A (zh) | 一种涂布系统以及在该涂布系统中涂布基底的方法 | |
| EP0748395B1 (de) | Verfahren zur herstellung von schichten aus kubischem bornitrid | |
| Musa et al. | Pure metal vapor plasma source with controlled energy of ions | |
| JPS6063372A (ja) | 高硬度窒化ホウ素薄膜の製造方法 | |
| JPH0673533A (ja) | 合金膜の製造方法および蒸着装置 | |
| JPH02129361A (ja) | 二酸化クロム薄膜の形成方法 | |
| JPH0673532A (ja) | 合金膜の製造方法 | |
| JPH02185966A (ja) | 幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法 | |
| RU2676720C1 (ru) | Способ вакуумного ионно-плазменного низкотемпературного осаждения нанокристаллического покрытия из оксида алюминия | |
| JP2502653B2 (ja) | 金属薄膜の製造装置 | |
| JP2790075B2 (ja) | イオンプレーティングによる複合薄膜の形成方法及び複合薄膜形成用イオンプレーティング装置 | |
| RU2122243C1 (ru) | Способ получения магнитомягких термостойких аморфных конденсатов 3d-металлов | |
| CN101376173A (zh) | 一种控制纳米粉体粒径的方法 | |
| JPH03160605A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0229746B2 (ja) | Fukusunojohatsugenosonaetaionpureeteingusochi | |
| JPH0261130B2 (ja) | ||
| JPH0953171A (ja) | 磁歪薄膜の製造方法 | |
| JP3389639B2 (ja) | 膜の内部応力制御方法 | |
| JP2003321773A (ja) | Ｅｃｒスパッタリング装置 | |
| JPS63281225A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| Govindarajan | Physical vapor deposition of thin films for enhancing the oxidation resistance of molybdenum | |
| Kloss et al. | RH Dudley, Semicond Prod Solid State Technol, 10 (12), 1967, 39-44. | |
| JPS62211379A (ja) | 蒸着方法 | |
| JPH0425615B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |