JPS62211379A - 蒸着方法 - Google Patents
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- JPS62211379A JPS62211379A JP61055906A JP5590686A JPS62211379A JP S62211379 A JPS62211379 A JP S62211379A JP 61055906 A JP61055906 A JP 61055906A JP 5590686 A JP5590686 A JP 5590686A JP S62211379 A JPS62211379 A JP S62211379A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
蒸発源からの蒸発レートを測定し、これに対応して蒸発
源から蒸発した物質が基板に達することを阻止する手段
を制御することにより、複数の蒸発源からの蒸発レート
の比を任意の値に保つようにし、あるいは、発光中心物
質の蒸発レートが基板上で最適になるようにあらかじめ
設定してから本蒸着を行うようにし、あるいは発光中心
物質の蒸発レートを複数の蒸発レート測定手段で測定し
蒸発レートの指向性を判定し基板方向に最適な量だけ飛
ぶようにする。かくして、膜質組成が均一のＥＬパネル
等を再現性よく製造できる。
源から蒸発した物質が基板に達することを阻止する手段
を制御することにより、複数の蒸発源からの蒸発レート
の比を任意の値に保つようにし、あるいは、発光中心物
質の蒸発レートが基板上で最適になるようにあらかじめ
設定してから本蒸着を行うようにし、あるいは発光中心
物質の蒸発レートを複数の蒸発レート測定手段で測定し
蒸発レートの指向性を判定し基板方向に最適な量だけ飛
ぶようにする。かくして、膜質組成が均一のＥＬパネル
等を再現性よく製造できる。
本発明は、ＥＬ（ニレクロ・ルミネッサンス）パネル等
の製造にあたって薄膜の膜質をより均一にする蒸着方法
に関するものである。
の製造にあたって薄膜の膜質をより均一にする蒸着方法
に関するものである。
従来、パネルの発光層を２源蒸着法で形成する方法とし
て、発光母材としてＺｎＳを、発光中心としてＭｎをそ
れぞれ用い電子ビーム蒸着によって基板上に蒸着する方
法が知られている。この場合、ＺｎＳとＭｎの蒸発レー
ト（蒸発速度）の制御は、個々独立に行われていた。
て、発光母材としてＺｎＳを、発光中心としてＭｎをそ
れぞれ用い電子ビーム蒸着によって基板上に蒸着する方
法が知られている。この場合、ＺｎＳとＭｎの蒸発レー
ト（蒸発速度）の制御は、個々独立に行われていた。
上記従来の方法では、蒸発レートの制御性はＭｎの方が
悪いため、ＺｎＳの蒸発レートを一定に保っても、Ｍｎ
の蒸発レートがふらつくため、ＺｎＳ中にＭｎを均一に
分布させて、一様な膜質を得ることができなかった。
悪いため、ＺｎＳの蒸発レートを一定に保っても、Ｍｎ
の蒸発レートがふらつくため、ＺｎＳ中にＭｎを均一に
分布させて、一様な膜質を得ることができなかった。
また、Ｍｎの蒸発物質としての指向性が、Ｍｎの形状、
あるいは電子ビームの当て方により毎回変わってしまう
ので、ＺｎＳ中のＭｎ８度が蒸着工程ごとに変化してし
まう。
あるいは電子ビームの当て方により毎回変わってしまう
ので、ＺｎＳ中のＭｎ８度が蒸着工程ごとに変化してし
まう。
本発明は、上述の従来の欠点に鑑み、薄膜を形成する複
数の物質の蒸発レートの比を一定に制御することにより
蒸着初期から終期に至るまで、膜質組成の均一な薄膜を
形成することを第１の目的とし、あるいはＥＬパネルの
製造等においてＭｎ等の発光中心となる物質の蒸発レー
トを蒸着ごとに最適になるように設定してから本蒸着を
行い、また、発光中心となる物質の蒸発時の指向性を測
定し基板方向に常に最適濃度となる量だけ蒸発するよう
に制御することにより、各蒸着工程毎に発光中心となる
物質の蒸発レートを最適となるように設定して発光母材
中の発光中心となる物質の濃度を再現性よく一定とする
蒸着方法を提供することを第２の目的とする。
数の物質の蒸発レートの比を一定に制御することにより
蒸着初期から終期に至るまで、膜質組成の均一な薄膜を
形成することを第１の目的とし、あるいはＥＬパネルの
製造等においてＭｎ等の発光中心となる物質の蒸発レー
トを蒸着ごとに最適になるように設定してから本蒸着を
行い、また、発光中心となる物質の蒸発時の指向性を測
定し基板方向に常に最適濃度となる量だけ蒸発するよう
に制御することにより、各蒸着工程毎に発光中心となる
物質の蒸発レートを最適となるように設定して発光母材
中の発光中心となる物質の濃度を再現性よく一定とする
蒸着方法を提供することを第２の目的とする。
上記第１の目的は、本発明によれば、多源蒸着法におい
て、薄膜を形成する際に薄膜を形成する物質の個々の蒸
発源の蒸発レートの比を任意の値に保ちながら薄膜全体
の蒸着レートを制御することを特徴とする蒸着方法を提
供することによって達成される。
て、薄膜を形成する際に薄膜を形成する物質の個々の蒸
発源の蒸発レートの比を任意の値に保ちながら薄膜全体
の蒸着レートを制御することを特徴とする蒸着方法を提
供することによって達成される。
さらに、上記第２の目的は、各蒸着工程のはじめに、発
光中心となる物質だけを蒸発させて基板上に設けた膜厚
計でその蒸発レートを々り定することにより発光中心物
質の濃度が最適となるようにその蒸発レートを設定して
から、次に本蒸着である発光層の蒸着を行うこと、或い
は複数の膜厚計で発光中心物質の蒸発の指向性を測定し
て基板方向にｆ＆適量飛ぶように蒸発レートを制御する
蒸着方法を提供することによって達成される。
光中心となる物質だけを蒸発させて基板上に設けた膜厚
計でその蒸発レートを々り定することにより発光中心物
質の濃度が最適となるようにその蒸発レートを設定して
から、次に本蒸着である発光層の蒸着を行うこと、或い
は複数の膜厚計で発光中心物質の蒸発の指向性を測定し
て基板方向にｆ＆適量飛ぶように蒸発レートを制御する
蒸着方法を提供することによって達成される。
本発明の第１の特徴によれば、薄膜形成物質の各々の蒸
発レートの比を一定に保ちながら薄膜全体の蒸着レート
を制御するので、発光中心物質Ｍｎの蒸発レートがふら
ついても、発光母材ＺｎＳとＭｎとの組成は蒸着の始期
から終期まで均一に保たれる。
発レートの比を一定に保ちながら薄膜全体の蒸着レート
を制御するので、発光中心物質Ｍｎの蒸発レートがふら
ついても、発光母材ＺｎＳとＭｎとの組成は蒸着の始期
から終期まで均一に保たれる。
また、本発明の第２の特徴によれば、発光層形成前に発
光中心物質の濃度を最適値となるように制御しておける
し、また、発光中心物質の指向性を基板方向に最も多く
飛ぶように制御できるので、発光中心物質Ｍｎの濃度が
同じ薄膜ＥＬパネルを再現性よく製造できる。
光中心物質の濃度を最適値となるように制御しておける
し、また、発光中心物質の指向性を基板方向に最も多く
飛ぶように制御できるので、発光中心物質Ｍｎの濃度が
同じ薄膜ＥＬパネルを再現性よく製造できる。
〔実 施 例〕
以下、本発明の実施例を添付図面にしたがって詳述する
。
。
第１図は、本発明の蒸着方法を実施するための蒸着装置
の概略構成図である。第１図において、蒸着装置は、ベ
ルジャ１内に加熱用ヒータ２とランプヒータ３と蒸着量
を制御するための機械式チョッパ４と蒸発源ＺｎＳとＭ
ｎに近接しその上方に設けられた膜厚計である水晶振動
子５．６と蒸発源ＺｎＳとＭｎに電子ビームを照射する
ＺｎＳ用電子銃７とＭｎ用電子銃８等から構成され、中
央のヒータ２の前面にガラス基板９が載置されている。
の概略構成図である。第１図において、蒸着装置は、ベ
ルジャ１内に加熱用ヒータ２とランプヒータ３と蒸着量
を制御するための機械式チョッパ４と蒸発源ＺｎＳとＭ
ｎに近接しその上方に設けられた膜厚計である水晶振動
子５．６と蒸発源ＺｎＳとＭｎに電子ビームを照射する
ＺｎＳ用電子銃７とＭｎ用電子銃８等から構成され、中
央のヒータ２の前面にガラス基板９が載置されている。
機械式チョッパ４は水晶振動子５と基板９との間に配設
される。この蒸着装置を用いて本発明の蒸着方法につい
て説明する。
される。この蒸着装置を用いて本発明の蒸着方法につい
て説明する。
まず、図外の排気装置にて、ベルジャ１内を１．３Ｘ１
０ Ｐａまで排気する。同時に基板温度を２００℃ま
で加熱する。
０ Ｐａまで排気する。同時に基板温度を２００℃ま
で加熱する。
そして、Ｚｎ ３％ Ｍｎをそれぞれ電子ビーム蒸着法
によりガラス基板９に蒸着する。Ｚ ｎ Ｓ ％Ｍｎの
蒸着レートは、水晶振動子を用いた膜厚計で常にサンプ
リングし、ＺｎＳでは５人／Ｓに、Ｍｎでは、０．０１
５人／Ｓとなるように設定値を制御する。
によりガラス基板９に蒸着する。Ｚ ｎ Ｓ ％Ｍｎの
蒸着レートは、水晶振動子を用いた膜厚計で常にサンプ
リングし、ＺｎＳでは５人／Ｓに、Ｍｎでは、０．０１
５人／Ｓとなるように設定値を制御する。
本発明の制御方法については、第２図、第３図、第４図
に従って説明する。
に従って説明する。
第２図は本発明にかかる蒸着装置の制御装置１０を示し
、ＺｎＳ用膜厚計・電子銃コントローラ１０１はＺｎＳ
用水晶振動子５から入力することによりＺｎＳの蒸着膜
厚を測定するとともにＺｎＳ用電子銃への制御信号を出
力し、ＺｎＳの蒸発を制御する。Ｍｎ用膜厚計・電子銃
コントローラ１０２はＭｎ用水晶振動子６から入力する
ことによりＭｎの蒸着膜厚を測定するとともにＭｎ用電
子銃への制御信号を出力しＭｎの蒸発を制御する。そし
て、ＺｎＳ用膜厚計・電子銃コントローラ１０１および
Ｍｎ用膜厚計・電子銃コントローラ１０２からそれぞれ
ＺｎＳおよびＭｎの蒸発レート信号が入出力制御部１０
３を介してＣＰＵ１０４に送られる。ＣＰＵ１０４は制
御プログラムが格納されたＲＡＭ１０５と接続される。
、ＺｎＳ用膜厚計・電子銃コントローラ１０１はＺｎＳ
用水晶振動子５から入力することによりＺｎＳの蒸着膜
厚を測定するとともにＺｎＳ用電子銃への制御信号を出
力し、ＺｎＳの蒸発を制御する。Ｍｎ用膜厚計・電子銃
コントローラ１０２はＭｎ用水晶振動子６から入力する
ことによりＭｎの蒸着膜厚を測定するとともにＭｎ用電
子銃への制御信号を出力しＭｎの蒸発を制御する。そし
て、ＺｎＳ用膜厚計・電子銃コントローラ１０１および
Ｍｎ用膜厚計・電子銃コントローラ１０２からそれぞれ
ＺｎＳおよびＭｎの蒸発レート信号が入出力制御部１０
３を介してＣＰＵ１０４に送られる。ＣＰＵ１０４は制
御プログラムが格納されたＲＡＭ１０５と接続される。
入出力制御部１０３からのフィードバック信号はチョッ
パ制御器１０６に入力し、このチョッパ制御器１０６は
機械式チョッパ４への制御信号を出力する。
パ制御器１０６に入力し、このチョッパ制御器１０６は
機械式チョッパ４への制御信号を出力する。
まず、Ｍｎ用膜厚計・電子銃コントローラ１０２によっ
てＭｎの蒸発レートを測定して、このレート信号が入出
力制御装置１０３を介してＣＰＵ１０４に読み込まれる
。ＣＰＵＩ Ｏ４は、予めＲＡＭ１０５に書き込まれた
制御プログラムに従ってＭｎの蒸発レートが設定値から
ずれたら、設定値に戻るまでフィードバック信号をチョ
ッパ制御器１０６に送り、機械式チョッパ４の開閉時間
を制御して、蒸発したＺｎＳがガラス基板９に到達する
量を制御し、ＺｎＳの蒸着レートを変化させて、ＺｎＳ
とＭｎの蒸発レートの比を一定に保つようにする。
てＭｎの蒸発レートを測定して、このレート信号が入出
力制御装置１０３を介してＣＰＵ１０４に読み込まれる
。ＣＰＵＩ Ｏ４は、予めＲＡＭ１０５に書き込まれた
制御プログラムに従ってＭｎの蒸発レートが設定値から
ずれたら、設定値に戻るまでフィードバック信号をチョ
ッパ制御器１０６に送り、機械式チョッパ４の開閉時間
を制御して、蒸発したＺｎＳがガラス基板９に到達する
量を制御し、ＺｎＳの蒸着レートを変化させて、ＺｎＳ
とＭｎの蒸発レートの比を一定に保つようにする。
すなわち、第３図に示すように、Ｍｎの蒸発レートの変
化にＺｎＳの蒸発レートを追随させることにより、Ｚｎ
ＳとＭｎの蒸発レートを任意の値に保つことができる。
化にＺｎＳの蒸発レートを追随させることにより、Ｚｎ
ＳとＭｎの蒸発レートを任意の値に保つことができる。
例えば、Ｍｎの蒸発レートが速くなったら機械式チョッ
パ４の開いている時間を長くしてＺｎＳの蒸発レートを
速くし、Ｍｎの蒸発レートが遅くなったら機械式チョッ
パ４の開いている時間を短くしてＺｎＳの蒸発レートを
遅くする。
パ４の開いている時間を長くしてＺｎＳの蒸発レートを
速くし、Ｍｎの蒸発レートが遅くなったら機械式チョッ
パ４の開いている時間を短くしてＺｎＳの蒸発レートを
遅くする。
第４図（ａ）および（ｂｌに示すように機械式チョッパ
４はその国定端が支持体４１に回転可能に支持され、扇
状の板体からなり、固定端近傍に接続されたバネ４２に
よりＺｎＳ蒸発源の遮蔽状態を制御するように開閉動作
する。
４はその国定端が支持体４１に回転可能に支持され、扇
状の板体からなり、固定端近傍に接続されたバネ４２に
よりＺｎＳ蒸発源の遮蔽状態を制御するように開閉動作
する。
このようにして、膜厚６０００人のＺｎＳ：Ｍｎ発光層
を形成する。以上のような方法により形成された発光層
の膜質、組成は均一なものとすることができる。
を形成する。以上のような方法により形成された発光層
の膜質、組成は均一なものとすることができる。
なお、以上の実施例では、Ｍｎの蒸発レートの信号でＺ
ｎＳの蒸発レートを制御する例について説明したが、Ｍ
ｎの蒸発法、制御法を改良して蒸発レートの制御性がＺ
ｎＳよりよくなれば、ＺｎＳの蒸発レート信号でＭｎの
蒸発レートを制御しても同様の効果を得ることができる
。
ｎＳの蒸発レートを制御する例について説明したが、Ｍ
ｎの蒸発法、制御法を改良して蒸発レートの制御性がＺ
ｎＳよりよくなれば、ＺｎＳの蒸発レート信号でＭｎの
蒸発レートを制御しても同様の効果を得ることができる
。
また、Ｚｎ Ｓ、ｌ！：Ｍｎの組み合わせだけでなく、
ＺｎＳと希土類元素の組み合わせでも、同様の効果を得
ることができる。
ＺｎＳと希土類元素の組み合わせでも、同様の効果を得
ることができる。
第５図、本発明の他の実施例に使用する蒸着装置の概略
構成図である。蒸着装置は、容ｐ５１１内に加熱用ヒー
タ１２と水晶振動子１３と基板１４と基板１４と電子銃
との間を開閉するシャッタ１５と基板を加熱するための
ランプヒータ１６とＭｎ制御用水晶振動子１７とＺｎＳ
制御用水晶振動子１８とＭｎ用電子銃１９とＺｎＳ用電
子銃２０等から構成されている。
構成図である。蒸着装置は、容ｐ５１１内に加熱用ヒー
タ１２と水晶振動子１３と基板１４と基板１４と電子銃
との間を開閉するシャッタ１５と基板を加熱するための
ランプヒータ１６とＭｎ制御用水晶振動子１７とＺｎＳ
制御用水晶振動子１８とＭｎ用電子銃１９とＺｎＳ用電
子銃２０等から構成されている。
この蒸着装置を用いて本発明の他の実施例であるＥＬパ
ネルの製造方法について説明する。
ネルの製造方法について説明する。
まず、図外の排気装置にて、蒸着装置内を１．３ＸＩＯ
−’Ｐａまで排気する。同時に基板温度を２００〜２５
０℃まで加熱する。初めに、シャッタ１５を閉じて、基
板１４上にＭｎが飛ばないようにする。
−’Ｐａまで排気する。同時に基板温度を２００〜２５
０℃まで加熱する。初めに、シャッタ１５を閉じて、基
板１４上にＭｎが飛ばないようにする。
そして、電子ビームでＭｎを加熱蒸発させるとＭｎは、
水晶振動子１３の方向にのみ飛散する。
水晶振動子１３の方向にのみ飛散する。
Ｍｎ用電子銃１９のパワーを水晶振動子１３の所でＺｎ
Ｓに対し０．５ｗｔ％となるように制御し、その時のＭ
ｎ制御用水晶振動子１７の値を本蒸着時のＭｎの蒸発レ
ートとする。
Ｓに対し０．５ｗｔ％となるように制御し、その時のＭ
ｎ制御用水晶振動子１７の値を本蒸着時のＭｎの蒸発レ
ートとする。
次に、Ｍｎの蒸着を停止し、シャッタ１５を開いて本蒸
着を行う。ＭｎとＺｎＳの２源蒸着により前述のＭｎの
蒸発レートで蒸着を行い、Ｍｎ濃度が０．５．ＪＪｔ％
、膜厚が６０００人のＺｎＳ：Ｍｎ発光層を形成する。
着を行う。ＭｎとＺｎＳの２源蒸着により前述のＭｎの
蒸発レートで蒸着を行い、Ｍｎ濃度が０．５．ＪＪｔ％
、膜厚が６０００人のＺｎＳ：Ｍｎ発光層を形成する。
この時の蒸着時間は、２０分間である。
一般に蒸着中におけるＭｎレートのばらつきよりも、蒸
着ごとのばらつきの方が大きいから上記実施例のごとく
、蒸着初期の基板上に到達するＭｎのレートを一定にす
れば、Ｍｎｉ度が均一な発光層を再現性よく作成するこ
とができる。
着ごとのばらつきの方が大きいから上記実施例のごとく
、蒸着初期の基板上に到達するＭｎのレートを一定にす
れば、Ｍｎｉ度が均一な発光層を再現性よく作成するこ
とができる。
第６図は、本発明のその他の実施例を示す蒸着装置の概
略構成図である。蒸着装置は、容器２１内にヒータ２２
と基板２３とランプヒータ２４．２５とＭｎ用水晶振動
子２６．２７．２８とＺｎＳ用水晶振動子２９およびＭ
ｎ用電子銃３０とＺｎＳ用電子銃３１等から構成されて
いる。
略構成図である。蒸着装置は、容器２１内にヒータ２２
と基板２３とランプヒータ２４．２５とＭｎ用水晶振動
子２６．２７．２８とＺｎＳ用水晶振動子２９およびＭ
ｎ用電子銃３０とＺｎＳ用電子銃３１等から構成されて
いる。
以上のような構成の蒸着装置を用いて本発明の第３の実
施例について説明する。まず、図外の排気装置により装
置内を１．３３Ｘ １０ Ｐ ａまで排気し、基板２
３をヒータ２２で２００〜２５０℃まで加熱保持する。
施例について説明する。まず、図外の排気装置により装
置内を１．３３Ｘ １０ Ｐ ａまで排気し、基板２
３をヒータ２２で２００〜２５０℃まで加熱保持する。
Ｍｎの蒸発源の周囲には、Ｍｎ用水晶振動子２６．２７
．２８の３組が設置されている。
．２８の３組が設置されている。
多源蒸着法により、薄膜ＥＬパネルを製造する本実施例
においては、ＺｎＳとＭｎとを同時に蒸発させて、基板
２３上にＭｎ濃度が０．５．ＪＪｔ％のＺｎ Ｓ ：
Ｍｎ発光層を形成する。この時、Ｍｎの蒸発レートを３
組のＭｎ用水晶振動子２６．２７．２８で測定し、その
結果をコンピュータに入力する（第７図参照）。コンピ
ュータは、３組の膜厚計であるＭｎ用水晶振動子２６．
２７．２８からの信号によりＭｎの蒸発物質の分布を計
算する。
においては、ＺｎＳとＭｎとを同時に蒸発させて、基板
２３上にＭｎ濃度が０．５．ＪＪｔ％のＺｎ Ｓ ：
Ｍｎ発光層を形成する。この時、Ｍｎの蒸発レートを３
組のＭｎ用水晶振動子２６．２７．２８で測定し、その
結果をコンピュータに入力する（第７図参照）。コンピ
ュータは、３組の膜厚計であるＭｎ用水晶振動子２６．
２７．２８からの信号によりＭｎの蒸発物質の分布を計
算する。
もし、基板２３方向の蒸発物質の分布が最適値からずれ
ていたらＭｎ用の電子銃のコントローラに信号を送り、
Ｍｎ用電子銃３０投入するパワーをｍ節し、Ｍｎの蒸発
物質の分布が最適となるようコントロールする。
ていたらＭｎ用の電子銃のコントローラに信号を送り、
Ｍｎ用電子銃３０投入するパワーをｍ節し、Ｍｎの蒸発
物質の分布が最適となるようコントロールする。
以上のようにして、膜厚が６０００人でＭｎ濃度が０．
５．Ｉ、 ｔ％のＺｎＳ：Ｍｎ発光層を形成する。本実
施例においては、Ｍｎ濃度が一定なＥＬパネルを歩留り
よく製造することができる。
５．Ｉ、 ｔ％のＺｎＳ：Ｍｎ発光層を形成する。本実
施例においては、Ｍｎ濃度が一定なＥＬパネルを歩留り
よく製造することができる。
特に本実施例では、３組の膜厚計を用いているのでＭｎ
蒸発物質の分布指向性を正確に測定制御することができ
る。
蒸発物質の分布指向性を正確に測定制御することができ
る。
以上述べたように本発明の多源蒸着法によれば組成元素
分布の均一な薄膜を作成することができる。また、本発
明をＥＬパネルの製造に通用した場合は、発光中心部材
であるＭｎｉ度が均一なＥＬパネルを蒸着工程の度毎に
再現性よく製造することができ、歩留りの向上と生産コ
ストの低減を図ることができる。
分布の均一な薄膜を作成することができる。また、本発
明をＥＬパネルの製造に通用した場合は、発光中心部材
であるＭｎｉ度が均一なＥＬパネルを蒸着工程の度毎に
再現性よく製造することができ、歩留りの向上と生産コ
ストの低減を図ることができる。
第１図は、本発明の蒸着方法を実施する蒸着装置の概略
構成図、 第２図は、本発明の制御系の概略図、 第３図は、蒸着レートの変動図、 第４図（ａｌ、（ｂｌは、チョッパのそれぞれ側面図及
び平面図、 第５図は、本発明の他の実施例を説明するための蒸着装
置を示す概略構成図、 第６図は、本発明のその他の実施例を説明するための蒸
着装置を示す概略構成図、 第７図は、制御系の概略図である。 １・・・ベルジャ、 ２、工２．２２・・・ヒータ、 ３．２４．２８・・・ランプヒータ、 ４・・・ｔａ械式チョッパ、 ５．６．１３・・・水晶振動子、 ７．３０・・・Ｍｎ用電子銃、 ８．３１・・・ＺｎＳ用電子銃、 ９・・・ガラス基板、 １０・・・制御装置、 １１．２１・・・容器、 ２３・・・基板、 ２６．２７．２８−Ｍｎ用水晶振動子、２９・・・Ｚｎ
Ｓ用水晶振動子。
構成図、 第２図は、本発明の制御系の概略図、 第３図は、蒸着レートの変動図、 第４図（ａｌ、（ｂｌは、チョッパのそれぞれ側面図及
び平面図、 第５図は、本発明の他の実施例を説明するための蒸着装
置を示す概略構成図、 第６図は、本発明のその他の実施例を説明するための蒸
着装置を示す概略構成図、 第７図は、制御系の概略図である。 １・・・ベルジャ、 ２、工２．２２・・・ヒータ、 ３．２４．２８・・・ランプヒータ、 ４・・・ｔａ械式チョッパ、 ５．６．１３・・・水晶振動子、 ７．３０・・・Ｍｎ用電子銃、 ８．３１・・・ＺｎＳ用電子銃、 ９・・・ガラス基板、 １０・・・制御装置、 １１．２１・・・容器、 ２３・・・基板、 ２６．２７．２８−Ｍｎ用水晶振動子、２９・・・Ｚｎ
Ｓ用水晶振動子。
Claims (5)
- （１）蒸着源より物質を蒸発させて基板上に薄膜を形成
する工程と、前記蒸発源の蒸発レートを測定する工程と
、前記蒸発源から蒸発した物質が薄膜を形成することを
阻止する工程と、 前記蒸発レートに対応して前記薄膜形成阻止を行うこと
により薄膜を形成する物質の個々の蒸発源の蒸発レート
の比を任意の値に保ちながら薄膜全体の蒸着レートを制
御する工程とよりなることを特徴とする蒸着方法。 - （２）前記蒸発レートの比を一定に保つための手段とし
て応答時間の短い制御方法を組み合わせたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の蒸着方法。 - （３）前記応答時間の短い制御方法として機械式シャッ
タを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の蒸着方法。 - （４）蒸着源より物質を蒸発させて基板上に薄膜を形成
する工程と、前記蒸発源の蒸発レートを測定する工程と
、前記蒸発源から蒸発した物質が薄膜を形成することを
阻止する工程と、 発光層の形成前に発光中心となる物質だけを蒸発し、該
発光中心物質が基板上に薄膜を形成することを阻止しな
がら発光中心物質の蒸発レートを基板上で最適値となる
ようにあらかじめ設定する工程とからなりあらかじめ設
定された発光中心物質の蒸発レートで本蒸着を行うこと
を特徴とする蒸着方法。 - （５）蒸着源より物質を蒸発させて基板上に薄膜を形成
する工程と、前記蒸発源の蒸発レートを測定する工程と
、前記蒸発源から蒸発した物質が薄膜を形成することを
阻止する工程とからなり、複数個の蒸発レート測定手段
で発光中心物質の指向性を測定し、基板方向に最適な量
だけ飛ぶように制御することを特徴とする蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055906A JPS62211379A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055906A JPS62211379A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211379A true JPS62211379A (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=13012153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61055906A Pending JPS62211379A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62211379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010039717A (ko) * | 1999-07-14 | 2001-05-15 | 가네꼬 히사시 | 유기전기장발광소자 및 그것의 제조방법 |
| JP2013520566A (ja) * | 2010-02-23 | 2013-06-06 | サン−ゴバン グラス フランス | 基板上に層を堆積させるための装置および方法 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP61055906A patent/JPS62211379A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010039717A (ko) * | 1999-07-14 | 2001-05-15 | 가네꼬 히사시 | 유기전기장발광소자 및 그것의 제조방법 |
| JP2013520566A (ja) * | 2010-02-23 | 2013-06-06 | サン−ゴバン グラス フランス | 基板上に層を堆積させるための装置および方法 |
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