JP2013520566A - 基板上に層を堆積させるための装置および方法 - Google Patents
基板上に層を堆積させるための装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013520566A JP2013520566A JP2012553349A JP2012553349A JP2013520566A JP 2013520566 A JP2013520566 A JP 2013520566A JP 2012553349 A JP2012553349 A JP 2012553349A JP 2012553349 A JP2012553349 A JP 2012553349A JP 2013520566 A JP2013520566 A JP 2013520566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gettering
- component
- deposition
- elements
- controlling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 63
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 184
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims abstract description 41
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 43
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 20
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 18
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 18
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- -1 CdS Chemical class 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 3
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 101001053401 Arabidopsis thaliana Acid beta-fructofuranosidase 3, vacuolar Proteins 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
- C30B23/005—Controlling or regulating flux or flow of depositing species or vapour
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
「蒸発速度」とは、ソースから直接の材料の流れを指す。「堆積の速度」により、単位時間当たりに基板上に堆積される物質の量が特徴付けられる。一方、「結合速度」、または「ゲッタ速度」とは、反応性の、または不活性な表面によって気相から抽出される材料の量を指す。
その中に物体を配置することができる、または物体が配置されている堆積チャンバと、
特に堆積チャンバ内に配置することができる、または配置される堆積させようとする材料を有する少なくとも1つのソース(「配置することができる」とは、「設けることができる」を意味すると理解することもできる)と、
それにより堆積させようとする材料の少なくとも1つの成分の少なくとも濃度を、制御された形で堆積が起こるように少なくとも1つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、したがって物体上、特に基板上へのその成分の堆積前に修正することができるように実施される、堆積プロセスを制御するための少なくとも1つの装置とを備える。
すべての多成分化合物、
特に、ローマ数字IからVIが相当する元素周期律表の族を指す、II−VI−、III−V−、III2VI3−、I−III−VI2−、I−III3−VI5−、I−III5−VI8−、I2−II−IV−VI4−、化合物、
特に、酸素、硫黄、セレンまたはテルルを有する化合物すべて、
特に、Cu2Se、In2Se3、GaSe、Ga2Se3、Al2Se3、CuInSe2、CuGaSe2、CuAlSe2、CuIn3Se5、Cu2S、In2S3、InS、GaS、Ga2S3、Al2S3、CuInS2、CuGaS2、CuAlS2、CuIn5Se8、SnSe、SnSe2、ZnSe、SnS、SnS2、ZnS、Cu2SnS3、CdS、CdSe、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、CdTeなどの化合物。
堆積チャンバと、特に堆積チャンバ内に配置することができる、または配置される、堆積させようとする材料を有する少なくとも1つのソースと、堆積プロセスを制御するための少なくとも1つの装置とを備え、この方法は下記ステップ、
堆積チャンバ内に物体、特に基板を配置するステップと、
それにより堆積させようとする材料の少なくとも1つの成分の少なくとも濃度を、制御された形で堆積プロセスが起こるように、少なくとも1つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、したがって物体上、特に基板上へのその成分の堆積前に修正することができるように、少なくとも1つの制御装置によって堆積プロセスを制御するステップとを備える。
すべての多成分化合物、
特に、II−VI−、III−V−、III2VI3−、I−III−VI2−、I−III3−VI5−、I−III5−VI8−、I2−II−IV−VI4−化合物、
特に、酸素、硫黄、セレンまたはテルルを有する化合物すべて、
特に、Cu2Se、In2Se3、GaSe、Ga2Se3、Al2Se3、CuInSe2、CuGaSe2、CuAlSe2、CuIn3Se5、Cu2S、In2S3、InS、GaS、Ga2S3、Al2S3、CuInS2、CuGaS2、CuAlS2、CuIn5S8、SnSe、SnSe2、ZnSe、SnS、SnS2、ZnS、Cu2SnS3、CdS、CdSe、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、CdTeなどの化合物。
本発明は、物体上、特に基板上に少なくとも2つの成分から作製される層、特に薄層を堆積させるための装置に関する。この装置は、物体をその中に配置することができる堆積チャンバと、特に堆積チャンバ内に配置することができる、または配置されている、堆積させようとする材料を有する少なくとも1つのソースと、それにより堆積させようとする材料の少なくとも1つの成分の少なくとも濃度を、制御された形で堆積が起こるように少なくとも1つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、したがって物体上、特に基板上へのその成分の堆積前に修正することができるように実施される、堆積プロセスを制御するための少なくとも1つの装置とを備える。一実施形態によれば、制御装置は、反応性の材料から作製されるゲッタリング要素を少なくとも1つ有し、このゲッタリング要素は堆積チャンバ内に配置され、また少なくとも1つの成分の濃度をその成分の規定量のゲッタリング要素への化学的結合によって修正することができるように実施される。一実施形態によれば、制御装置は、好ましくは不活性の材料から作製されるゲッタリング要素を少なくとも1つ有し、このゲッタリング要素は堆積チャンバ内に配置され、また少なくとも1つの成分の濃度をその成分の規定量のゲッタリング要素への物理的結合によって修正することができるように実施される。一実施形態によれば、ゲッタリング要素は堆積チャンバ内に要素自体として配置され、かつ/または堆積チャンバの少なくとも一部、特に堆積チャンバ壁の少なくとも一部を形成する。一実施形態によれば、制御装置は、ゲッタリング要素の活性領域が可変となるように実施されるマスキング要素を少なくとも1つ備える。一実施形態によれば、制御装置は、ゲッタリング要素の、かつ/または物体の、特に基板の活性領域の少なくとも活性領域の温度を制御することができるように実施される、温度制御および/または温度調整のための装置を少なくとも1つ有する。一実施形態によれば、制御装置は、2つの異なる構成のゲッタリング要素が設けられるように異なる電位を印加することができる電極要素として実施される、少なくとも2つのゲッタリング要素を有する。一実施形態によれば、制御装置は、堆積チャンバ壁に対してゲッタリング要素に異なる電位を印加することができるように実施される。一実施形態によれば、制御装置は少なくとも1つの電極を有し、この電極に対してゲッタリング要素に異なる電位を印加することができるように実施される。一実施形態によれば、制御装置は、ゲッタリング要素の、かつ/またはマスキング要素の移動および/または位置決めのための装置を少なくとも1つ有し、この装置は、ゲッタリング要素および/またはマスキング要素を堆積チャンバ内で移動させることができ、したがってゲッタリング要素の、かつ/またはマスキング要素の位置を変化させることができるように実施される。一実施形態によれば、ゲッタリング要素はパネル要素もしくはロッド要素として、かつ/またはグリッド要素として実施され、かつ/あるいはゲッタリング要素は少なくとも部分的にソースを包み込むように実施される。一実施形態によれば、この装置は、以下の成分を堆積させることができるように実施される。
すべての多成分化合物、
特に、II−VI−、III−V−、III2VI3−、I−III−VI2−、I−III3−VI5−、I−III5−VI8−、I2−II−IV−VI4−化合物、
特に、酸素、硫黄、セレンまたはテルルを有する化合物すべて、
特に、以下の化合物:Cu2Se、In2Se3、GaSe、Ga2Se3、Al2Se3、CuInSe2、CuGaSe2、CuAlSe2、CuIn3Se5、Cu2S、In2S3、InS、GaS、Ga2S3、Al2S3、CuInS2、CuGaS2、CuAlS2、CuIn5Se8、SnSe、SnSe2、ZnSe、SnS、SnS2、ZnS、Cu2SnS3、CdS、CdSe、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4またはCdTe。
11 堆積チャンバ、チャンバ
12 ソース
20 基板、一般に物体
21 「むき出しの」基板
221、222、223、224、231、232、233、234 層
30 堆積させようとする材料
31 蒸気ローブ
40 堆積プロセスを制御するための装置
41、41a、41b、41c、41d ゲッタリング要素
42a、42b、42c、42d マスキング要素
43 活性領域
44 温度制御または調整のための装置
45 ゲッタリング要素の移動および/または位置決めのための装置
46 接続装置
B マスクおよび/またはゲッタリング要素の移動方向
Claims (15)
- 少なくとも2つの成分から作製される層を物体(20)上に堆積させるための装置(10)であって、
物体(20)を堆積するための堆積チャンバ(11)と、
堆積させようとする材料(30)を有する少なくとも1つのソース(12)と、
堆積させようとする材料の少なくとも1つの成分の濃度を、少なくとも1つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、物体(20)上への堆積前に修正することができるように実施される、堆積プロセスを制御するための少なくとも1つの装置(40)を備え、少なくとも1つの成分についての結合速度と積極的に連動している少なくとも1つの制御パラメータを修正することによって、少なくとも1つの成分の選択的に結合された量を制御することができる、装置(10)。 - 堆積プロセスを制御するための装置(40)が、少なくとも1つの成分の選択的に結合された量を、成分の堆積プロセス中に制御することができるように実施される、請求項1に記載の装置(10)。
- 堆積プロセスを制御するための装置(40)が、制御しようとする少なくとも1つの成分に対して化学的に不活性である材料から作製されるゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)を少なくとも1つ有し、ゲッタリング要素が堆積チャンバ(11)内に配置され、また少なくとも1つの成分の濃度をその成分の規定量のゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)への物理的結合によって修正することができるように実施される請求項1または2の一項に記載の装置(10)。
- 堆積プロセスを制御するための装置(40)が、制御しようとする少なくとも1つの成分に対して化学的に反応性である材料から作製されるゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)を少なくとも1つ有し、ゲッタリング要素が堆積チャンバ(11)内に配置され、また少なくとも1つの成分の濃度をその成分の規定量のゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)への化学的結合によって修正することができるように実施される請求項1から3の一項に記載の装置(10)。
- 堆積プロセスを制御するための装置(40)が、ゲッタリング要素の温度および/または活性結合表面および/または電位を修正することができるように実施される、請求項3または4の一項に記載の装置(10)。
- 堆積プロセスを制御するための装置(40)が、2つの異なる構成のゲッタリング要素が設けられるように異なる電位を印加することができる電極要素として実施される、少なくとも2つのゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)を有する、請求項3から5の一項に記載の装置(10)。
- 堆積プロセスを制御するための装置(40)が、堆積チャンバ(11)の壁に対して少なくとも1つのゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)に異なる電位を印加することができるように実施される、請求項3から6の一項に記載の装置(10)。
- 堆積プロセスを制御するための装置(40)が電極を少なくとも1つ有し、この電極に対してゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)に異なる電位を印加することができるように実施される、請求項3から7の一項に記載の装置(10)。
- 堆積プロセスを制御するための装置(40)が、ゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)および/またはゲッタリング要素のためのマスキング要素(42a、42b、42c、42d)を移動および/または位置決めするための装置(45)を少なくとも1つ有し、装置が、ゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)および/またはマスキング要素(42a、42b、42c、42d)を堆積チャンバ(11)内で移動させることができ、したがってゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)の、かつ/またはマスキング要素(42a、42b、42c、42d)の位置を修正することができるように実施される、請求項3から8の一項に記載の装置(10)。
- ゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)が、パネル要素および/またはロッド要素および/またはグリッド要素として実施され、かつ/あるいはゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)が少なくとも部分的にソース(12)を包み込むように実施される、請求項3から9の一項に記載の装置(10)。
- ゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)が堆積チャンバ(11)内に配置され、かつ/または堆積チャンバ(10)の少なくとも一部を形成する、請求項3から10の一項に記載の装置(10)。
- 少なくとも2つの成分から作製される層を物体(20)上に堆積させるための装置(10)であって、
物体(20)を配置するための堆積チャンバ(11)と、
堆積させようとする材料(30)を有する少なくとも1つのソース(12)と、
堆積させようとする材料の少なくとも1つの成分の濃度を、少なくとも1つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、物体上への堆積前に修正することができるように実施される、堆積プロセスを制御するための少なくとも1つの装置(40)を備え、堆積プロセスを制御するための装置(40)が、堆積チャンバ(11)内に配置される、反応性の材料から作製されるゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)を少なくとも1つ有し、また少なくとも1つの成分の濃度をその成分の規定量のゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)への化学的および/または物理的結合によって修正することができるように実施され、反応性の材料が、銅および/またはモリブデンを含む、装置(10)。 - 少なくとも2つの成分から作製される層を物体(20)上に堆積させるための方法であって、少なくとも1つの成分の濃度が、堆積プロセスを制御するための装置(40)を用いることにより、成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、物体上への堆積前に修正され、選択的に結合された量が、堆積プロセスを制御するための装置(40)の成分についての結合速度を修正することによって制御される、方法。
- 少なくとも1つの成分の選択的に結合された量が、ゲッタリング要素(41、41a、41b、41c、41d)の温度および/または活性結合表面および/または電位を修正することによって制御される、請求項13に記載の方法。
- 薄膜太陽電池または薄膜太陽モジュール、特に、CIS(CIGSSe)薄膜太陽電池またはCIS(CIGSSe)薄膜太陽モジュールの製造のための、請求項1から12の一項に記載の装置、および請求項13または14の一項に記載の方法の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP10154378A EP2360289A1 (de) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden einer aus mindestens zwei Komponenten bestehenden Schicht auf einem Gegenstand |
EP10154378.3 | 2010-02-23 | ||
PCT/EP2011/052609 WO2011104235A1 (de) | 2010-02-23 | 2011-02-22 | Vorrichtungen und verfahren zum abscheiden einer schicht auf einem substrat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013520566A true JP2013520566A (ja) | 2013-06-06 |
JP6180737B2 JP6180737B2 (ja) | 2017-08-16 |
Family
ID=42350132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012553349A Active JP6180737B2 (ja) | 2010-02-23 | 2011-02-22 | 基板上に層を堆積させるための装置および方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20130045558A1 (ja) |
EP (2) | EP2360289A1 (ja) |
JP (1) | JP6180737B2 (ja) |
KR (1) | KR101621590B1 (ja) |
CN (1) | CN102762761B (ja) |
EA (1) | EA201290818A1 (ja) |
ES (1) | ES2908090T3 (ja) |
WO (1) | WO2011104235A1 (ja) |
ZA (1) | ZA201206071B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160137947A (ko) * | 2013-12-23 | 2016-12-02 | 벵부 디자인 앤드 리서치 인스티튜트 포 글래스 인더스트리 | 박막 태양 전지를 위한 층 시스템 |
JP2018500774A (ja) * | 2014-12-22 | 2018-01-11 | ベンブー デザイン アンド リサーチ インスティテュート フォー グラス インダストリーBengbu Design and Research Institute for Glass Industry | 硫化ナトリウムインジウム緩衝層を有する薄膜太陽電池のための層システムの製造方法 |
JP2020522122A (ja) * | 2017-06-02 | 2020-07-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ゲッターを備えたアニールチャンバ |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014207233A1 (de) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Saint-Gobain Glass France | Schichtsystem für dünnschichtsolarzellen mit indiumsulfid-pufferschicht |
CN105474371B (zh) | 2013-06-27 | 2018-03-27 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 用于具有钠铟硫化物缓冲层的薄层太阳能电池的层系统 |
DE102014211333A1 (de) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR102653291B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2024-03-29 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 단결정 다이아몬드, 단결정 다이아몬드의 제조 방법 및 그것에 이용되는 화학 기상 퇴적 장치 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62161958A (ja) * | 1986-01-11 | 1987-07-17 | Nec Kansai Ltd | 蒸着装置 |
JPS62211379A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | 蒸着方法 |
JPH0693445A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-04-05 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着装置および蒸着方法 |
JPH06181175A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Fuji Electric Co Ltd | 多元系同時蒸着装置 |
JPH11324915A (ja) * | 1997-12-23 | 1999-11-26 | Saes Getters Spa | 物理的蒸着プロセスにおける作業雰囲気を高純度化するためのゲッタシステム |
JP2004055748A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Sharp Corp | パーティクル除去装置 |
JP2004244722A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-09-02 | Olympus Corp | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びに光学素子 |
JP2006022386A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Shincron:Kk | スパッタ装置及び薄膜形成方法 |
JP2006516663A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-06 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 硫黄種制御堆積法 |
JP2008127615A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成方法、薄膜形成装置および積層膜 |
JP2009200405A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4642227A (en) * | 1982-08-20 | 1987-02-10 | California Institute Of Technology | Reactor for producing large particles of materials from gases |
CA2254515A1 (en) * | 1997-12-23 | 1999-06-23 | Andrea Conte | Getter system for purifying the work atmosphere in the processes of physical vapor deposition |
US6241477B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | In-situ getter in process cavity of processing chamber |
US6770562B2 (en) * | 2000-10-26 | 2004-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
JP4906018B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2012-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置 |
US8057856B2 (en) * | 2004-03-15 | 2011-11-15 | Ifire Ip Corporation | Method for gettering oxygen and water during vacuum deposition of sulfide films |
JP2006222243A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置の洗浄方法 |
US7375011B1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-05-20 | Eastman Kodak Company | Ex-situ doped semiconductor transport layer |
EP2360721A1 (de) | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Saint-Gobain Glass France | Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen |
EP2360720A1 (de) | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Saint-Gobain Glass France | Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen |
-
2010
- 2010-02-23 EP EP10154378A patent/EP2360289A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-02-22 EA EA201290818A patent/EA201290818A1/ru unknown
- 2011-02-22 EP EP11712190.5A patent/EP2539479B1/de active Active
- 2011-02-22 WO PCT/EP2011/052609 patent/WO2011104235A1/de active Application Filing
- 2011-02-22 JP JP2012553349A patent/JP6180737B2/ja active Active
- 2011-02-22 US US13/580,241 patent/US20130045558A1/en not_active Abandoned
- 2011-02-22 KR KR1020127021924A patent/KR101621590B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-22 CN CN201180010767.7A patent/CN102762761B/zh active Active
- 2011-02-22 ES ES11712190T patent/ES2908090T3/es active Active
-
2012
- 2012-08-13 ZA ZA2012/06071A patent/ZA201206071B/en unknown
-
2014
- 2014-09-16 US US14/487,805 patent/US9343610B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62161958A (ja) * | 1986-01-11 | 1987-07-17 | Nec Kansai Ltd | 蒸着装置 |
JPS62211379A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | 蒸着方法 |
JPH0693445A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-04-05 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着装置および蒸着方法 |
JPH06181175A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Fuji Electric Co Ltd | 多元系同時蒸着装置 |
JPH11324915A (ja) * | 1997-12-23 | 1999-11-26 | Saes Getters Spa | 物理的蒸着プロセスにおける作業雰囲気を高純度化するためのゲッタシステム |
JP2004055748A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Sharp Corp | パーティクル除去装置 |
JP2004244722A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-09-02 | Olympus Corp | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びに光学素子 |
JP2006516663A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-06 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 硫黄種制御堆積法 |
JP2006022386A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Shincron:Kk | スパッタ装置及び薄膜形成方法 |
JP2008127615A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成方法、薄膜形成装置および積層膜 |
JP2009200405A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160137947A (ko) * | 2013-12-23 | 2016-12-02 | 벵부 디자인 앤드 리서치 인스티튜트 포 글래스 인더스트리 | 박막 태양 전지를 위한 층 시스템 |
JP2016541124A (ja) * | 2013-12-23 | 2016-12-28 | バンブ・デザイン・アンド・リサーチ・インスティテュート・フォー・グラス・インダストリー | 薄膜太陽電池用層系 |
KR101882595B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2018-08-24 | 벵부 디자인 앤드 리서치 인스티튜트 포 글래스 인더스트리 | 박막 태양 전지를 위한 층 시스템 |
JP2018500774A (ja) * | 2014-12-22 | 2018-01-11 | ベンブー デザイン アンド リサーチ インスティテュート フォー グラス インダストリーBengbu Design and Research Institute for Glass Industry | 硫化ナトリウムインジウム緩衝層を有する薄膜太陽電池のための層システムの製造方法 |
JP2020522122A (ja) * | 2017-06-02 | 2020-07-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ゲッターを備えたアニールチャンバ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EA201290818A1 (ru) | 2013-03-29 |
ZA201206071B (en) | 2013-04-24 |
EP2360289A1 (de) | 2011-08-24 |
US9343610B2 (en) | 2016-05-17 |
KR20120120948A (ko) | 2012-11-02 |
ES2908090T3 (es) | 2022-04-27 |
US20150072460A1 (en) | 2015-03-12 |
WO2011104235A1 (de) | 2011-09-01 |
EP2539479A1 (de) | 2013-01-02 |
CN102762761B (zh) | 2015-02-25 |
EP2539479B1 (de) | 2022-02-09 |
US20130045558A1 (en) | 2013-02-21 |
KR101621590B1 (ko) | 2016-05-16 |
JP6180737B2 (ja) | 2017-08-16 |
CN102762761A (zh) | 2012-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6180737B2 (ja) | 基板上に層を堆積させるための装置および方法 | |
Tanaka et al. | Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by co‐evaporation | |
EP2260506B1 (en) | Method for forming a compound semi-conductor thin-film | |
KR100922890B1 (ko) | Cigs 광흡수층 제조방법 및 cigs 광흡수층을포함하는 태양전지. | |
CN103021805B (zh) | 使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统 | |
Koo et al. | Optimization of Se layer thickness in Mo/CuGa/In/Se precursor for the formation of Cu (InGa) Se2 by rapid thermal annealing | |
WO2011083646A1 (ja) | スパッタリングターゲット、化合物半導体薄膜、化合物半導体薄膜を有する太陽電池及び化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JP2013533374A (ja) | カルコゲニド系物質及び後カルコゲン化技術を使用する真空下でのこのような物質の製造方法 | |
JP2011109052A (ja) | 薄膜型光吸収層製造方法、これを用いた薄膜太陽電池製造方法、および薄膜太陽電池 | |
CN102418072B (zh) | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法 | |
US20100065418A1 (en) | Reactive magnetron sputtering for the large-scale deposition of chalcopyrite absorber layers for thin layer solar cells | |
KR101284760B1 (ko) | 태양전지 제조용 고속 열처리 시스템 및 이를 이용한 열처리 방법 | |
Gossla et al. | Five-source PVD for the deposition of Cu (In1− xGax)(Se1− ySy) 2 absorber layers | |
JP2012172180A (ja) | スパッタリング装置 | |
Kusano et al. | Control of composition and properties by the use of reflector wall in RF sputter deposition of Cu2ZnSnS4 thin films | |
JP2000087234A (ja) | 化合物膜の製造装置および化合物膜の製造方法 | |
JP5378534B2 (ja) | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜太陽電池の製造方法 | |
Li et al. | The influence of pre-heating temperature on the CIGS thin film growth and device performance prepared in cracked-Se atmosphere | |
TW201503379A (zh) | 成型太陽能電池之吸收物層之方法 | |
KR20150064930A (ko) | 유연성을 갖는 czts 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지 | |
US20170167028A1 (en) | Selenization or sulfurization method of roll to roll metal substrates | |
KR101083741B1 (ko) | 태양 전지 광흡수층 제조를 위한 셀렌화 방법 | |
KR20110111369A (ko) | 인듐 함유의 투명한 전도성 산화막을 형성하는 방법과 이 방법에 사용되는 금속 타겟 및 상기 투명한 전도성 산화막을 이용하는 광발전 장치 | |
WO2011033445A1 (en) | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF Cu(In,Ga)Se2/CdS THIN-FILM SOLAR CELLS | |
WO2011135420A1 (en) | Process for the production of a compound semiconductor layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131217 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140313 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140320 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140617 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150413 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150420 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150612 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170719 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6180737 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |