JPH0425615B2 - - Google Patents
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- JPH0425615B2 JPH0425615B2 JP60008639A JP863985A JPH0425615B2 JP H0425615 B2 JPH0425615 B2 JP H0425615B2 JP 60008639 A JP60008639 A JP 60008639A JP 863985 A JP863985 A JP 863985A JP H0425615 B2 JPH0425615 B2 JP H0425615B2
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は追記型、消去可能型光デイスク媒体と
して用いられる記録薄膜の製法に関するものであ
る。
して用いられる記録薄膜の製法に関するものであ
る。
従来の技術
記録再生又は記録再生消去可能な光デイスク材
料は、従来、TeとTeO2の、２元のマルチソース
による蒸着法、Te，TeO2の混合物による蒸着法
等により成膜が行なわれて来た。いずれの場合に
も、一定組成の蒸着材料を作成し、一定形状のペ
レツトにする必要があり、品質維持に微妙なコン
トロールが必要である。
料は、従来、TeとTeO2の、２元のマルチソース
による蒸着法、Te，TeO2の混合物による蒸着法
等により成膜が行なわれて来た。いずれの場合に
も、一定組成の蒸着材料を作成し、一定形状のペ
レツトにする必要があり、品質維持に微妙なコン
トロールが必要である。
従来例を第３図、第４図に示す。第３図は、
Te，TeO2のマルチソースによる蒸着方法であ
る。デイスク基板１を回転させておき、ルツボ
２，３に入れたTe，TeO2を、それぞれ別のヒー
ター４，５により加熱し、デイスク基板上に
TeOx（ｘ1.1）膜を形成する方法である。それ
ぞれのルツボは、温度モニターし、蒸着速度を十
分精度良くコントロールする必要がある。第４図
は、単一の蒸発源７を用い、加熱源として、電子
ビーム８を用いた場合である。蒸着源７は、Te
とTeO2の混合物で構成しておき、蒸着後、デイ
スク基板上で、所定の組成が得られるようにして
おく、蒸着材料の組成は、正確に一定のバラつき
内に押える必要がある。加熱方法としては、抵抗
加熱による方法も用いられている。
Te，TeO2のマルチソースによる蒸着方法であ
る。デイスク基板１を回転させておき、ルツボ
２，３に入れたTe，TeO2を、それぞれ別のヒー
ター４，５により加熱し、デイスク基板上に
TeOx（ｘ1.1）膜を形成する方法である。それ
ぞれのルツボは、温度モニターし、蒸着速度を十
分精度良くコントロールする必要がある。第４図
は、単一の蒸発源７を用い、加熱源として、電子
ビーム８を用いた場合である。蒸着源７は、Te
とTeO2の混合物で構成しておき、蒸着後、デイ
スク基板上で、所定の組成が得られるようにして
おく、蒸着材料の組成は、正確に一定のバラつき
内に押える必要がある。加熱方法としては、抵抗
加熱による方法も用いられている。
発明が解決しようとする問題点
従来用いられている方法によると、まず、Te
とTeO2を別々の蒸着源として、同時に蒸発させ
る場合の問題としては、各々の蒸発速度を極めて
精度良くコントロールする必要があり、温度コン
トロールを高精度に行なう必要がある。蒸着源を
別々に設け、精度の良いコントロールを行なうと
いうことは、実験室的には可能であつても、生産
レベルで考える場合は、容易ではない。又、加熱
蒸着の場合、蒸着材料の供給方法が大きい問題と
なる。ワイア状で材料を供給する連続蒸着も一定
条件下では実用化されているが、２つのソースで
行なう場合は、連続的に蒸着を行なうことは、極
めてむずかしい。TeとTeOxをあらかじめ、所
定の混合比で混合プレスし、一定形状にペレツト
化して単一蒸発源として蒸着を行なう場合、初期
の混合物の組成を十分精度良くコントロールして
おけば、成膜後のバラつきは比較的押えやすい。
しかし、ペレツト状の蒸発源である為、連続生
産、量産等を考える場合、材料供給という面で設
備上複雑になつてくる。又、TeとTeO2の混合物
を加熱により蒸発させる場合、その二成分の溶融
温度、蒸発昇華温度も異なつており、蒸着中に組
成ずれを起こしてしまう。本発明は、上記の問題
を解決し、連続的に高安定性を有するTeOx（ｘ
≒1.1）薄膜を形成する方式を提供するものであ
る。
とTeO2を別々の蒸着源として、同時に蒸発させ
る場合の問題としては、各々の蒸発速度を極めて
精度良くコントロールする必要があり、温度コン
トロールを高精度に行なう必要がある。蒸着源を
別々に設け、精度の良いコントロールを行なうと
いうことは、実験室的には可能であつても、生産
レベルで考える場合は、容易ではない。又、加熱
蒸着の場合、蒸着材料の供給方法が大きい問題と
なる。ワイア状で材料を供給する連続蒸着も一定
条件下では実用化されているが、２つのソースで
行なう場合は、連続的に蒸着を行なうことは、極
めてむずかしい。TeとTeOxをあらかじめ、所
定の混合比で混合プレスし、一定形状にペレツト
化して単一蒸発源として蒸着を行なう場合、初期
の混合物の組成を十分精度良くコントロールして
おけば、成膜後のバラつきは比較的押えやすい。
しかし、ペレツト状の蒸発源である為、連続生
産、量産等を考える場合、材料供給という面で設
備上複雑になつてくる。又、TeとTeO2の混合物
を加熱により蒸発させる場合、その二成分の溶融
温度、蒸発昇華温度も異なつており、蒸着中に組
成ずれを起こしてしまう。本発明は、上記の問題
を解決し、連続的に高安定性を有するTeOx（ｘ
≒1.1）薄膜を形成する方式を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段
マルチソースの場合の各々のソースを個々に精
度良く、コントロールすることの困難さを除き、
単一ペレツトの場合の蒸着中の組成ズレの発生を
防ぎ、材料供給の困難さを除き、連続生産を可能
にする為に、本発明では、単一組成からなる金属
状態のターゲツトを用い、一定混合比のO2（酸
素）とAr（アルゴン）の混合ガスによる反応性ス
パツタリングにより、連続的に高速成膜するもの
である。
度良く、コントロールすることの困難さを除き、
単一ペレツトの場合の蒸着中の組成ズレの発生を
防ぎ、材料供給の困難さを除き、連続生産を可能
にする為に、本発明では、単一組成からなる金属
状態のターゲツトを用い、一定混合比のO2（酸
素）とAr（アルゴン）の混合ガスによる反応性ス
パツタリングにより、連続的に高速成膜するもの
である。
作 用
Te単一元素のターゲツトを用いて、ArとO2の
混合ガスでTeを酸化物化しながら成膜すること
により連続高速成膜が可能になる。ターゲツト
は、Te単一元素であるのでターゲツトの減少に
伴う、組成ずれも全く起こらない。ターゲツトの
厚さと面積を適度に大きい値にすることにより、
１枚のターゲツトより、非常に多数枚の基板に成
膜を行なうことが可能である。ArとO2の混合ガ
スの分圧比、流量を一定値に保持することによ
り、又、放電電力を一定に保つことにより極めて
均一な再現性の良い薄膜を製作することが出来
る。TeとO2の膜中での組成比コントロールは、
スパツターガス中のO2分圧を変化させることに
より容易に出来る。
混合ガスでTeを酸化物化しながら成膜すること
により連続高速成膜が可能になる。ターゲツト
は、Te単一元素であるのでターゲツトの減少に
伴う、組成ずれも全く起こらない。ターゲツトの
厚さと面積を適度に大きい値にすることにより、
１枚のターゲツトより、非常に多数枚の基板に成
膜を行なうことが可能である。ArとO2の混合ガ
スの分圧比、流量を一定値に保持することによ
り、又、放電電力を一定に保つことにより極めて
均一な再現性の良い薄膜を製作することが出来
る。TeとO2の膜中での組成比コントロールは、
スパツターガス中のO2分圧を変化させることに
より容易に出来る。
実施例
Te単一ターゲツトを用い、O2とArの混合ガス
雰囲気中でスパツターによりTeOxを成膜する場
合の実施例を第１図に示す。８はTeターゲツト
を示す。ターゲツトには、負の高圧が印加されて
おり、適当なガス圧で、グロー放電が起こるよう
にする。イオン化したAr+，O2+は電界により加
速され、ターゲツトにぶつかり表面より構成原子
を原子ないし原子団の形で放出させる。TeとO2+
との反応は、基板上で原子団が固定されるまでの
間におこりO2+濃度に応じた組成比を有する
TeOx薄膜が形成される。ターゲツト表面に水平
磁場を発生させ電子を補足し、電離効率を高めた
マグネトロンカソード方式のものが、成膜速度向
上、又、電子流入による基板温度上昇を押えると
いう点で、工業的に有効である。放電電場の種類
として、交流電界を印加してスパツター行なう、
RFスパツターリング方式も採用できる。なお、
RFスパツターリング方式では、特に樹脂基板に
成膜する場合には、基板の温度上昇が問題にな
り、基板よりのガス放出、変形という問題をを生
じる為、直流スパツターリング方式による場合の
方が、大きい成膜速度を得ることが出来る。
雰囲気中でスパツターによりTeOxを成膜する場
合の実施例を第１図に示す。８はTeターゲツト
を示す。ターゲツトには、負の高圧が印加されて
おり、適当なガス圧で、グロー放電が起こるよう
にする。イオン化したAr+，O2+は電界により加
速され、ターゲツトにぶつかり表面より構成原子
を原子ないし原子団の形で放出させる。TeとO2+
との反応は、基板上で原子団が固定されるまでの
間におこりO2+濃度に応じた組成比を有する
TeOx薄膜が形成される。ターゲツト表面に水平
磁場を発生させ電子を補足し、電離効率を高めた
マグネトロンカソード方式のものが、成膜速度向
上、又、電子流入による基板温度上昇を押えると
いう点で、工業的に有効である。放電電場の種類
として、交流電界を印加してスパツター行なう、
RFスパツターリング方式も採用できる。なお、
RFスパツターリング方式では、特に樹脂基板に
成膜する場合には、基板の温度上昇が問題にな
り、基板よりのガス放出、変形という問題をを生
じる為、直流スパツターリング方式による場合の
方が、大きい成膜速度を得ることが出来る。
膜中のTeとＯの比をコントロールする方法と
して、(ア) O2分圧をコントロールする。(イ) ス
パツター速度をコントロールする。(ウ) 全体のガ
ス圧をコントロールする。等、いくつかのコント
ロール方法がある。第２図に、O2分圧を変えて
（Ar＋O2圧力は一定）スパツターした場合の、
O2分圧に対する膜中のＯ／（Te＋Ｏ）の比を示
す。O2分圧が零であれば、つまりArガスのみで
放電させた場合には、オージエ電子分光分析又は
Ｘ線光電子分光分析によると、膜中にはＯは存在
せず、Teの単一組成膜となる。又、O2のみで放
電させてスパツターした場合は、基板に付着する
Te粒子は完全に酸化されて、TeO2膜になり透明
膜が得られる。酸素分圧を変化させることにより
第２図に示したように、膜組成をTe単一組成か
ら、TeO2の範囲まで変化させることが出来る。
酸素分圧選定し、酸素とアルゴンが一定混合比の
混合ガスを用いることにより容易にＯ／（Te＋
Ｏ）＝0.52（TeO1.1）の組成を得ることが出来、安
定性と記録特性を満足し得る記録膜を得ることが
出来、さらに連続成膜も容易となる。（O2＋Ar）
圧力が一定の場合、O2分圧が大きくなるにつれ
て、ArよりＯの原子の原子量が小さい故、スパ
ツター効率が落ち、スパツター速度は小さくなつ
てくる。金属状態のターゲツトを用いているため
成膜速度は大きく、膜厚1000〜1100Åに成膜する
為には、直径５インチ程度のターゲツト用いた場
合、デイスク１枚あたり、20〜30秒で十分であ
る。ターゲツト径は10インチ程度のものをつくる
のもさほど困難ではなく、そうした大きいターゲ
ツトを使用すれば、さらにデイススク１枚あたり
の成膜速度をあげることが出来、極めて量産の面
で有利になる。ターゲツトの厚みも、５〜10mm程
度のものを得ることは容易であり、従つて１枚の
ターゲツトから数千枚〜数万枚のデイスクを作る
ことが可能である。
して、(ア) O2分圧をコントロールする。(イ) ス
パツター速度をコントロールする。(ウ) 全体のガ
ス圧をコントロールする。等、いくつかのコント
ロール方法がある。第２図に、O2分圧を変えて
（Ar＋O2圧力は一定）スパツターした場合の、
O2分圧に対する膜中のＯ／（Te＋Ｏ）の比を示
す。O2分圧が零であれば、つまりArガスのみで
放電させた場合には、オージエ電子分光分析又は
Ｘ線光電子分光分析によると、膜中にはＯは存在
せず、Teの単一組成膜となる。又、O2のみで放
電させてスパツターした場合は、基板に付着する
Te粒子は完全に酸化されて、TeO2膜になり透明
膜が得られる。酸素分圧を変化させることにより
第２図に示したように、膜組成をTe単一組成か
ら、TeO2の範囲まで変化させることが出来る。
酸素分圧選定し、酸素とアルゴンが一定混合比の
混合ガスを用いることにより容易にＯ／（Te＋
Ｏ）＝0.52（TeO1.1）の組成を得ることが出来、安
定性と記録特性を満足し得る記録膜を得ることが
出来、さらに連続成膜も容易となる。（O2＋Ar）
圧力が一定の場合、O2分圧が大きくなるにつれ
て、ArよりＯの原子の原子量が小さい故、スパ
ツター効率が落ち、スパツター速度は小さくなつ
てくる。金属状態のターゲツトを用いているため
成膜速度は大きく、膜厚1000〜1100Åに成膜する
為には、直径５インチ程度のターゲツト用いた場
合、デイスク１枚あたり、20〜30秒で十分であ
る。ターゲツト径は10インチ程度のものをつくる
のもさほど困難ではなく、そうした大きいターゲ
ツトを使用すれば、さらにデイススク１枚あたり
の成膜速度をあげることが出来、極めて量産の面
で有利になる。ターゲツトの厚みも、５〜10mm程
度のものを得ることは容易であり、従つて１枚の
ターゲツトから数千枚〜数万枚のデイスクを作る
ことが可能である。
発明の効果
１枚のターゲツトより相当多数枚のデイスクを
連続的に生産することが出来る為、本発明は従来
方法に比べて、蒸着材料供給機構等が簡単なもの
ですむ。又、成膜速度も面積の大きいターゲツト
を使用することによりデイスク１枚あたり数十秒
という値を容易に実現出来る。さらに成膜時間を
短かく出来ることにより、デイスクコスト中に占
める、設備償却コスト、製造コストを大幅に低減
することが可能であり、光デイスクの低価格化、
普及に大きく貢献するものである。
連続的に生産することが出来る為、本発明は従来
方法に比べて、蒸着材料供給機構等が簡単なもの
ですむ。又、成膜速度も面積の大きいターゲツト
を使用することによりデイスク１枚あたり数十秒
という値を容易に実現出来る。さらに成膜時間を
短かく出来ることにより、デイスクコスト中に占
める、設備償却コスト、製造コストを大幅に低減
することが可能であり、光デイスクの低価格化、
普及に大きく貢献するものである。
第１図は本発明の反応性スパツター法による
TeOx成膜法を実現する装置の要部斜視図、第２
図はO2分圧と膜中のＯ／Te＋Ｏ比を示す特性図、
第３図はマルチソースを有する装置の要部斜視
図、第４図は単一ペレツトを有する装置の要部斜
視図である。 １……デイスク基板、８……ターゲツト。
TeOx成膜法を実現する装置の要部斜視図、第２
図はO2分圧と膜中のＯ／Te＋Ｏ比を示す特性図、
第３図はマルチソースを有する装置の要部斜視
図、第４図は単一ペレツトを有する装置の要部斜
視図である。 １……デイスク基板、８……ターゲツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属状態のTeを主成分とする母材と一定混
合比の酸素とアルゴンを含む放電気体を用い、前
記母材に対向する部所に配設した基板上にTeOx
（ｘ＝0.5〜1.5）を主成分とする薄膜をスパツタ
ー法により形成することを特徴とする情報記録薄
膜形成方法。 ２ 放電気体中の酸素含有量を、体積比で、10％
〜60％としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の情報記録薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP863985A JPS61168151A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 情報記録薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP863985A JPS61168151A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 情報記録薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168151A JPS61168151A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH0425615B2 true JPH0425615B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=11698519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP863985A Granted JPS61168151A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 情報記録薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168151A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2788035B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1998-08-20 | アグフア―ゲヴエルト・アクチエンゲゼルシヤフト | フイルム・カートリツジの構造のためのプロセスと装置 |
| US7033659B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-04-25 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical information recording medium and method of recording and reproducing information on and from optical information recording medium |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543725A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Kubota Ltd | Front axle structure for tractor |
| JPS5930801A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Shoko Tsusho Kk | 球状重合体の製造方法およびその製造装置 |
| JPS59118529A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-09 | Suzuki Motor Co Ltd | 二輪車のラジエ−タ装置 |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP863985A patent/JPS61168151A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543725A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Kubota Ltd | Front axle structure for tractor |
| JPS5930801A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Shoko Tsusho Kk | 球状重合体の製造方法およびその製造装置 |
| JPS59118529A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-09 | Suzuki Motor Co Ltd | 二輪車のラジエ−タ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61168151A (ja) | 1986-07-29 |
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