JPS61142550A - カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 - Google Patents
カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61142550A JPS61142550A JP26413284A JP26413284A JPS61142550A JP S61142550 A JPS61142550 A JP S61142550A JP 26413284 A JP26413284 A JP 26413284A JP 26413284 A JP26413284 A JP 26413284A JP S61142550 A JPS61142550 A JP S61142550A
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- Japan
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- film
- tellurium
- gas
- plasma
- vacuum
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体、特に光による記録および消去可能
なカルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方
法に関するものであり、特に厚さ方向に膜組成を制御す
るための改良された光記録媒体の製造方法に関する。
なカルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方
法に関するものであり、特に厚さ方向に膜組成を制御す
るための改良された光記録媒体の製造方法に関する。
光記録媒体には、レーザー光の熱エネルギーによって小
孔あるいは泡を形成する方式のもの及び膜の光学的特性
を変化する方式のものが知られている。前者は記録の際
に、記録膜層に凹凸の形状変化を生ずるため、記録膜や
基板が経時的に変質。
孔あるいは泡を形成する方式のもの及び膜の光学的特性
を変化する方式のものが知られている。前者は記録の際
に、記録膜層に凹凸の形状変化を生ずるため、記録膜や
基板が経時的に変質。
腐蝕を受けやすく、通常二枚の記録媒体をエアサンドイ
ッチ構造にして使用されていた。しかし後者はこの必要
はなく、単に二枚の記録媒体を接着させて使用できるた
め製造工程を大巾に簡略化できる利点があった。後者に
使用される材料のうち。
ッチ構造にして使用されていた。しかし後者はこの必要
はなく、単に二枚の記録媒体を接着させて使用できるた
め製造工程を大巾に簡略化できる利点があった。後者に
使用される材料のうち。
感度の高いもの、即ち一定の入射光強度に対して光学的
特性の変化の大きい材料としてカルコゲナイド系低酸化
物、特にテルル酸化物ＴｅＯｘが知られておシ、ＸはＯ
＜Ｘ＜２．０のものが用いられる。
特性の変化の大きい材料としてカルコゲナイド系低酸化
物、特にテルル酸化物ＴｅＯｘが知られておシ、ＸはＯ
＜Ｘ＜２．０のものが用いられる。
テルル酸化物薄膜の製造法としては、 Ｔｅ０ｚの粉
末なｗｔたはＭｏのボート型ヒーターにのせ、ヒーター
を通電加熱してＴｅＯ２を一部還元しながら真空蒸着す
る方法、ＴｅＯ２粉末と各種の還元金属の混合物を石英
るつぼに入れ、これを真空中で加熱蒸着する方法、Ｔｅ
０ｚと金属Ｔｅとをそれぞれに別の蒸発源として用い、
同時に蒸着する方法等が知られている。
末なｗｔたはＭｏのボート型ヒーターにのせ、ヒーター
を通電加熱してＴｅＯ２を一部還元しながら真空蒸着す
る方法、ＴｅＯ２粉末と各種の還元金属の混合物を石英
るつぼに入れ、これを真空中で加熱蒸着する方法、Ｔｅ
０ｚと金属Ｔｅとをそれぞれに別の蒸発源として用い、
同時に蒸着する方法等が知られている。
しかし、これらの方法のうち、前の２者は簡便な方法で
はあるが、蒸着中にボートあるいは還元金属の還元力が
変化するため５蒸着された膜の膜厚方向の組成の不規則
な変化が生じ易いという欠点がある。
はあるが、蒸着中にボートあるいは還元金属の還元力が
変化するため５蒸着された膜の膜厚方向の組成の不規則
な変化が生じ易いという欠点がある。
２つの蒸着源を用いる方法は組成が膜厚方向で変化せず
、均一な膜を得ることができる。この方法によって製作
されたＴｅＯｘのＸが１未満の膜は、黒化開始温度が低
く、感度が高いという利点を有する。しかるに載脱は黒
化開始温度以下の比較的主として膜の安定性の点から、
感度は劣るもののＸが１以上の範囲のＴｅＯｘが一般的
に使用されている。又、基板材料としてアクリル板、ポ
リカーボネート板等のプラスチックス材料を用いる場合
。
、均一な膜を得ることができる。この方法によって製作
されたＴｅＯｘのＸが１未満の膜は、黒化開始温度が低
く、感度が高いという利点を有する。しかるに載脱は黒
化開始温度以下の比較的主として膜の安定性の点から、
感度は劣るもののＸが１以上の範囲のＴｅＯｘが一般的
に使用されている。又、基板材料としてアクリル板、ポ
リカーボネート板等のプラスチックス材料を用いる場合
。
これらは気体透過率が比較的大きいため、経時的に水蒸
気や酸素等が侵入し、カルコゲナイド系低酸化物を酸化
し感度を低下させるという問題があつ、た。
気や酸素等が侵入し、カルコゲナイド系低酸化物を酸化
し感度を低下させるという問題があつ、た。
このような、カルコゲナイド系記録媒体の長期にわたる
安定性向上に関してはすでに多くの技術が開示されてお
り、例えば耐蝕性の良い金属中に分散させるもの（特開
昭５８−１６４０３７ ）、有機物質でコーティングす
るもの（特開昭５６−２１８９２、特開昭５８−１２５
２４８％特開昭５８−２０３６４３）、無機物質でコー
ティングするもの（特開昭５８−１９９４４９ ）、表
面を強制的に酸化するもの（特開昭５６−３４４２、特
開昭５８−９４１４４、特開昭５８−１８９８５０、特
開昭５９−２２４５ ）等を例示することができるが、
操作が繁雑になったり、かならずしも効果が十分ではな
い場合が多かった。
安定性向上に関してはすでに多くの技術が開示されてお
り、例えば耐蝕性の良い金属中に分散させるもの（特開
昭５８−１６４０３７ ）、有機物質でコーティングす
るもの（特開昭５６−２１８９２、特開昭５８−１２５
２４８％特開昭５８−２０３６４３）、無機物質でコー
ティングするもの（特開昭５８−１９９４４９ ）、表
面を強制的に酸化するもの（特開昭５６−３４４２、特
開昭５８−９４１４４、特開昭５８−１８９８５０、特
開昭５９−２２４５ ）等を例示することができるが、
操作が繁雑になったり、かならずしも効果が十分ではな
い場合が多かった。
本発明は長期にわたる安定性が向上した光記録媒体の装
造方法を提供することを目的とする。かかる本発明の目
的は基板上に高周波電力によってプラズマ化された不活
性ガス、酸素ガスまたはそれらの混合ガス（これらを総
称して単にガスということがある。）を通過する金属テ
ルル蒸気からテルル又はテルル酸化物（ＴｅＯｘ、 Ｏ
≦Ｘ≦２．０）を形成するに際し、該高周波電力を変化
させながら成膜することによって達成された。本発明に
従えば、厚さ方向に膜組成（Ｘ）を自由に制御できるた
め、例えば基板上にＸが１未満の感度の高い組成からな
る薄膜を形成してから、その上に連続して耐蝕性の高い
Ｘｚ２なる組成を有する層を設けることが容易であり、
高感度と安定性を同時に具備した光記録媒体を製造する
ことが可能となる。
造方法を提供することを目的とする。かかる本発明の目
的は基板上に高周波電力によってプラズマ化された不活
性ガス、酸素ガスまたはそれらの混合ガス（これらを総
称して単にガスということがある。）を通過する金属テ
ルル蒸気からテルル又はテルル酸化物（ＴｅＯｘ、 Ｏ
≦Ｘ≦２．０）を形成するに際し、該高周波電力を変化
させながら成膜することによって達成された。本発明に
従えば、厚さ方向に膜組成（Ｘ）を自由に制御できるた
め、例えば基板上にＸが１未満の感度の高い組成からな
る薄膜を形成してから、その上に連続して耐蝕性の高い
Ｘｚ２なる組成を有する層を設けることが容易であり、
高感度と安定性を同時に具備した光記録媒体を製造する
ことが可能となる。
以下図面を参照して詳細に説明する。
この発明においては、酸素ガス及び／又は不活性ガス雰
囲気中で金属テルルがイオンブレーティング法によって
基板上に蒸着される。
囲気中で金属テルルがイオンブレーティング法によって
基板上に蒸着される。
すなわち、第２図にその概念図を示すように、製造装置
は真空槽３内に設けられた金属テルル１をのせた加熱ボ
ート２、これに対向して基板７を保持する基板保持具８
及びこの篩に配設された高周波励起コイル４からなる。
は真空槽３内に設けられた金属テルル１をのせた加熱ボ
ート２、これに対向して基板７を保持する基板保持具８
及びこの篩に配設された高周波励起コイル４からなる。
製造に際して、真空槽３内はまず酸素ガス及び／又は不
活性ガスで充填される。この際、密着性のよい安定なテ
ルル又はテルル酸化物膜を得るためには真空槽内をまず
１０Ｔｏｒｒ程度以上の高真空とした後、高純度酸素ガ
ス及び／又は不活性ガスを導入し、槽内の真空度をｌＸ
ｌ０ ないし９Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ、好ましくは２Ｘ
１０ ないし５Ｘ１０Ｔｏｒｒに保つのがよい。なお
、不活性ガスとしてアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素
ガス等を例示することが可能である。
活性ガスで充填される。この際、密着性のよい安定なテ
ルル又はテルル酸化物膜を得るためには真空槽内をまず
１０Ｔｏｒｒ程度以上の高真空とした後、高純度酸素ガ
ス及び／又は不活性ガスを導入し、槽内の真空度をｌＸ
ｌ０ ないし９Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ、好ましくは２Ｘ
１０ ないし５Ｘ１０Ｔｏｒｒに保つのがよい。なお
、不活性ガスとしてアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素
ガス等を例示することが可能である。
この状態でスパイライコイル状の高周波励起コイル４に
５０〜５００ワツトの電圧を印加し、高周波電界をつく
り、ガスを励起してプラズマを生成させる。生成される
プラズマは、コイル形状、大きさ、電界の強さ及び真空
度によって制御されるが、その制御は容易であり、高精
度の制御が可擢である。
５０〜５００ワツトの電圧を印加し、高周波電界をつく
り、ガスを励起してプラズマを生成させる。生成される
プラズマは、コイル形状、大きさ、電界の強さ及び真空
度によって制御されるが、その制御は容易であり、高精
度の制御が可擢である。
プラズマ生成後、加熱ボート２に通電し、金属テルル１
を加熱・融解して蒸発させる。加熱温度及び真空槽３内
の圧力によってテルルの蒸気圧が定まり、さらにボート
開口部面積によってテルルの蒸発量が規定される。
を加熱・融解して蒸発させる。加熱温度及び真空槽３内
の圧力によってテルルの蒸気圧が定まり、さらにボート
開口部面積によってテルルの蒸発量が規定される。
プラズマが安定して発生するようになったら、高周波電
圧を初期設定値に調節し、基板と蒸発源の間に設置した
シャッタを開き、基板上に蒸発粒子を沈着させる。プラ
ズマ内を通過したテルルの蒸発粒子は、第２図中に模式
的に示したように、プラズマ内の酸素イオンやラジカル
の衝撃によりその一部が酸化され、酸化されなかった蒸
発粒子と共に基板面上に沈着する。第２図中５．５′は
酸化したテルルの蒸発粒子を、６．６′は酸化されなか
った蒸発粒子を示す。ここで基板としてはガラス又はア
クリル板、ポリカーボネート板をはじめとする各種プラ
スチックを使用することができる。
圧を初期設定値に調節し、基板と蒸発源の間に設置した
シャッタを開き、基板上に蒸発粒子を沈着させる。プラ
ズマ内を通過したテルルの蒸発粒子は、第２図中に模式
的に示したように、プラズマ内の酸素イオンやラジカル
の衝撃によりその一部が酸化され、酸化されなかった蒸
発粒子と共に基板面上に沈着する。第２図中５．５′は
酸化したテルルの蒸発粒子を、６．６′は酸化されなか
った蒸発粒子を示す。ここで基板としてはガラス又はア
クリル板、ポリカーボネート板をはじめとする各種プラ
スチックを使用することができる。
初めに設定した速さに従って高周波電圧を変化させなが
ら金属テルルの蒸発を続けるととシより、基板上に所定
の組成の、所定の厚さの薄膜を積層していくことが可能
である。
ら金属テルルの蒸発を続けるととシより、基板上に所定
の組成の、所定の厚さの薄膜を積層していくことが可能
である。
例えば、初期圧力Ｐが１ ｘ １０＝Ｔｏｒｒとなるま
で排気し、ガスを導入して装置内の真空度を４×１０Ｔ
ｏｒｒとし、次いで高周波コイルに周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ１５０ワットの高周波電力を印加してプラズマを発
生させなから成膜を開始し、徐々に高周波電力を増大し
ながら、５００ワツトになるまで成膜を絖けることによ
って、基板面から膜表面にむかつてＸ＝０からＸ＝２．
０まで膜組成を連続的に変えることができる。
で排気し、ガスを導入して装置内の真空度を４×１０Ｔ
ｏｒｒとし、次いで高周波コイルに周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ１５０ワットの高周波電力を印加してプラズマを発
生させなから成膜を開始し、徐々に高周波電力を増大し
ながら、５００ワツトになるまで成膜を絖けることによ
って、基板面から膜表面にむかつてＸ＝０からＸ＝２．
０まで膜組成を連続的に変えることができる。
更に、はじめに５００ワツトの高周波電力により成膜し
、徐々に高周波電力を５０ワツトまで減少したのち、再
度５００ワツトまで連続して増大することによって膜中
間層の組成Ｘを０とし、基板に近い層と最表面層をＸ＝
２．０になるように連続的に変えることができる。
、徐々に高周波電力を５０ワツトまで減少したのち、再
度５００ワツトまで連続して増大することによって膜中
間層の組成Ｘを０とし、基板に近い層と最表面層をＸ＝
２．０になるように連続的に変えることができる。
又、本発明においては、導入するガスのガス分圧Ｐｏ、
金属テルルの蒸発速度によっても形成される膜の組成（
Ｘ）を変えることが可能であるため、必要ならば、高周
波電力を変化させつつ、ガス分圧、金属テルルの蒸発速
度を変えながら成膜することも可能である。
金属テルルの蒸発速度によっても形成される膜の組成（
Ｘ）を変えることが可能であるため、必要ならば、高周
波電力を変化させつつ、ガス分圧、金属テルルの蒸発速
度を変えながら成膜することも可能である。
本発明に従えば、同一装置、単一の蒸発源によって連続
的に製造することが可能であるため、製造方法が簡易で
あシ、安価に製造できるだけでなく、感度の高いＴｅ層
を基板に近いところに或いは内部に形成しうるため、光
記録膜自体の厚さも薄くできるという利点がある。
的に製造することが可能であるため、製造方法が簡易で
あシ、安価に製造できるだけでなく、感度の高いＴｅ層
を基板に近いところに或いは内部に形成しうるため、光
記録膜自体の厚さも薄くできるという利点がある。
本発明では盛装に応じて、透明性の良い高分子膜、無機
質膜等を＆層してさらに安定性を向上させることも可能
である。本発明におけるＸ（Ｏ≦“ Ｘ≦２．０）は
、記録膜の厚さ方向に、連続的に変えることも可能であ
るし、又、段階的に変えて使用することも可能である。
質膜等を＆層してさらに安定性を向上させることも可能
である。本発明におけるＸ（Ｏ≦“ Ｘ≦２．０）は
、記録膜の厚さ方向に、連続的に変えることも可能であ
るし、又、段階的に変えて使用することも可能である。
また本発明では、必要に応じてテルル酸化物層及び／又
はテルル層には上記の効果を損わない範囲で他の物質、
例えば増感剤や安定剤を含有せしめることができる。
はテルル層には上記の効果を損わない範囲で他の物質、
例えば増感剤や安定剤を含有せしめることができる。
次に実施例をもって本発明の詳細な説明する。
第２図に示した装置により、初期圧力ＰがＩ×１ＱＴｏ
ｒｒとなるまで排気し、アルゴンガス１０Ｖｏｌ。
ｒｒとなるまで排気し、アルゴンガス１０Ｖｏｌ。
俤、酸素ガス９ Ｑ Ｖｏｌ、％からなる混合ガスを導
入して、装置内の真空度を１． ＯＸ １０ ”Ｔｏｒ
ｒとし、次いで高周波コイルに周波？ １３．５６ Ｍ
Ｈ２，１００ワツトの高周波電力を印加してプラズマを
発生させた。そして純度９９．９９％の金属テルルを４
５０〜５００℃に保って融解、蒸発させながら、装置内
の混合ガスの真空度を４ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒとした
のち、高周波電力を５０ワツトまで下げ、プラズマの発
生が安定してから、ガラス裂基板又はプラスチック製基
板（例えばＰＭＭＡ板）と蒸発源の間に設置したシャッ
タを開いて基板上に膜を形成させた。
入して、装置内の真空度を１． ＯＸ １０ ”Ｔｏｒ
ｒとし、次いで高周波コイルに周波？ １３．５６ Ｍ
Ｈ２，１００ワツトの高周波電力を印加してプラズマを
発生させた。そして純度９９．９９％の金属テルルを４
５０〜５００℃に保って融解、蒸発させながら、装置内
の混合ガスの真空度を４ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒとした
のち、高周波電力を５０ワツトまで下げ、プラズマの発
生が安定してから、ガラス裂基板又はプラスチック製基
板（例えばＰＭＭＡ板）と蒸発源の間に設置したシャッ
タを開いて基板上に膜を形成させた。
次に徐々に高周波電力を増大していき、最終的な高周波
出力を５００ワツトとして成膜を行なったのち、シャッ
タを閉じて成膜を終了した。成膜速度は全て４Ａ／ｓｅ
ｃで行なった。
出力を５００ワツトとして成膜を行なったのち、シャッ
タを閉じて成膜を終了した。成膜速度は全て４Ａ／ｓｅ
ｃで行なった。
オージェ電子分光法により、形成した膜の厚さ方向の組
成を測定したところ、基板面に近い層はＸ＝０、つまシ
Ｔｅ層からなり、最表面はＸ ＝ ２．０つまりＴｅＯ
２から形成されていた。さらに中間層は基板面に近い層
から徐々にＸが増大していることが確認された。又、形
成された薄膜の厚さは０．１０μｍであった（第１図）
。
成を測定したところ、基板面に近い層はＸ＝０、つまシ
Ｔｅ層からなり、最表面はＸ ＝ ２．０つまりＴｅＯ
２から形成されていた。さらに中間層は基板面に近い層
から徐々にＸが増大していることが確認された。又、形
成された薄膜の厚さは０．１０μｍであった（第１図）
。
この記録媒体に対して波長８３０ ｎｒＨの半導体レー
ザーで記録を行なったところ良好な記録、再生特性を示
した。さらに温度４０℃、相対湿度９０チの恒温恒湿槽
に３０日間入れたのち、同様の試験を行なったところ、
記録、再生特性に差はなく優れた安定性を示した。又、
膜面に鋭い刃物で１一方眼の刻み目を１００個つけて、
これにセロテープを貼り付けて９０°引き起こす剥離試
験では全く剥離が起こらず実用上十分な強さの膜が得ら
れた０ 又、対比のために金属テルルと二酸化テルルを別々の蒸
発源とする装置を用いて、金属テルルと二酸化テルルの
蒸発速度をコントロールさせ実施例と同一の膜構成を形
成すべく真空蒸着を試みたが製造が困難であった。
ザーで記録を行なったところ良好な記録、再生特性を示
した。さらに温度４０℃、相対湿度９０チの恒温恒湿槽
に３０日間入れたのち、同様の試験を行なったところ、
記録、再生特性に差はなく優れた安定性を示した。又、
膜面に鋭い刃物で１一方眼の刻み目を１００個つけて、
これにセロテープを貼り付けて９０°引き起こす剥離試
験では全く剥離が起こらず実用上十分な強さの膜が得ら
れた０ 又、対比のために金属テルルと二酸化テルルを別々の蒸
発源とする装置を用いて、金属テルルと二酸化テルルの
蒸発速度をコントロールさせ実施例と同一の膜構成を形
成すべく真空蒸着を試みたが製造が困難であった。
（発明の効果）
本発明によれば、向−の装置内で同一の蒸発源を用い、
高周波電力を変えるだけで厚さ方向に組成の変化した膜
を有する記録媒体が安価に且つ容易に裏遺し得る。しか
も該記録媒体は膜内に異物が混入することもなく、膜相
互間の密着性が極めて優れている。
高周波電力を変えるだけで厚さ方向に組成の変化した膜
を有する記録媒体が安価に且つ容易に裏遺し得る。しか
も該記録媒体は膜内に異物が混入することもなく、膜相
互間の密着性が極めて優れている。
更に真空伯内で蒸発したテルル粒子がガスプラズマ内を
通過する過程で活性化されて基板上に沈着するため基板
から剥離しに＜＜、環境による影響を受難い、丈夫な安
定した記録媒体を製造することができる。
通過する過程で活性化されて基板上に沈着するため基板
から剥離しに＜＜、環境による影響を受難い、丈夫な安
定した記録媒体を製造することができる。
従って、従来安定性を欠き実用化に不適と思われていた
高感度領域のテルル低酸化物層を含む記録媒体が極めて
経済的に、しかも高い安定性を備 ′えたものとして
実現できるという顕著な効果を奏する。
高感度領域のテルル低酸化物層を含む記録媒体が極めて
経済的に、しかも高い安定性を備 ′えたものとして
実現できるという顕著な効果を奏する。
第１図は本発明に基づいて製造された光記録媒体の構造
図の一例、第２図は本発明を実施するイオンブレーティ
ング装置の模式図を示す〇図中１は金属テルル、２は蒸
発ボート、３は真空槽、４は高周波コイル、７は基板、
８は基板保持具、９はテルル層、１０はテルル低酸化物
（ＴｅＯｘ、 ０＜Ｘ＜２）層および１１は二酸化テル
ル層である。 箒 ｌ 図 ９ ：テ７Ｌ／ ｆｉｖＭ ” ’テルル低味化
物層１１： 二爬１乙テルル屓 筈 ２ 図
図の一例、第２図は本発明を実施するイオンブレーティ
ング装置の模式図を示す〇図中１は金属テルル、２は蒸
発ボート、３は真空槽、４は高周波コイル、７は基板、
８は基板保持具、９はテルル層、１０はテルル低酸化物
（ＴｅＯｘ、 ０＜Ｘ＜２）層および１１は二酸化テル
ル層である。 箒 ｌ 図 ９ ：テ７Ｌ／ ｆｉｖＭ ” ’テルル低味化
物層１１： 二爬１乙テルル屓 筈 ２ 図
Claims (1)
- 基板上に、高周波電力によつてプラズマ化された不活性
ガス、酸素ガス又はそれらの混合ガスを通過する金属テ
ルル蒸気からカルコゲナイド系酸化物を形成せしめるに
際し、該高周波電力を変化させながら成膜することを特
徴とする光記録媒体の製造方法
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26413284A JPS61142550A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
| DE8585309089T DE3582149D1 (de) | 1984-12-13 | 1985-12-13 | Aus chalkogenoxid gebildetes optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
| EP85309089A EP0188100B1 (en) | 1984-12-13 | 1985-12-13 | Optical recording medium formed of chalcogen oxide and method for producing same |
| US07/082,909 US4786538A (en) | 1984-12-13 | 1987-08-10 | Optical recording medium formed of chalcogenide oxide and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26413284A JPS61142550A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142550A true JPS61142550A (ja) | 1986-06-30 |
| JPH0555940B2 JPH0555940B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=17398903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26413284A Granted JPS61142550A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61142550A (ja) |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26413284A patent/JPS61142550A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555940B2 (ja) | 1993-08-18 |
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