JP3255682B2

JP3255682B2 - アルミニウム膜被着物

Info

Publication number: JP3255682B2
Application number: JP02611592A
Authority: JP
Inventors: 重雄松丸; 徹渡辺; 彰窪津; 修一野川; 潔緒方; 大輔井上
Original assignee: Kuraray Co Ltd; Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Kuraray Co Ltd; Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1992-01-16
Filing date: 1992-01-16
Publication date: 2002-02-12
Anticipated expiration: 2017-02-12
Also published as: JPH05195204A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばビデオディス
ク、コンパクトディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＷＯ（１回書
込み可能）ディスク、ＲＷ（書換え可能）ディスク等の
光学式情報記録媒体、光学部品、装飾雑貨等に用いられ
るものであって、合成樹脂製の基体の表面にアルミニウ
ム膜を被着して成るアルミニウム膜被着物に関する。

【０００２】

【従来の技術】合成樹脂製の基体の表面にアルミニウム
膜を被着して成るアルミニウム膜被着物は、光学式情報
記録媒体を始めとして、そのほか光学部品、装飾雑貨等
として用いられている。例えば、近年需要の伸びが著し
いビデオディスク等の光学式情報記録媒体は、基本的に
は、音声信号や画像信号等に対応したピットが形成され
ている透明合成樹脂から成る基体（いわゆるディスク基
板）、この基体のピットが形成された面を覆うアルミニ
ウム膜（反射膜）およびこのアルミニウム膜を覆う保護
被膜等から構成されている。

【０００３】このようなアルミニウム膜は、主として真
空蒸着法、プラズマスパッタ法等で形成されている。

【０００４】真空蒸着法は、簡単に言えば、真空容器内
に蒸発源およびそれに対向するように何個かの基体を配
置し、蒸発源から電子ビーム加熱または抵抗加熱によっ
てアルミニウム等の金属粒子を蒸発させてこれを各基体
の表面に入射堆積させ、それによって各基体の表面にア
ルミニウム等の金属膜を形成する方法である。各基体
は、通常は回転式のホルダに取り付けられるが、成膜枚
数を増やすために、円筒状の真空容器の中央部に蒸発源
を配置し、この真空容器の壁面全周に沿って多数の基体
を配置することも行われている。

【０００５】プラズマスパッタ法は、簡単に言えば、真
空容器内に、例えば磁石の上部にアルミニウム等の金属
ターゲットを装着したスパッタ源（この場合はマグネト
ロン型のスパッタ源）およびそれに対向するように何個
かの基体を配置し、真空容器内にアルゴンガス等の不活
性ガスを導入し、金属ターゲットの表面近傍に形成した
磁界および各基体（厳密にはそれ用のホルダ）と金属タ
ーゲット間に印加した電界等によって、スパッタ源と各
基体との間にプラズマを発生させ、このプラズマによっ
て金属ターゲットをスパッタして各基体の表面に金属粒
子を入射堆積させてアルミニウム等の金属膜を形成する
ものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法でアルミニウム膜を被着した従来のアルミニ
ウム膜被着物には、アルミニウム膜の光の反射率があま
り高くないという問題があった。即ち、前述したような
真空蒸着法やプラズマスパッタ法によるアルミニウム膜
を例えば光学式情報記録媒体の反射膜とした場合、従来
は反射率が約７２〜８０％程度、再生出力のＳＮ比が約
３８〜４１ｄＢ程度の性能が通常に得られる限度であ
り、この程度では反射率、ＳＮ比のいずれも不充分であ
るという問題があった。特に、高画質を要求される場
合、例えばハイビジョン画像の再生に利用する場合に
は、この程度の性能では画像の鮮明度が充分でないとい
う問題がある。

【０００７】また、真空蒸着法による場合は、例えばア
ルミニウム膜中の酸化されたアルミニウムの量を少なく
することにより、更に高反射率（８０〜８５％）、高Ｓ
Ｎ比（４１〜４５ｄＢ）のアルミニウム膜を得ることは
一応できるが、このアルミニウム膜は、長時間放置して
おくと吸湿酸化、化学反応による腐食等により、ノイズ
の上昇、記録強度の低下といった耐久性の問題が生じや
すく、そのため反射率およびＳＮ比の向上と膜の耐久性
とを両立させることができないという問題があった。

【０００８】そこでこの発明は、光の反射率が高く、し
かも耐久性に優れたアルミニウム膜を有するアルミニウ
ム膜被着物を提供することを主たる目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、図１を参照
して、アルミニウム膜被着物２を構成するアルミニウム
膜６が、その膜内であって当該膜が基体４と接する側の
膜面５から６００Å以内のいずれかの深さＤの所に、
（１１１）面に垂直な方向の結晶軸〈１１１〉が前記膜
面５と垂直またはほぼ垂直な関係にあるアルミニウム結
晶を含むことによって達成することができる。

【００１０】また、上記目的は、アルミニウム膜被着物
２を構成するアルミニウム膜６が、その膜内であって当
該膜が基体４と接する側の膜面５から６００Å以内のい
ずれかの深さＤの所に、下記条件のディフラクトメータ
法によるＸ線回折により測定したときに（１１１）面の
回折Ｘ線スペクトルを示すアルミニウム結晶を含むこと
によっても達成することができる。ターゲット：ＣｕＸ線の種類：Ｋα線測定Ｘ線出力：電圧４０ＫｅＶ、電流３０ｍＡ縦発散制限ソーラススリット：水平型入射高さ制限スリット：５ｍｍ入射スリット：０．４ｍｍ受光ソーラススリット：垂直型幅制限スリット：５ｍｍ回折Ｘ線モノクロメータ：グラファイト水平板回折手法：θ／２θ法

【００１１】このような発明は、本発明者達が、基体上
に形成するアルミニウム膜の構造に関して鋭意検討した
結果、到達したものである。

【００１２】即ち、種々の検討の結果、従来のアルミニ
ウム膜被着物の反射率および耐久性の問題は、基体上に
形成するアルミニウム膜の緻密性や結晶配列が良好でな
いことに起因していることが分かった。即ち、従来のア
ルミニウム膜はポーラス（無配向の多結晶）であるた
め、膜中の酸素含有量を少なくして光の反射に寄与しな
い酸化されたアルミニウムの含有量を少なくすれば、反
射率が高くなる反面、ポーラスな部分を埋める酸化物が
少なくなるので膜中に水分等が浸入しやすくなって耐久
性が悪くなっていたのである。

【００１３】従って、高い反射率と耐久性とを得るため
には、アルミニウム膜中に、光の反射に効果的な方向に
優先的に配向したアルミニウム結晶を含有せしめれば良
いことが分かった。より具体的には、光の反射は、入射
光とアルミニウム原子との相互作用により生じ、このた
め入射光に対し垂直な面内において、アルミニウム原子
の面密度が高い方がより高い反射率が得られる。即ち、
アルミニウムは面心立方格子の結晶構造を有していて
（１１１）面が最密充填面であるので、（１１１）面に
優先的に配向し、膜面と平行ないしほぼ平行な断面に結
晶格子の最密充填面を有するアルミニウム結晶を含有さ
せる、即ち前述したように（１１１）面に垂直な方向の
結晶軸〈１１１〉が膜面と垂直またはほぼ垂直な関係に
あるアルミニウム結晶を含有させることで、反射率の高
いアルミニウム膜が得られる。これは入射光がアルミニ
ウム膜面に垂直ないしほぼ垂直に入る場合に特に有効で
ある。

【００１４】また、このような結晶配向をしたアルミニ
ウム膜は緻密であるため、水分等の浸入を抑えて耐久性
にも優れている。

【００１５】上記のように配向したアルミニウム結晶が
存在する深さを上記のように６００Å以内に限定したの
は、次のような理由による。即ち、光の反射に寄与する
アルミニウム層は、基体側から光を入射させる場合、基
体と接する側のアルミニウム膜面から最大でも６００Å
までの深さのものであり、より効果的なのは４００Å以
下の深さのものである。従って上記のように配向したア
ルミニウム結晶がこのような深さ内になければ、それを
含有せしめても効果がなく、充分な反射率が得られな
い。

【００１６】また、上記アルミニウム膜は、Ｘ線光電子
分光法を用いて求めた、アルミニウム膜深さ方向の酸化
されたアルミニウム（Ａｌ−Ｏ）と全アルミニウム元素
（Ａｌ）との構成モル比（Ａｌ−Ｏ／Ａｌ）の百分率分
布の極小値が３０％以下、取り分け１０〜２５％の範囲
であることが反射率を高める上で好ましい。前述したよ
うに真空蒸着法においても、アルミニウム膜中の酸化ア
ルミニウムの量を少なくすることにより高反射率の膜を
得ることができるが、膜中の酸化アルミニウムの量を３
５％程度に調整しないと、長時間の放置により吸湿酸
化、腐食等が起こり耐久性の点で問題が生じる。これに
対しこの発明のように（１１１）面に優先的に配向した
アルミニウム結晶を含有するアルミニウム膜の場合は、
緻密で水分等の浸入が少なく耐久性劣化の問題がないの
で、酸化されたアルミニウムの量を低下させることで、
反射率をより高めることができる。

【００１７】この発明の基体を構成する合成樹脂は、特
に限定されないが、例えばアクリル樹脂、ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、ポリオレフィン、変性エポキシ
樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、ホモポリマー、
コポリマーまたはこれらの混合物であっても差し支えな
い。この発明においては、光ディスク基板材料として用
いられる光学用透明樹脂である上記のような樹脂が好ま
しく用いられる。

【００１８】基体の形状としては、平板、円板など凹凸
の少ない形状のものが好ましいが特に制限はない。また
基体の表面には、目的に応じて情報記録用のピット等が
形成されていても良い。また基体は通常は成形によって
形成されるが、その成形方法としては、注型法、圧縮成
形法、射出成形法等の通常行われている方法を採用する
ことができる。

【００１９】基体の表面に被着しているアルミニウム膜
の膜厚は、特に限定されないが、あまり厚くしても前述
したように光の反射に寄与しない部分が増えるだけであ
るので、通常は５０〜６００Åの範囲内、その内でも反
射率の他に生産性や耐久性を考慮すれば１００〜４００
Åの範囲内にするのが好ましい。このようにアルミニウ
ム膜の膜厚が６００Å以内の場合は、前述したような結
晶配向をしたアルミニウム結晶は、当該アルミニウム膜
内のいずれかの深さの所にあれば良いことになる。勿
論、当該アルミニウム膜内の全領域に存在していても良
い。

【００２０】なお、基体上に前述したようなアルミニウ
ム膜を形成する、特に室温程度の低基体温度で形成する
には、種々検討した結果、基体上に堆積させるアルミニ
ウム粒子の持つ運動エネルギーを高めることが有効であ
ることが分かった。

【００２１】基体に堆積するアルミニウム粒子の運動エ
ネルギーを高める方法としては、イオンビームスパッタ
法、イオンビーム照射を併用する蒸着法、イオンビーム
堆積法、イオンクラスタビーム法等があり、これらの方
法あるいはこれらの方法の組合せにより、堆積粒子の運
動エネルギーを一般的に数ｅＶ程度から数百ｅＶに高め
ることができる。この発明のアルミニウム膜被着物を作
るのに用いられる方法としては、これらの方法の内の特
定のものに限定されないが、その内でも、合成樹脂製の
基体表面がプラズマや熱によるダメージを受けないイオ
ンビームスパッタ法を用いるのが好ましい。

【００２２】イオンビームスパッタ法は、不活性ガスイ
オンビームでアルミニウムターゲットの表面を叩き、そ
こから飛び出したアルミニウム粒子を基体表面に入射堆
積させることによってアルミニウム膜を形成するもので
ある。この方法でスパッタリングされたアルミニウム粒
子は、数ｅＶ〜２０ｅＶ程度の適度の運動エネルギーを
持っており、このエネルギーがアルミニウム膜の結晶性
向上に寄与するので、前述したように結晶配向したアル
ミニウム膜を得るのに効果的である。またこの方法は、
原理的に、基体の表面近傍にはプラズマが存在せず、更
にプラズマより放出される加速電子も存在しないので、
従来のプラズマスパッタ法に見られる基体表面の劣化お
よび不純物ガスの発生を防ぐことができ、その結果、密
着性の高いアルミニウム膜を形成することができる。

【００２３】上記各方法で用いるイオンやイオンビーム
は、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノ
ン等の不活性ガスイオンや不活性ガスイオンビームが好
ましく、それら以外の窒素、酸素等のガスイオンやイオ
ンビームを用いると、それらがアルミニウム膜と反応し
て、アルミニウム膜の反射率を低下させる恐れがあり好
ましくない。

【００２４】成膜時の雰囲気の真空度は、実用的には
４．０×１０^-4Ｔｏｒｒ程度より高真空であれば良く、
またイオンビームのエネルギーは、スパッタの限界であ
る１００ｅＶ以上が望ましく、通常は２００ｅＶ〜１０
ＫｅＶ程度の範囲が利用しやすい。この範囲であれば成
膜速度は１〜５００Å／秒の範囲になり、その内でも生
産安定性から２００〜４００Å／秒以下が望ましい。

【００２５】

【実施例】以下に、この発明の実施例および従来技術相
当の比較例を詳しく説明する。

【００２６】図２は、アルミニウム膜を形成するために
用いたイオンビームスパッタリング装置の一例を示す概
略図である。真空容器１０内に、基板１４を保持するホ
ルダ１２と、アルミニウムターゲット１６をこの基板１
４に対向するように保持するターゲットホルダ１８とを
設け、かつ真空容器１０の壁面に、ターゲットホルダ１
８上のアルミニウムターゲット１６に向くようにイオン
源２０を取り付けている。イオン源２０は、アルゴン等
の不活性ガスイオンから成る不活性ガスイオンビーム２
２をアルミニウムターゲット１６の表面に向けて照射し
てアルミニウムターゲット１６をスパッタしてアルミニ
ウム粒子２６を叩き出すことができる。

【００２７】実施例１上記のような装置を用いて、次のようにして成膜を行っ
た。即ち、前述した合成樹脂製の基体４の一例として直
径３００ｍｍのアクリル樹脂基板１４をホルダ１２に装
着し、かつ高純度のアルミニウムターゲット１６をター
ゲットホルダ１８に装着し、真空容器１０内の真空引き
を行って２．０×１０^-7Ｔｏｒｒまで排気した。そし
て、イオン源２０から不活性ガスイオンビーム２２を下
記の条件で引き出してそれをアルミニウムターゲット１
６の表面に照射し、そこからアルミニウム粒子２６を叩
き出してそれをアクリル樹脂基板１４の表面に入射堆積
させてアルミニウム膜を形成した。このアルミニウム膜
の膜厚は、成膜時間で調整した。イオン種：アルゴンイオンビームエネルギー：１５００ｅＶビーム電流：３００ｍＡ

【００２８】このようにしてイオンビームスパッタ法に
よりアクリル樹脂基板１４上に成膜した膜厚１００Å、
２００Å、３００Å、４００Åおよび５００Åのアルミ
ニウム膜について、Ｘ線回折分析を行った結果を図３な
いし図７にそれぞれ示す。図４ないし図７に示すよう
に、２００Å以上の膜厚においてアルミニウムの明瞭な
（１１１）面の配向性が認められた。このことから、上
記方法で得られたアルミニウム膜、取り分け膜厚２００
Å以上のアルミニウム膜は、アルミニウム原子の面密度
の高い膜であることが分かる。

【００２９】また同様にしてアクリル樹脂基板１４上に
膜厚３０００Åのアルミニウム膜を形成した後、そのロ
ッキング曲線の測定を行ったところ、（１１１）面以外
の結晶性は見られなかった。上記Ｘ線回折測定条件およ
びロッキング曲線測定条件を下に示す。

【００３０】Ｘ線回折条件測定装置：（株）リガクＸ線回折装置ＲＡＤ−２Ｂターゲット：ＣｕＸ線の種類：Ｋα線測定Ｘ線出力：電圧４０ＫｅＶ、電流３０ｍＡ縦発散制限ソーラススリット：水平型入射高さ制限スリット：５ｍｍ入射スリット：０．４ｍｍ受光ソーラススリット：垂直型幅制限スリット：５ｍｍゴニオメータ半径：１８５ｍｍ回折Ｘ線モノクロメータ：グラファイト水平板測定速度：２度／分測定幅：０．０２度回折手法：θ／２θ法（Ｘ線入射角をθ、Ｘ線散乱角を
２θとしたとき、ブラックの条件（２ｄｓｉｎθ＝ｎ
λ）を満たす測定方法）積算回数：１０回（注１）（注１）積算回数を複数回としたのは、その平均値を求
めることによりノイズを低減するためである。

【００３１】ロッキング曲線測定条件測定装置：（株）リガクＸ線回折装置ＲＡＤ−２Ｂターゲット：ＣｕＸ線の種類：Ｋα線測定Ｘ線出力：電圧４０ＫｅＶ、電流３０ｍＡ縦発散制限ソーラススリット：水平型入射高さ制限スリット：５ｍｍ入射スリット：０．４ｍｍ受光ソーラススリット：垂直型幅制限スリット：５ｍｍゴニオメータ半径：１８５ｍｍ回折Ｘ線モノクロメータ：グラファイト水平板測定速度：２度／分測定幅：０．０２度回折手法：２θ固定（注２）積算回数：１回（注２）２θ固定の角度は、ＪＣＰＤＳ（粉末回析標準
共同委員会）からのアルミニウム多結晶のデータの位置
に固定した。

【００３２】実施例２実施例１と同様にしてイオンビームスパッタ法で形成し
たアルミニウム膜の膜厚と反射率との関係を測定した。
その結果を図８に示す。この図から分かるように、膜厚
が６００Åまでは反射率の増加が見られるが、それ以上
の膜厚では反射率は一定となっている。この結果から、
反射率に寄与するアルミニウム層は基板表面より約６０
０Åまでの範囲であることが分かる。なお、反射率測定
は、光ディスク用の半導体レーザの波長である７８０ｎ
ｍを用いた（他の実施例および比較例においても同
様）。

【００３３】実施例３アルミニウム膜の（１１１）面の回折Ｘ線スペクトル強
度と反射率との関係を確認するため、ガラス基板上に回
折Ｘ線強度の異なる約３０００Åのアルミニウム膜を実
施例１と同様にしてイオンビームスパッタ法により形成
してその反射率を測定した。この場合、アルミニウム膜
中の酸化されたアルミニウムの比率の違いによって反射
率が左右されないように、同比率は３０％に固定してお
いた。得られた測定結果から、（１１１）面の回折Ｘ線
スペクトル強度と反射率との関係を図９に示す。この図
から、（１１１）面の回折Ｘ線スペクトル強度が低下す
ると反射率も明らかに低下していることが分かる。なお
Ｘ線回折測定は実施例１と同様の条件で行った。

【００３４】実施例４ビデオディスク用アクリル樹脂基板上に実施例１と同様
にして（１１１）面に配向した膜厚４００Åのアルミニ
ウム膜を形成した後、レーザー光の反射率および再生出
力について測定をしたところ、反射率が８９％、ＳＮ比
が４６ｄＢという良好な結果が得られた。

【００３５】また、上記の方法で得られたものを用いて
ビデオディスクを製作し、これを６０℃、６０％の恒温
恒湿状態で加速劣化試験を行ったところ、２０００時間
後においても再生画像の劣化は全く見られなかった。

【００３６】比較例１、２真空蒸着法およびプラズマスパッタ法（マグネトロンス
パッタ法）でアクリル樹脂基板上に２０００Åおよび３
０００Åのアルミニウム膜をそれぞれ成膜し、それらの
膜のＸ線回折分析を行った。この結果、図１０および図
１１に示すように、下記Ｘ線回折条件では、回折角２θ
が２０度〜８０度の範囲でノイズレベル以上のピーク
（回折Ｘ線スペクトル）は見られなかった。この結果か
ら、従来の方法で形成されたアルミニウム膜の結晶構造
は無配向の膜であることが分かる。

【００３７】Ｘ線回折条件測定装置：（株）リガクＸ線回折装置ＲＡＤ−２Ｂターゲット：ＣｕＸ線の種類：Ｋα線測定Ｘ線出力：電圧４０ＫｅＶ、電流３０ｍＡ縦発散制限ソーラススリット：水平型入射高さ制限スリット：５ｍｍ入射スリット：０．４ｍｍ受光ソーラススリット：垂直型幅制限スリット：５ｍｍゴニオメータ半径：１８５ｍｍ回折Ｘ線モノクロメータ：グラファイト水平板測定速度：２度／分測定幅：０．０２度回折手法：θ／２θ法積算回数：１回

【００３８】比較例３、４真空蒸着法により真空度２×１０^-4Ｔｏｒｒ（比較例
３）および１×１０^-5Ｔｏｒｒ（比較例４）の条件下で
形成したアルミニウム膜の膜厚と反射率との関係を図１
２に示す。この結果から、いずれの例の場合も、膜厚が
６００Åまでは反射率の増加が見られるが、それ以上の
膜厚では反射率は一定となっていることが分かる。これ
は図８に示した実施例２の場合と同様である。また、成
膜時の真空度を良くした方が反射率が高いことが分か
る。これは前述したように、真空度を良くすると、アル
ミニウム膜中の反射に寄与しない酸化されたアルミニウ
ムの割合が減るからである（より詳しくは以下の説明参
照）。但しそのようにすると膜の耐久性が低下すること
は前述のとおりである。

【００３９】実施例５実施例２、４および比較例３、４におけるアルミニウム
膜中の酸素量（より厳密には酸化されたアルミニウム
量）をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により分析した。具
体的には島津製作所製のＸ線光電子分光装置ＥＳＣＡ−
７５０を用い、アルミニウム膜表面から基板方向に基板
含有元素である炭素（Ｃ）が主成分となるまで３０〜５
０回アルゴンイオンビームエッチングを行い（条件：イ
オンビームエネルギー２ＫｅＶ、ビーム電流２０ｍＡ、
真空度３．８×１０^-6Ｔｏｒｒ）、各層において下記各
測定条件により分析を行った。

【００４０】Ｘ線光電子分光法測定条件測定元素：Ａｌ_2P1/2、Ａｌ_2P3/2、Ｃ_1S、Ｏ_1S 測定Ｘ線出力：８ＫｅＶ、３０ｍＡターゲット：ＭｇＸ線の種類：Ｋα線測定圧力：７．５×１０^-8Ｔｏｒｒ測定範囲：６８〜８２ｅＶ、２７８〜２９５ｅＶ、５２
６〜５４０ｅＶ測定幅：０．１ｅＶ測定時間：２００ｍｓｅｃ／ステップ積算回数：２回

【００４１】得られた各層のＡｌ_2P1/2、Ａｌ_2P3/2ス
ペクトルは、酸化されたアルミニウム（Ａｌ−Ｏ）と金
属アルミニウム（Ａｌ）の混合状態であることが多いた
め、酸化されたアルミニウムと金属アルミニウムとに各
スペクトルを分割し、全アルミニウム（Ａｌ）に対する
酸化されたアルミニウムの面積百分率（即ち構成モル比
Ａｌ−Ｏ／Ａｌ）を求め、これを膜の深さ方向にプロッ
トし、その分布の極小値を求めた。このようにして分析
した結果、実施例２および実施例４のアルミニウム膜
は、極小値が１５％、比較例３および比較例４のアルミ
ニウム膜は極小値がそれぞれ３５％および２０％であっ
た。

【００４２】実施例６上記実施例２、比較例３および比較例４のアルミニウム
膜の耐久性を含めた特性を、膜厚が３００Åおよび６０
０Åの場合を取り上げて、表１にまとめて示す。ここで
各反射率は、図８および図１２に示したものと同じであ
る。耐久性は、アルミニウム膜を各例とそれぞれ同条件
で成膜したビデオディスクを６０℃、６０％の恒温恒湿
槽に入れて加速劣化試験を行い、再生画像の劣化状態で
評価した。

【００４３】

【表１】

【００４４】この表から分かるように、実施例２のアル
ミニウム膜は、いずれの膜厚においても高い反射率と良
好な耐久性を示している。これに対して、比較例３のア
ルミニウム膜は、酸化されたアルミニウム（Ａｌ−Ｏ）
の含有量が多いので耐久性は良いものの、反射率が低
い。逆に比較例４のアルミニウム膜は、反射率はある程
度高いものの、酸化されたアルミニウムの含有量が少な
いので耐久性が悪い。

【００４５】なお、この発明に係るアルミニウム膜被着
物は、光学式情報記録媒体に好適なのは勿論のこと、そ
の他、光学部品、装飾雑貨等、特に高い反射率と耐久性
を要する物品にも好適である。

【００４６】

【発明の効果】以上のようにこの発明に係るアルミニウ
ム膜被着物は、アルミニウム膜が、その膜内に前述した
ように配向したアルミニウム結晶を含んでいるので、光
の反射率が高く、しかも耐久性に優れている。従って例
えば、このようなアルミニウム膜被着物を光学式情報記
録媒体として利用すれば、反射率およびＳＮ比を向上さ
せることができると共に、耐久性能にも優れたものとな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るアルミニウム膜被着物の一例
を概略的に示す断面図である。

【図２】イオンビームスパッタリング装置の一例を示
す概略図である。

【図３】イオンビームスパッタ法で形成したアルミニ
ウム膜のＸ線回折による分析結果の一例を示す概略図で
あり、このときのアルミニウム膜厚は１００Åである。

【図４】イオンビームスパッタ法で形成したアルミニ
ウム膜のＸ線回折による分析結果の一例を示す概略図で
あり、このときのアルミニウム膜厚は２００Åである。

【図５】イオンビームスパッタ法で形成したアルミニ
ウム膜のＸ線回折による分析結果の一例を示す概略図で
あり、このときのアルミニウム膜厚は３００Åである。

【図６】イオンビームスパッタ法で形成したアルミニ
ウム膜のＸ線回折による分析結果の一例を示す概略図で
あり、このときのアルミニウム膜厚は４００Åである。

【図７】イオンビームスパッタ法で形成したアルミニ
ウム膜のＸ線回折による分析結果の一例を示す概略図で
あり、このときのアルミニウム膜厚は５００Åである。

【図８】実施例２による（１１１）面に配向したアル
ミニウム膜の膜厚と反射率との関係を示す図である。

【図９】アルミニウム膜の（１１１）面の回折Ｘ線ス
ペクトル強度と反射率との関係を示す図である。

【図１０】真空蒸着法で形成したアルミニウム膜のＸ
線回折による分析結果の一例を示す概略図である。

【図１１】マグネトロンスパッタ法で形成したアルミ
ニウム膜のＸ線回折による分析結果の一例を示す概略図
である

【図１２】真空蒸着法で形成したアルミニウム膜の膜
厚と反射率との関係を示す図である。

【符号の説明】

２アルミニウム膜被着物４基体５膜面６アルミニウム膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者窪津彰岡山県倉敷市酒津2045番地の１株式会社クラレ内 (72)発明者野川修一京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (72)発明者緒方潔京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (72)発明者井上大輔京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (56)参考文献特開平５−174438（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 14/00 - 16/56

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光学用透明樹脂から成る合成樹脂製の基
体の表面にアルミニウム膜を被着して成り、かつ前記基
体側からアルミニウム膜に光を入射させるアルミニウム
膜被着物において、前記アルミニウム膜は、その膜内で
あって当該膜が前記基体と接する側の膜面から６００Å
以内の全領域に、（１１１）面に垂直な方向の結晶軸
〈１１１〉が前記膜面と垂直またはほぼ垂直な関係にあ
るアルミニウム結晶を含むことを特徴とするアルミニウ
ム膜被着物。
【請求項２】光学用透明樹脂から成る合成樹脂製の基
体の表面にアルミニウム膜を被着して成り、かつ前記基
体側からアルミニウム膜に光を入射させるアルミニウム
膜被着物において、前記アルミニウム膜は、その膜内で
あって当該膜が前記基体と接する側の膜面から６００Å
以内の全領域に、下記条件のディフラクトメータ法によ
るＸ線回折により測定したときに（１１１）面の回折Ｘ
線スペクトルを示すアルミニウム結晶を含むことを特徴
とするアルミニウム膜被着物。ターゲット：ＣｕＸ線の種類：Ｋα線測定Ｘ線出力：電圧４０ＫｅＶ、電流３０ｍＡ縦発散制限ソーラススリット：水平型入射高さ制限スリット：５ｍｍ入射スリット：０．４ｍｍ受光ソーラススリット：垂直型幅制限スリット：５ｍｍ回折Ｘ線モノクロメータ：グラファイト水平板回折手法：θ／２θ法
【請求項３】Ｘ線光電子分光法を用いて求めた、前記
アルミニウム膜の深さ方向における酸化されたアルミニ
ウム（Ａｌ−Ｏ）と全アルミニウム元素（Ａｌ）との構
成モル比（Ａｌ−Ｏ／Ａｌ）の百分率分布の極小値が、
３０％以下の値である請求項１または２記載のアルミニ
ウム膜被着物。
【請求項４】当該アルミニウム膜被着物が、光学式情
報記録媒体である請求項１、２または３記載のアルミニ
ウム膜被着物。