JPS61168151A - 情報記録薄膜形成方法 - Google Patents
情報記録薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS61168151A JPS61168151A JP863985A JP863985A JPS61168151A JP S61168151 A JPS61168151 A JP S61168151A JP 863985 A JP863985 A JP 863985A JP 863985 A JP863985 A JP 863985A JP S61168151 A JPS61168151 A JP S61168151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- film
- sputtering
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は追記型、消去可能型光ディスク媒体として用い
られる記録薄膜の製法に関するものである。
られる記録薄膜の製法に関するものである。
従来の技術
記録再生又は記録再生消去可能な光デイスク材料は、従
来、ＴｏとＴ ｅＯ２の、２元のマルチソース２ベ−ノ による蒸着法、 Ｔ ｅ 、Ｔ ｅｏ２ の混合物に
よる蒸着法等により成膜が行なわれて来た。いずれの場
合にも、一定組成の蒸着材料を作成し、一定形状のベレ
ットにする必要があり、品質維持に微妙々コントロール
が必要である。
来、ＴｏとＴ ｅＯ２の、２元のマルチソース２ベ−ノ による蒸着法、 Ｔ ｅ 、Ｔ ｅｏ２ の混合物に
よる蒸着法等により成膜が行なわれて来た。いずれの場
合にも、一定組成の蒸着材料を作成し、一定形状のベレ
ットにする必要があり、品質維持に微妙々コントロール
が必要である。
従来例を第３図、第４図に示す。第３図は、Ｔｅ。
Ｔ ｅＯ２のマルチソースによる蒸着方法である。ディ
スク基板１を回転させておき、ルツボ２，３に入れたＴ
ｅ、ＴｅＯ２を、それぞれ別のヒーター４゜已により加
熱し、ディスク基板上にＴｅＯｘ （ｘ≧１，１）膜を
形成する方法である。それぞれのルツボは、温度モニタ
ーし、蒸着速度を十分精度良くコントロールする必要が
ある。第４図は、単一の蒸発源７を用い、加熱源として
、電子ビーム８を用いた場合である。蒸着源７は、Ｔｏ
とＴ ｅＯ２の混合物で構成しておき、蒸着後、ディス
ク基板上で、所定の組成が得られるようにしておく、蒸
着材料の組成は、正確に一定のバラつき内に押える必要
がある。加熱方法としては、抵抗加熱による方法も用い
られている。
スク基板１を回転させておき、ルツボ２，３に入れたＴ
ｅ、ＴｅＯ２を、それぞれ別のヒーター４゜已により加
熱し、ディスク基板上にＴｅＯｘ （ｘ≧１，１）膜を
形成する方法である。それぞれのルツボは、温度モニタ
ーし、蒸着速度を十分精度良くコントロールする必要が
ある。第４図は、単一の蒸発源７を用い、加熱源として
、電子ビーム８を用いた場合である。蒸着源７は、Ｔｏ
とＴ ｅＯ２の混合物で構成しておき、蒸着後、ディス
ク基板上で、所定の組成が得られるようにしておく、蒸
着材料の組成は、正確に一定のバラつき内に押える必要
がある。加熱方法としては、抵抗加熱による方法も用い
られている。
発明が解決しようとする問題点
従来用いられている方法によると、まず、ＴｅとＴｅＯ
２を別々の蒸着源として、同時に蒸発させる場合の問題
としては、各々の蒸発速度を極めて精度良くコントロー
ルする必要があり、温度コントロールを高精度に行なう
必要がある。蒸発源を別々に設け、精度の良いコントロ
ールを行なうということは、実験室的には可能であって
も、生産レベルで考える場合は、容易ではない。又、加
熱蒸着の場合、蒸着材料の供給方法が大きい問題となる
。ワイア状で材料を供給する連続蒸着も一定条件下では
実用化されているが、２つのソースで行なう場合は、連
続的に蒸着を行なうことは、極めてむずかしい。Ｔｅと
ＴｅＯｘ ｆあらかじめ、所定の混合比で混合プレスし
、一定形状にペレット化して単一蒸発源として蒸着を行
なう場合、初期の混合物の組成に十分精度良くコントロ
ールしておけば、成膜後のバラつきは比較的押えやすい
。しかし、ペレット状の蒸発源である為、連続生産。
２を別々の蒸着源として、同時に蒸発させる場合の問題
としては、各々の蒸発速度を極めて精度良くコントロー
ルする必要があり、温度コントロールを高精度に行なう
必要がある。蒸発源を別々に設け、精度の良いコントロ
ールを行なうということは、実験室的には可能であって
も、生産レベルで考える場合は、容易ではない。又、加
熱蒸着の場合、蒸着材料の供給方法が大きい問題となる
。ワイア状で材料を供給する連続蒸着も一定条件下では
実用化されているが、２つのソースで行なう場合は、連
続的に蒸着を行なうことは、極めてむずかしい。Ｔｅと
ＴｅＯｘ ｆあらかじめ、所定の混合比で混合プレスし
、一定形状にペレット化して単一蒸発源として蒸着を行
なう場合、初期の混合物の組成に十分精度良くコントロ
ールしておけば、成膜後のバラつきは比較的押えやすい
。しかし、ペレット状の蒸発源である為、連続生産。
量産等を考える場合、材料供給という面で設備上複雑に
なってくる。又、ＴｅとＴ ｅＯ２の混合物を加熱によ
り蒸発させる場合、その二成分の溶融温度。
なってくる。又、ＴｅとＴ ｅＯ２の混合物を加熱によ
り蒸発させる場合、その二成分の溶融温度。
蒸発昇華温度も異々つており、蒸着中に組成ずれを起こ
してし壕う。本発明は、上記の問題全解決し、連続的に
高安定性を有するＴｅＯｘ （Ｘ ＃ １．１ ）薄ｉ
を形成する方式を提供するものである。
してし壕う。本発明は、上記の問題全解決し、連続的に
高安定性を有するＴｅＯｘ （Ｘ ＃ １．１ ）薄ｉ
を形成する方式を提供するものである。
問題点全解決するだめの手段
マルチソースの場合の各々のソースを個々に精度良く、
コントロールすることの困難さを除き、単一ペレットの
場合の蒸着中の組成ズレの発生を防ぎ、材料供給の困難
さを除き、連続生産を可能にする為に、本発明では、単
一組成からなるターゲット表面い、ｏ２（酸素）とＡｒ
（アルゴン）の混合ガスによる反応性スパッタリングに
より、連続的に高速成膜するものである。
コントロールすることの困難さを除き、単一ペレットの
場合の蒸着中の組成ズレの発生を防ぎ、材料供給の困難
さを除き、連続生産を可能にする為に、本発明では、単
一組成からなるターゲット表面い、ｏ２（酸素）とＡｒ
（アルゴン）の混合ガスによる反応性スパッタリングに
より、連続的に高速成膜するものである。
作 用
Ｔｅ 単一元素のターゲット表面いて、Ａｒと０２の混
合ガスでＴｅ ｆ酸化物化しながら成膜することにより
連続高速成膜が可能になる。ターゲットは、Ｔｅ単一元
素であるのでターゲットの減少に６へ＝／゛ 伴う、組成ずれも全く起こらない。ターゲットの厚さと
面積を適度に大きい値にすることにより、１枚のターゲ
ットより、非常に多数枚の基板に成膜を行なうことが可
能である。Ａｒと０２の混合ガスの分圧比、流量を一定
値に保持することにより、又、放電電力を一定に保つこ
とにより極めて均一な再現性の良い薄膜を製作すること
が出来る。Ｔ。
合ガスでＴｅ ｆ酸化物化しながら成膜することにより
連続高速成膜が可能になる。ターゲットは、Ｔｅ単一元
素であるのでターゲットの減少に６へ＝／゛ 伴う、組成ずれも全く起こらない。ターゲットの厚さと
面積を適度に大きい値にすることにより、１枚のターゲ
ットより、非常に多数枚の基板に成膜を行なうことが可
能である。Ａｒと０２の混合ガスの分圧比、流量を一定
値に保持することにより、又、放電電力を一定に保つこ
とにより極めて均一な再現性の良い薄膜を製作すること
が出来る。Ｔ。
と０２の膜中での組成比コントロールは、スパッターガ
ス中の０２分圧を変化させることにより容易に出来る。
ス中の０２分圧を変化させることにより容易に出来る。
実施例
Ｔｅ 単一ターゲラトラ用い、０２とＡｒの混合ガス
雰囲気中でスパッターによりＴｅＯｘ ｆ成膜する場合
の実施例を第１図に示す。８はＴｅ ターゲットを示す
。ターゲットには、負の高圧が印加されており、適当な
ガス圧で、グロー放電が起こるようにする。イオン化し
たＡｒ”、０２＋は電界により加速され、ターゲットに
ぶつかり表面より構成原子を原子ないし原子団の形で放
出させる。Ｔｅと０２＋との反応は、基板上で原子団が
固定されるま６／、、−ッ での間におこり０２＋濃度に応じた組成比を有するＴｅ
Ｏｘ薄膜が形成される。ターゲット表面に水平磁場を発
生させ電子を補足し、電離効率を高めたマグネトロンカ
ソード方式のものが、成膜速度向上、又、電子流入によ
る基板温度上昇を押えるという点で、工業的に有効であ
る。放電電場の種類として、交流電界を印加してスパッ
ターを行なう、ＲＦスパッターリ・・ング方式も採用で
きる。なお、ＲＦスパッターリング方式では、特に樹脂
基板に成膜する場合には、基板の温度上昇が問題になり
、基板よりのガス放出、変形という問題を生じる為、直
流スパッターリング方式による場合の方が、大きい成膜
速度を得ることが出来る。
雰囲気中でスパッターによりＴｅＯｘ ｆ成膜する場合
の実施例を第１図に示す。８はＴｅ ターゲットを示す
。ターゲットには、負の高圧が印加されており、適当な
ガス圧で、グロー放電が起こるようにする。イオン化し
たＡｒ”、０２＋は電界により加速され、ターゲットに
ぶつかり表面より構成原子を原子ないし原子団の形で放
出させる。Ｔｅと０２＋との反応は、基板上で原子団が
固定されるま６／、、−ッ での間におこり０２＋濃度に応じた組成比を有するＴｅ
Ｏｘ薄膜が形成される。ターゲット表面に水平磁場を発
生させ電子を補足し、電離効率を高めたマグネトロンカ
ソード方式のものが、成膜速度向上、又、電子流入によ
る基板温度上昇を押えるという点で、工業的に有効であ
る。放電電場の種類として、交流電界を印加してスパッ
ターを行なう、ＲＦスパッターリ・・ング方式も採用で
きる。なお、ＲＦスパッターリング方式では、特に樹脂
基板に成膜する場合には、基板の温度上昇が問題になり
、基板よりのガス放出、変形という問題を生じる為、直
流スパッターリング方式による場合の方が、大きい成膜
速度を得ることが出来る。
膜中のＴｅとＯの比をコントロールする方法として、（
７）０２分圧をコントロールする。（イ）スパッター速
度ヲコントロールする。（つ）全体のガス圧をコントロ
ールする。等、いくつかのコントロール方法がある。第
２図に、０２分圧を変えて（Ａｒ ＋ ０２圧力は一定
）スパッタ′−シた場合の、０゜分圧に対する膜中の０
／（Ｔｅ＋Ｏ）の比を示す。
７）０２分圧をコントロールする。（イ）スパッター速
度ヲコントロールする。（つ）全体のガス圧をコントロ
ールする。等、いくつかのコントロール方法がある。第
２図に、０２分圧を変えて（Ａｒ ＋ ０２圧力は一定
）スパッタ′−シた場合の、０゜分圧に対する膜中の０
／（Ｔｅ＋Ｏ）の比を示す。
０２分圧が零であれば、つまりＡｒ ガスのみで放電
させた場合には、オージェ電子分光分析又はＸ線光電子
分光分析によると、膜中にはＯは存在せず、Ｔｅ の単
一組成膜となる。又、０２のみで放電させてスパッター
した場合は、基板に付着するＴｅ粒子は完全に酸化され
て、Ｔ ｅＯ２膜になり透明膜が得られる。酸素分圧を
変化させることにより第２図に示したように、膜組成ｉ
Ｔｅ 単一組成から、Ｔ ｅＯ２の範囲捷で変化させる
ことが出来る。
させた場合には、オージェ電子分光分析又はＸ線光電子
分光分析によると、膜中にはＯは存在せず、Ｔｅ の単
一組成膜となる。又、０２のみで放電させてスパッター
した場合は、基板に付着するＴｅ粒子は完全に酸化され
て、Ｔ ｅＯ２膜になり透明膜が得られる。酸素分圧を
変化させることにより第２図に示したように、膜組成ｉ
Ｔｅ 単一組成から、Ｔ ｅＯ２の範囲捷で変化させる
ことが出来る。
酸素分圧全選定することにより容易にＯ／（Ｔｅ＋０）
：０．５２ （Ｔｅａｌ、１） の組成を得ることが
出来、安定性と記録特性全満足し得る記録膜を得ること
が出来る。（０２＋ Ａ ｒ）圧力が一定の場合、０２
分圧が大きくなるにつれて、Ａｒ よりＯの原子の原
子量が小さい故、スパッター効率が落ち、スノくツタ−
速度は小さくなってくる。成膜速度は、膜厚１０００〜
１１００人に成膜する為には、直径６インチ程度のター
ゲット径用いた場合、ディスク１枚あたり、２０〜３ｏ
秒で十分である。ターゲット径は１００インチ程のもの
をつくるのもさほど困難ではなく、そうした大きいター
ゲットを使用すれば、さらにディスク１枚あたりの成膜
速度全あげることが出来、極めて量産の面で有利になる
。
：０．５２ （Ｔｅａｌ、１） の組成を得ることが
出来、安定性と記録特性全満足し得る記録膜を得ること
が出来る。（０２＋ Ａ ｒ）圧力が一定の場合、０２
分圧が大きくなるにつれて、Ａｒ よりＯの原子の原
子量が小さい故、スパッター効率が落ち、スノくツタ−
速度は小さくなってくる。成膜速度は、膜厚１０００〜
１１００人に成膜する為には、直径６インチ程度のター
ゲット径用いた場合、ディスク１枚あたり、２０〜３ｏ
秒で十分である。ターゲット径は１００インチ程のもの
をつくるのもさほど困難ではなく、そうした大きいター
ゲットを使用すれば、さらにディスク１枚あたりの成膜
速度全あげることが出来、極めて量産の面で有利になる
。
ターゲットの厚みも、５〜１０ｍｍ程度のものを得るこ
とは容易であり、従って１枚のターゲットから数十枚〜
数万枚のディスクを作ることが可能である。
とは容易であり、従って１枚のターゲットから数十枚〜
数万枚のディスクを作ることが可能である。
発明の効果
１枚のターゲットより相当多数枚のディスクを連続的に
生産するととが出来る為、本発明は従来方法に比べて、
蒸着材料供給機構等が簡単なものですむ。又、成膜速度
も面積の大きいターゲットを使用することによりディス
ク１枚あたり数十秒という値を容易に実現出来る。さら
に成膜時間を短かく出来ることにより、ディスクコスト
中に占める、設備償却コスト、製造コストヲ大幅に低減
することが可能であり、光ディスクの低価格化。
生産するととが出来る為、本発明は従来方法に比べて、
蒸着材料供給機構等が簡単なものですむ。又、成膜速度
も面積の大きいターゲットを使用することによりディス
ク１枚あたり数十秒という値を容易に実現出来る。さら
に成膜時間を短かく出来ることにより、ディスクコスト
中に占める、設備償却コスト、製造コストヲ大幅に低減
することが可能であり、光ディスクの低価格化。
普及に太きく貢献するもｑである。
第１図は本発明の反応性スパッター法による９へ−
ＴｅＱｘ成膜法を実現する装置の要部斜視図、第２図は
０２分圧と膜中のＯ／Ｔｅ＋Ｏ比を示す特性図、第３図
はマルチソースを有する装置の要部斜視図、第４図は単
一ペレットヲ有する装置の要部斜視図である。 １・・・・・・ディスク基板、８・・・・ターゲット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾敏 男 ほか１名Ｖｓ１
図 第２図 ０２分ルＣ’ＡＪ
０２分圧と膜中のＯ／Ｔｅ＋Ｏ比を示す特性図、第３図
はマルチソースを有する装置の要部斜視図、第４図は単
一ペレットヲ有する装置の要部斜視図である。 １・・・・・・ディスク基板、８・・・・ターゲット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾敏 男 ほか１名Ｖｓ１
図 第２図 ０２分ルＣ’ＡＪ
Claims (2)
- （１）Ｔｅを主成分とする母材と酸素とアルゴンを含む
放電気体を用い、前記母材に対向する部所に配設した基
板上にＴｅＯ＿ｘ（ｘ＝０．５〜１．５）を主成分とす
る薄膜をスパッター法により形成することを特徴とする
情報記録薄膜形成方法。 - （２）放電気体中の酸素含有量を、体積比で、１０％〜
６０％としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の情報記録薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP863985A JPS61168151A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 情報記録薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP863985A JPS61168151A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 情報記録薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168151A true JPS61168151A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH0425615B2 JPH0425615B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=11698519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP863985A Granted JPS61168151A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 情報記録薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282239A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-22 | Agfa Gevaert Ag | フイルム・カートリツジの構造のためのプロセスと装置 |
| US7033659B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-04-25 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical information recording medium and method of recording and reproducing information on and from optical information recording medium |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543725A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Kubota Ltd | Front axle structure for tractor |
| JPS5930801A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Shoko Tsusho Kk | 球状重合体の製造方法およびその製造装置 |
| JPS59118529A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-09 | Suzuki Motor Co Ltd | 二輪車のラジエ−タ装置 |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP863985A patent/JPS61168151A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543725A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Kubota Ltd | Front axle structure for tractor |
| JPS5930801A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Shoko Tsusho Kk | 球状重合体の製造方法およびその製造装置 |
| JPS59118529A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-09 | Suzuki Motor Co Ltd | 二輪車のラジエ−タ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282239A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-22 | Agfa Gevaert Ag | フイルム・カートリツジの構造のためのプロセスと装置 |
| US7033659B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-04-25 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical information recording medium and method of recording and reproducing information on and from optical information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425615B2 (ja) | 1992-05-01 |
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