JPS60194534A - ボンデイング装置 - Google Patents

ボンデイング装置

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JPS60194534A
JPS60194534A JP59050615A JP5061584A JPS60194534A JP S60194534 A JPS60194534 A JP S60194534A JP 59050615 A JP59050615 A JP 59050615A JP 5061584 A JP5061584 A JP 5061584A JP S60194534 A JPS60194534 A JP S60194534A
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JP
Japan
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horn
bonding
blow
ultrasonic vibrator
lower heater
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Application number
JP59050615A
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English (en)
Inventor
Hisataka Akimoto
秋本　久貴
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はペレットの半導体素子及びフレームのリード
を超音波発振子（以下、ＵＳホーンと称す）を用いて例
えばＡｕ線で結線（ボンディング）してなるボンディン
グ装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
一般に、この種のボンディング装置はまずレール１０に
よって搬送されてきたフレーム１１を上及び下部ヒータ
ブロック１２．１３で温め、次に、そのポンディング位
置でボンディング駆動機構１−４を介して駆動されるＵ
Ｓホーン１５によって、クランパ一部１６及びキャビラ
ー１７に設置されたＡｕ線１８でペレットの半導体素子
及びフレーム１１のリードを選択的にポンディングする
ようになっている。
〔背景技術の問題点〕
ところが、上記ポンディソゲ装置はフレーム１１を上及
び下部ヒータブロック１２．１３によって温めながらＵ
Ｓホーン１５でポンディングするように構成されること
で、その駆動にともなって上及び下部ヒータブロック１
２．１３の熱がＵＳホーソ１５に伝導される。そのため
。
ＵＳホーン１５が熱影響から歪みが生じ、ボンディング
位置をずらす如く精度が低下され、その製品及び信頼性
を低下させるとい゛う問題がある。また、これによれば
、ＵＳホーン１５が熱影響から劣化して、その寿命を低
下させるという問題も有している。
〔発明の目的〕
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、製品の
歩留及び信頼性が向上するようにボンディング精度を向
上化し得、かつ超音波発振子の寿命を向上化するように
したボンディング装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
すなわち、この発明はペレットの半導体素子及びフレー
ムのリードをボンディング線で結線してなる超音波発振
子を有したボンディング装置において、前記超音波発振
子に対応して該超音波発振子の温度制御を行う冷却手段
を備えたことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
第２図はこの発明の一実施例に係るボンディング装置を
示すもので１図中第１図と同一部分については同一符号
を付して、その説明を省略する。
すなわち、ボンディング駆動機構ノー４によって所定の
状態に駆動されてボンディング動作を行うＵＳホーン１
５はその基瑞が取付プロ゛ツク１９に支持されており、
その両側部にはブローパイプ２０及び遮断パイプ２１が
段違い状に挟装する如く（第３図（ｂ）参照）並設され
る。これらブロー及び遮断パイプ２０．２１はそれぞれ
図示しない供給源から例えばＮ、ガス等が供給されるも
ので、その各一方端が第３図に示すように取付板２２．
２３を介して上記取付ブロック１９に支持されている。
そして、このうち、一方のブローパイプ２０の他方端部
にはＵＳホーン１５に対応して複数の吹出ノズル部２４
が所定の間隔に形成され、他方の遮断パイプ２ノの他方
端部にはＵＳホーン１５と上及び下部・ニータブロック
１２．１３の中間部に対応して複Ｊ、Ｔの吹出ノズル部
２５が所定の間隔に形成される。
すなわち、上記ボンディング装置はそのボンディング駆
動機構１−４が駆動されてＵＳホーン１５によってボン
ディングが行なわれると、そのブロー及び遮断パイプ２
０．２１に例えばＮ。
ガスが供給される。すると、これらブロー及び遮ＩＭｉ
　ハ４　フ、２　ｏ　、　２７の各吹出ノズル部２４．
２５からはＵＳホーン１５及び該ＵＳホーン１５と上及
び下部ヒータブロック１２．１３と（Ｄ中間部ｔｔｃ　
対し　Ｎ　２　ガスが噴射されて、ＵＳホーン１５を直
接的に冷却すると共に、上及び下部ヒータブロツ’／　
Ｊ　２　、　Ｉ　Ｊからの熱伝達を遮断する。この結果
、上記Ｕ’８ホーン１５はその温度が所定の状態に保た
れながら上記ボンディング駆動機構１４によって駆動さ
れて、クランパ一部１６及びキャピラリー１７に設置さ
れたＡｕ線１８でペレット２６の半導体素子（図示せず
）とフレーム１ノのリードＩＬ１　をボンディングする
。
このように、上記ボンディング装置ではＵＳホーン１５
に対応してブロー及び遮断パイプ２０．２ノを設け、上
及び下部ヒータブロック１２．１３からの熱を直接的に
冷却すると共に。
その熱伝導を遮断するように構成した。これによれば、
上記ＵＳホーン１６の歪みを確実に防止し得ることで、
そのボンディング精度の向上化を促進し得、製品の歩留
及び信頼性の向上に寄与できる。
第４図はこの発明の他の実施例を示すもので、ＵＳホー
ン１５を包囲するように冷却用の箱体２７を設け、この
箱体２７にＮ２ガス等を供給して冷却を行なうように構
成したもので、略同様の効果を期待できる。
なお、この発明は上記各実施例に限ることなく、例えば
ＵＳホーン１５のキャピラリー１７近傍に対し、直接的
にＮ２ガス等を噴射して冷却するように構成しても略同
様の効果を期待できる。よってこの発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々の変形を実施し得ることは云う迄もない
ことである。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、この発明によれば、製品の歩留及
び信頼性が向上するようにボンディン１６グ精度を向上
化し得、か超音波発振子の寿命を向上化するようにした
ボンディング装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のボンディング装置を示す構成図、第２図
はこの発明の一実施例に係るボンディング装置！′を示
す構成図、第３図（ａｌ　、　（ｂｌはそれぞれ第２図
の要部を示す斜視図及び正面図、第４図はこの発明の他
の実施例を示す正面図である。 １０・・・レール、１１・・・フレーム、１２・・・土
部ヒータブロック、１３・・・下部ヒータブロック、１
４・・・ボンディング駆動機構、１５・・・ＵＳホーン
、１６・・・クランパ一部、１７・・・キヤピラリー。 １８・・Ａｕ線、１９・・・取付ブロック、２０・・・
ブ　１゜ローパイプ、２〕・・・遮断パイプ、２２．２
３・・・取付板＋２４．２５・・・吹出ノズル部、２６
・・・ペレット、２７・・・箱体。 出１翰人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ペレットの半導体素子及びフレームのリードをポンディ
    ング線で結線してなる超音波発振子ヲ有シたボンディン
    グ装置において、前記超音波発振子に対応して該超音波
    発振子の温度制御を行う冷却手段を備えたことを特徴と
    するボンディング装置。
JP59050615A 1984-03-16 1984-03-16 ボンデイング装置 Pending JPS60194534A (ja)

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JP59050615A JPS60194534A (ja) 1984-03-16 1984-03-16 ボンデイング装置

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JP59050615A JPS60194534A (ja) 1984-03-16 1984-03-16 ボンデイング装置

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JPS60194534A true JPS60194534A (ja) 1985-10-03

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ID=12863875

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JP59050615A Pending JPS60194534A (ja) 1984-03-16 1984-03-16 ボンデイング装置

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JP (1) JPS60194534A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5116783A (en) * 1989-01-13 1992-05-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor device
US5229646A (en) * 1989-01-13 1993-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with a copper wires ball bonded to aluminum electrodes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5116783A (en) * 1989-01-13 1992-05-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor device
US5229646A (en) * 1989-01-13 1993-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with a copper wires ball bonded to aluminum electrodes

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