JP3758783B2 - キュア装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、キュア装置に関し、詳しくは、例えばLSI等の半導体デバイスを製造する工程でダイボンダによりチップをリードフレームに接着(ダイボンド処理)した後、接着剤を熱硬化させてチップをリードフレームに固着するために用いられるキュア装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスを製造する工程で用いられるキュア装置は、ダイボンダでダイボンド処理したリードフレームを所定温度に加熱し、ダイボンド処理に用いた接着剤を熱硬化させるものであって、例えば、特開平4−135811号公報や特開平7−106348号公報等に記載されているように、所定温度に加熱保持した複数のヒートブロック上に順次リードフレームを載置するようにして搬送しながら加熱する構造を有している。また、このようなキュア装置では、加熱時に接着剤から発生するガスをパージするため、不活性ガス、通常は窒素ガスからなるパージガスを使用している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のキュア装置は、上記パージガスをヒートブロックの上方からリードフレームに向けて吹き付けるように供給し、ヒートブロック間から下方に排出するようにしているため、ヒートブロックにより所定温度に加熱されているリードフレームの表面に急激な熱変動を与えることがあった。すなわち、キュア装置では、前記複数のヒートブロックを、接着剤の熱硬化に適した所定の昇温パターンで加熱するようにしているため、各ヒートブロックは、前記昇温パターンに応じた異なる温度に保持されているが、パージガスは、適宜な加熱手段で一括して適当な温度に加熱された状態で供給されるため、あるヒートブロックの部分ではパージガスの方が温度が高く、他のヒートブロックの部分ではヒートブロック(リードフレーム)の方が温度が高いという現象が生じる。
【0004】
したがって、加熱されるリードフレームは、ヒートブロック上に載置されている状態では所定の温度に加熱保持されているが、パージガスの方が温度が高い部分では、ヒートブロックから離れたリードフレームが一時的に加熱されることになり、他の部分では一時的にリードフレームが冷却されることになる。このように、所定の昇温パターンで加熱すべきキュア処理中に、一時的な加熱や冷却が行われることは好ましいことではなく、加熱・冷却の程度が大きい場合には、製品の品質に影響を与えるおそれもある。
【0005】
そこで本発明は、キュア装置内に供給するパージガスの温度を、パージガス供給位置のヒートブロックの温度に対応した温度に加熱することができ、安定した状態でキュア処理を行うことができるキュア装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のキュア装置は、トンネル状に形成した加熱硬化室内に、リードフレームの搬送ステップに対応した位置に所定間隔を設けて複数のヒートブロックを配設するとともに、加熱硬化処理によって発生するガスをパージガスによりパージするキュア装置において、前記パージガスを、前記ヒートブロックの下方からヒートブロック同士の間を通して前記加熱硬化室内に供給し、各ヒートブロック中心線上の上方に設けたスリットから排出するように形成したことを特徴としている。
【0007】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明のキュア装置の一例を示す要部の断面正面図、図2は同じく断面平面図、図3及び図4は、キュア装置の内部構造を説明するために一部のヒートブロック等を取外した状態を示すもので、図3は正面図、図4は平面図である。図5はキュア装置におけるリードフレームの搬送手段を説明するための斜視図である。
【0008】
まず、図3及び図4に示すように、キュア装置は、箱型のトンネル状に形成した加熱硬化室11の一端にキュア処理を行うリードフレームを受け取る受入部12を、他端にキュア処理後のリードフレームを送り出す送出部13を設け、加熱硬化室11の内部に複数のヒートブロック14,14を設けるとともに、リードフレームを受入部12からヒートブロック14,14上を経て送出部13に搬送するための搬送手段15(図5参照)を設けたものである。
【0009】
前記ヒートブロック14は、加熱硬化室11の底板上に設けられる支持台16の上に着脱可能に装着されるもので、その内部にヒーターを挿入するためのヒーター挿入孔17が設けられている。このヒートブロック14は、リードフレームの最大幅寸法等によって決まる搬送ステップに対応した位置に配設されるもので、隣接するヒートブロック14,14間には、数mmの間隔がスリット状に設けられている。また、ヒートブロック14の上面には、搬送手段15の搬送部材15aが通るスリット18aを形成するためのヒート駒18が取付けられている。
【0010】
さらに、前記ヒートブロック14の上方には、各ヒートブロック14の中心線上に対応した位置に排気スリット19を形成するようにして複数の隔壁板20,20が設けられており、該隔壁板20の上方に、加熱硬化室11の天板21が設けられている。この天板21と前記隔壁板20とは、加熱硬化室11内の状態を確認できるようにガラス等の透明部材で形成されており、また、メンテナンス等を行うために着脱可能あるいは開閉可能に形成されている。
【0011】
そして、加熱硬化室11の底板部分には、パージガスを加熱硬化室11内に供給するためのパージガス供給管22が設けられ、前記天板21と隔壁板20との間の側壁には、パージガスを加熱硬化室11から排出するための排気口23(図1及び図2参照)が設けられている。
【0012】
前記搬送手段15は、図5に示すように、前記ヒート駒18間のスリット18aを通る複数本の搬送部材15aと、この搬送部材15aの両端部を保持する一対の駆動部材15bとからなるもので、両駆動部材15bが、図示しない駆動装置により、上昇して前進、下降して後退するという、いわゆるボックス運動を行ってリードフレームPを順次搬送するように形成されている。したがって、リードフレームPは、搬送部材15aの上昇前進時にはヒート駒18の上面から僅かに浮き上がり、搬送部材15aの下降後退時にはヒート駒18の上面に載置された状態になる。
【0013】
このように形成したキュア装置において、前記パージガス供給管22から加熱硬化室11内に供給されるパージガス、例えば窒素ガスは、図1及び図2に示すように、前記ヒートブロック14の下方の支持台16部分の空間(流路A)を通り、隣接するヒートブロック14同士の間の空間(流路B)を上昇してヒートブロック14の両側から上方に流出する。このとき、パージガスは、所定温度に加熱保持されているヒートブロック14の周囲の流路A及び流路Bを流れる間に、ヒートブロック14の温度近くまで加熱された状態になる。
【0014】
したがって、パージガスは、各ヒートブロック14に応じた温度に加熱された状態、すなわち、各ヒートブロック14上のリードフレームPと略同じ温度で加熱硬化室11内に供給されるので、搬送手段15により搬送されるリードフレームPの表面に急激な熱変動を与えることがなくなる。これにより、所定の温度条件に近い状態でキュア処理を行うことが可能となり、キュア特性を向上させることができる。
【0015】
上述のようにしてヒートブロック14の上方に流出したパージガスは、接着剤から発生したガスを同伴して隔壁板20間の排気スリット19を通り、天板21と隔壁板20との間の空間に流入し、排気口23から排気通路24を経て加熱硬化室11の外部に排出される。
【0016】
また、本形態例に示すように、パージガスの加熱をヒートブロック14で行うことができるので、パージガス加熱用に別のヒーターを設ける必要がなくなり、装置の簡略化も図れる。さらに、保守作業等でヒートブロック14を冷却する場合には、ヒートブロック14に直接冷風を当てることができるので、ヒートブロック14の冷却に要する時間も短縮することができる。
【0017】
図6乃至図8は、本発明の他の形態例を示すもので、図6は要部の断面正面図、図7は同じく断面側面図、図8は同じく断面平面図である。このキュア装置は、供給するパージガスの均一化を図るため、ヒートブロック14の下方にチャンバ31を形成し、このチャンバ31の幅方向中央部に、装置長手方向に延びるチャンネル32を設けるとともに、該チャンネル32の側面のヒートブロック14の中心部に対応した位置にノズル33を設けたものである。
【0018】
パージガス供給管22から供給されるパージガスは、該パージガス供給管22の先端部側面に設けられた噴出口34から前記チャンネル32内に流入し、前記ノズル33から各ヒートブロック14の真下に幅方向に向かって噴出する。したがって、チャンネル32の形状やノズル33の大きさ、チャンバ31の形状や容積等を適当に設定することにより、各ヒートブロック部分に均等にパージガスを供給することができる。
【0019】
また、本形態例では、加熱硬化室11の一側面に排気マニホールド35を設けるとともに、天板21と隔壁板20との間に、前記排気マニホールド35に接続した排気パイプ36を設けている。この排気パイプ36は、隣り合う排気スリット19,19の中間部に設けられており、その上面中央部には、複数の排気孔37が設けられている。
【0020】
したがって、隣接するヒートブロック14同士の間の空間を上昇してヒートブロック14の両側から上方に流出したパージガスは、ヒートブロック14の上面と隔壁板20との間を排気スリット19方向に流れ、ここでリードフレームPのチップ接着用に使用した接着剤から発生する各種ガスを同伴して排気スリット19から天板21と隔壁板20との間に流出する。そして、排気孔37から排気パイプ36内に流入し、排気マニホールド35から装置外に排出される。
【0021】
この場合も、排気パイプ36の径、排気孔37の大きさや位置を適当に設定することにより、パージガスを均一に排出することができ、ガス溜まりを生じることがなく、接着剤から発生するガスを速やかにパージすることができる。
【0022】
なお、本形態例では、図7に示すように、加熱硬化室11の上半部を構成する前記隔壁板20,天板21及び排気マニホールド35を上部側枠38で支持し、この上部側枠38をヒンジ39により下部側枠40に取付け、隔壁板20,天板21を開閉可能な構造としている。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のキュア装置によれば、リードフレームの表面に温度差を有するパージガスが吹付けられることがないので、所定の昇温パターンでキュア処理することができ、品質の向上や安定化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のキュア装置の一例を示す要部の断面正面図である。
【図2】 同じく断面平面図である。
【図3】 キュア装置の内部構造を説明するための正面図である。
【図4】 同じく平面図である。
【図5】 搬送手段を説明するための斜視図である。
【図6】 本発明の他の形態例を示す要部の断面正面図である。
【図7】 同じく断面側面図である。
【図8】 同じく断面平面図である。
【符号の説明】
11…加熱硬化室、12…受入部、13…送出部、14…ヒートブロック、15…搬送手段、16…支持台、17…ヒーター挿入孔、18…ヒート駒、19…排気スリット、20…隔壁板、21…天板、22…パージガス供給管、23…排気口、31…チャンバ、32…チャンネル、33…ノズル、34…噴出口、35…排気マニホールド、36…排気パイプ、37…排気孔、38…上部側枠、39…ヒンジ、40…下部側枠
【発明の属する技術分野】
本発明は、キュア装置に関し、詳しくは、例えばLSI等の半導体デバイスを製造する工程でダイボンダによりチップをリードフレームに接着(ダイボンド処理)した後、接着剤を熱硬化させてチップをリードフレームに固着するために用いられるキュア装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスを製造する工程で用いられるキュア装置は、ダイボンダでダイボンド処理したリードフレームを所定温度に加熱し、ダイボンド処理に用いた接着剤を熱硬化させるものであって、例えば、特開平4−135811号公報や特開平7−106348号公報等に記載されているように、所定温度に加熱保持した複数のヒートブロック上に順次リードフレームを載置するようにして搬送しながら加熱する構造を有している。また、このようなキュア装置では、加熱時に接着剤から発生するガスをパージするため、不活性ガス、通常は窒素ガスからなるパージガスを使用している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のキュア装置は、上記パージガスをヒートブロックの上方からリードフレームに向けて吹き付けるように供給し、ヒートブロック間から下方に排出するようにしているため、ヒートブロックにより所定温度に加熱されているリードフレームの表面に急激な熱変動を与えることがあった。すなわち、キュア装置では、前記複数のヒートブロックを、接着剤の熱硬化に適した所定の昇温パターンで加熱するようにしているため、各ヒートブロックは、前記昇温パターンに応じた異なる温度に保持されているが、パージガスは、適宜な加熱手段で一括して適当な温度に加熱された状態で供給されるため、あるヒートブロックの部分ではパージガスの方が温度が高く、他のヒートブロックの部分ではヒートブロック(リードフレーム)の方が温度が高いという現象が生じる。
【0004】
したがって、加熱されるリードフレームは、ヒートブロック上に載置されている状態では所定の温度に加熱保持されているが、パージガスの方が温度が高い部分では、ヒートブロックから離れたリードフレームが一時的に加熱されることになり、他の部分では一時的にリードフレームが冷却されることになる。このように、所定の昇温パターンで加熱すべきキュア処理中に、一時的な加熱や冷却が行われることは好ましいことではなく、加熱・冷却の程度が大きい場合には、製品の品質に影響を与えるおそれもある。
【0005】
そこで本発明は、キュア装置内に供給するパージガスの温度を、パージガス供給位置のヒートブロックの温度に対応した温度に加熱することができ、安定した状態でキュア処理を行うことができるキュア装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のキュア装置は、トンネル状に形成した加熱硬化室内に、リードフレームの搬送ステップに対応した位置に所定間隔を設けて複数のヒートブロックを配設するとともに、加熱硬化処理によって発生するガスをパージガスによりパージするキュア装置において、前記パージガスを、前記ヒートブロックの下方からヒートブロック同士の間を通して前記加熱硬化室内に供給し、各ヒートブロック中心線上の上方に設けたスリットから排出するように形成したことを特徴としている。
【0007】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明のキュア装置の一例を示す要部の断面正面図、図2は同じく断面平面図、図3及び図4は、キュア装置の内部構造を説明するために一部のヒートブロック等を取外した状態を示すもので、図3は正面図、図4は平面図である。図5はキュア装置におけるリードフレームの搬送手段を説明するための斜視図である。
【0008】
まず、図3及び図4に示すように、キュア装置は、箱型のトンネル状に形成した加熱硬化室11の一端にキュア処理を行うリードフレームを受け取る受入部12を、他端にキュア処理後のリードフレームを送り出す送出部13を設け、加熱硬化室11の内部に複数のヒートブロック14,14を設けるとともに、リードフレームを受入部12からヒートブロック14,14上を経て送出部13に搬送するための搬送手段15(図5参照)を設けたものである。
【0009】
前記ヒートブロック14は、加熱硬化室11の底板上に設けられる支持台16の上に着脱可能に装着されるもので、その内部にヒーターを挿入するためのヒーター挿入孔17が設けられている。このヒートブロック14は、リードフレームの最大幅寸法等によって決まる搬送ステップに対応した位置に配設されるもので、隣接するヒートブロック14,14間には、数mmの間隔がスリット状に設けられている。また、ヒートブロック14の上面には、搬送手段15の搬送部材15aが通るスリット18aを形成するためのヒート駒18が取付けられている。
【0010】
さらに、前記ヒートブロック14の上方には、各ヒートブロック14の中心線上に対応した位置に排気スリット19を形成するようにして複数の隔壁板20,20が設けられており、該隔壁板20の上方に、加熱硬化室11の天板21が設けられている。この天板21と前記隔壁板20とは、加熱硬化室11内の状態を確認できるようにガラス等の透明部材で形成されており、また、メンテナンス等を行うために着脱可能あるいは開閉可能に形成されている。
【0011】
そして、加熱硬化室11の底板部分には、パージガスを加熱硬化室11内に供給するためのパージガス供給管22が設けられ、前記天板21と隔壁板20との間の側壁には、パージガスを加熱硬化室11から排出するための排気口23(図1及び図2参照)が設けられている。
【0012】
前記搬送手段15は、図5に示すように、前記ヒート駒18間のスリット18aを通る複数本の搬送部材15aと、この搬送部材15aの両端部を保持する一対の駆動部材15bとからなるもので、両駆動部材15bが、図示しない駆動装置により、上昇して前進、下降して後退するという、いわゆるボックス運動を行ってリードフレームPを順次搬送するように形成されている。したがって、リードフレームPは、搬送部材15aの上昇前進時にはヒート駒18の上面から僅かに浮き上がり、搬送部材15aの下降後退時にはヒート駒18の上面に載置された状態になる。
【0013】
このように形成したキュア装置において、前記パージガス供給管22から加熱硬化室11内に供給されるパージガス、例えば窒素ガスは、図1及び図2に示すように、前記ヒートブロック14の下方の支持台16部分の空間(流路A)を通り、隣接するヒートブロック14同士の間の空間(流路B)を上昇してヒートブロック14の両側から上方に流出する。このとき、パージガスは、所定温度に加熱保持されているヒートブロック14の周囲の流路A及び流路Bを流れる間に、ヒートブロック14の温度近くまで加熱された状態になる。
【0014】
したがって、パージガスは、各ヒートブロック14に応じた温度に加熱された状態、すなわち、各ヒートブロック14上のリードフレームPと略同じ温度で加熱硬化室11内に供給されるので、搬送手段15により搬送されるリードフレームPの表面に急激な熱変動を与えることがなくなる。これにより、所定の温度条件に近い状態でキュア処理を行うことが可能となり、キュア特性を向上させることができる。
【0015】
上述のようにしてヒートブロック14の上方に流出したパージガスは、接着剤から発生したガスを同伴して隔壁板20間の排気スリット19を通り、天板21と隔壁板20との間の空間に流入し、排気口23から排気通路24を経て加熱硬化室11の外部に排出される。
【0016】
また、本形態例に示すように、パージガスの加熱をヒートブロック14で行うことができるので、パージガス加熱用に別のヒーターを設ける必要がなくなり、装置の簡略化も図れる。さらに、保守作業等でヒートブロック14を冷却する場合には、ヒートブロック14に直接冷風を当てることができるので、ヒートブロック14の冷却に要する時間も短縮することができる。
【0017】
図6乃至図8は、本発明の他の形態例を示すもので、図6は要部の断面正面図、図7は同じく断面側面図、図8は同じく断面平面図である。このキュア装置は、供給するパージガスの均一化を図るため、ヒートブロック14の下方にチャンバ31を形成し、このチャンバ31の幅方向中央部に、装置長手方向に延びるチャンネル32を設けるとともに、該チャンネル32の側面のヒートブロック14の中心部に対応した位置にノズル33を設けたものである。
【0018】
パージガス供給管22から供給されるパージガスは、該パージガス供給管22の先端部側面に設けられた噴出口34から前記チャンネル32内に流入し、前記ノズル33から各ヒートブロック14の真下に幅方向に向かって噴出する。したがって、チャンネル32の形状やノズル33の大きさ、チャンバ31の形状や容積等を適当に設定することにより、各ヒートブロック部分に均等にパージガスを供給することができる。
【0019】
また、本形態例では、加熱硬化室11の一側面に排気マニホールド35を設けるとともに、天板21と隔壁板20との間に、前記排気マニホールド35に接続した排気パイプ36を設けている。この排気パイプ36は、隣り合う排気スリット19,19の中間部に設けられており、その上面中央部には、複数の排気孔37が設けられている。
【0020】
したがって、隣接するヒートブロック14同士の間の空間を上昇してヒートブロック14の両側から上方に流出したパージガスは、ヒートブロック14の上面と隔壁板20との間を排気スリット19方向に流れ、ここでリードフレームPのチップ接着用に使用した接着剤から発生する各種ガスを同伴して排気スリット19から天板21と隔壁板20との間に流出する。そして、排気孔37から排気パイプ36内に流入し、排気マニホールド35から装置外に排出される。
【0021】
この場合も、排気パイプ36の径、排気孔37の大きさや位置を適当に設定することにより、パージガスを均一に排出することができ、ガス溜まりを生じることがなく、接着剤から発生するガスを速やかにパージすることができる。
【0022】
なお、本形態例では、図7に示すように、加熱硬化室11の上半部を構成する前記隔壁板20,天板21及び排気マニホールド35を上部側枠38で支持し、この上部側枠38をヒンジ39により下部側枠40に取付け、隔壁板20,天板21を開閉可能な構造としている。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のキュア装置によれば、リードフレームの表面に温度差を有するパージガスが吹付けられることがないので、所定の昇温パターンでキュア処理することができ、品質の向上や安定化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のキュア装置の一例を示す要部の断面正面図である。
【図2】 同じく断面平面図である。
【図3】 キュア装置の内部構造を説明するための正面図である。
【図4】 同じく平面図である。
【図5】 搬送手段を説明するための斜視図である。
【図6】 本発明の他の形態例を示す要部の断面正面図である。
【図7】 同じく断面側面図である。
【図8】 同じく断面平面図である。
【符号の説明】
11…加熱硬化室、12…受入部、13…送出部、14…ヒートブロック、15…搬送手段、16…支持台、17…ヒーター挿入孔、18…ヒート駒、19…排気スリット、20…隔壁板、21…天板、22…パージガス供給管、23…排気口、31…チャンバ、32…チャンネル、33…ノズル、34…噴出口、35…排気マニホールド、36…排気パイプ、37…排気孔、38…上部側枠、39…ヒンジ、40…下部側枠
Claims (1)
- トンネル状に形成した加熱硬化室内に、リードフレームの搬送ステップに対応した位置に所定間隔を設けて複数のヒートブロックを配設するとともに、加熱硬化処理によって発生するガスをパージガスによりパージするキュア装置において、前記パージガスを、前記ヒートブロックの下方からヒートブロック同士の間を通して前記加熱硬化室内に供給し、各ヒートブロック中心線上の上方に設けたスリットから排出するように形成したことを特徴とするキュア装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02067397A JP3758783B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | キュア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02067397A JP3758783B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | キュア装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10223661A JPH10223661A (ja) | 1998-08-21 |
JP3758783B2 true JP3758783B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=12033726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP02067397A Expired - Fee Related JP3758783B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | キュア装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3758783B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH708881B1 (de) * | 2013-11-20 | 2017-06-15 | Besi Switzerland Ag | Durchlaufofen für Substrate, die mit Bauteilen bestückt werden, und Die Bonder. |
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1997
- 1997-02-03 JP JP02067397A patent/JP3758783B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10223661A (ja) | 1998-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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