JP2000349102A - ボンディング装置用フレーム押さえ、ボンディング装置及び半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 （１）リードフレームの仕様変更に対して必
要最小限の部品変更で対処可能とする点及び（２）還元
ガスの冷却防止。 【解決手段】 リードフレーム押さえを、フレーム押さ
え本体２６と、例えば弾性体より成る中間プレート２８
と、ガス板２９とより構成する。フレーム押さえ本体２
６内のガス経路内にヒータを内蔵する昇温ネジを設け
て、フレーム押さえ本体２６自体を予熱すると共に、ガ
ス導入口３３から導入された還元ガスを昇温する。フレ
ーム押さえ本体２６の下面側に設けられたガス排出用の
溝部を、中間プレート２８に設けた穴を介して、ガス板
２９の上面に設けた溝と連通させる。更にガス板２９
は、上記溝の一端側と繋がったテーパ部を有しており、
溝内に流入した還元ガスをテーパ形状で作られる方向で
リードフレーム２１上へ吹出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子に対
するボンディング工程時にリードフレームをヒートブロ
ックに押さえ付ける技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は、特開昭６２−３５６３２号公報
に開示された従来のフレーム押さえを搭載するペレット
ボンディング装置を示す断面図である。図７において、
ペレット１はリードフレーム２上にダイボンディングさ
れる。リードフレーム２には、複数のタブ３とリード４
とが配設されている。そして、搬送路の途中にヒートブ
ロック６が敷設されており、ヒートブロック６はリード
フレーム２の下面に接触して同フレーム２を加熱し得る
ように構成されている。又、ヒートブロック６の適当位
置の真上にはボンディングヘッドとしてのコレット７が
位置するようになっており、コレット７はペレット１を
真空吸着により保持してリードフレーム２上のタブ３に
擦り付け得る様に構成されている。

【０００３】更にヒートブロック６の真上には、リード
フレーム押さえ８が、タブ３を取り囲むようにしてリー
ドフレーム２をヒートブロック６に押さえ付け得るよう
に設けられている。そして、リードフレーム押さえ８
は、上下動可能となる様に支持部９を介して駆動装置
（図示せず）に連携されていると共に、支持部９に内蔵
されているヒータ１０によって加熱されるようになって
いる。

【０００４】このように構成されているリードフレーム
押さえ８の内部には、ガス通路１１がリードフレーム２
の形状に略沿うように穿設されており、リードフレーム
押さえ８の下面両側縁部に切設された面取り部８ａに
は、複数個の吹出孔１２がガス通路１１に連通する様に
それぞれ開設されてる。そして、支持部９を含むリード
フレーム押さえ８の上面には、一端を還元ガス供給源
（図示せず）に接続されているパイプ１３が密着するよ
うに敷設されており、パイプ１３の内部は連絡路１４を
介してガス通路１１に連通されている。

【０００５】次に、図７の装置の作用について説明す
る。

【０００６】先ずリードフレーム２が間欠停止される
と、リードフレーム押さえ８が駆動装置によって下降さ
れて各リード４に押接し、ヒートブロック６にリードフ
レーム２を押さえ付ける。このとき、リードフレーム押
さえ８はヒータ１０によって予熱されているため、ヒー
トブロック６によって加熱されているリードフレーム２
の温度を低下させてしまうという不具合を回避すること
ができる。

【０００７】このダイボンディング工程においては、リ
ードフレーム押さえ８の吹出孔１２から還元ガス１５を
ペレット１がダイボンドされるタブ３側へ向けて吹き出
すことにより、リードフレーム２の酸化を防止する。す
なわち、窒素と水素との混合ガス等からなる酸化防止ガ
スとしての還元ガス１５は供給源からパイプ１３内に供
給されると、連絡路１４を経てリードフレーム押さえ８
内のガス通路１１内に流入し、各吹出孔１２からリード
フレーム２上に吹き出す。このとき、吹き出した還元ガ
スがリードフレーム２に接触すると、酸化されたリード
フレーム２の銅表面は還元される。

【０００８】また、還元ガス１５はパイプ１３内へ供給
された時点から吹出孔１２より吹き出すまでの間にヒー
タ１０によって予熱されるため、還元ガス１５がリード
フレーム２に接触したときに同フレーム２を冷却させて
しまうという不具合を回避することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】（１） 従来のフレー
ム押さえにおいては、フレーム押さえ本体の外部に還元
ガスの通路が還元ガス用のパイプとして取り付けられて
いる。このため、パイプ内に供給される時点で還元ガス
は予熱されていても、還元ガスがパイプ内を通ってフレ
ーム押さえ本体のガス吹出孔に至るまでには所定の時間
が必要なため、この間に還元ガスが冷却されてしまうと
いう可能性がある。

【００１０】（２） また、従来のフレーム押えにおい
ては、還元ガスの吹出し方向が、フレーム押さえ本体に
設けられている吹出孔の個数や吹出し方向により限定さ
れるため、リードフレーム内のリードやタブの位置やそ
れらの形状が変更されたときにその仕様変更に応じて適
切に還元ガスの吹き出し方向を変更するためには、フレ
ーム押さえ本体全部を作り直す必要性がある。

【００１１】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、還元ガスをフレーム押さえ
本体内部で直接昇温でき、かつ還元ガスを昇温したフレ
ーム押さえ内を通すため還元ガスの冷却を防止できると
共に、ガスの吹き出し方向やリードフレームを押さえる
箇所の変更を必要最小限の部品変更で可能とすることを
目的とする。さらに、本フレーム押さえを有するボンデ
ィング装置を用いた半導体素子の製造方法を提供するこ
とをも目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
半導体素子に対するボンディング工程時にリードフレー
ムをヒートブロックに押さえ付けるためのボンディング
装置用フレーム押さえであって、前記半導体素子のチッ
プがその中を通り抜けるのに十分な形状及び寸法を有す
る第１貫通孔と、ガス導入口と、前記ガス導入口に連通
されて前記ガス導入口より導入されたガスがその中を流
れるガス経路部と、前記ガス経路部に連通され且つ前記
貫通孔の周囲に配設されたガス排出部とを有するフレー
ム押さえ本体と、前記フレーム押さえ本体と連結され且
つその底面が前記リードフレームを押接するガス板とを
備え、前記ガス板は、前記第１貫通孔と連通され、前記
チップをその中に挿入可能で且つ被ボンディング部分と
その周辺部分とを取り囲むことが可能な形状及び寸法を
有する第２貫通孔と、前記ガス排出部と連通され且つ前
記第２貫通孔の周囲に配設されていると共に、前記第２
貫通孔の壁面側の側面部分が切削されて前記第２貫通孔
と対面した溝部と、前記溝部の切削された側面端部と繋
がっており且つ前記切削側面端部から前記第２貫通孔の
前記壁面に向かってテーパ状に形成されたテーパ部とを
有することを特徴とする。

【００１３】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
ボンディング装置用フレーム押さえであって、前記フレ
ーム押さえ本体は前記ガス経路部内に設けられたヒータ
を有することを特徴とする。

【００１４】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
記載のボンディング装置用フレーム押さえであって、前
記ガス板は中間プレートを介して前記フレーム押さえ本
体と連結されており、前記中間プレートは、前記第１及
び第２貫通孔と連通され且つ前記チップをその中に挿入
可能な形状及び寸法を有する第３貫通孔と、前記ガス排
出部と前記溝部とに連通された穴とを有し、前記中間プ
レートは弾性変形可能なものより成ることを特徴とす
る。

【００１５】請求項４に係る発明は、請求項１乃至３の
何れかに記載の前記ボンディング装置用フレーム押さえ
を有することを特徴とする。

【００１６】請求項５に係る発明は、請求項４に記載の
前記ボンディング装置によって製造されたことを特徴と
する。

【００１７】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、この発明
の実施の形態を図に基づき説明する。

【００１８】図１は、本実施の形態１に係るボンディン
グ装置用フレーム押さえを有するダイボンド装置を用い
た、半導体素子のチップ２３のダイボンディング工程を
示す部分斜視図である。但し、図１では、図示の便宜
上、フレーム押さえがリードフレーム２１をヒートブロ
ック２７に対して押さえ付けてはおらず、リードフレー
ム２１の被ボンディング部分とその周辺部分の上方にフ
レーム押さえが位置している状態が描かれてはいるが、
実際のダイボンディング工程においては、フレーム押さ
えはリードフレーム２１を押さえ付けている状態にあ
る。

【００１９】図１に示すダイボンド装置は、搬送路上を
搬送されるリードフレーム２１上にチップ接合剤２２を
接合（接合部は図示せず）して、同剤２２の上に、その
先端にコレット２４を有するボンディングヘッド２５に
よってチップ２３を固着する装置である。

【００２０】本実施の形態におけるフレーム押さえは、
フレーム押さえ本体２６と、同本体２６の先端側部
分２６１の裏面部分に固着ないしは連結された中間プレ
ート２８と、同プレート２８の裏面に固着されて連結
されたガス板２９とより成る。そして、本フレーム押さ
えは駆動装置（図示せず）の駆動力を受けて上下動し、
そのガス板２９の底面で以て、ヒートブロック２７上を
間欠的に搬送されてきたリードフレーム２１を、チップ
接合剤２２の接合時及びチップ２３の接合時に、ヒート
ブロック２７に対して押さえ付け得る様に構成されてい
る。以下に、フレーム押さえの各部２６，２８，２９の
構成について詳述する。

【００２１】先ず、図２はフレーム押さえ本体２６の縦
断面図を示し、図３はフレーム押さえ本体２６をその裏
面の下側から眺めたときの状態を示す平面図（一部、破
線で横断面を示す）である。両図２，３に示す様に、同
本体２６の先端側部分２６１は、その縦断面形状が流
線形状となる様に切削されていると共に、互いに対向し
合う２つの、その先端から所定の角度で傾斜した側面部
２６ｃと、両側面部２６ｃで挟まれた凹部状の中央部
分とより成り、その中央部分には、３つの第１貫通孔２
６ｄが形成されている。これらの貫通孔２６ｄの各々
は、ボンディングヘッド２５のコレット２４によって保
持されたチップ２３が対応する貫通孔２６ｄの中を通り
抜けることができるだけの、十分な形状及び寸法を有し
ている。そして、図３に示す様に、側面部２６ｃの底面
にも該当するフレーム押さえ本体２６の先端側部分２６
１の裏面部分には、３つの第１貫通孔２６ｄの側面部２
６ｃに沿った外周部分ないしは周囲を取り囲む様に、コ
の字状の溝部ないしはガス排出部２６ｂが所定の深さで
形成されている。

【００２２】他方、フレーム押さえ本体２６の内で、傾
斜した面で切削されていない、上記先端側部分２６１に
繋がった図１の後端側部分２６２（この部分が図示しな
い上述の駆動装置に接続されている）には、図２に示す
様に、中空のガス経路部２６ｅが形成されており、同経
路部２６ｅの一端部側は、上記後端側部分２６２の一方
の側面を貫通する様に同側面に設けられたガス導入口３
３と連通しており、同経路部２６ｅの他端部側の最も奥
まった所の壁面には、ガス穴２６ａがその直下の溝部２
６ｂの部分と連通する様に設けられている。これによ
り、ガス穴２６ａを介して、ガス経路部２６ｅと溝部２
６ｂとは互いに連通し合っており、ガス導入口３３から
ガス経路部２６ｅ、ガス穴２６ａを経て溝部２６ｂに至
るガス流路がフレーム押さえ本体２６内に形成される。
特に本フレーム押さえ本体２６においては、そのガス経
路部２６ｅ内に一端部側から他端部側に至るまで昇温ネ
ジ３１が内蔵されており、しかも、昇温ネジ３１は、そ
の内部に、同ネジ３１の軸と同心軸のヒータ３２を有し
ている。従って、ガス導入口３３よりガス経路部２６ｅ
内に導入されたガスは、同部２６ｅ内では、ネジ部３１
ａを流れてガス穴２６ａに至ることになる。

【００２３】次に、中間プレート２８の構成について示
す。ここで、図４は中間プレート２８をその真上から見
た場合の上面図を示している。この中間プレート２８
は、その上面が、フレーム押さえ本体２６の先端側部分
２６１の裏面と接着されることによって、同本体２６と
連結される。同プレート２８においても、上記接着時に
フレーム押さえ本体２６の対応する第１貫通孔２６ｄの
中心軸にその中心軸が略一致する様に、３つの第３貫通
孔２８ｂが設けられている。そして、各貫通孔２８ｂ
は、同じく、チップ２３がその中を通り抜けうるのに十
分な形状及び寸法を有しており、各貫通孔２８ｂの同プ
レート２８の長手方向に沿った外周部近傍ないしは周囲
には、各貫通孔２８ｂ毎に２つずつ、同プレート２８を
貫通する穴２８ａが設けられている。しかも、各穴２８
ａは、中間プレート２８とフレーム押さえ本体２６との
接着時に溝部２６ｂと連通する様に、予め位置決めされ
た上で形成されている。これにより、ガス導入口３３よ
り溝部２６ｂにまで至ったガスは、中間プレート２８の
穴２８ａを介して排出されることになる。

【００２４】次に、ガス板２９の構成の詳細について説
明する。ここで、図５はガス板２９をその真上から見た
ときの上面図を示しており、図６は、図５中に示したI
−II線に沿って図５の紙面に垂直な平面でガス板２９を
切断したときにできるガス板２９の縦断面図を示してい
る。図５に示すガス板２９も、その上面において中間プ
レート２８の下面と接着されて、中間プレート２８を介
してフレーム押さえ本体２６と一体的に連結される。そ
して、図５に示す様に、ガス板２９の中央部分には３つ
の第２貫通孔２９ｄが設けられており、各第２貫通孔２
９ｄの形状及び寸法は、その中にチップ２３を挿入可能
で、且つ被ボンディング部分とその周辺部（この場合に
は、チップ接合剤の接合面、チップの接合面及びそれら
の周辺箇所に該当）をリードフレーム２１の押接時に取
り囲むことができる様に、設定されている。しかも、ガ
ス板２９と中間プレート２８との接着時に、第２貫通孔
２９ｄの中心軸が第１及び第３貫通孔２６ｄ，２８ｂの
両中心軸と略一致して第２貫通孔２９ｄが両貫通孔２６
ｄ，２８ｂと連通する様に、第２貫通孔２９ｄの位置設
定がなされている。

【００２５】加えて、ガス板２９と中間プレート２８と
の接着時に各溝部（第１溝）２９ａが対応する穴２８ａ
と連通し合う様に、ガス板２９の上面中、各貫通孔２９
ｄの同板２９の長手方向に沿った外周部近傍ないしは同
孔２９ｄの周囲の部分に、各貫通孔２９ｄ毎に２つずつ
の配分で、溝部２９ａが形成されている。しかも、各溝
部２９ａの側面中、第２貫通孔２９ｄの壁面側に位置す
べき側面は切削されており、これにより、各溝部２９ａ
は第２貫通孔２９ｄに対面している。そして、溝部２９
ａと第２貫通孔２９ｄとを空間的に繋げる部分を、ガス
板２９に設けられたテーパ部２９ｂ上方の空間が担って
いる。即ち、テーパ部２９ｂは、その一端が溝部２９ａ
の切削された側面端部ないしは溝部２９ａの底面の外縁
部と繋がっており、その一端から第２貫通孔２９ｄの壁
面に向けてガス板２９の一部分がテーパ状に形成されて
成り、その他端は同孔２９ｄの壁面を成す。これによ
り、中間プレート２８の穴２８ａより排出されたガス
は、溝２９ａ内に導入された後はテーパ部２９ｂに沿っ
て流れ、その結果、テーパ部２９ｂが作り出す傾斜によ
って規定される方向（その方向はリードフレーム２１の
被ボンディング部分とその周辺部とに向く様に予め設定
されている）に向けて、第２貫通孔２９ｄ内の空間中に
噴出される。

【００２６】更に、ガス板２９の底面ないしは下面中、
溝２９ａ及びテーパ部２９ｂの直下にあたる部分には、
溝部２９ａとの間でテーパ部２９ｂを形成するガス板２
９の一部分を挟み込む様に、ガス溝（第２溝）２９ｃ
が、各貫通孔２９ｄ毎に２つずつ設けられている。しか
も、各ガス溝２９ｃの第２貫通孔２９ｄの壁面側の側面
もまた溝部２９ａと同様に切削されており、各ガス溝２
９ｃは第２貫通孔２９ｄと直接的に繋がっている。この
ガス溝２９ｃは、ヒートブロック２７（図１には図示し
ないが、同ブロック２７にも還元ガスの導入口が設けら
れている）上のガス穴３０より発生させた高温の還元ガ
スがリードフレーム２１の溝２１ａを通過した後に流れ
込む部分である。従って、同溝２９ｃに流れ込んだ還元
ガスは溝２９ｃの側面に沿って第２貫通孔２９ｄ内に噴
出されることとなるので、その結果、ガス穴３０より発
生させた高温の還元ガスもまた、チップ接合剤２２及び
チップ２３の両接合点を、テーパ部２９ｂから噴出され
る還元ガスと同様に吹き付けることになる。

【００２７】図２及び図３において既述した通り、フレ
ーム押さえ本体２６に内蔵された昇温ネジ３１はその内
部にヒータ３２を有しているので、昇温ネジ３１は同本
体２６自身を（従って、中間プレート２８やガス板２９
をも）加熱すると共に、ガス導入口３３より供給される
還元ガスを昇温ネジ３１のネジ部３１ａ内を通過させて
いる間に同ガスを加熱する。この様にして加熱された還
元ガスは穴２６ａを通りフレーム押さえ本体２６の溝部
２６ｂに到達し、その後、図４の中間プレート２８の穴
２８ａを通過した還元ガスは、最終的には図５のガス板
２９の溝２９ａを経てガス板２９のテーパ部２９ｂよ
り、リードフレーム２１上のチップ接合剤２２の接合部
とチップ２３の接合部とそれらの周辺部とに向けて噴出
される。

【００２８】次に作用を説明する。

【００２９】（１） リードフレーム２１がチップ接合
剤２２及びチップ２３の接合箇所に搬送されたときに
は、その後、フレーム押さえ本体２６が図示しない上下
駆動装置により下降され、フレーム押さえのガス板２９
の底面がリードフレーム２１をヒートブロック２７に押
接する。この時、リードフレーム２１の上面と接するガ
ス板２９の底面に設けられたガス溝２９ｃ（図６）とリ
ードフレーム２１を貫通する溝２１ａとは互いに連通し
合い、ガス溝２９ｃと連通した２つの溝２１ａの間に位
置するリードフレーム２１上のチップ接合剤２２及びチ
ップ２３の接合箇所は、対応する第２貫通孔２９ｄの壁
面で取り囲まれている。しかも、リードフレーム２１の
タブ及びリードのそれぞれの形状に合わせて、上記接合
箇所に確実にガスが吹き付けられる様に、ガス板２９の
溝２９ａとテーパ部２９ｂとガス溝２９ｃとが加工され
ている。又、フレーム押さえ本体２６に内蔵するヒータ
３２を予め動作させて同本体２６自体を予熱しておいた
上で（その予熱は中間プレート２８及びガス板２９にも
伝導する）、リードフレーム２１の上記押接後に、ガス
導入口３３より還元ガスを供給する。これにより、還元
ガスはネジ部３１ａを流れる間に昇温ネジ３１により加
熱され、十分に加熱された還元ガスをガス板２９のテー
パ部２９ｂが作り出す適切な噴出角度で以てリードフレ
ーム２１の所定の箇所に吹き付けることができ、リード
フレーム２１の酸化防止を有効に行うことができる。ま
た、ガス板２９は加熱された還元ガスによっても加熱さ
れているので、これにより、ガス板２９がリードフレー
ム２１に接するときに同フレーム２１の温度を低下させ
てしまうという不具合も防止できる。

【００３０】（２） リードフレーム２１がヒートブロ
ック２７上に無い場合には、フレーム押え本体２６を下
動させてガス板２９の底面をヒートブロック２７の上面
に接触させた上で、ヒータ３２を動作させずに、ガス板
２９より還元ガス、あるいはその他のガスをテーパ部２
９ｂを介してヒートブロック２７の上面に対して吹き付
ける。これにより、ヒートブロック２７上のチップ２３
の屑又はその他の屑などを除去することが可能となる。
この場合も、テーパ部２９ｂの形状等を適切に設定する
ことで（つまり、フレーム押さえ本体２６を変更するこ
となく、ガス板２９のみを適切な形状を有するものに置
き換えることで）、ガスの吹き付け角度の適切化を最小
部品変更で以て達成できる。この作用により、リードフ
レーム２１の両面にチップ２３を搭載する場合におい
て、リードフレーム２１の下面にチップ２３が固着され
ているような状態においても、そのチップ２３に屑など
により傷を付けてしまうことを未然に防止できる。

【００３１】（３） また、フレーム押さえ本体２６と
ガス板２９との間にある中間プレート２８の材質とし
て、シリコンゴムなどのように弾性変形するもの（弾性
体）を用いると、ガス板２９とヒートブロック２７との
間に傾きがあったとしても中間プレート２８がその傾き
を吸収するので、フレーム押えないしはガス板２９はリ
ードフレーム２１をヒートブロック２７に対して均一に
押接することが可能となる。この作用により、ヒートブ
ロック２７によるリードフレーム２１の加熱が均一とな
り、チップ接合剤２２やチップ２３のリードフレーム２
１への貼付性を向上することができる。更に、ガラスエ
ポキシ系の変形しやすいリードフレーム２１において
は、チップ接合剤２２及びチップ２３の接合面を均一に
する作用があり、チップ接合剤２２及びチップ２３のリ
ードフレーム２１への貼付精度の向上にも作用する。他
方、上記の傾き吸収作用を必要としない場合において
は、中間プレート２８に金属などの弾性変形しにくい材
質を採用することも可能であるし、中間プレート２８自
体を省くことも可能である（この場合には、ガス板２９
の上面がフレーム押え本体２６の先端側部分２６１の裏
面に接着剤によって直接に固着される）。

【００３２】（４） 更に、高温の還元ガスの代わり
に、ヒータ３２を動作させずに、冷却ガスをガス導入口
３３より供給しテーパ部２９ｂより適切な角度で噴出す
ることで、チップ接合剤２２、チップ２３及びリードフ
レーム２１を急冷することも可能となる。この場合も、
テーパ部２９ｂ等の形状を適切に変更する、つまりガス
板２９のみを適切な形状・寸法に加工されたものに置き
換えるだけで、リードフレーム２１の個々の仕様に応じ
て、リードフレーム２１の所定箇所に冷却ガスを確実に
吹き付けることが可能になる。この作用により、チップ
２３をチップ接合剤２２上に搭載するときの温度と、チ
ップ接合剤２２が固着する温度との間に差があるプロセ
スにおいて、リードフレーム２１、チップ接合剤２２及
びチップ２３の加熱はリードフレーム２１の下にあるヒ
ートブロック２７によってこれを行い、これらの部分の
冷却は、リードフレーム２１を搬送しないでガス板２９
からの冷却ガスの吹き付け（テーパ部２９ｂの形状設定
等により吹き付け角は調整済み）によってこれを実施す
ることが可能となる。これにより、チップ２３のリード
フレーム２１への固着時間の短縮化が可能となると共
に、リードフレーム２１を搬送せずに固着するので、チ
ップ２３のリードフレーム２１からの位置ずれをも防止
できる。なお、冷却ガスの吹き付けにフレーム押さえを
使用する本方法（４）の場合には、昇温ネジ３１及びヒ
ータ３２を省くことも可能である。

【００３３】（変形例）実施の形態１で述べた構造を有
するフレーム押さえを、ダイボンダのみならず、ワイヤ
ボンダにも適用可能である。

【００３４】従って、本発明で言う「ボンディング装
置」とは、ダイボンダとワイヤボンダの双方を包含する
概念である。

【００３５】

【発明の効果】（１） 請求項１，４及び５の各発明に
よれば、ガス導入口より導入されたガスは、ガス経路
部、ガス排出部、溝部を介してテーパ部より、そのテー
パ形状によって作られる方向で噴出される。この場合、
本発明によれば、リードフレームの仕様変更が生じて
も、リードフレームのパターン形状に応じてガス板の溝
部の数やテーパ部の形状を変えるだけで、チップ接合剤
接合面、チップ接合面及びその周辺部分等の被ボンディ
ング部分とその周辺部とへ還元ガスを確実に噴出するこ
とができるので、リードフレームの酸化防止を所望のリ
ードフレームのパターン形状に対して効率良く行うこと
ができる。しかも、ヒートブロック上のシリコン屑やそ
の他のごみを吹き飛ばすしてリードフレームやチップへ
の傷付けを防止するためのガスの噴出をも、ガス板の溝
部の数やテーパ部の形状を変えるだけで、リードフレー
ムのパターン形状に応じて確実に行うことができると共
に、高温の還元ガスの替わりに冷却ガスをフレーム押さ
えから発生させる場合にも、ガス板の変更を行うのみだ
けで、変更されたリードフレームのパターン形状に応じ
て確実に冷却ガスを所望の箇所に噴出することができ
る。この様に、リードフレームのパターン形状が変わっ
てもフレーム押さえ先端のガス板のみを変えるだけで対
処できることとなり、このことは多くのパターン形状に
対して安価に対応できるという効果をもたらす。

【００３６】（２） 請求項２，４及び５の各発明によ
れば、フレーム押さえ本体内にヒータを有するため、ガ
ス経路部内を通過する還元ガスやフレーム押さえ自体の
温度低下を防止でき、ガス導入口より供給された還元ガ
スをテーパ部より噴出するまでの間に冷却させてしまう
ことなく効率良く加熱することができる。

【００３７】（３） 請求項３，４及び５の各発明によ
れば、中間プレートがガス板とヒートブロックとの間の
傾きを吸収できるので、リードフレームをヒートブロッ
クに対して均一に押さえ付けることができる。このこと
により、リードフレームの加熱の均一化、チップ接合剤
及びチップのリードフレームへの貼付性を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に係るフレーム押さ
えを搭載するダイボンド装置を示す斜視図である。

【図２】 図１のフレーム押さえ本体の断面を示す図で
ある。

【図３】 図１のフレーム押さえ本体を下から見たとき
の平面図である。

【図４】 図１の中間プレートの平面図である。

【図５】 図１のガス板の平面図である。

【図６】 図５のガス板の断面図である。

【図７】 従来のフレーム押さえを搭載するダイボンド
装置を示す断面図である。

【符号の説明】

２１ リードフレーム、２２ チップ接合剤、２３ チ
ップ、２６ フレーム押さえ本体、２７ ヒートブロッ
ク、２８ 中間プレート、２９ ガス板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石塚 充洋 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F047 AA11 FA07 FA31 FA52 FA59 FA68 FA69

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子に対するボンディング工程時
   にリードフレームをヒートブロックに押さえ付けるため
   のボンディング装置用フレーム押さえであって、 前記半導体素子のチップがその中を通り抜けるのに十分
   な形状及び寸法を有する第１貫通孔と、ガス導入口と、
   前記ガス導入口に連通されて前記ガス導入口より導入さ
   れたガスがその中を流れるガス経路部と、前記ガス経路
   部に連通され且つ前記貫通孔の周囲に配設されたガス排
   出部とを有するフレーム押さえ本体と、 前記フレーム押さえ本体と連結され且つその底面が前記
   リードフレームを押接するガス板とを備え、 前記ガス板は、 前記第１貫通孔と連通され、前記チップをその中に挿入
   可能で且つ被ボンディング部分とその周辺部分とを取り
   囲むことが可能な形状及び寸法を有する第２貫通孔と、 前記ガス排出部と連通され且つ前記第２貫通孔の周囲に
   配設されていると共に、前記第２貫通孔の壁面側の側面
   部分が切削されて前記第２貫通孔と対面した溝部と、 前記溝部の切削された側面端部と繋がっており且つ前記
   切削側面端部から前記第２貫通孔の前記壁面に向かって
   テーパ状に形成されたテーパ部とを有することを特徴と
   する、ボンディング装置用フレーム押さえ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のボンディング装置用フ
   レーム押さえであって、 前記フレーム押さえ本体は前記ガス経路部内に設けられ
   たヒータを有することを特徴とする、ボンディング装置
   用フレーム押さえ。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のボンディング装
   置用フレーム押さえであって、 前記ガス板は中間プレートを介して前記フレーム押さえ
   本体と連結されており、 前記中間プレートは、 前記第１及び第２貫通孔と連通され且つ前記チップをそ
   の中に挿入可能な形状及び寸法を有する第３貫通孔と、 前記ガス排出部と前記溝部とに連通された穴とを有し、 前記中間プレートは弾性変形可能なものより成ることを
   特徴とする、ボンディング装置用フレーム押さえ。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載の前記ボ
   ンディング装置用フレーム押さえを有することを特徴と
   する、ボンディング装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の前記ボンディング装置
   によって製造されたことを特徴とする、半導体素子。