JPH10223661A - キュア装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 キュア装置内に供給するパージガスの温度
を、パージガス供給位置のヒートブロックの温度に対応
した温度に加熱することができ、安定した状態でキュア
処理を行うことができるキュア装置を提供する。 【解決手段】 ヒートブロック１４の下方からヒートブ
ロック同士の間を通して加熱硬化室１１内にパージガス
を供給し、各ヒートブロック中心線上の上方に設けた排
気スリット１９から排出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、キュア装置に関
し、詳しくは、例えばＬＳＩ等の半導体デバイスを製造
する工程でダイボンダによりチップをリードフレームに
接着（ダイボンド処理）した後、接着剤を熱硬化させて
チップをリードフレームに固着するために用いられるキ
ュア装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスを製造する工程で用いら
れるキュア装置は、ダイボンダでダイボンド処理したリ
ードフレームを所定温度に加熱し、ダイボンド処理に用
いた接着剤を熱硬化させるものであって、例えば、特開
平４−１３５８１１号公報や特開平７−１０６３４８号
公報等に記載されているように、所定温度に加熱保持し
た複数のヒートブロック上に順次リードフレームを載置
するようにして搬送しながら加熱する構造を有してい
る。また、このようなキュア装置では、加熱時に接着剤
から発生するガスをパージするため、不活性ガス、通常
は窒素ガスからなるパージガスを使用している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のキュア
装置は、上記パージガスをヒートブロックの上方からリ
ードフレームに向けて吹き付けるように供給し、ヒート
ブロック間から下方に排出するようにしているため、ヒ
ートブロックにより所定温度に加熱されているリードフ
レームの表面に急激な熱変動を与えることがあった。す
なわち、キュア装置では、前記複数のヒートブロック
を、接着剤の熱硬化に適した所定の昇温パターンで加熱
するようにしているため、各ヒートブロックは、前記昇
温パターンに応じた異なる温度に保持されているが、パ
ージガスは、適宜な加熱手段で一括して適当な温度に加
熱された状態で供給されるため、あるヒートブロックの
部分ではパージガスの方が温度が高く、他のヒートブロ
ックの部分ではヒートブロック（リードフレーム）の方
が温度が高いという現象が生じる。

【０００４】したがって、加熱されるリードフレーム
は、ヒートブロック上に載置されている状態では所定の
温度に加熱保持されているが、パージガスの方が温度が
高い部分では、ヒートブロックから離れたリードフレー
ムが一時的に加熱されることになり、他の部分では一時
的にリードフレームが冷却されることになる。このよう
に、所定の昇温パターンで加熱すべきキュア処理中に、
一時的な加熱や冷却が行われることは好ましいことでは
なく、加熱・冷却の程度が大きい場合には、製品の品質
に影響を与えるおそれもある。

【０００５】そこで本発明は、キュア装置内に供給する
パージガスの温度を、パージガス供給位置のヒートブロ
ックの温度に対応した温度に加熱することができ、安定
した状態でキュア処理を行うことができるキュア装置を
提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のキュア装置は、トンネル状に形成した加熱
硬化室内に、リードフレームの搬送ステップに対応した
位置に所定間隔を設けて複数のヒートブロックを配設す
るとともに、加熱硬化処理によって発生するガスをパー
ジガスによりパージするキュア装置において、前記パー
ジガスを、前記ヒートブロックの下方からヒートブロッ
ク同士の間を通して前記加熱硬化室内に供給し、各ヒー
トブロック中心線上の上方に設けたスリットから排出す
るように形成したことを特徴としている。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明のキュア装置の一
例を示す要部の断面正面図、図２は同じく断面平面図、
図３及び図４は、キュア装置の内部構造を説明するため
に一部のヒートブロック等を取外した状態を示すもの
で、図３は正面図、図４は平面図である。図５はキュア
装置におけるリードフレームの搬送手段を説明するため
の斜視図である。

【０００８】まず、図３及び図４に示すように、キュア
装置は、箱型のトンネル状に形成した加熱硬化室１１の
一端にキュア処理を行うリードフレームを受け取る受入
部１２を、他端にキュア処理後のリードフレームを送り
出す送出部１３を設け、加熱硬化室１１の内部に複数の
ヒートブロック１４，１４を設けるとともに、リードフ
レームを受入部１２からヒートブロック１４，１４上を
経て送出部１３に搬送するための搬送手段１５（図５参
照）を設けたものである。

【０００９】前記ヒートブロック１４は、加熱硬化室１
１の底板上に設けられる支持台１６の上に着脱可能に装
着されるもので、その内部にヒーターを挿入するための
ヒーター挿入孔１７が設けられている。このヒートブロ
ック１４は、リードフレームの最大幅寸法等によって決
まる搬送ステップに対応した位置に配設されるもので、
隣接するヒートブロック１４，１４間には、数ｍｍの間
隔がスリット状に設けられている。また、ヒートブロッ
ク１４の上面には、搬送手段１５の搬送部材１５ａが通
るスリット１８ａを形成するためのヒート駒１８が取付
けられている。

【００１０】さらに、前記ヒートブロック１４の上方に
は、各ヒートブロック１４の中心線上に対応した位置に
排気スリット１９を形成するようにして複数の隔壁板２
０，２０が設けられており、該隔壁板２０の上方に、加
熱硬化室１１の天板２１が設けられている。この天板２
１と前記隔壁板２０とは、加熱硬化室１１内の状態を確
認できるようにガラス等の透明部材で形成されており、
また、メンテナンス等を行うために着脱可能あるいは開
閉可能に形成されている。

【００１１】そして、加熱硬化室１１の底板部分には、
パージガスを加熱硬化室１１内に供給するためのパージ
ガス供給管２２が設けられ、前記天板２１と隔壁板２０
との間の側壁には、パージガスを加熱硬化室１１から排
出するための排気口２３（図１及び図２参照）が設けら
れている。

【００１２】前記搬送手段１５は、図５に示すように、
前記ヒート駒１８間のスリット１８ａを通る複数本の搬
送部材１５ａと、この搬送部材１５ａの両端部を保持す
る一対の駆動部材１５ｂとからなるもので、両駆動部材
１５ｂが、図示しない駆動装置により、上昇して前進、
下降して後退するという、いわゆるボックス運動を行っ
てリードフレームＰを順次搬送するように形成されてい
る。したがって、リードフレームＰは、搬送部材１５ａ
の上昇前進時にはヒート駒１８の上面から僅かに浮き上
がり、搬送部材１５ａの下降後退時にはヒート駒１８の
上面に載置された状態になる。

【００１３】このように形成したキュア装置において、
前記パージガス供給管２２から加熱硬化室１１内に供給
されるパージガス、例えば窒素ガスは、図１及び図２に
示すように、前記ヒートブロック１４の下方の支持台１
６部分の空間（流路Ａ）を通り、隣接するヒートブロッ
ク１４同士の間の空間（流路Ｂ）を上昇してヒートブロ
ック１４の両側から上方に流出する。このとき、パージ
ガスは、所定温度に加熱保持されているヒートブロック
１４の周囲の流路Ａ及び流路Ｂを流れる間に、ヒートブ
ロック１４の温度近くまで加熱された状態になる。

【００１４】したがって、パージガスは、各ヒートブロ
ック１４に応じた温度に加熱された状態、すなわち、各
ヒートブロック１４上のリードフレームＰと略同じ温度
で加熱硬化室１１内に供給されるので、搬送手段１５に
より搬送されるリードフレームＰの表面に急激な熱変動
を与えることがなくなる。これにより、所定の温度条件
に近い状態でキュア処理を行うことが可能となり、キュ
ア特性を向上させることができる。

【００１５】上述のようにしてヒートブロック１４の上
方に流出したパージガスは、接着剤から発生したガスを
同伴して隔壁板２０間の排気スリット１９を通り、天板
２１と隔壁板２０との間の空間に流入し、排気口２３か
ら排気通路２４を経て加熱硬化室１１の外部に排出され
る。

【００１６】また、本形態例に示すように、パージガス
の加熱をヒートブロック１４で行うことができるので、
パージガス加熱用に別のヒーターを設ける必要がなくな
り、装置の簡略化も図れる。さらに、保守作業等でヒー
トブロック１４を冷却する場合には、ヒートブロック１
４に直接冷風を当てることができるので、ヒートブロッ
ク１４の冷却に要する時間も短縮することができる。

【００１７】図６乃至図８は、本発明の他の形態例を示
すもので、図６は要部の断面正面図、図７は同じく断面
側面図、図８は同じく断面平面図である。このキュア装
置は、供給するパージガスの均一化を図るため、ヒート
ブロック１４の下方にチャンバ３１を形成し、このチャ
ンバ３１の幅方向中央部に、装置長手方向に延びるチャ
ンネル３２を設けるとともに、該チャンネル３２の側面
のヒートブロック１４の中心部に対応した位置にノズル
３３を設けたものである。

【００１８】パージガス供給管２２から供給されるパー
ジガスは、該パージガス供給管２２の先端部側面に設け
られた噴出口３４から前記チャンネル３２内に流入し、
前記ノズル３３から各ヒートブロック１４の真下に幅方
向に向かって噴出する。したがって、チャンネル３２の
形状やノズル３３の大きさ、チャンバ３１の形状や容積
等を適当に設定することにより、各ヒートブロック部分
に均等にパージガスを供給することができる。

【００１９】また、本形態例では、加熱硬化室１１の一
側面に排気マニホールド３５を設けるとともに、天板２
１と隔壁板２０との間に、前記排気マニホールド３５に
接続した排気パイプ３６を設けている。この排気パイプ
３６は、隣り合う排気スリット１９，１９の中間部に設
けられており、その上面中央部には、複数の排気孔３７
が設けられている。

【００２０】したがって、隣接するヒートブロック１４
同士の間の空間を上昇してヒートブロック１４の両側か
ら上方に流出したパージガスは、ヒートブロック１４の
上面と隔壁板２０との間を排気スリット１９方向に流
れ、ここでリードフレームＰのチップ接着用に使用した
接着剤から発生する各種ガスを同伴して排気スリット１
９から天板２１と隔壁板２０との間に流出する。そし
て、排気孔３７から排気パイプ３６内に流入し、排気マ
ニホールド３５から装置外に排出される。

【００２１】この場合も、排気パイプ３６の径、排気孔
３７の大きさや位置を適当に設定することにより、パー
ジガスを均一に排出することができ、ガス溜まりを生じ
ることがなく、接着剤から発生するガスを速やかにパー
ジすることができる。

【００２２】なお、本形態例では、図７に示すように、
加熱硬化室１１の上半部を構成する前記隔壁板２０，天
板２１及び排気マニホールド３５を上部側枠３８で支持
し、この上部側枠３８をヒンジ３９により下部側枠４０
に取付け、隔壁板２０，天板２１を開閉可能な構造とし
ている。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のキュア装
置によれば、リードフレームの表面に温度差を有するパ
ージガスが吹付けられることがないので、所定の昇温パ
ターンでキュア処理することができ、品質の向上や安定
化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のキュア装置の一例を示す要部の断面
正面図である。

【図２】 同じく断面平面図である。

【図３】 キュア装置の内部構造を説明するための正面
図である。

【図４】 同じく平面図である。

【図５】 搬送手段を説明するための斜視図である。

【図６】 本発明の他の形態例を示す要部の断面正面図
である。

【図７】 同じく断面側面図である。

【図８】 同じく断面平面図である。

【符号の説明】

１１…加熱硬化室、１２…受入部、１３…送出部、１４
…ヒートブロック、１５…搬送手段、１６…支持台、１
７…ヒーター挿入孔、１８…ヒート駒、１９…排気スリ
ット、２０…隔壁板、２１…天板、２２…パージガス供
給管、２３…排気口、３１…チャンバ、３２…チャンネ
ル、３３…ノズル、３４…噴出口、３５…排気マニホー
ルド、３６…排気パイプ、３７…排気孔、３８…上部側
枠、３９…ヒンジ、４０…下部側枠

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 トンネル状に形成した加熱硬化室内に、
   リードフレームの搬送ステップに対応した位置に所定間
   隔を設けて複数のヒートブロックを配設するとともに、
   加熱硬化処理によって発生するガスをパージガスにより
   パージするキュア装置において、前記パージガスを、前
   記ヒートブロックの下方からヒートブロック同士の間を
   通して前記加熱硬化室内に供給し、各ヒートブロック中
   心線上の上方に設けたスリットから排出するように形成
   したことを特徴とするキュア装置。