JP3156500B2 - キュア装置 - Google Patents
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- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板を適切に加熱でき
るようにしたキュア装置に関するものである。
るようにしたキュア装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を製造する工程には、基板（リ
ードフレーム又はセラミック基板など）にボンディング
ペーストを塗布し、ボンディングペースト上にダイを搭
載した後、このボンディングペーストを硬化させ、基板
にダイを接着するキュア工程がある。このキュア工程
は、炉体を備えるキュア装置内において基板を搬送する
ことにより、炉体内に設けられた加熱手段で基板を加熱
して行われる。
ードフレーム又はセラミック基板など）にボンディング
ペーストを塗布し、ボンディングペースト上にダイを搭
載した後、このボンディングペーストを硬化させ、基板
にダイを接着するキュア工程がある。このキュア工程
は、炉体を備えるキュア装置内において基板を搬送する
ことにより、炉体内に設けられた加熱手段で基板を加熱
して行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】さてキュア装置の第１
の従来例として、実開平３−１２００３７号公報に示さ
れているように、炉体内全域にわたって所定温度に加熱
されたヒータブロック上に基板を直接接着させるものが
ある。しかしながら、このものでは、炉体の出口付近に
おいて基板に過剰な熱が加わり、ボンディングペースト
などに含まれる有害成分が多量に蒸発して基板の電極等
に付着して後工程におけるボンディング品質が低下しや
すいし、基板とヒータブロック面の繰り返し接触動作に
より、基板の変形等が発生し易いという問題点があっ
た。
の従来例として、実開平３−１２００３７号公報に示さ
れているように、炉体内全域にわたって所定温度に加熱
されたヒータブロック上に基板を直接接着させるものが
ある。しかしながら、このものでは、炉体の出口付近に
おいて基板に過剰な熱が加わり、ボンディングペースト
などに含まれる有害成分が多量に蒸発して基板の電極等
に付着して後工程におけるボンディング品質が低下しや
すいし、基板とヒータブロック面の繰り返し接触動作に
より、基板の変形等が発生し易いという問題点があっ
た。
【０００４】またキュア装置の第２の従来例として、特
開平３−２０６６２８号公報に示されるように、炉体内
の全域にわたって、加熱手段から基板を離した状態を保
持したまま、基板に加熱手段により熱せられた窒素ガス
などを吹付けるものが提案されている。しかしながらこ
のものでは、基板が室温程度からキュア温度（通常２０
０℃以上）に達するまで長時間を要し、キュア工程のタ
クトタイムが増大するという問題点があった。また、炉
体内を複数のステージに分け、各ステージにおける窒素
ガスの温度を異ならしめ、所定の温度プロファイルを実
現しようとする際、各ステージの窒素ガス同士（温度が
相違する）が干渉してしまい、炉体の各ステージを仕切
る仕切壁のような手段を設けないと温度コントロールが
極めて困難になるという問題点があった。
開平３−２０６６２８号公報に示されるように、炉体内
の全域にわたって、加熱手段から基板を離した状態を保
持したまま、基板に加熱手段により熱せられた窒素ガス
などを吹付けるものが提案されている。しかしながらこ
のものでは、基板が室温程度からキュア温度（通常２０
０℃以上）に達するまで長時間を要し、キュア工程のタ
クトタイムが増大するという問題点があった。また、炉
体内を複数のステージに分け、各ステージにおける窒素
ガスの温度を異ならしめ、所定の温度プロファイルを実
現しようとする際、各ステージの窒素ガス同士（温度が
相違する）が干渉してしまい、炉体の各ステージを仕切
る仕切壁のような手段を設けないと温度コントロールが
極めて困難になるという問題点があった。
【０００５】そこで本発明は、基板の温度管理を適切か
つ合理的に行うことができるキュア装置を提供すること
を目的とする。
つ合理的に行うことができるキュア装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のキュア装置は、
炉体と、炉体内に不活性ガスを供給するヒータを備えた
ガス供給手段と、炉体の入口から出口へ向けて基板を搬
送する搬送手段と、炉体の入口側に設けられ、かつ基板
の下面側に接触して基板を加熱する第１の加熱手段と、
炉体の出口側に設けられ、かつ基板に接触せずに基板を
加熱する第２の加熱手段とを備え、前記第１の加熱手段
が備えられたゾーンを接触加熱ゾーンとし、また前記第
２の加熱手段が備えられたゾーンを非接触加熱ゾーンと
する。
炉体と、炉体内に不活性ガスを供給するヒータを備えた
ガス供給手段と、炉体の入口から出口へ向けて基板を搬
送する搬送手段と、炉体の入口側に設けられ、かつ基板
の下面側に接触して基板を加熱する第１の加熱手段と、
炉体の出口側に設けられ、かつ基板に接触せずに基板を
加熱する第２の加熱手段とを備え、前記第１の加熱手段
が備えられたゾーンを接触加熱ゾーンとし、また前記第
２の加熱手段が備えられたゾーンを非接触加熱ゾーンと
する。
【０００７】
【作用】上記構成により、炉体の入口側に設けられた第
１の加熱手段を基板に直に接触させることにより、基板
の温度をキュア温度又はキュア温度付近まで速やかに上
昇させる。次に第１の加熱手段よりも炉体の出口側に設
けられた第２の加熱手段により、基板の温度を非接触状
態において維持し、基板とヒータブロックの接触による
基板の変形の発生を低減させることができる。加えて、
非接触状態で基板を加熱している際、基板の周囲で気体
は自由に流通することができ、ボンディングペーストか
ら有機ガス成分が蒸発しても、この有機ガス成分が基板
の周囲に滞留することがなく、ワイヤボンディングパッ
ド部への付着を防止できるため、後工程におけるトラブ
ルを一層抑制することができる。さらに、基板、ダイ、
ボンディングペーストはそれぞれ比熱が相違するが、第
１の加熱手段による加熱の結果これらに温度ムラを生じ
ていても、第２の加熱手段による穏やかな加熱の結果、
この温度ムラを収束させることができ、基板全体を均一
にキュアすることができる。
１の加熱手段を基板に直に接触させることにより、基板
の温度をキュア温度又はキュア温度付近まで速やかに上
昇させる。次に第１の加熱手段よりも炉体の出口側に設
けられた第２の加熱手段により、基板の温度を非接触状
態において維持し、基板とヒータブロックの接触による
基板の変形の発生を低減させることができる。加えて、
非接触状態で基板を加熱している際、基板の周囲で気体
は自由に流通することができ、ボンディングペーストか
ら有機ガス成分が蒸発しても、この有機ガス成分が基板
の周囲に滞留することがなく、ワイヤボンディングパッ
ド部への付着を防止できるため、後工程におけるトラブ
ルを一層抑制することができる。さらに、基板、ダイ、
ボンディングペーストはそれぞれ比熱が相違するが、第
１の加熱手段による加熱の結果これらに温度ムラを生じ
ていても、第２の加熱手段による穏やかな加熱の結果、
この温度ムラを収束させることができ、基板全体を均一
にキュアすることができる。
【０００８】
【実施例】次に図面を参照しながら本発明の一実施例を
説明する。図１は本発明の第１の実施例におけるキュア
装置の側面図である。図１中、Ｇは床面、１は床面Ｇ上
に支持ポスト２，３によって水平に支持される炉体、４
は炉体１の出口付近に設けられた給気部５を介して不活
性ガスとしての窒素ガスを供給するＮ2 供給装置、６は
給気部５の周囲に設けられ、炉体１内に送られる窒素ガ
スを加熱するヒータ、７は炉体１の下部に設けられ、炉
体１内の排気ガスの出口としての排気部、８は排気部７
から排気ガスを吸込む排気装置である。９は床面Ｇ上に
固定されるシリンダであり、そのロッド１０，１１の先
端部は昇降自在な昇降板１２に連結されている。１３，
１４は昇降板１２の両端部に立設される縦板、１５，１
６，１７，１８はそれぞれ縦板１３と縦板１３と縦板１
４に軸支されるローラであり、これらローラ１５，１
６，１７，１８に炉体１内を通過し、基板２７（図２参
照）を搬送方向Ｎ１に搬送するワイヤ１９が調帯されて
いる。また２０はその出力軸に軸着された駆動プーリ２
１、ベルト２２を介してローラ１６に回転力を与えるモ
ータである。
説明する。図１は本発明の第１の実施例におけるキュア
装置の側面図である。図１中、Ｇは床面、１は床面Ｇ上
に支持ポスト２，３によって水平に支持される炉体、４
は炉体１の出口付近に設けられた給気部５を介して不活
性ガスとしての窒素ガスを供給するＮ2 供給装置、６は
給気部５の周囲に設けられ、炉体１内に送られる窒素ガ
スを加熱するヒータ、７は炉体１の下部に設けられ、炉
体１内の排気ガスの出口としての排気部、８は排気部７
から排気ガスを吸込む排気装置である。９は床面Ｇ上に
固定されるシリンダであり、そのロッド１０，１１の先
端部は昇降自在な昇降板１２に連結されている。１３，
１４は昇降板１２の両端部に立設される縦板、１５，１
６，１７，１８はそれぞれ縦板１３と縦板１３と縦板１
４に軸支されるローラであり、これらローラ１５，１
６，１７，１８に炉体１内を通過し、基板２７（図２参
照）を搬送方向Ｎ１に搬送するワイヤ１９が調帯されて
いる。また２０はその出力軸に軸着された駆動プーリ２
１、ベルト２２を介してローラ１６に回転力を与えるモ
ータである。
【０００９】図２は本発明の第１の実施例におけるキュ
ア装置の縦断面図である。炉体１のうち、１ａは底板、
１ｂは入口ＩＮが開けられている側板、１ｃは出口ＯＵ
Ｔが開けられている側板である。２４は底板１ａよりも
上方に空間Ｍを開けた状態で水平に固定され、各加熱ス
テージＳ１〜Ｓ８の境目に位置する開口部２３を備えた
ベース板、２５は炉体１の上部に設けられる透明板、２
６はスリットを介して２段千鳥状に配設される整流板で
あり、透明板２５及び整流板２６は炉体１内を上方から
目視できるように透明な耐熱ガラスで形成されている。
また２７は基板、２８はダイ、２９はボンディングペー
ストである。ここで、給気部５から矢印Ｎ２方向に吹き
出された高温の窒素ガスは、整流板２６のスリット間、
各加熱ステージＳ１〜Ｓ８、開口部２３、空間Ｍ、排気
部７の順に流れ、矢印Ｎ３で示すように排気装置８に回
収される。
ア装置の縦断面図である。炉体１のうち、１ａは底板、
１ｂは入口ＩＮが開けられている側板、１ｃは出口ＯＵ
Ｔが開けられている側板である。２４は底板１ａよりも
上方に空間Ｍを開けた状態で水平に固定され、各加熱ス
テージＳ１〜Ｓ８の境目に位置する開口部２３を備えた
ベース板、２５は炉体１の上部に設けられる透明板、２
６はスリットを介して２段千鳥状に配設される整流板で
あり、透明板２５及び整流板２６は炉体１内を上方から
目視できるように透明な耐熱ガラスで形成されている。
また２７は基板、２８はダイ、２９はボンディングペー
ストである。ここで、給気部５から矢印Ｎ２方向に吹き
出された高温の窒素ガスは、整流板２６のスリット間、
各加熱ステージＳ１〜Ｓ８、開口部２３、空間Ｍ、排気
部７の順に流れ、矢印Ｎ３で示すように排気装置８に回
収される。
【００１０】各加熱ステージＳ１〜Ｓ８にはそれぞれ上
面の高さがそれぞれ等しく、かつ熱源（カートリッジヒ
ータ）を有するヒータブロックＢ１〜Ｂ８が基板２７の
搬送方向Ｎ１に向かって等間隔に配置されている。ま
た、入口ＩＮ側の加熱ステージＳ１〜Ｓ３のヒータブロ
ックＢ１〜Ｂ３には、基板２７に直接接触して基板２７
を加熱する加熱板Ｐ１〜Ｐ３が着脱自在に装着されてい
る。一方、加熱ステージＳ４〜Ｓ８のヒータブロックＢ
４〜Ｂ８には加熱板は装着されていない。これにより本
実施例では、加熱ステージＳ１〜Ｓ３を基板２７に接触
して加熱する接触加熱ゾーンとし、加熱ステージＳ４〜
Ｓ８を基板２７を非接触で加熱する非接触加熱ゾーンと
している。ここで、基板２７の品種に応じて望ましい温
度プロファイルが相違する。そこで、図２の構成に代え
て、ヒータブロックＢ４にも加熱板を装着し、加熱ステ
ージＳ１〜Ｓ４を接触加熱ゾーンとし、加熱ステージＳ
５〜Ｓ８を非接触加熱ゾーンとするなど、接触加熱ゾー
ンと非接触加熱ゾーンを簡単に変更して種々の温度プロ
ファイルに柔軟・容易に対応することができる。因みに
図２の構成では、図８（本発明の第１の実施例における
キュア装置における温度プロファイルを示すグラフ）に
示すように、加熱ゾーンＳ１〜Ｓ３において短時間にキ
ュア温度まで基板２７を加熱し、タクトタイムを短縮す
るとともに、加熱ゾーンＳ４〜Ｓ８において非接触で基
板２７の温度を維持することにより、基板２７を過剰に
加熱せず熱的なダメージを抑制できるだけでなく、有害
成分が蒸発しても基板２７周囲において気体が自由に流
通できるため、直ちに排気装置８側へ回収され有害成分
が基板２７の周囲に滞留しない。したがって、基板２７
のボンディング性が劣化しないようにすることができ
る。
面の高さがそれぞれ等しく、かつ熱源（カートリッジヒ
ータ）を有するヒータブロックＢ１〜Ｂ８が基板２７の
搬送方向Ｎ１に向かって等間隔に配置されている。ま
た、入口ＩＮ側の加熱ステージＳ１〜Ｓ３のヒータブロ
ックＢ１〜Ｂ３には、基板２７に直接接触して基板２７
を加熱する加熱板Ｐ１〜Ｐ３が着脱自在に装着されてい
る。一方、加熱ステージＳ４〜Ｓ８のヒータブロックＢ
４〜Ｂ８には加熱板は装着されていない。これにより本
実施例では、加熱ステージＳ１〜Ｓ３を基板２７に接触
して加熱する接触加熱ゾーンとし、加熱ステージＳ４〜
Ｓ８を基板２７を非接触で加熱する非接触加熱ゾーンと
している。ここで、基板２７の品種に応じて望ましい温
度プロファイルが相違する。そこで、図２の構成に代え
て、ヒータブロックＢ４にも加熱板を装着し、加熱ステ
ージＳ１〜Ｓ４を接触加熱ゾーンとし、加熱ステージＳ
５〜Ｓ８を非接触加熱ゾーンとするなど、接触加熱ゾー
ンと非接触加熱ゾーンを簡単に変更して種々の温度プロ
ファイルに柔軟・容易に対応することができる。因みに
図２の構成では、図８（本発明の第１の実施例における
キュア装置における温度プロファイルを示すグラフ）に
示すように、加熱ゾーンＳ１〜Ｓ３において短時間にキ
ュア温度まで基板２７を加熱し、タクトタイムを短縮す
るとともに、加熱ゾーンＳ４〜Ｓ８において非接触で基
板２７の温度を維持することにより、基板２７を過剰に
加熱せず熱的なダメージを抑制できるだけでなく、有害
成分が蒸発しても基板２７周囲において気体が自由に流
通できるため、直ちに排気装置８側へ回収され有害成分
が基板２７の周囲に滞留しない。したがって、基板２７
のボンディング性が劣化しないようにすることができ
る。
【００１１】次に図３〜図８を参照しながら、加熱手段
について詳細に説明する。図３は本発明の第１の実施例
におけるキュア装置の加熱板付近の平面図であり、加熱
ステージＳ３を上方から見たものである。また図４は本
発明の第１の実施例におけるキュア装置のＡ−Ａ線断面
図、図５は本発明の第１の実施例におけるキュア装置の
Ｂ−Ｂ線断面図である。
について詳細に説明する。図３は本発明の第１の実施例
におけるキュア装置の加熱板付近の平面図であり、加熱
ステージＳ３を上方から見たものである。また図４は本
発明の第１の実施例におけるキュア装置のＡ−Ａ線断面
図、図５は本発明の第１の実施例におけるキュア装置の
Ｂ−Ｂ線断面図である。
【００１２】図３において、３０〜３２は加熱板Ｐ３の
上面に、搬送方向Ｎ１と平行に刻まれた溝であり、これ
らの溝３０〜３２内に基板２７を搬送するワイヤ１９が
出入りできるようになっている。また、３５〜３８は加
熱板Ｐ３の上面に開口する吸引孔であり、基板２７を加
熱板Ｐ３上に載置すると、ダイ２８が丁度吸引孔３５〜
３８の真上に位置するように配置されている。そして吸
引孔３５〜３８には、枝管３９〜４２及び本管４３を介
して吸引装置４４による負圧が作用する。したがって加
熱ステージＳ３においては、第１の加熱手段に対応する
ヒートブロックＢ３及び加熱板Ｐ３に、基板２７の下面
を吸着して基板２７を加熱板Ｐ３に密着させる吸引孔３
５〜３８が備えられている。このため、加熱板Ｐ３の熱
を効率良く、しかも均一に基板２７に伝えることができ
る。また、基板２７のサイズが変更される際、使用する
吸引孔、溝を変更すべき場合が多いが、本実施例では、
吸引孔３５〜３８と溝３０〜３２とが複数設けられてい
るため、吸引孔と溝のうち使用する組合せを便宜変更す
ることにより、基板２７のサイズの変更に柔軟に対応で
きる。
上面に、搬送方向Ｎ１と平行に刻まれた溝であり、これ
らの溝３０〜３２内に基板２７を搬送するワイヤ１９が
出入りできるようになっている。また、３５〜３８は加
熱板Ｐ３の上面に開口する吸引孔であり、基板２７を加
熱板Ｐ３上に載置すると、ダイ２８が丁度吸引孔３５〜
３８の真上に位置するように配置されている。そして吸
引孔３５〜３８には、枝管３９〜４２及び本管４３を介
して吸引装置４４による負圧が作用する。したがって加
熱ステージＳ３においては、第１の加熱手段に対応する
ヒートブロックＢ３及び加熱板Ｐ３に、基板２７の下面
を吸着して基板２７を加熱板Ｐ３に密着させる吸引孔３
５〜３８が備えられている。このため、加熱板Ｐ３の熱
を効率良く、しかも均一に基板２７に伝えることができ
る。また、基板２７のサイズが変更される際、使用する
吸引孔、溝を変更すべき場合が多いが、本実施例では、
吸引孔３５〜３８と溝３０〜３２とが複数設けられてい
るため、吸引孔と溝のうち使用する組合せを便宜変更す
ることにより、基板２７のサイズの変更に柔軟に対応で
きる。
【００１３】また図３〜図５において、３３は熱源とし
てのカートリッジヒータ、３４は熱電対、４５はヒータ
ブロックＢ３をベース板２４に固定するボルト、４６は
加熱板Ｐ３をヒータブロックＢ３に着脱自在に装着する
ためのボルトであり、いずれのボルト４５，４６の取付
穴にもザグリが施してあり、ボルト４５，４６の頭部上
面が、ヒータブロックＢ３又は加熱板Ｐ３の上面から上
方へ突出しないようになっている。なお、接触加熱ゾー
ンである加熱ステージＳ１，Ｓ２においては、上記と同
様の構成となっている。また非接触加熱ゾーンである加
熱ステージＳ４〜Ｓ８では、加熱板Ｐ３などを取外した
状態となっている。
てのカートリッジヒータ、３４は熱電対、４５はヒータ
ブロックＢ３をベース板２４に固定するボルト、４６は
加熱板Ｐ３をヒータブロックＢ３に着脱自在に装着する
ためのボルトであり、いずれのボルト４５，４６の取付
穴にもザグリが施してあり、ボルト４５，４６の頭部上
面が、ヒータブロックＢ３又は加熱板Ｐ３の上面から上
方へ突出しないようになっている。なお、接触加熱ゾー
ンである加熱ステージＳ１，Ｓ２においては、上記と同
様の構成となっている。また非接触加熱ゾーンである加
熱ステージＳ４〜Ｓ８では、加熱板Ｐ３などを取外した
状態となっている。
【００１４】図６、図７は本発明の第１の実施例におけ
るキュア装置の動作説明図であり、加熱ステージＳ３，
Ｓ４付近を拡大して示している。図１も参照しながら説
明するに、まず基板２７を加熱する際には、図６に示す
ように、シリンダ９のロッド１０，１１を没入させ、昇
降板１２のレベルを下げることにより、ワイヤ１９を溝
３０〜３２に入れる。これによって、接触加熱ゾーンで
ある加熱ステージＳ１〜Ｓ３では、基板２７が加熱板Ｐ
１〜Ｐ３上に載置され加熱板Ｐ１〜Ｐ３の熱が基板２７
に直接伝えられる。一方、非接触加熱ゾーンである加熱
ステージＳ４〜Ｓ８では加熱板がないので、基板２７は
ワイヤ１９に載ったままの状態にある。次に図６に示す
加熱の１ステップが終了したら、シリンダ９のロッド１
０，１１を突出させ、図７に示すようにワイヤ１９を加
熱板Ｐ１〜Ｐ３よりも上方のレベルにして、モータ２０
を駆動して、１ステージ分基板２７を搬送方向Ｎ１に送
る。以上の動作をくり返すことにより、基板２７を順次
入口ＩＮから炉体１内へ入れ、また出口ＯＵＴから送り
出すものである。
るキュア装置の動作説明図であり、加熱ステージＳ３，
Ｓ４付近を拡大して示している。図１も参照しながら説
明するに、まず基板２７を加熱する際には、図６に示す
ように、シリンダ９のロッド１０，１１を没入させ、昇
降板１２のレベルを下げることにより、ワイヤ１９を溝
３０〜３２に入れる。これによって、接触加熱ゾーンで
ある加熱ステージＳ１〜Ｓ３では、基板２７が加熱板Ｐ
１〜Ｐ３上に載置され加熱板Ｐ１〜Ｐ３の熱が基板２７
に直接伝えられる。一方、非接触加熱ゾーンである加熱
ステージＳ４〜Ｓ８では加熱板がないので、基板２７は
ワイヤ１９に載ったままの状態にある。次に図６に示す
加熱の１ステップが終了したら、シリンダ９のロッド１
０，１１を突出させ、図７に示すようにワイヤ１９を加
熱板Ｐ１〜Ｐ３よりも上方のレベルにして、モータ２０
を駆動して、１ステージ分基板２７を搬送方向Ｎ１に送
る。以上の動作をくり返すことにより、基板２７を順次
入口ＩＮから炉体１内へ入れ、また出口ＯＵＴから送り
出すものである。
【００１５】次に図９を参照しながら本発明の第２の実
施例を説明する。図９は本発明の第２の実施例における
キュア装置の縦断面図である。第２の実施例では、第１
の実施例に対し非接触加熱ゾーンの構成を変更してい
る。即ち、非接触加熱ゾーンである加熱ステージＳ４〜
Ｓ８においてヒータブロックを設けておらずワイヤ１９
に載った基板２７の下方には気流を妨げる部材が殆んど
何もない状態としている。一方、加熱ステージＳ４〜Ｓ
８の上部の整流板２６のスリットの下方に、第２の加熱
手段に対応するフィンヒータ４７を配設している。フィ
ンヒータ４７のうち、４８はヒータ部、４９はヒータ部
４８の周囲につば状に設けられるフィンである。第２の
実施例によれば、非接触加熱ゾーンにおいて基板２７の
下方に気流を妨げるものがないため、炉体１内の気流が
安定し、ほぼ一様に下向きとなるので、基板２７やダイ
２８の汚染を一層抑制できる。またヒートブロックに比
べフィンヒータは安価であるので、製造コストを低減で
きる。
施例を説明する。図９は本発明の第２の実施例における
キュア装置の縦断面図である。第２の実施例では、第１
の実施例に対し非接触加熱ゾーンの構成を変更してい
る。即ち、非接触加熱ゾーンである加熱ステージＳ４〜
Ｓ８においてヒータブロックを設けておらずワイヤ１９
に載った基板２７の下方には気流を妨げる部材が殆んど
何もない状態としている。一方、加熱ステージＳ４〜Ｓ
８の上部の整流板２６のスリットの下方に、第２の加熱
手段に対応するフィンヒータ４７を配設している。フィ
ンヒータ４７のうち、４８はヒータ部、４９はヒータ部
４８の周囲につば状に設けられるフィンである。第２の
実施例によれば、非接触加熱ゾーンにおいて基板２７の
下方に気流を妨げるものがないため、炉体１内の気流が
安定し、ほぼ一様に下向きとなるので、基板２７やダイ
２８の汚染を一層抑制できる。またヒートブロックに比
べフィンヒータは安価であるので、製造コストを低減で
きる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、第１の加熱手段により
短時間に基板をキュア温度に到達させることによりタク
トタイムを短縮できるだけでなく、第２の加熱手段によ
りボンディングペーストから蒸発する有機ガス等の有害
成分の影響を抑制して、基板の温度管理を適切・合理的
に行うことができる。
短時間に基板をキュア温度に到達させることによりタク
トタイムを短縮できるだけでなく、第２の加熱手段によ
りボンディングペーストから蒸発する有機ガス等の有害
成分の影響を抑制して、基板の温度管理を適切・合理的
に行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるキュア装置の側
面図
面図
【図２】本発明の第１の実施例におけるキュア装置の縦
断面図
断面図
【図３】本発明の第１の実施例におけるキュア装置の加
熱板付近の平面図
熱板付近の平面図
【図４】本発明の第１の実施例におけるキュア装置のＡ
−Ａ線断面図
−Ａ線断面図
【図５】本発明の第１の実施例におけるキュア装置のＢ
−Ｂ線断面図
−Ｂ線断面図
【図６】本発明の第１の実施例におけるキュア装置の動
作説明図
作説明図
【図７】本発明の第１の実施例におけるキュア装置の動
作説明図
作説明図
【図８】本発明の第１の実施例におけるキュア装置にお
ける温度プロファイルを示すグラフ
ける温度プロファイルを示すグラフ
【図９】本発明の第２の実施例におけるキュア装置の縦
断面図
断面図
１ 炉体 ４ Ｎ2 供給装置５ 給気部 ６ ヒータ １９ ワイヤ ２０ モータ ２７ 基板 ３０ 溝 ３１ 溝 ３２ 溝 ３５ 吸引孔 ３６ 吸引孔 ３７ 吸引孔 ３８ 吸引孔 ４７ フィンヒータ ＩＮ 入口 ＯＵＴ 出口 Ｂ１ ヒータブロック Ｂ２ ヒータブロック Ｂ３ ヒータブロック Ｂ４ ヒータブロック Ｂ５ ヒータブロック Ｂ６ ヒータブロック Ｂ７ ヒータブロック Ｂ８ ヒータブロック Ｐ１ 加熱板 Ｐ２ 加熱板 Ｐ３ 加熱板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52
Claims (6)
- 【請求項１】 炉体と、前記炉体内に不活性ガスを供給
するヒータを備えたガス供給手段と、前記炉体の入口か
ら出口へ向けて基板を搬送する搬送手段と、前記炉体の
入口側に設けられ、かつ基板の下面側に接触して基板を
加熱する第１の加熱手段と、前記炉体の出口側に設けら
れ、かつ基板に接触せずに基板を加熱する第２の加熱手
段とを備え、前記第１の加熱手段が備えられたゾーンを
接触加熱ゾーンとし、また前記第２の加熱手段が備えら
れたゾーンを非接触加熱ゾーンとすることを特徴とする
キュア装置。 - 【請求項２】 炉体と、前記炉体内に不活性ガスを供給
するガス供給手段と、前記炉体の入口から出口へ向けて
基板を搬送する搬送手段とを備えたキュア装置であっ
て、前記炉体の入口側を基板の下面側に接触して基板を
加熱する第１の加熱手段を備えた接触加熱ゾーンとし、
前記炉体の出口側を基板に接触せずに基板を加熱する第
２の加熱手段とを備えた非接触加熱ゾーンとしたことを
特徴とするキュア装置。 - 【請求項３】 前記第１の加熱手段は、熱源を有するヒ
ータブロックと、前記ヒータブロックの上面に着脱自在
に装着される加熱板を備え、前記第２の加熱手段は前記
加熱板が装着されない前記ヒータブロックからなり、前
記各ヒータブロックの上面高さを均一にすると共に、前
記各ヒータブロックを前記炉体の入口から出口に向かっ
て等間隔に配置したことを特徴とする請求項１または２
記載のキュア装置。 - 【請求項４】 前記第２の加熱手段は、フィンヒータで
ある請求項１または２記載のキュア装置。 - 【請求項５】 前記加熱板は、基板の下面を吸着して基
板を加熱板に密着させる吸引孔を備えることを特徴とす
る請求項３記載のキュア装置。 - 【請求項６】 前記搬送手段は、基板を搬送するワイヤ
を備え、かつ前記加熱板は、前記加熱板の上面よりも低
いレベルで前記ワイヤを通過させる複数の溝を備えるこ
とを特徴とする請求項３記載のキュア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09723294A JP3156500B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | キュア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09723294A JP3156500B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | キュア装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307353A JPH07307353A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3156500B2 true JP3156500B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=14186884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09723294A Expired - Fee Related JP3156500B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | キュア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3156500B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232430A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Nec Corp | 半導体素子の製造装置 |
| JP2531024Y2 (ja) * | 1988-10-05 | 1997-04-02 | 松下電器産業株式会社 | セラミック基板の共晶加熱ボンディング装置 |
| JPH0619546Y2 (ja) * | 1989-09-11 | 1994-05-25 | ソニー株式会社 | 加熱硬化装置 |
-
1994
- 1994-05-11 JP JP09723294A patent/JP3156500B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07307353A (ja) | 1995-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |