JP2668739B2 - キュア装置 - Google Patents

キュア装置

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JP2668739B2 JP2105301A JP10530190A JP2668739B2 JP 2668739 B2 JP2668739 B2 JP 2668739B2 JP 2105301 A JP2105301 A JP 2105301A JP 10530190 A JP10530190 A JP 10530190A JP 2668739 B2 JP2668739 B2 JP 2668739B2
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はリードフレーム等の板状部材に塗布された銀
ペースト等の熱硬化接合剤を乾燥させるキュア装置に関
する。
[従来の技術] 半導体装置の製造工程には、リードフレームに熱硬化
接合剤を介してダイがボンディングされたワークをキュ
ア装置によって加熱し、熱硬化接合剤を乾燥させてリー
ドフレームにダイを固着させる工程がある。前記キュア
装置では、ワークを加熱するのにヒートブロックが使用
されている。またワーク表面付近の温度が低下すると、
熱硬化接合剤の熱分解により発生した不純物ガスが冷却
固化して粒子となり、ワーク表面に付着して品質を低下
させてしまう。これを防止するために、ワーク表面付近
に上部より高温の不活生ガスを吹き付けて不純物ガスの
粒子化を防ぐと共に排気して除去することが行われてい
る。
従来のキュア装置における高温ガスの供給方式には、
高温ガスを一方向からワーク表面に沿って流し、他方か
ら排気するワンウエイ方式又はワーク加熱部の上方に設
けられた高温ガス供給室内に高温ガスを吹き込み、この
高温ガス供給室の下部に設けられたスリットを通してワ
ークの表面に高温ガスを供給する高温ガス供給室方式、
もしくはワーク加熱部の上方に配設されたパイプに高温
ガスを吹き込み、このパイプの下部に設けられた孔を通
してワークの表面に高温ガスを供給するパイプ方式等が
提案されている。
なお、この種のキュア装置に関連するものには、例え
ば特開昭63−239957号公報、特開昭63−316443号公報、
実開平2−8033号公報が知られている。
[発明が解決しようとする課題] 上記ワンウエイ方式は、高温ガスの流れに沿ったワー
クの位置によって清浄化が異なる。即ち、高温ガス流入
側のワークは、常に新鮮なガスで覆われるので、清浄化
されるが、高温ガス排気側のワークは、それ以前のワー
ク表面に沿って流れたガスが供給されるので、前記のワ
ークによって汚れたガス及び不純物が供給されることに
なり、清浄化されない。またガスの流入口と排気口では
温度が異なるので、一定品質の熱硬化は期待できない。
上記高温ガス供給室方式は、高温ガスを直接ワークの
表面に吹き付けるので、各ワークに対して一定温度のガ
スが均等に供給されなく、品質を一定にすることができ
ない。
上記パイプ方式は、パイプ内部のガス温度を一定にす
ることが困難であり、上記高温ガス供給室方式と同様に
品質を一定にすることができない。また固定の孔を通し
てガスを供給するので、リードフレームの寸法又はリー
ドフレームに搭載されているダイの間隔が異なるものに
は、ガス供給状態が変り、品種による安定した加熱は期
待できない。
本発明の目的は、各ワークに対して均一な清浄度が保
たれ、また均一に加熱することができ、品質の安定化が
図れるキュア装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的は、板状部材に熱硬化接合剤を介してダイが
ボンデイングされたワークを載置して加熱するヒートブ
ロックと、このヒートブロックの上方に設けられ下部に
ガス供給口を有する高温ガス供給室と、この高温ガス供
給室に高温ガスを供給する高温ガス供給手段とを備えた
キュア装置において、前記高温ガス供給手段によって供
給された高温ガスを拡散する拡散板を前記高温ガス供給
室内に設けた構成により達成される。
[作用] 高温ガス供給手段によって高温ガス供給室内に供給さ
れた高温ガスは、拡散板によって拡散されて均一な温度
となる。この均一な温度の高温ガスが各ワークに供給さ
れるので、常に品質が一定のキュアリングが行える。ま
た各ワークに対して高温ガスを吹き付けるので、各ワー
クは全て新鮮な高温ガスで覆われ、全て均一に清浄化さ
れる。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を図により説明する。キュア
室1は、一定幅のスリット2を有して平行に配設された
仕切板3によってワーク加熱室4と高温ガス供給室5と
に形成されている。ワーク加熱室4には、複数のヒート
ブロック6が一定の隙間7を有して平行に配設されてい
る。ここで、前記スリット2はヒートブロック6上に対
応して設けられている。高温ガス供給室5の両側には、
ヒータ8によって加熱された不活性高温ガス9を高温ガ
ス供給室5内に供給するパイプ10が接続されている。ま
た高温ガス供給室5内には、パイプ10によって供給され
た高温ガス9が衝突して拡散するように網状又は多数の
穴が明けられた板等よりなる拡散板11が複数個配設され
ている。
次に作用について説明する。リードフレーム15にAg等
よりなる熱硬化接合剤16を介してダイ17がダイボンデイ
ングされたワーク18は、ヒートブロック6上をタクト送
りにより順次搬送されてキュアリングされる。この場
合、ワーク18の表面上には、高温ガス供給室5内の高温
ガス9aがスリット2を通して吹き付けられ、この高温ガ
ス9aはヒートブロック6の隙間7を通って下方に排気さ
れる。このため、ワーク18表面付近の不純物ガスは前記
高温ガス9aと共に下方へ排気される。
ところで、パイプ10より高温ガス供給室5内に供給さ
れた高温ガス9は、一旦、拡散板11に衝突して高温ガス
供給室5内に充満させられるので、混合して乱流とな
り、高温ガス供給室5内に片寄った温度分布を生ずるこ
となく拡散され、均一な温度となる。この拡散されて均
一な温度となった高温ガス9aがスリット2を通してワー
ク18に供給されるので、常に品質が一定のキュアリング
が行える。また各ワーク18に対して高温ガス9aが吹き付
けるので、各ワーク18は全て常に新鮮な高温ガス9aで覆
われ、全て均一に清浄化される。
なお、本実施例においては、各ワーク18に対応してス
リット2を設けたが、仕切板3の多数の孔を設けてもよ
い。しかし、本実施例のように、各ワーク18に対応して
スリット2を設けると、高温ガス9aはスリット2の開口
部に沿って直線状にワーク18のみに直上から吹き付ける
ことができ、高温ガス9aの供給に無駄な経路がない。ま
たスリット2は仕切板3を並べた簡単な構造で形成でき
るので、装置の低廉化が図れる。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、均
一な温度の高温ガスが各ワークに供給されるので、常に
一定品質のキュアリングが行える。また各ワークに対し
て高温ガスを吹き付けるので、各ワークは全て新鮮な高
温ガスで覆われ、全て均一に清浄化される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は第1
図の概略構成斜視図である。 2:スリット、5:高温ガス供給室、 6:ヒートブロック、8:ヒータ、 9、9a:高温ガス、10:パイプ、 11:拡散板、15:リードフレーム、 16:熱硬化接合剤、17:ダイ、 18:ワーク。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】板状部材に熱硬化接合剤を介してダイがボ
    ンデイングされたワークを載置して加熱するヒートブロ
    ックと、このヒートブロックの上方に設けられ下部にガ
    ス供給口を有する高温ガス供給室と、この高温ガス供給
    室に高温ガスを供給する高温ガス供給手段とを備えたキ
    ュア装置において、前記高温ガス供給手段によって供給
    された高温ガスを拡散する拡散板を前記高温ガス供給室
    内に設けたことを特徴とするキュア装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記ガス供給口は、前
    記ヒートブロックに対応して設けられたスリットよりな
    ることを特徴とするキュア装置。
JP2105301A 1990-04-23 1990-04-23 キュア装置 Expired - Fee Related JP2668739B2 (ja)

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