JP2536957Y2 - ダイボンディング装置 - Google Patents

ダイボンディング装置

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JP2536957Y2
JP2536957Y2 JP1990066660U JP6666090U JP2536957Y2 JP 2536957 Y2 JP2536957 Y2 JP 2536957Y2 JP 1990066660 U JP1990066660 U JP 1990066660U JP 6666090 U JP6666090 U JP 6666090U JP 2536957 Y2 JP2536957 Y2 JP 2536957Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はダイボンディング装置に関し、特に熱圧着に
てダイボンディングを行う半導体装置のダイボンディン
グ装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のダイボンディング装置は第4図に示す
ように、ヒータ7によってリードフレーム5を加熱する
加熱レール6と、リング8に引き伸ばされたテープに貼
り付けられた半導体素子9を真空吸着してリードフレー
ム5上に熱圧着させるダイボンディングコレット10と、
ダイボンディングコレット10を支持しているダイボンデ
ィングアーム4とを有している。
〔考案が解決しようとする課題〕
この従来のダイボンディング装置では、ダイボンディ
ングアーム4はダイボンディングスピード高速化のため
に軽量なアルミニウムが使用されている。
ダイボンディング動作停止状態では、ダイボンディン
グアーム4は加熱レール6から離れた状態にあるが、ダ
イボンディング動作中の半導体素子9を真空吸着する時
点では、アーム4が加熱レール6に近づく。
従って、ダイボンディング動作を繰り返すと、加熱レ
ール6からの放熱によって、ダイボンディングアーム4
が停止状態時より20℃程度温度上昇し、熱膨張(アルミ
ニウムの線膨張率;α=23.03×10-6)による伸びが生
じ、コレット10の位置が40μm程度ずれ、ダイボンディ
ング位置がばらつくという問題点があった。
本考案の目的は加熱レールからの放熱によるダイボン
ディングアームの温度上昇を防止することにより、従来
の問題点を解決したダイボンディング装置を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本考案に係わるダイボンデ
ィング装置においては、加熱レールと、ダイボンディン
グアームと、液体吹出管とを有するダイボンディング装
置であって、 加熱レールは、リードフレームを加熱させるものであ
り、 ダイボンディングアームは、ダイボンディングコレッ
トを装備し、該コレットに真空吸着した半導体素子を加
熱レールのリードフレーム上に搬入してダイボンディン
グを行わせるものであり、 流体吹出管は、ダイボンディングアームに一体に組付
けられ、冷媒をダイボンディングアームに吹付けて該ア
ームを冷却させるものである。
また、本考案において、前記流体吹出管は、加熱レー
ル側に設けたものである。
〔作用〕
本考案は、半導体素子をダイボンディングする際に流
体吹出孔から流体を噴出させ、ダイボンディングアーム
を冷却して、加熱レールからの放熱による温度上昇を防
ぐ機能を備えるものである。
〔実施例〕
以下、本考案の実施例を図により説明する。
(実施例1) 第1図は本考案の実施例1を示す正面図、第2図は同
平面図である。
図において、ヒータ7で加熱される加熱レール6は水
平に敷設されており、加熱レール6の側方には、リング
8で引き伸ばされたテープに貼り付けられた半導体素子
9が設置される。
また、ダイボンディングアーム4は、半導体素子9と
加熱レール6上のリードフレーム5との間に往復動可能
に設置されており、その先端にダイボンディングコレッ
ト10を取付けている。
さらに、流体吹出管12はダイボンディングアーム4の
形状に添せて設けられ、流体吹出管12が取付金具13によ
りダイボンディングアーム4に一体に組付けてある。ま
た、流体吹出管12には、複数の流体吹出孔11,11,…をダ
イボンディングアーム4に対向させて開口させてある。
流体吹出管12は、高圧流体源14に、圧力計2、流量計3
を介して流体導通管1により接続されている。
半導体素子9は、リング8上に引き伸ばされたテープ
に整列されている。リードフレーム5は、ヒータ7によ
って加熱された加熱レール6上に運び込まれる。
この半導体素子9をダイボンディングアーム4のダイ
ボンディングコレット10に真空吸着して、リードフレー
ム5上にダイボンディングを行うときに、ダイボンディ
ングアーム4は、加熱レール6上の往復移動を繰り返
す。その際、圧力計2、流量計3にて、条件管理された
高圧窒素が、流体導通管1から供給される。高圧窒素
は、ダイボンディングアーム4に固定された流体吹出管
12を通り、流体吹出孔11から噴出されてダイボンディン
グアーム4を冷却する。
(実施例2) 第3図は本考案の実施例2を示す正面図である。
本実施例は、ダイボンディングアーム4が最も加熱レ
ール6に近づく位置に合せて加熱レール6側に流体吹出
管12を固定して、高圧窒素を常時噴出させるものであ
る。
本実施例では、ダイボンディングアーム4が停止時に
は、流体吹出孔11はダイボンディングアーム4に向いて
いないため、高圧窒素を止める必要はない。
したがって、本実施例では、ダイボンディングアーム
4の動作状態に合せて、高圧窒素供給のON/OFFを制御す
る必要がなく、さらにダイボンディングアーム4に固定
しないため、ダイボンディングアームが軽量化されると
いう利点がある。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は、ダイボンディング動作
を繰り返しているダイボンディングアームを流体で冷却
することによって、加熱レールからの放熱による伸びを
押えるので、コレット位置が変化せず、ダイボンディン
グ位置精度を向上できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例1を示す正面図、第2図は同平
面図、第3図は本考案の実施例2を示す正面図、第4図
は従来のダイボンディング装置を示す正面図である。 1…流体導通管、2…圧力計 3…流量計 4…ダイボンディングアーム 5…リードフレーム、6…加熱レール 7…ヒータ、8…リング 9…半導体素子 10…ダイボンディングコレット 11…流体吹出孔、12…流体吹出管

Claims (2)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】加熱レールと、ダイボンディングアーム
    と、流体吹出管とを有するダイボンディング装置であっ
    て、 加熱レールは、リードフレームを加熱させるものであ
    り、 ダイボンディングアームは、ダイボンディングコレット
    を装備し、該コレットに真空吸着した半導体素子を加熱
    レールのリードフレーム上に搬入してダイボンディング
    を行わせるものであり、 流体吹出管は、ダイボンディングアームに一体に組付け
    られ、冷媒をダイボンディングアームに吹付けて該アー
    ムを冷却させるものであることを特徴とするダイボンデ
    ィング装置。
  2. 【請求項2】前記流体吹出管は、加熱レール側に設けた
    ものであることを特徴とする請求項第(1)項に記載の
    ダイボンディング装置。
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JPS574129A (en) * 1980-06-09 1982-01-09 Mitsubishi Electric Corp Die-bonding device for semiconductor element

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