JPH0334341A - ボンディング装置及びボンディング方法 - Google Patents
ボンディング装置及びボンディング方法Info
- Publication number
- JPH0334341A JPH0334341A JP1169500A JP16950089A JPH0334341A JP H0334341 A JPH0334341 A JP H0334341A JP 1169500 A JP1169500 A JP 1169500A JP 16950089 A JP16950089 A JP 16950089A JP H0334341 A JPH0334341 A JP H0334341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- heated
- cold air
- wedge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超音波ウェッジを用いたボンディング装置及び
ボンディング方法に関する。
ボンディング方法に関する。
従来の超音波ウェッジボンダーは、第4図の正面図に示
すように、ダイボンド済IC5aの電極パッドにワイヤ
ーを接合する際に、ボンディングウェッジ10に超音波
振動と荷重をかける事により接合を行っていた。すなわ
ち、ダイボンド済IC5aは、ボンダー本体1上のIC
収納用キャリア4aからIC搬送用キャリア4bによっ
てボンディングヘッド8の下に送られ、ワイヤーボンデ
ィング済IC5bとなって他のIC収納用キャリア4a
に収納されるようになっていた。
すように、ダイボンド済IC5aの電極パッドにワイヤ
ーを接合する際に、ボンディングウェッジ10に超音波
振動と荷重をかける事により接合を行っていた。すなわ
ち、ダイボンド済IC5aは、ボンダー本体1上のIC
収納用キャリア4aからIC搬送用キャリア4bによっ
てボンディングヘッド8の下に送られ、ワイヤーボンデ
ィング済IC5bとなって他のIC収納用キャリア4a
に収納されるようになっていた。
しかし上述の超音波ウェッジボンダーでワイヤーとIC
チップの電極パッドとを接合する際、特に電極パッド材
質であるAjIの厚みが約1.5μm以上になると、電
極パッド部のAjIが接合の際、超音波をかけられたワ
イヤーにこすられてめくれ上り、A1屑が発生するとい
う欠点があった。
チップの電極パッドとを接合する際、特に電極パッド材
質であるAjIの厚みが約1.5μm以上になると、電
極パッド部のAjIが接合の際、超音波をかけられたワ
イヤーにこすられてめくれ上り、A1屑が発生するとい
う欠点があった。
電極パッド部にA1屑が発生すると、電極パッド間ピッ
チが約110μm以下のICにおいては隣接パッド間で
ショートする危険性があり、又、電極パッド部からA1
屑が浮遊した場合、ICチップ内部配線間ショートに至
る危険性があり、ボンディングの際の電極パッド部にお
けるAI!屑の発生はLSIの品質を著しく低下させる
という欠点があった。
チが約110μm以下のICにおいては隣接パッド間で
ショートする危険性があり、又、電極パッド部からA1
屑が浮遊した場合、ICチップ内部配線間ショートに至
る危険性があり、ボンディングの際の電極パッド部にお
けるAI!屑の発生はLSIの品質を著しく低下させる
という欠点があった。
本発明は、ダイボンド済ICチップの電極パッドを冷却
する冷却機構とボンディングワイヤーを加熱するヒータ
ー機構とを備えたボンディング装置及びダイボンド済I
Cに冷風を吹きつけ電極パッドを冷却硬化させてボンデ
ィング部に搬送し、一方ボンディング前のボンディング
ワイヤーを加熱軟化させてボンディング部に送り込み、
前記電極パッドとボンディングワイヤーとを超音波ボン
デインクするボンティング方法である。
する冷却機構とボンディングワイヤーを加熱するヒータ
ー機構とを備えたボンディング装置及びダイボンド済I
Cに冷風を吹きつけ電極パッドを冷却硬化させてボンデ
ィング部に搬送し、一方ボンディング前のボンディング
ワイヤーを加熱軟化させてボンディング部に送り込み、
前記電極パッドとボンディングワイヤーとを超音波ボン
デインクするボンティング方法である。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の正面図である。
ダイボンド済IC5aのチップ表面は、ワイヤーボンテ
イング前IC搬送部7において冷風6(約5℃以下)を
吹きつけて冷却することによりチップ表面の電極パッド
部のAIを硬化させる。
イング前IC搬送部7において冷風6(約5℃以下)を
吹きつけて冷却することによりチップ表面の電極パッド
部のAIを硬化させる。
冷風6は、ボンダー本体1に組み込まれた冷却機2より
送風管3を経てダイボンド済IC5aに吹きつけられる
。又、ボンテイング部12において、ボンディングワイ
ヤーは、ヒーター付超音波振動子9bによって加熱され
たボンディングウェッジ10により加熱されて軟化し、
超音波ボンディングの際電極パッド部のA々が、ボンデ
ィングワイヤーの振動によってめくれ上がることを防止
する。
送風管3を経てダイボンド済IC5aに吹きつけられる
。又、ボンテイング部12において、ボンディングワイ
ヤーは、ヒーター付超音波振動子9bによって加熱され
たボンディングウェッジ10により加熱されて軟化し、
超音波ボンディングの際電極パッド部のA々が、ボンデ
ィングワイヤーの振動によってめくれ上がることを防止
する。
第2図は、ヒーター付超音波振動子〈第1図。
9b)の部分拡大側面図であり、その先端がヒーター1
1により加熱され、従ってボンディングウェッジ10も
加熱され、ボンディングの際ボンディングワイヤ13が
軟化する様にした。
1により加熱され、従ってボンディングウェッジ10も
加熱され、ボンディングの際ボンディングワイヤ13が
軟化する様にした。
第3図は本発明の第2の実施例の正面図である。第1の
実施例において、電極パッド材を硬化させるためにチッ
プ表面から冷風を吹き付けたのに対し、本実施例では、
パッケージ裏面に冷風6を当て、電極パッド材を硬化さ
せる様にした。
実施例において、電極パッド材を硬化させるためにチッ
プ表面から冷風を吹き付けたのに対し、本実施例では、
パッケージ裏面に冷風6を当て、電極パッド材を硬化さ
せる様にした。
この実施例では冷風が直接チップ表面に当らないため、
冷風中の異物等によるICの品質低下が起らないという
利点がある。
冷風中の異物等によるICの品質低下が起らないという
利点がある。
以上説明したように本発明は、チップ表面冷却部機構に
より、電極パッドを冷却させてパッド部のAfの硬度を
増大させ、又ウェッジ加熱機構により、ボンディングワ
イヤーを加熱してワイヤー硬度を低下させ、ボンディン
グ時に、超音波振動を加えられたワイヤーによってパッ
ド部のA1がめくれ上り、A1屑が発生するのを防止で
きる効果がある。
より、電極パッドを冷却させてパッド部のAfの硬度を
増大させ、又ウェッジ加熱機構により、ボンディングワ
イヤーを加熱してワイヤー硬度を低下させ、ボンディン
グ時に、超音波振動を加えられたワイヤーによってパッ
ド部のA1がめくれ上り、A1屑が発生するのを防止で
きる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の正面図、第2図は第1
図のヒーター付超音波振動子の部分拡大鋼面図、第3図
は本発明の第2の実施例の正面図、第4図は従来の超音
波ウェッジボンダーの正面図である。 1・・・ボンダー本体、2・・・冷却機、3・・・送風
管、4a・・・IC収納用キャリア、4b・・・ICW
i送用キャリア、5a・・・ダイボンド済IC15b・
・・ワイヤーボンディング済IC16・・・冷風、7・
・・ワイヤーボンテイング前IC搬送部、8・・・ボン
ディングヘッド、9a・・・超音波振動子、9b・・・
ヒーター付超音波振動子、10・・・ボンディングウェ
ッジ、11・・・ヒーター、12・・・ボンディング部
、13・・・ボンディングワイヤー
図のヒーター付超音波振動子の部分拡大鋼面図、第3図
は本発明の第2の実施例の正面図、第4図は従来の超音
波ウェッジボンダーの正面図である。 1・・・ボンダー本体、2・・・冷却機、3・・・送風
管、4a・・・IC収納用キャリア、4b・・・ICW
i送用キャリア、5a・・・ダイボンド済IC15b・
・・ワイヤーボンディング済IC16・・・冷風、7・
・・ワイヤーボンテイング前IC搬送部、8・・・ボン
ディングヘッド、9a・・・超音波振動子、9b・・・
ヒーター付超音波振動子、10・・・ボンディングウェ
ッジ、11・・・ヒーター、12・・・ボンディング部
、13・・・ボンディングワイヤー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、超音波ウェッジボンディング装置において、ダイボ
ンド済ICチップの電極パッドを冷却する冷却機構と、
ボンディングワイヤーを加熱するヒーター機構とを備え
たことを特徴とするボンディング装置。 2、超音波ウェッジボンディング装置を用いたボンディ
ング方法において、ダイボンド済ICに冷風を吹きつけ
電極パッドを冷却硬化さててボンディング部に搬送し、
一方ボンディング前のボンディングワイヤーを加熱軟化
させてボンディング部に送り込み、前記電極パッドとボ
ンディングワイヤーとを超音波ボンディングすることを
特徴とするボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1169500A JPH0334341A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1169500A JPH0334341A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0334341A true JPH0334341A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15887673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1169500A Pending JPH0334341A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0334341A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163647A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Kaijo Corp | ワイヤボンダ |
JP2009147185A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1169500A patent/JPH0334341A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163647A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Kaijo Corp | ワイヤボンダ |
JP2829471B2 (ja) * | 1992-11-18 | 1998-11-25 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンダ |
JP2009147185A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3474212B2 (ja) | 超小型電子ボンド形成方法および組立体 | |
EP0791955B1 (en) | Integrated circuit interconnections | |
JPH0974098A (ja) | 半導体チップのボンディング方法 | |
KR20010015104A (ko) | 와이어본딩장치 및 방법 | |
TWI238479B (en) | Bonding method and bonding apparatus | |
JPH0334341A (ja) | ボンディング装置及びボンディング方法 | |
KR20020036658A (ko) | 전극형성방법 및 그에 이용되는 범프 전극 피형성체 | |
US6135341A (en) | Room temperature gold wire wedge bonding process | |
JP2986677B2 (ja) | 超音波熱圧着装置 | |
JP2004079597A (ja) | 半導体チップの加工方法 | |
KR20090005903A (ko) | 캐필러리에 열을 공급하는 와이어 본딩장치 | |
JP2000357705A (ja) | 電子部品の接続方法 | |
JP2616587B2 (ja) | 半導体装置の樹脂ばり除去方法 | |
JPH07283265A (ja) | ボンディング用加熱装置 | |
US7926698B2 (en) | Spot heat wirebonding | |
JP3050067B2 (ja) | キュア装置およびキュア方法 | |
JPH0430546A (ja) | 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード | |
JPH04240739A (ja) | ボンディング装置 | |
JP2003224159A (ja) | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 | |
JPS62276841A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH0737889A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH11214424A (ja) | ウェッジボンディング方法および装置ならびに半導体装置 | |
JPH0669268A (ja) | ボンディング装置 | |
JPH03127842A (ja) | ワイヤボンディング方法および装置 | |
JPH11111905A (ja) | 電気的接続方法および突起電極形成体 |