JPS60182151A - 機能する回路の電気的マトリツクスを構成する方法および装置 - Google Patents

機能する回路の電気的マトリツクスを構成する方法および装置

Info

Publication number
JPS60182151A
JPS60182151A JP60016706A JP1670685A JPS60182151A JP S60182151 A JPS60182151 A JP S60182151A JP 60016706 A JP60016706 A JP 60016706A JP 1670685 A JP1670685 A JP 1670685A JP S60182151 A JPS60182151 A JP S60182151A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
functional
circuits
decoder
selection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60016706A
Other languages
English (en)
Inventor
レミツシユ・シー・ヴアーシユネイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of JPS60182151A publication Critical patent/JPS60182151A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/22Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/316Testing of analog circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5256Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は、集積回路の製造と使用に関するものである。
更に詳しくいえば、本発明は、半導体ウェハー基板上に
形成された機能的な集積回路のマツピングに関するもの
である。
〔従来技術〕
機能する回路と機能しない回路とのマトリックスを含ん
だウエノ1−上の機能する回路を相互に接続することに
よシ、回路の集積度を高くするいくつかの技術が開発さ
れている。「選択配線法」と呼ばれるそのような技術の
1つは、ウエノ・−上に形成された回路を個々に試験す
ることと、機能する回路をマツピングすることと、コン
ピュータ制御の下にその特定のウエノ・−のために独特
の金属相互接続部を形成することを含む。機能する回路
のみを相互に接続する独特の金属相互接続層を形成する
ために、マスクが用いられる。この技術の欠点として、
個々のウェハー用の特注マスクを製作する費用と、ウェ
ハーを完全に機能させなくする別の欠陥をひき起すこと
がある金属化工程を、後で行わなければならないことが
あげられる。その結果、それまでにかかった費用と、そ
の特定のウェハーにのみ使用できる特注マスクを作るた
めに費した努力とが無駄になる。
集積回路の集積度を高くする別の技術が、米国特許第4
 、122 、540号に開示されている。この技術は
、相互接続リードを有する個々の回路を作る工程と、相
互接続格子に沿って回路を配置する工程とよシ成る。個
々の回路は、回路の機能の有無に従って相互接続格子に
接続され、あるいは相互接続格子から切シ離される。「
選択配線法」とは対照的に、この技術は付加処理工程を
必要としない。
しかし、2つの材料層の上に直交する相互接続格子を設
けたければならない。すなわち、格子の水平リード線お
よび垂直リード線のために、少くとも2つの金属層また
は接続平面を必要とする。
〔問題点〕
前記米国特許に開示されている技術の別の欠点は、個々
の機能する回路の使用に限界が課されることである。そ
れらの回路は所定のやシ方で配線されるから、必要とす
る数よシ少い数の機能する回路しか格子線に沿って利用
できないものとすると、超LSIを完成できないことが
ある。たとえば、集積化された時に72個の機能する回
路の9×8のマトリックスを生ずる196個の集積回路
の14×14マトリツクスにおいては請求められている
72個の機能する回路が格子上のめられている場所に含
まれないことが起シ得る。す々わち、72個の機能する
回路が、9×8のマトリックスを作れないように、分布
することがある。したがって、最終製品が9×8のマト
リックスを有しながら、動作する製品でないことがある
前記米国特許に開示されている技術は、必要とする数よ
シ大幅に多い機能する回路を必要とする。
たとえば、72個の機能する回路の9×8のマトリック
スを形成するために100個の機能する回路を必要とす
ることがある。その理由は、配線用格子を組付けること
と、その後の配線(試験後の)に融通性を欠くことであ
る。前記米国特許に開示されている技術は、機能する回
路を「無駄」にすることによシ、「選択配線法」におい
て必要とされていた後の金属化工程と、特注の金属マス
クとを使用する必要を無くしているのである。
前記米国特許に開示されている技術における別の問題は
、相互接続格子が存在する状態で個々の回路を試験する
ことが困難なことである。ある回路について得られる結
果を妨げることなしに、他の回路を適切に試験するため
には、相互接続格子を試験される回路から切シ離さなけ
ればならない。
その後のプログラミングの後では、相互接続格子は非常
に低いインピーダンスとならなければならない。
ウェハーレベルの集積のための別の技術が、米国特許第
4,038,648号明細書に開示されている。
との技術では、電気的ラッチを使用することによシ集積
回路素子の機能しないピットをバイパスする。その技術
では、集積回路素子が、4ワーアツプされるたびに、そ
れらのラッチをリセットする必要がある。その技術は、
一般的に実用性がなく、試験のために個々の回路が物理
的に分離されないという別の欠点も有する。
〔概要〕
本発明は、機能する集積回路の電気的に順序づけられた
マトリックスを半導体ウニノ・−上に組込むことができ
るように、回路をウニノー−レベルで集積化するもので
ある。選択配線技術とは異なって、各ウェハーに特注の
マトリックスを必要とすることはない。また、本発明で
は、個々の機能する回路に相互接続格子を最初から設け
ることもしない。したがって、個々の回路の試験は容易
に行える。更に、機能する回路マトリックスを作るため
に、機能する回路の行当シの100分率(psraen
−tage −per−row)の要求がなく、また、
回路をノくワーアップする時に内部回路ラッチを再構成
する必要もない。
本発明の好適な実施例を、2Mピットメモリモジュール
の構成ブロックとしての16にスタチックランダムアク
セスメモリで説明するが、本発明は、メモリ素子ま7’
Cは非メモリ素子として与えることができる。本発明の
好適な実施例においては、128個の記憶回路を有する
マトリックスが集積回路ウェハー基板上に8行×16列
で配置され、ウニノ\−当シ2Mビットすなわち256
バイトとなる。
各回路は、半導体ウニノ・一基板上に形成される。
各回路は、機能性について個々に試験される。その後で
、ウェハー上の全ての集積回路を相互に接続するために
、包括的な導電性格子がそのウニノ\−上に形成される
。試験によシ機能しないことが認められた回路は、この
欠陥のある回路と導電性格子との間の接続を切シ離すこ
とによシ分離される。
各マトリックス行はいくつかの個々の回路を構成し、か
つ冗長デコーダを含む。それらの冗長デコーダは、余分
の機能回路を、ある物理的マ) IJソック行場所から
、欠陥のある回路を有する電気的マトリックス行場所へ
、再び割当てるようにプログ2ミングされる。このよう
にして完全に機能するマトリックス行が形成され、機能
回路のランダムな分布が秩序づけられて機能する回路の
マトリックスを構成する。冗長デコーダと関連する余分
な機能する回路を、主行デコーダと関連する回路に組合
わせることによシ、完全な行が構成される。各回路に対
して余分なビット位置配線を行い、その後で、回路が割
当てられている全てのビット位置を除いた部分の相互接
続を無くすことにより、個々の回路がある行のあるビッ
ト位置に配置される。
完全な機能する回路を作るために、部分的に機能する回
路が、他の部分的に機能する相補回路に組合わされる。
たとえば、ある回路の上半分と、他の回路の下半分が機
能するものとすると、それらの回路を電気的に組合わせ
て、1つの完全に機能する回路を作ることができる。と
れは、選択された回路が回路のその機能する部分に関連
するアドレスに一致するように、回路の各部分のアドレ
スを同じ回路選択信号に組合わせることにより行われる
。たとえば、ある回路の上半分が機能しておシ、その上
半分に対応するアドレスが完成された回路の回路選択信
号に組合わされる(論理積操作される)ものとすると、
完成された回路の上半分がアドレスされた時は、その上
半分の機能する部分のみが選択されることがある。同様
に、下半分に機能する部分を有し、その下半分に対応す
るアドレスを有する別のランダムな回路が、完成された
回路の同じ回路選択信号に組合わされる(論理積操作さ
れる)ものとすると、完成された回路の下半分がアドレ
スされた時には、下半分の機能する部分だけが選択され
ることがある。したがって、完成された回路の下半分が
アドレスされた時は、与えられたあるマトリックス場所
において完成された回路の上半分に電気的に割当てられ
た部分回路は、回路選択信号を無視する。そして、その
マトリックス場所に対して完成された回路の下半分を与
えるために、機能する下半分を有する他の回路にそのア
ドレスが組合わされる。同様に、他の半分もアドレスで
きる。
部分的に機能する回路を組合わせて1つの完全な回路を
構成することは、半分が機能する回路に限定されるもの
ではない。この技術を用いることによシ、それぞれ異な
る4分の1部分が機能する4つの回路を組合わせて1つ
の完全な回路を構成できる。その場合には、2つのアド
レスが回路選択信号に組合わされて部分回路選択を行う
したがって、機能する回路と、部分的に機能する回路と
、機能しない回路とを有する集積回路ウェハーから、最
高の歩留シを得るための方法が得られる。本発明に従っ
て形成されるウェハーの物理的な外観は、使用できる回
路と使用できない回路のつぎはぎ細工である。電気的に
は、本発明に従って形成されたウェハーは、同様な機能
を得るために作られた完全に機能する回路と区別するこ
とはできない。完全なシステムまたはサブシステムを集
積回路ウェハー上に形成して、ウェハーを切シ離す費用
と、個々の素子をパッケージする費用とを省いて、それ
から個々にパッケージされた回路を、プリント回路板上
のシステムまたはサプシステムに組合わせることができ
る。更に、相互接続に要する費用を大幅に減少でき、シ
ステムの物理的寸法を大幅に小さくでき、かつ、システ
ムの動作速度と信頼度とを大幅に向上できる。
〔実施例〕 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
集積回路が半導体ウニノ・−上に作られた時には、機能
する素子と、部分的に機能する素子と、機能しない素子
とが生ずる。したがって、第1図のウェハー10につい
て示されているように、機能する回路と部分的に機能す
る回路とのランダムな物理的分布が作られる。本発明は
、第1図に仮想的なウェハー12について示されている
ように、機能する回路の一様で容易にアクセスされる機
能素子を作るために、機能する回路と部分的に機能する
回路との系統的な分布すなわち電気的な分布を作るもの
である。したがって、本発明は、半導体ウェハー基板上
に形成された集積回路のマトリックスをマツプする技術
である。第1図において、11aで示すような黒四角お
よび11bで示すような上の黒髪方形と下の黒髪方形と
の組合せは機能する素子のシンボルで6L11cで示す
ような上の黒髪方形は部分的に機能する素子(A=0と
も表示する)のシンボルで=ll、fldで示すような
下の黒髪方形は部分的に機能する素子(とれはA=1と
表わす)のシンボルでsb、11eのような無表示は機
能しない表示を示すものである。
第1図は、11XI 1のマトリックスにされた機能す
る素子と、部分的に機能する素子と、機能しない素子と
を示すものである。ここで説明するマトリックスのサイ
ズは説明のためだけのものであシ、本発明を特定のマト
リックスサイズに限定するものと解してはならない。本
発明は任意の数のマトリックスサイズを用いて実施でき
、一様に類似する機能する種類の集積回路を構成でき、
または種々の機能する種類の集積回路の混合されたもの
とすることができる。
従来のメモリボードの部分的な簡略化したブロック図を
第2図に示す。図示のメモリボードは、本発明の詳細な
説明するためのものとして示すものである。しかし、本
発明は、機能する回路の歩留シを最高にするウェハーレ
ベル集積化を行うために、どのような集積回路素子にも
使用するものである。第12図に示すメモリ16のよう
なメモリは、16にスタメツクランダムアクセスメモリ
である。典型的な16KX1ビツト記憶素子は、次のよ
うなビン接続を必要とする。14本のアドレス線と1本
のvDD線と、1本のVSfl線と、1本の回路選択線
と、1本の明、込イネーブル線と、1本のデータ入力線
と、1本のデータ出力線とが必要で、すなわち、全部で
20個所の接続が行われる。一般に、プリント回路板に
は、2Mピットすなわち256にバイトのアドレス可能
々メモリスペースを構成する128個のそのよう外素子
が、8×16のマトリックス第2図に示すように配置さ
れる。
ここで説明しているメモリボードにおいては、20個所
の接続部のうちの17個所が、第2図にバス14で示さ
れているように、全部で128個の素子に並列に設けら
れる。各マトリックス列は、入力線I、〜I8と出力線
0.−08を含む。各マトリックス行は、回路選択線C
81〜C816を含む。
回路選択がデコーダ回路22によシ制御される。
したがって、メモリチップ16〜21の任意の行のアク
セスは、アドレスおよび回路選択情報の関数である。
バイト(ここで説明している実施例においては8ビツト
)がアクセスされると、与えられた行に対応するチップ
選択線が作動させられる。希望の内部ビット位置がアド
レス信号によシ選択される。
プリント回路板のような従来の例においては、メモリマ
トリックスを相互に接続する水平線と垂直線が、プリン
ト回路板に付着された種々の金属層によ多形成される。
プリント回路板上の全ての回路は予め試験されているか
ら、機能しない回路から接続を切シ換える必要はない。
本発明は半導体ウェハー基板上の集積回路のマトリック
スを相互に接続するものである。ウニノ1−上にいくつ
かの集積回路が形成されるが、相互接続格子は無い。
本発明においては、個々の回路の機能性、すなわち、回
路が機能するか否か、が試験される。機能する回路と、
部分的に機能する回路と、機能しない回路とがマツプさ
れる。その後で、相互接続格子を設けるために金属層が
ウェハー基板上に形成される。相互接続格子は、ガス付
着、スパッタリング、X線リトグラフィ、電子ビームリ
トグラフィを含む任意の公知技術によ多形成できる。機
能しない回路は、第3図に示すように格子から分離され
る。
第3図には、接続パッド25と試験パッド26を含めて
相互接続格子の1本の線24が示されている。試験パッ
ド26は集積回路27に結合される。相互接続格子を形
成する前に、各素子を試験できるように、各素子は他の
回路から電気的に完全に分離される。試験パッド26は
、試験プローブを接続するのに便利な点である。1個の
試験バンド26が一例として示されている。好適な実施
例では、実際には、20個の試験パッド26が集積回路
27に結合されるが、簡単にするためにただ1個の試験
パッド(およびただ1本のそのような相互接続格子線)
が示されている。
相互接続格子と集積回路27の間に、ヒユーズ28で構
成されたリンクが存在する。そのヒユーズは、ポリシリ
コンヒユーズまたは金属ヒユーズのような任意の種類の
公知の集積回路用ヒユーズを使用できる。それらのヒユ
ーズは、最初は非導電性とし、レーザ光を照射する、ま
たは受動電流を流すというような公知の任意の技術によ
シ、導電性とすることができ、あるいは、2つの半導体
層をレーザによJl[続させることができる。そのよう
な応用では工程は逆にされる。すなわち、機能する回路
および部分的に機能する回路は接続され、機能しない回
路は放置される。ここで説明している実施例においては
、集積回路27が機能し表い回路であるとすると、なる
べく相互接続格子の形成前に、レーザ光または大きな電
流のような任意の公知技術によシヒューズ28をとばす
。このようにして機能しない回路が相互接続格子から完
全に分離され、回路マトリックスの性能に悪影響を及ば
ず、すなわち性能を低下させることはない。第4&図に
示す例においては、機能しない回路のヒユーズを適切に
とばすことによシ、そのような接続の全てが切シ離され
ていることが示されている。電子ビーム技術によ多形成
された相互接続格子を有する素子においては、接続は機
能する回路と部分的に機能する回路に対してのみ行われ
、ヒユーズは使用され々い。
一例として、接続パッド25を試験パッド26に結合す
る1個のヒユーズ2Bが示されている。
実際には、抵抗値を低くシ、電流容量を大きくするため
に、各点たとえば電流を伝えるパッドVS8とVDDに
1個のヒユーズまたはヒユーズ群を設けることができる
。機能しない素子が相互接続格子から無くされると、ラ
ンダムに分布されている機能する素子と部分的に機能す
る素子がマツプされて仮想マトリックスを形成する。
機能する素子の物理的分布の電子的識別は、回路選択線
と入力線/出力線を系統的に割嶺てることによシ行われ
る。回路選択線の制御は、ウェハー基板上に形成されて
いる独立した集積回路の関数とたる。そのような集積回
路はデコーダである。
256にバイトメモリボードにおいては、回路選択素子
は、4つの入力と16個の出力を与える。各線は、8個
またはそれ以上の回路の行に接続するように配置される
回路選択線およびデコーダの配置が第4a図にブロック
図で示されている。この例では、1行に回路44と52
を含めて11個の回路が配置される。回路選択線C81
に加えて、1本またはそれ以上の冗長選択線が、行に沿
う回路に結合される。
したがって、回路選択装置30は、主回路選択デコーダ
31と、2個の冗長回路選択デコーダ32゜33とを含
む。それらの回路選択デコーダは、回路選択1cs1 
、 RC81、RC81’を与えル。ソれらの回路選択
線C81、RC81、RC81’は、線34,35゜3
6にそれぞれ対応する。
各回路ごとに、各選択線に対応する格子接続パッドが存
在する。したがって、回路44はパッド31〜39を含
み、回路52はパッド45〜47を含む。各パッドは、
含んでいるそれぞれの選択線を、相互接続ヒユーズによ
シ回路試験パッドヘ結合する。回路44の場合には、試
験パッド43がヒユーズ40〜42によシパッド37〜
39に結合され、一方、回路52の場合には、試験パッ
ド51がヒユーズ48〜50によシパッド45〜47に
結合される。ところで第4a図に示す例においては、欠
陥のある回路の場合に回路選択線が相互接続格子から全
て分離されるととを示すために、回路52には欠陥状態
を割当てている。
回路44には、回路選択線のうちの任意の2本の線のた
めのヒユーズをとばすことによシ、残シの1本の回路選
択線が割当てられる。このようにして、欠陥のあるデコ
ーダ31〜33を無くすことができ、または他の割当て
られていない機能する回路と部分的に機能する回路を別
の行の回路選択線へマツプできる。
1行に11個の回路を有するマトリックスの例において
は、回路44が機能する回路であると仮定する。ヒユー
ズ41.42がとばされて、回路選択線35.36と回
路44の間の双方の接続も切シ離される。11個の回路
を含む行には2つの可能性が存在する。
(1)行中に8個またはそれ以下の機能する回路が存在
し得る。
(2)行中に9個以上の機能する回路が存在し得る。
行中に8個またはそれ以下の機能する回路が存在するも
のとすると、ヒユーズがとばされるから、その行中のど
の回路へも、冗長回路選択デコーダ35.36は接続さ
れない。行中に9個以上の機能する回路が存在する時は
、冗長回路選択線35゜36の一方が付加的に機能する
回路へ接続される。
回路44がその行における付加的に機能する回路である
とすると、ヒユーズ40と、ヒユーズ41゜42のうち
の一方とがとばされる。
ここで説明している例において、ただ5個の機能する回
路を有する回路性(たとえば行3)が作られておシ、行
1が11個の機能する回路を有するものと仮定する。行
3の主回路選択線は、行1の3つの機能する付加的な回
路に結合される。行1における付加的な線のデコーダは
予備のデコーダであるから、そのデコーダを、行3の主
回路選択デコーダが同じアドレスを有するようにプログ
ラムできる。したがって、行3が選択される時は、行3
の主回路選択線と、行1の回路選択線のうちの1本とが
常に作動させられる。その結果として、8個の機能する
回路(そのうちの3個は行1から、残シの5個は行3か
ら)が選択される。
冗長デコーダプログラミング回路の簡略化した回路図を
第4b図に示す。電流源トランジスタQ1が選択バスに
電力を供給する。回路選択装置へ与えられた各種の入力
アドレス(A/A/B/B )に従って、一連のアドレ
ストランジスタQ2〜Q5が動作できる。各トランジス
タは、対応するヒユーズ54〜57を有する。ある特定
の回路選択線に対応するある特定の希望のアドレスに、
デコーダをプログラムするために、その希望のアドレス
に対応しないトランジスタのヒユーズはとばされ、その
希望のアドレスに対応するトランジスタのヒユーズはと
ばされない。その結果として、適切なアドレスがデコー
ダに与えられた時に、回路選択線が作動させられる。簡
単にするために、第4b図には、2つのアドレスと、そ
れらのアドレスの相補アドレスとを有する四者択−デコ
ーダが示されている。実際には、デコーダは、もつと多
くのアドレスと、もつと多くのトランジスタが存在する
必要ではないが、各行中のどの回路が機能しているかを
決定するために、ヒユーズがとばされる前にウェハー全
体を試験すると有利である。ここで説明している例にお
いて、行1が必要な8個の機能する回路の他に、2個の
機能する付加回路を有するものと(機能する回路は全部
で10個)、行3の5個の機能する回路にそれら2個の
機能する付加回路を使用でき、または6個の機能する回
路を有するある別の行に使用できる。
本発明のこの面の融通性には、2つの行が全部で8個の
機能する回路を含まないような状況を含む。すなわち、
行3は5個の機能する回路を有することができ、行1は
2個の余分の機能する回路を有することができる。これ
によシ全部で7個の機能する回路が得られる。第3の行
としては1つの機能する付加回路を有するものを見出す
ことができる。その第3の行(たとえば行9)は、行3
と同様にしてプログラムされる。したがって、行1と、
行3と、行9との3つの行は、同じ時刻に作動させられ
て8個の機能する素子を有する行を構成する。
本発明のこの面の極限は、1つの機能する付加回路を有
する(すなわち、機能する回路を合計9つ有する)か、
1つの正規の機能する回路を有するか、または両者の組
合わせのいずれかである最大限8つの行を用いることで
ある。
このようにして最大数の回路が用いられて歩留シを高く
し、効果的なウニノ・−集積化を可能にする。
第2図に示す作来の装置においては、14本のアドレス
線と、2本の電源線と、1本の書込みイネーブル線とが
、装置内の全ての素子の間で共用されていることが示さ
れている。ウェハーレベル集積化においては、それらの
線を再び割当てる必要はなく、むしろ機能しない回路か
らそれらの線を切シ離すことだけである。第4&図およ
び第4b図を参照して行った説明は、半導体基板上に形
成されて、機能する回路と、部分的に機能する回路と、
機能しない回路とを含んでいる一連のランダムに分布さ
れている回路から、系統的に分布された機能する回路の
組立性に回路選択線を割当てることに関するものである
。ランダムな分布が、回路選択線を割当てることによシ
整列させられると、選択されかつアドレスされた回路に
対するアクセスが、適切な点において与えられるように
、適切な列に入力線と出力線を割当てなければならない
この説明は、回路選択線を最初に割当て、その後で出力
線を割当てるものであるが、それらの線は任意のj−序
で割当てることができ、または同時に割当てることがで
きることを理解すべきである。
メモリ回路においては、各メモリアクセス中に、8ビツ
トを並列に入力または出力することが望ましい。前記の
ように回路選択線によ!l18個の回路が作動させられ
ると、適切な順序で出力が得られ、または入力が受けら
れる。これを行うために、ウェハー基板上で各回路性に
涜って8本の並列接続線が設けられる。
第5図には、行1のための8本の線の分岐と、行2のた
めの8本の線の分岐を含む出力バスO1〜Os (また
は入力バスIl〜Is)が示されている。そのような分
岐は、マトリックス中の各行ごとに設けられる。メモリ
装置のこの例においては、そのような行が、8行設けら
れる。一連の格子接続パッド59〜66において回路7
6に結合されている行バス58が示されている。それら
の格子接続パッド59〜66は、複数の対応するヒユー
ズ67〜74によシ、試験バッド75に結合される。回
路76が機能しないとすると、8個のヒユーズ67〜7
4の全部がとばされて、回路T6を入力バスまたは出力
バス58から分離する。
第1の行に沿って進んでいくうちに第1の機能する回路
が見つかると、ヒユーズ68〜74が常にとげされて、
ピット位置1のためにヒユーズ67によシ接続が行われ
る。次の機能する回路が見つかると、ヒユーズ67と6
9〜74がとばされて、ピット位置2のための接続がヒ
ユーズ68によシ行われ、以下同様にしてヒユーズの切
断と、機能する回路への接続が行われる。このようにし
て、4番目の機能する回路が見つかると、4番目のピッ
ト位置に対応する4番目のヒユーズ(70)を除く全て
の出力ヒユーズがとばされる。
ある特定の行に対する全ての機能する回路は、必ずしも
その特定の行中にない。回路選択線についての例におい
て先に説明したように、それらの回路は最大8つの行ま
での任意の数の行から集めることができる。行1が3つ
の機能する付加回路を有し、行3が全部で5つの機能す
る回路を有するものと仮定すると、行1の3つの機能す
る付加回路がバス58の初めの3本の出力線に接続され
、行3の5つの回路がバス58の次の5本の出力線に接
続される。したがって、ウェハー基板上の機能する回路
の実際の物理的場所とは無関係に、選択された行の8つ
のピット位置に対する8つの選択された回路によシ8つ
の出力が常に与えられる。
ある状況においては、部分的に機能する回路を作ること
ができる。その部分的に機能する回路は、機能する回路
の上部、下部、左側部分、または右側部分のことがFム
その他は機能しない回路である。部分的に機能する回路
は、アドレス線たとえばアドレスgA上のアドレスに応
答するようにプログラムされる。アドレス線は、対応す
るビット位置が選択された時に、対応する行のための回
路選択線と協働して、その特定の回路に応答するように
プログラムされる。第6図は、部分的に機能する回路を
対として割当てて完全な機能する回路を形成する本発明
の実施例の概略回路図を示す。
第6a図においては、ある回路の上部または下部(また
は左側部分あるいは右側部分)に対応する回路の回路部
分に対して割当てが行われる。ある回路の上部の(部分
的に機能する)部分が見出された時はアドレスAは真(
「1」)であり、ある回路の下部の(部分的に機能する
)部分が見出された時はアドレスAは偽(rOJ )で
ある。適切なヒユーズをとばすことによシ回路はプログ
ラムされる。回路が完全に機能する時は、ヒユーズF1
とF4がとばされるか、またはFlとF3がとげされる
だけである。部分的に機能する回路において、アドレス
Aを真にするものとすると、ヒユーズF2とF3がとば
される。部分的に機能する回路において、アドレスAを
偽にするものとすると、ヒユーズF2とF4がとばされ
る。
アドレスAはヒユーズF4を介してアンドゲート78に
結合され、そこでその行のだめの回路選択信号と論理積
操作されて、その回路の部分的に機能する部分のための
回路信号を発生する。アドレスAはインバータ7Tとヒ
ユーズF3を介してアントゲ−)78へも与えられて、
回路選択信号と論理積操作され、その回路の部分的に機
能する部分のための回路信号を発生することもできる。
たとえば、アドレスAが真であるという条件の下である
特定の回路を作動させるために、アドレス線が回路選択
線とともにプログラムされ、その回路のこの部分がある
特定のビット位置のだめのI10線、たとえば線4に接
続されると仮定する。
そうすると、アドレスAが偽である機能する部分を有す
る次の部分的に機能する回路が見出されると、それは、
アドレスAが偽の時に選択されるようにプログラムされ
る。第2の部分的に機能する回路も、同じI10線すな
わち線4に接続される。
したがって、アドレスAが真の時は、第1の回路が選択
されてその回路の半分として使用され、アドレスAが偽
の時は第2の回路が選択されてその回路の他の半分とし
て使用される。
2つの部分的に機能する回路が7個の完全に機能する回
路に用いられるものとすると、全部で9個の回路から8
個の機能する回路が得られる。本発明によシ、16個の
半分機能する回路で、回路の完全な行を形成することが
可能である。その場合には、ある特定の行のための回路
選択線が、16個の部分的に機能する回路の全部に接続
される。
それらの回路の半分は真であるアドレスAを有するよう
にプログラムされ、残シの半分が偽であるアドレスAを
有するようにプログラムされる。8本の各I10線の一
方が2つの部分的に機能する回路に接続されるように、
8本のI10線が接続される。その2つの部分的に機能
する回路のうち、一方はアドレスAが真の回路で、他方
はアドレスA−が偽である回路である。
第6b図および第6c図は、部分的なアドレスをプログ
ラミングするだめの本発明の別の実施例を示すものであ
る。第6b図に示す実施例は、回路を選択する時に回路
選択ハイである回路についての実施例を表す。この実施
例は、部分的なアドレスを関連する回路に割当てるため
に、ヒユーズF1’JたはF2’をとばすことを要する
。すなわち、完全に機能する場合にはヒユーズをとばす
必要がなく、部分的に機能する場合でアドレスA=1な
らヒユーズF1′をとばし、アドレスA=0ならヒユー
ズF2’を、それぞれとばす必要がある。第6゜図に示
す実施例では、回路を選択する時に回路選択ロウである
実施例を表す。この実施例は、第6b図に示す実施例よ
シも少い機能する部品ですむが、完全に機能する回路が
アドレスされる時にはヒユーズF1″およびF2“をと
ばす付加工程を必要とする。すなわち、完全に機能する
場合にはヒユーズF1’、F2“の双方をとばす必要が
あシ、部分的に機能する場合でアドレスA=1ならヒユ
ーズF1″をとばし、アドレスA=OならヒユーズF2
“を、それぞれとばす必要がある。
欠陥のある行と欠陥のある列の少くとも一方を交換する
ために、各回路内で公知の冗長技術を使用できる。ウェ
ハー上の回路行を予備の回路行で同様に置き換えること
ができる。たとえば、それぞれ8個6機能する回路を含
んでいる1つまたはそれ以上の予備行をウェハー上に残
すことができる。それらの累子は、それらに組合わされ
ているデコーダをプログラミングするととなしには、予
備回路選択線を用いて選択されない。相互接続格子の形
成後(たとえば、第2の金属化工程中)に、ある行に欠
陥があることが見出されたとすると、その行をウェハー
上の予備行と交換できる。
この技術によυ次のような4種類の冗長特性が得られる
1)回路内の冗長性 2)回路割当て冗長性 3)部分的な割当て冗長性 4)行冗長性 回路内の冗長性は、相互接続格子がウニノ・−上に形成
される前に、公知の技術によシ設けることができる(工
程1)。回路割当ての冗長性と部分的に機能する回路の
割当ての冗長性は、相互接続格子がウェハー上に形成さ
れる前または後で、本発明に従って設けることができる
(工程2,3)。
行冗長性は、相互接続格子がウニノ・−上に形成された
後に、本発明に従って設けることができる(工程4)。
技術のこの組合わせを用いて、ウニノ・−上の作動ピッ
トの製造歩留シを最高にできる。
先行技術においては、部分的に機能する製品は、組立コ
ストが極めて高くつくために、組立てられない。その組
立コストは、部分的に機能する製品の組立によシ製造さ
れた製品の販売によシ得られる収入によシ償われるもの
ではないのが普通である。本発明に含まれている手法を
用いることによシ、部分的に機能する製品をウニノ蔦−
レベル集積化にて容易に使用できるから、従来廃棄され
ていた製品が使用でき、従って利益が得られる。
本発明は、基板上に形成された別々のデコーダ回路を用
いることによシ、ウェハー上に回路選択信号を発生する
。後で説明するように、各回路内で回路選択信号を発生
するために、回路選択アドレスを全ての回路へ送ること
も可能である。別々の回路において回路選択信号が発生
されると、回路選択デコーダは必ず機能するものでなけ
ればならず、そうでなければ、ウェハー全体が使用でき
ない。回路選択デコーダを必ず機能するようにするため
に、相互接続格子の形成中に、1個以上の回路選択デコ
ーダが、ウェハー上に集積化され、配線される。デコー
ダを試験した結果、そのデコーダが欠陥デコーダである
ことが判明すると、前記のように、そのデコーダに関連
するヒユーズをとばすことによシ、そのデコーダは相互
接続格子から切シ離される。
第7図は、ヒユーズ87〜89を介して回路選択線接続
パッド90〜92に結合されているデコーダ回路D1〜
D3(84〜86)を示すそのような回路装置のブロッ
ク図である。欠陥のある回路選択デコーダを相互接続格
子から切シ離すために、関連するヒユーズがとばされて
回路を分離する。デコーダD1が機能し、デコーダD2
.D3が機能しないとすると、ヒユーズ88と89とを
とばすことによシ、デコーダD2.D3が除去される。
ここで説明している実施例においては、ウェハー基板上
に形成される回路は、20個所の接続部を有すると仮定
している。したがって、20個所の接続部を有するプロ
ーブを用いて試験が行われる。回路選択デコーダは、2
0個所より多少多い接続部を有する。その理由は付加性
を備えているからである。希望のマトリックスを得るた
めに必要とする数取上の行が設けられることを理解すべ
きである。たとえば、16行のマトリックスを得るため
に64行を設けることができる。
全ての動作を試験せねばならない。回路選択デコーダの
試験を行う様子が、第8図にブロック図で示されている
。第8図において、デコーダ93は、シフトレジスタ9
4を含む。このシフトレジスタは、デコ、−ダ93の出
力端子に接続される。
一連の試験ベクトルが回路選択デコーダの入力端子へ与
えられ、それらの試験ベクトルに従って発生された出力
が、線C81〜csNを介してシフトレジスタ94へ与
えられ、出力ビツト形式を発生する。シフトレジスタ9
4からの出力が、デコーダ93へ、与えられた試験ベク
トルに一致したとすると、回路選択デコーダは機能する
素子であると判定される。試験が終った後で、ここで説
明している技術、すなわち、適切なヒユーズをとばすこ
とによシ、シフトレジスタ94は回路選択デコーダから
分離される。
第4図を参照して行った説明には、冗長回路選択線を、
それを割当てられていない機能する回路へ割当てて、機
能する行を形成することを含むものである。機能する回
路へ回路選択線を割当てる別の方法が第9図にブロック
図で示されている。
機能する回路7Bが試験パッド83を含む。この試験パ
ッドは、線パッド79.80においてヒユーズ81.8
2によシ、16本の回路選択線cs1−C816に結合
される。機能する回路78をある特定の回路選択線に割
当てて行を形成するために、その1本の線に関連するヒ
ユーズ以外の全てのヒユーズがとばされる。このように
して、マトリックス中の任意の点に配置されている回路
を、それの物理的な場所を顧慮することなしに任意の行
に割当てることができる。
系統的な回路マトリックスを構成するために、ランダム
に分布されている回路の電気的な再構成法が、第10図
にブロック回路図で示されている。
回路選択デコーダ95は、一連の回路を動作させるよう
に配置された回路選択線C81〜C8nを含む。
第1の行は回路100〜109を含む。第10図に示す
例は、第1の行に10個の機能する回路を示すから、初
めの8個の回路100〜101は線C8i (97)に
結合されているのが示されている。その線sc1は行1
のための回路選択線である。したがって、ヒユーズ12
2,124,126,128,130,132,134
゜136はそのまま残る。機能する回路を冗長回路選択
線RC81(96)に結合するヒユーズはとばされる。
すなわち、ヒユーズ123 、125 、127 、1
29 。
131 、133 、135 、137がとばされる。
行1のための入力線と出力線が、入力−出力バス200
ヘピット位置順に割当てられる。したがって、行1を構
成する回路100〜107に対して、対応するビット位
置ヒユーズ158〜165がそのit示されている。各
回路100〜117は、8本の入力線と8本の出力線と
を含む。割当てられたピット位置を除き、対応する入力
バイトまたは出力バイト中の全てのビット位置に対する
接続部がそれらの位置に対する対応するヒユーズをとば
すことによシ無くされているから、それらの入力線と出
力線のだめのヒユーズは示していない。たとえば、ヒユ
ーズ158が回路100を行1のピット位置1、バス2
00の入力線(または出力線)に結合し、ヒユーズ15
9が回路101を行1のピット位置1、バス200の入
力線(または出力線)に結合する、等である。
回路108 、109は、行1における完全に機能する
余分の回路である。それらの回路は、ヒユーズ138 
、140をとばすことによシ、回路選択線C81から分
離される。行1のだめの冗長回路選択線(RC8[)が
、ヒユーズ139 、141によ多回路108゜109
に結合される。また、冗長回路選択線RC81は、回路
選択線C82と冗長回路選択線RC81の間の物理的な
接続によっては回路選択線C82へ結合されない。回路
選択線C82をアドレッシングする時に、冗長回路選択
線RC81をもアドレッシングする好適な方法は、前記
のように、回路選択線C82のアドレスに応答するよう
に冗長回路選択線RC81をプログラミングすることを
含む。したがって、回路108 、109は行2の初め
の2−″)の回路となる。
回路108 、109の入力線と出力線の接続部は、ヒ
ユーズ166 、167をそれぞれ介してビット位置順
に接続される。回路108 、109は、行2のための
初めの2つのピット位置を与える。行2は、回路110
〜117を含んでいるのが第10図に示されている。こ
とで説明している実施例においては、回路110 、1
11 、113 、114 、116 、117は、完
全に機能する回路として示されている。回路112゜1
15は部分的に機能する回路として示されている。
それらの回路は、回路108 、109に加えて6個の
回路がまとめられて、8個の機能する回路を含む完全な
行を形成するまで、回路選択線C82に割当てられる。
それら6個の回路は、行1の2個の余分の機能する回路
で始まる行を完結する。ヒユーズ142〜155に関連
する回路を回路選択線C82に接続するための必要に応
じて、それらのヒユーズはそのまま残され、ま、たはと
ばされる。同様に、入力線ヒユーズと出力線ヒユーズ1
68〜174は対応するビット位置ヒユーズを表す。そ
れらのヒユーズによシ回路は行2のための入力−出力接
続を行うためにそれぞれの正しいビット位置に割当てら
れる。
回路112と115は部分的に機能する回路である。
したがって、選択線C82は、各回路内のアントゲ−)
 119 、120に結合される。回路の対応する部分
が要求された時にアンドゲートを介してアドレス信号が
結合されて、回路112 、115の動作をイネーブル
にする。アンドゲート119 、120の動作は、第6
図に示すアンドゲートの動作に類似し、各回路において
プログラムできる。したがって、ある回路の下半分をア
ドレスするものとすると回路112が選択され、その回
路の上半分をアドレスす不ものとすると回路115が選
択される。
協働する部分的に機能する回路のうちの任意の1つの回
路の選択は、アドレスプログラミングの関数となる。回
路112 、115の入力線と出力線は組合わされて、
適切なビット位置に回路の入力と回路の出力を与える。
ここで説明している実施例においては、協働する部分的
に機能する回路の入力線および出力線は、回路を共通ビ
ット位置に割当てることによシー緒に結合される。これ
は、適切なヒユーズをとばし、対応するビット位置のヒ
ユーズをそのまま残すことによシ行われる。部分的に機
能する回路は共通ビット位置を共有し、回路の入力線と
出力線は機能する全部の回路の適切な選択された部分へ
向けられる。
回路108〜116からの入力線と出力線は、並列に組
合わされて8ビツト人カバスと8ビツト出力パスを構成
する。残シの機能する回路117がヒユーズ157を介
して冗長回路選択線RC82に結合される。その冗長回
路選択線RC82は、回路選択線C83のアドレスと同
じアドレスを有するようにプログラムされる。機能する
回路117はヒユーズ175を介して行3のだめの第1
のビット位置に割当てられる。行3における機能する回
路(図示せず)は、その後でビット位置順に割当てられ
て行を完成する。
前記のように、回路選択アドレスを全ての回路へ送るこ
とができ、関与しない選択アドレスデコーダを各回路に
与えて、特定の回路に合わせられた回路選択信号を発生
する。そのような回路装置が、第11図に回路図で示さ
れている。この回路装置においては、回路201 、2
02 、211を含む回路マトリックスが、選択アドレ
スバス207と入力および出力バス208とによシ、相
互に接続される。
各回路は、プログラム可能なデコーダ部203,205
゜209をそれぞれ有し、かつ機能する部分204,2
06゜210をそれぞれ有する。プログラム可能なデコ
ーダ203 、205 、209は前記したヒユーズを
含む。
それらのヒユーズは製造中に容易にとばされて、関連す
る機能する回路を、ビット配置またはバイト配置で割当
てる。
たとえば、128個の機能する回路を含む半導体ウェハ
ー基板上には、回路を128X1のマトリックス(ビッ
ト編成された)、または64X2゜32X4.16X8
、あるいは8×16のマトリックス(バイト編成された
)として配置できる。
そのような配置によシ融通性が与えられ、本発明を任意
の数の回路応用に使用できるようにする。
各半導体ウェハーがバイト中の1ビツトのためのメモリ
を与える大きなメモリアレイを必要とする用途において
は、ビット編成された配置が最も有用である。マイクロ
コンピュータのような内蔵装置用の全バイトメモリをウ
ェハーが与えることができる一部小さいメモリ用途にお
いては、バイト編成された配置が最も有用である。
第1表は、ビットNM成された用途における関与してい
ない選択アドレスデコーダのプログラミング例を示すも
のである。第11図に示す例においては、7本の選択ア
ドレスデコーダ線が、関与していない各選択アドレスデ
コーダへ与えられる。
使用される選択アドレスデコーダ線の実際の数は、アド
レスできる機能する回路の数を決定する。それらのデコ
ーダ中のヒユーズは、そのt−を残すこともできれば、
第1表に示すようにアドレスを割尚てるためにとばすこ
ともできる。したがって、アドレス「OOO0000j
が受けられると、半導体ウェハー基板上の個々の回路は
、独自にアドレスされる。半導体ウェハー基板上の全て
の回路のための入力線と出力線は、共通ビット位置に一
緒に結合される。この構成は、ウェハーが組込ま第1表 関与しない選択アドレスデコーダ ビット編成された回路から編成されたビットれている素
子が、適切なビット位置を割当てることができるように
設けられる。任意の1本のI10線を接続したままとし
、残シの7本を切シ離すことができることに注意すべき
である。それら7本の線は、入力パッドと出力パッドに
対する負荷を最小にするためにのみ切シ離される。それ
ら7本の線を接続した−ままとしても回路の機能性は損
われないが、回路の性能は低下する。
第2表は、ビット編成された個々の回路を用いて、本発
明のバイト編成された用途に対する関与しない選択され
たアドレスデコーダドレッシング手法を示すものである
。したがって、各選択アドレスのための8ピツト出力を
与えるために、この例では、8個の回路よ構成る機能す
る回路の群中の機能する各回路内に、ヒユーズはそのま
ま残され、またはとばされる。したがって、第1のアド
レスr0000000jが、8個の機能する回路に結合
される。8ビツトバイトを与えるために、機能する回路
の入力線と出力線が、各種のビット位置に結合される。
同様に、半導体ウェハー基板上の次の8個の回路がビッ
ト位置順に配置され、第2表 関与しない選択アドレスデコーダ ビット編成された回路から編成されたバイト選択パスに
沿って与えられた次のアドレスに応答するようにプログ
ラムされる。この場合には、初めの4つのアドレス−だ
けが用いられ、後の3つのアドレスは無視され、または
ウェハー選択信号用途に使用できる。
第3表は、バ・イト編成された個々の回路を用いて、本
発明のバイト編成された用途に対する関与しない選択さ
れたアドレスデコーダアドレッシング手法を示すもので
おる。その場合には、アドレッシング手法は、全てのI
10線が、各機能する回路に接続されて、七対の線を切
シ離す必要を無くすことを除き、第1表に示すアドレッ
シング手法に類似する。バイト編成された回路が用いら
れる場合には、各回路に八対のI10パッドと八対の接
続パッドが設けられる。それらのパッドは第5図に示す
パッドに類似する。したがって、第5図に示すヒユーズ
67〜74は、各回路の8個の試験パッド(第5図のパ
ッド75に類似する)に接続第3表 関与しない選択アドレスデコーダ バイト編成された回路から編成されたバイトされる。ビ
ット編成された用途には、バイト編成された個々の回路
を使用することは適当ではないが、完全なバイトを読出
し、または書込むために8個の回路ではなくてただ1つ
の回路を選択することを必要とすることが有利である。
本発明は、長い間求められていたウェハーレベル集積化
という目的を達成するだめの技術を提供するものである
。以上の説明は、スタチックメモリ装置についてのもの
であるが、本発明の技術は、RAM、 ROM、 PR
OM、 EPROM、 E”FROMを含むNMO8゜
CMO8,CCDのようなバイポーラメモリのような装
置と、半導体ウェハー基板上に形成された回路が非常に
類似する諸機能を与える、メモリ以外の装置との組合わ
せのために使用するものである。
たとえば、多ビツトマイクロプロセッサを得るために何
個かの1ビツトマイクロプロセツサを本発明に従って作
ることができる。したがって、本発明は、製造歩留シを
向上させるばかりでなく、信頼度をも向上させるもので
ある。プリント回路板を無くすことによシ組立コストと
製造コストも低減される。
【図面の簡単な説明】
第1図は完全に機能する回路と部分的に機能する回路の
物理的な(ランダムな)分布と、機能する回路の電気的
な(系統的な)分布を示す半導体ウェハーの略図、第2
図は従来のランダムアクセスメモリのブロック略図、第
3図は相互接続格子の1本の線と、本発明に従うヒユー
ズ相互接続とを示す略図、第4a図および第4b図は正
常な回路選択線と冗長回路選択線およびそれらの回路選
択線を接続するヒユーズを示す回路図、第5図は入力線
と出力線およびそれらの線を回路へ接続するヒユーズを
示す回路図、第6a図〜第6C図は部分的に機能する回
路を組合わせて完全に機能する回路を構成する論理回路
の回路図、第7図はいくつかの回路を特定の回路選択線
へ割当てる本発明の実施例を示す略図、第8図は回路選
択デコーダの試験法を示すブロック図、第9図はいくつ
かのプログラム可能な回路選択線を設ける本発明実施例
の略図、第10図は仮想マトリックスを構成するために
ランダムに分布されている回路の電気的再構成を示す概
略回路図、第11図は関与していない選択アドレスデコ
ーダを含む回路を示す略図である。 16〜21・・・・メそりチップ、24・・・・相互接
続格子線、25脅・・・接続パッド、26゜75 m 
a e *試験パット、2B、41.42.48〜50
゜67〜74.87〜89,122〜137 、158
〜167、Fl〜p4****ヒユーズ、3Q@@@@
回路選択装置、31・・・・主回路選択デコーダ、32
゜33・・・・冗長回路選択デコーダ、37〜39゜4
5〜47・・・・格子接続パッド、59〜66゜78 
、110,111.113,114,116.117・
・・・機能する回路、93・・・・デコーダ、94・・
・・シフトレジスタ、96・拳・・回路選択デコーダ、
112 、115・・・・部分的に機能する回路、20
3 、205 、209 ・・・・プログラム可能なデ
コーダ、C81〜C816・lIe・回路選択線、■1
〜I8 ・・・・入力線、01〜o8・・・・出力線。 特許出願人 レミッシュ・シーーヴアーちネイ代理人 
山川政樹(はが2名) 「 「 髪− \ ■ \ プ勿〃勾とり/Z“ン!、)l’/p4し □ 宥ル膜
、翫tβνfF分ケFll; ++ /。 − デ゛−71101I2 02 16 013FIG−2
,々# Jj lif7 o+−Os 11+−I81 PI侃−り。 FIG + /1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)半導体ウェハー基板上に形成されている機能する
    回路および機能し々い回路のランダムな分布から、機能
    する回路の電気的マ) IJソックス構成する方法であ
    って: 完全に分離された各回路の機能性を試験する工程と; 前記機能しない回路と相互接続格子パッドとの間の接続
    を無くすことによ)それらの機能し々い回路を分離する
    工程゛と; 前記半導体ウェハー基板上に導電性格子を形成して前記
    相互接続格子パッドを相互に接続する工程と を備えることを特徴とする機能する回路の電気的マトリ
    ックスを構成する方法。 (2、特許請求の範囲第1項記載の方法であって:各回
    路行のために冗長な選択デコーダを設ける工程と; 各回路性に複数の回路を設ける工程と;対応する機能す
    る回路と機能しない回路を有する実際の半導体ウェハー
    基板場所からの機能する回路に組合わせて、実際の半導
    体ウェハー基板場所からの機能する回路に組合わせて、
    実際の半導体ウェハー基板場所からの冗長な機能する回
    路を電気的マ) IJラックス所に割当てて、前記機能
    する回路から完全なマトリックス行を形成するために前
    記冗長な選択デコーダをプログラミングする工程と を備えることを特徴とする方法。 (3)特許請求の範囲第1項記載の方法であって:マト
    リックスバイトにおける各ビット位置に対して前記半導
    体ウェハー基板上に形成されている各回路に1組の入力
    リードおよび出力リードを設ける工程と; 一対の前記入力リードおよび前記出力リードを機能する
    各回路へビット位置順に割当てる工程と;前記割当てら
    れた機能する回路を他の全てのビット位置入力線/出力
    線から分離する工程とを備えるととを特徴とする方法。 (4)特許請求の範囲第1項記載の方法であって:各回
    路の部分的な機能性を試験する工程と;相補的な部分回
    路を組合わせてマトリックス場所に単一の機能する回路
    を作る工程と;回路部分のアドレスと回路選択信号とを
    組合わせることによシ第1の部分的に機能的な部分をア
    ドレッシングする工程と; 対応するアドレスを前記回路選択信号に組合わせること
    によシ第2の部分的に機能的な部分をアドレッシングす
    る工程と を備えることを特徴とする方法。 (5)特許請求の範囲第1項記載の方法であって:前記
    半導体ウェハー基板上に形成されている各回路に各マト
    リックス行のための回路選択線を設ける工程と; 機能する回路を割当てるべき位置に対応する線を除く全
    ての前記回路選択線から、前記機能する回路を分離する
    ことにより機能する回路をマトリックス行位置に割当て
    る工程と を備えることを特徴とする方法。 (6)特許請求の範囲第1項記載の方法であって:冗長
    な回路選択デコーダを設ける工程と;前記各選択デコー
    ダの機能性を試験する工程と;前記機能しないデコーダ
    と前記導電性格子の間の接続を無くすことによ多機能し
    ない回路選択デコーダを分離する工程と を備えることを特徴とする方法。 (7)%許請求の範囲第1項記載の方法であって:前記
    半導体ウェハー基板上に形成されている各回路のだめの
    プログラム可能力回路選択デコーダを設ける工程と; 対応するデコーダ線を前記導電性格子に割当てることに
    よシ前記回路が独自にアドレスされた時に前記回路を選
    択するために前記デコーダをプログラミングする工程と
    ; 前記回路デコーダと前記導電性格子の間の他の対応する
    接続を無くす工程と を備えることを特徴とする方法。 (8)特許請求の範囲第7項記載の方法であって:前記
    回路に関連する前記選択デコーダの全てを1つの独特の
    アドレスにそれぞれ応答させるようにプログラミングす
    る工程と; 共通の入力線と出力線を機能する各回路に割当てる工程
    と を備え、それによシピット編成された入力と出方が得ら
    れることを特徴とする方法。 (9)特許請求の範囲第7項記載の方法であって:前記
    回路に関連する前記全ての選択デコーダをバイト群にプ
    ログラミングする工程と;入力線と出力線をピット位置
    順に各バイト群内の機能する回路へ割当てる工程と を備え、それによりバイト編成された入力と出力が得ら
    れることを特徴とする方法。 αω特許請求の範囲第7項記載の方法であって:前記回
    路に関連する前記選択デコーダの全てを1つの独特のア
    ドレスにそれぞれ応答させるようにプログラミングする
    工程と; 共通の入力線と出力線をバイト式に機能する各回路に割
    当てる工程と を備え、それによシ、機能する各回路が個々にアドレス
    されてバイト編成された入力と出力が得られるととを特
    徴とする方法。 αυ牛導体ウェハー基板上に形成されている機能する回
    路とおよび機能しない回路とのランダムに分布から機能
    する回路の電気的なマトリックスを構成する方法であっ
    て: 完全に分離された各回路の機能性を試験する工程と; 前記機能する回路と前記相互接続格子パッドを接続する
    ことによシそれらの機能しない回路を分離する工程と; 前記半導体ウェハー基板上に導電性格子を形成して前記
    相互接続格子パッドを相互に接続する工程と を備えることを特徴とする機能する回路の電気的マトリ
    ックスを構成する方法。 a2特許請求の範囲第11項記載の方法であって:各回
    路行のために冗長な選択デコーダを設ける工程と; 各回路行に複数の回路を設ける工程と;対応する機能す
    る回路と機能し々い回路を有する実際の半導体ウェハー
    基板場所からの機能する回路に組合わせて、実際の半導
    体ウェハー基板場所からの冗長な機能する回路を電気的
    マトリックス場所に割当てて、前記機能する回路から完
    全なマトリックス行を形成するために前記冗長な選択デ
    コーダをプログラミングする工程と を備えることを特徴とする方法。 αJ特許請求の範囲第11項記載の方法であって:マト
    リックスバイトにおける各ピット位置に対して前記半導
    体ウェハー基板上に形成されている各回路に1組の入力
    リードと出力リードを設ける工程と; 一対の前記入力リードと前記出力リードを機能する各回
    路へピット位置順に割当てる工程と;前記割当てられた
    機能する回路を他の全てのピット位置入力線/出力線か
    ら分離する工程とを備えることを特徴とする方法。 Q41特許請求の範囲第11項記載の方法であって:各
    回路の部分的な機能性を試験する工程と;相補的な部分
    回路を組合わせてマトリックス場所に単一の機能する回
    路を作る工程と;ツシングする工程と; 対応するアドレスを前記回路選択信号に組合わせること
    によシ第2の部分的に機能的な部分をアドレッシングす
    る工程と; 対応するアドレスを前記回路選択信号に組合わせること
    によシ第2の部分的に機能的な部分をアドレッシングす
    る工程と を備えることを特徴とする方法。 (151特許請求の範囲第11項記載の方法であって:
    前記半導体ウェハー基板上に形成Mされている各回路に
    各マトリックス行のための回路選択線を設ける工程と; 前記機能する回路と機能する回路を割当てるべき行位置
    に対応する線との間で接続を行うことによ多機能する回
    路をマトリックス行位置に割当てる工程と を備えることを特徴とする方法。 Q61特許請求の範囲第11項記載の方法であって:冗
    長な回路選択デコーダを設ける工程と;前記各選択デコ
    ーダの機能性を試験する工程と;前記機能する回路選択
    デコーダと前記導電性格子の間に接続を行う工程と を備えることを特徴とする方法。 aで特許請求の範囲第11項記載の方法であって:前記
    半導体ウェハー基板上に形成されている各回路のための
    プログラム可能な回路選択デコーダを設ける工程と; 対応するデコーダ線を前記導電性格子に割当てることに
    よシ前記回路が独自にアドレスされた時に前記回路を選
    択するために前記デコーダをプログラミングする工程と を備えることを特徴とする方法。 (18特許請求の範囲第17項記載の方法であって:前
    記回路に関連する前記選択デコーダの全てを1つの独特
    のアドレスにそれぞれ応答させるようにプログラミング
    する工程と; 共通の入力線と出力線を機能する各回路に割当てる工程
    と を備え、共通の入力線と出力線を機能する各回路に割当
    てることによシ、ピット編成された入力と出力が得られ
    ることを特徴とする方法。 a9特許請求の範囲第17項記載の方法であって:前記
    回路に関連する前記全ての選択デコーダをバイト群にプ
    ログラミングする工程と;入力線と出力線をピット位置
    順に各バイト群内の機能する回路へ割当てる工程と を備え、前記各群は1つの独特のアドレスに対応し、入
    力線と出力線をピット位置順に各バイト群内の機能する
    回路へ割当てることによシ、バイト編成された入力と出
    力が得られることを特徴とする方法。 翰特許請求の範囲第17項記載の方法であって:前記回
    路に関連する前記選択デコーダの全てを1つの独特のア
    ドレスにそれぞれ応答させるようにプログラミングする
    工程と; 共通の入力線と出力線をバイト式に機能する各回路に割
    当てる工程と を備え、共通の入力線と出力線をバイト式に機能する各
    回路に割当てることによ多機能する各回路が個々にアド
    レスされてバイト編成された入力と出力が得られること
    を特徴とする方法。 Qυ半導体ウェハー基板上に形成されている機能する記
    憶回路および機能しない記憶回路のランダムな分布から
    、機能する記憶回路の電気的マトリックスを構成する方
    法であって: 完全に分離された各記憶回路の機能性を試験する工程と
    ; 前記機能しない記憶回路と相互接続格子パッドの間の接
    続を無くすことによシそれらの機能しない記憶回路を分
    離する工程と: 前記半導体ウェハー基板上に導電性格子を形成して前記
    相互接続格子パッドを相互に接続する工程と; 機能する記憶回路を割当てて、前記半導体ウェハー基板
    上にランダムに分布されている記憶回路から完全なマト
    リックス行を形成するために、冗長な回路選択デコーダ
    をプログラミングする工程と: 機能する各記憶回路への逐次ビット位置に対応するチャ
    ンネル人力/出力線を、前記記憶回路と前記導電性格子
    の間の他のビット位置に対応する接続を無くすことによ
    シ、割当てる工程とを備えることを特徴とする方法。 @特許請求の範囲第21項記載の方法であって:部分的
    に機能する記憶回路を組合わせて、データビット線と回
    路選択線に割当てられている1つの完全な機能する記憶
    回路を構成する工程と;部分的に機能する部分のアドレ
    ス信号を前記記憶回路選択信号に組合わせることによシ
    、第1の部分的に機能する部分と第2の部分的に機能す
    る部分を互いに独立にアドレスする工程とを備えること
    を特徴とする方法。 (至)特許請求の範囲第21項記載の方法であって:機
    能する各回路のためにプログラム可能な回路選択アドレ
    スデコーダを設ける工程と;機能する各回路が独特にア
    ドレスされるように独特のアドレスに応答するように各
    デコーダをプログラミングする工程と; 全ての機能する回路のための入力線と出力線を共通のビ
    ット位置に割当てる工程と を備え、ビット編成された入力と出方が与えられること
    を特徴とする方法。 (2)特許請求の範囲第21項記載の方法であって:機
    能する各回路のためにプログラム可能な回路選択アドレ
    スデコーダを設ける工程と;前記回路選択デコーダをバ
    イト式にプログラムして、各独特のアドレスが機能する
    回路のバイト群をアドレスするようにしてプログラムす
    る工程と; 入力線と出力線を各バイト群内にビット位置順に割当て
    る工程と を備え、バイト編成された入力と出力が与えられること
    を特徴とする方法。゛ (ハ)特許請求の範囲第21項記載の方法であって二様
    能する各回路のためにプログラム可能な回路選択アドレ
    スデコーダを設ける工程と:各デコーダが独特のアドレ
    スに応答するように各デコーダをプログラミングする工
    程と;共通入力線と共通出力線を機能する回路へバイト
    式に割当てる工程と を備え、各デコーダが独特のアドレスに応答するように
    各デコーダをプログラミングすることにょ多機能する各
    回路は独特にアドレスされ、共通入力線と共通出力線を
    機能する各回路へバイト式にtiUaてることにより、
    アドレスされた時に、機能する各回路はバイト編成され
    た入力とバイト編成された出力を与えることを特徴とす
    る方法。 ■半導体ウェハー基板上に形成されている機能する回路
    および機能しない回路のランダムな分布から、機能する
    回路の電気的マトリックスを構成する方法であって: 完全に分離された各回路の機能性を試験する工程と; 前記半導体ウェハー基板上に導電性格子を形成して機能
    する回路を相互に接続することによシ機能しない回路を
    分離する工程と; 機能する回路を割当てて、前記半導体ウェハー基板上に
    ランダムに分布されている回路から完全なマトリックス
    行を形成するために冗長な回路選択デコーダをプログラ
    ミングする工程と;機能する各回路への逐次ビット位置
    に対応するチャネル入力/出力線を割当てる工程とを備
    えることを特徴とする機能する回路の電気的マトリック
    スを構成する方法。 CI!7]%許請求の範囲第26項記載の方法であって
    二部公的に機能する回路を組合わせて、データビット線
    と回路選択線に割当てられている1つの完全に機能する
    回路を構成する工程と; 部分的に機能する部分のアドレス信号を前記回路選択信
    号に組合わせることによシ、第1の部分的に機能する部
    分と第2の部分的に機能する部分を互いに独立にアドレ
    スする工程と を備えることを特徴とする方法。 (財)特許請求の範囲第26項記載の方法であって:機
    能する各回路のためにプログラム可能な回路選択アドレ
    スデコーダを設ける工程と;各デコーダが独特のアドレ
    スに応答するように各デコーダをプログラミングする工
    程と;全ての機能する回路のための入力線と出力線を共
    通のピット位置に割当てる工程と を備え、デコーダが独特のアドレスに応答するように各
    デコーダをプログラミングすることによ多機能する各回
    路は独自にアドレスされ、全ての機能する回路のための
    入力線と出力線を共通のビット位置に割当てることによ
    シビット編成された入力と出力が与えられることを特徴
    とする方法。 (2、特許請求の範囲第26項記載の方法であって:機
    能する各回路のためにプログラム可能な回路選択アドレ
    スデコーダを設ける工程と;前記回路選択デコーダをバ
    イト式にプログラムする工程と; 入力線と出力線を各バイト群内にビット位置順に割当て
    る工程と を備え、前記回路選択デコーダをバイト式にプログラミ
    ングすることによシ各独特のアドレスが機能する回路の
    バイト群をアドレスし、入力線と出力線を各バイト群内
    にビット位置順に割当てることによシピット編成された
    入力と出力が与えられることを特徴とする方法。 (至)特許請求の範囲第26項記載の方法であって:機
    能する各回路のためにプログラム可能な回路選択アドレ
    スデコーダを設ける工程と;各デコーダが独特のアドレ
    スに応答するように各デコーダをプログラミングする工
    程と;共通入力線と共通出力線を機能する各回路へバイ
    ト式に割当てる工程と を備え、各デコーダが独特のアドレスに応答するように
    各デコーダをプログラミングすることによシ機能する各
    回路は独特にアドレスされ、共通入力線と共通出力線を
    機能する各回路へバイト式にれた出力を与えることを特
    徴とする方法。 6D半導体ウェハー基板上に形成されている機能する回
    路と機能しない回路とのランダムな分布から機能する回
    路のマトリックスを構成するための装置であって: 複数の機能する回路および複数の機能しない回路と; 前記回路を相互に接続するために前記半導体ウェハー上
    に形成された導電性格子と を備える機能する回路のマトリックスを構成する装置。 02機能する回路および機能しない回路のランダムな分
    布から、半導体ウェハー基板上に機能する回路のマトリ
    ックスを構成するための装置であって:格子パッドを有
    する複数の機能する回路および格子パッドを有する複数
    の機能しない回路と;前記回路を前記格子パッドを介し
    て相互に接続するために前記半導体ウェハー基板上に形
    成される導電性格子と: 各回路に組合わされるヒユーズと を備え、それによシ、回路が試験された後で、前記導電
    性格子を形成する前に、前記機能しない回路の格子パッ
    ドを前記導電性格子に接続するヒユーズをとばすことに
    よシ、機能しない回路が前記導電性格子から分離される
    ことを特徴とする機能する回路のマトリックスを構成す
    る装置。 (ハ)特許請求の範囲第32項記載の装置であって:各
    回路マトリックス行のための少くとも1つの冗長な選択
    デコーダと; 対応する機能する回路と機能しない回路を有する半導体
    ウェハー基板場所からの機能する回路に組合わせて、半
    導体ウェハー基板場所からの機能する回路をマトリック
    ス行場所に割当てて、前記機能する回路から完全なマト
    リックス行を形成するために前記冗長な選択デコーダを
    プログラミングする手段と を備えることを%徴とする装置。 C14)特許請求の範囲第32項記載の装置でおって:
    マトリックスバイト中の各ビット位置のための、前記半
    導体ウェハー基板上に形成されている各回路に結合され
    る1組の入力リードおよび出力リードと; 一対の入力リードと出力リードを各機能する回路にビッ
    ト位置順に割当てる手段と; 割当てられた前記機能する回路を全てのビット位置人カ
    リー9ドとビット位置出力リードから分離する手段と を備えることを特徴とする装置。 (ハ)特許請求の範囲第32項記載の装置であって:相
    補的な部分的に機能する回路を組合わせてマトリックス
    場所に1つの機能する回路を作る手段と; 対応する回路アドレスと回路選択信号を組合わせること
    によシ第1の部分的に機能する回路をアドレスドレッシ
    ングする手段と; 対応する回路アドレスと回路選択信号を組合わせること
    によシ第2の部分的に機能する回路をアドレスドレッシ
    ングする手段と を備えることを特徴とする装置。 (至)特許請求の範囲第32項記載の装置であって:各
    マトリックス行のための回路選択リードと;前記機能す
    る回路を割当てるべき仮想行位置に対応する線を除く全
    ての前記回路選択線から前記機能する回路を分離するこ
    とによ多機能する回路をマトリックス行位置に割当てる
    手段とを備え、前記回路選択リードは前記半導体ウェハ
    ー基板上に形成されている前記行中の各回路に結合され
    ることを特徴とする装置。 Cカ特許請求の範囲第32項記載の装置であって:少く
    とも1つの冗長な回路選択デコーダと;前記機能しない
    デコーダと前記導電性格子の間の接続を無くすことによ
    多機能しない回路選択デコーダを分離する手段と を備えることを特徴とする装置。 (至)特許請求の範囲第32項記載の装置であって:前
    記半導体ウェハー基板上に形成されている各回路のため
    のプログラム可能な回路選択デコーダと; 前記回路が独自にアドレスされた時に、対応するデコー
    ダ線を前記導電性格子に割当てることによシ、前記回路
    を選択するために前記デコーダをプログラミングする手
    段と; 前記回路デコーダと前記導電性格子の間の対応する接続
    を無くす手段と を備えることを特徴とする装置。 0I特許請求の範囲第38項記載の装置であって:各回
    路選択デコーダをプログラミングする手段と; 全ての機能する回路のための入力リードと出力リードを
    共通ビット位置に割当てる手段とを備え、各回路選択デ
    コーダをプログラミングすることによ多機能する各回路
    は独自にアドレスされ、全ての機能する回路のだめの入
    力リードと出力リードを共通ビット位置に割当てること
    にょシビット編成されたアセンブリが与えられることを
    特徴とする装置。 (4〔特許請求の範囲第38項記載の装置であって:各
    回路選択デコーダをプログラミングする手段と: 前記機能する各群が入力バイトと出力バイトを与えるよ
    うに、前記機能する群中の機能する各回路のために入力
    リードと出力リードをビット位置順に割当てる手段と を備え、前記プログラミングにおいては、入力バイトと
    出力バイトに対応する共通アドレスが群となって回路に
    割当てられ、前記機能する各群が入力バイトと出力バイ
    トを与えるように、前記機能する群中の機能する各回路
    のために入力リードと出力リードをビット位置順に割当
    てることによシバイト編成されたアセンブリが与えられ
    ることを特徴とする装置。 (4υ特許請求の範囲第38項記載の装置であって:各
    回路選択デコーダをプログラミングする手段と; 共通入力線と共通出力線をバイト式に機能する各回路へ
    割当てる手段と を備え、各回路選択デコーダがプログラミングされるこ
    とによ多機能する各回路は独自にアドレスされ、共通入
    力線と共通出力線をバイト式に機能する各回路へ割当て
    ることによシ、機能する各回路は、アドレスされた時に
    、バイト編成された入力と出力を与えることを特徴とす
    る装置。 (42機能する回路および機能しない回路のランダムな
    分布から、半導体ウェハー基板上に形成されている機能
    する回路のマトリックスを構成するための装置であって
    : 格子パッドを有する複数の機能する回路および格子パッ
    ドを有する複数の機能しない回路と;前記回路を前記格
    子パッドを介して相互に接続するために前記半導体ウニ
    へ−基板上に形成される導電性格子と; 各回路に組合わされるヒユーズと を備え、それによシ、回路を試験された後で、前記導電
    性格子を形成する前に、前記機能回路格子のパッドを前
    記導電性格子に接続するヒユーズ接続を設定することに
    よシ、機能する回路が前記導電性格子に結合されること
    を特徴とする機能する回路のマトリックスを構成する装
    置。 (4階半導体ウェハー基板上に形成されている機能する
    記憶回路と機能しない記憶回路とのジンダムな分布から
    マツプされる機能する記憶回路のマトリックスにおいて
    : 前記記憶回路を相互に接続するために前記半導体ウェハ
    ー基板上に形成される導電性格子と;機能する記憶回路
    を割当てて、前記半導体ウェハー基板上に分布されてい
    る記憶回路から完全存マトリックス行を形成するために
    冗長な回路選択デコーダをプログラミングする手段と;
    前記記憶回路と、他のビット位置に対応する前記導電性
    格子の間の接続を無くすととによシ、機能する各記憶回
    路にチャネル入力リードとチャネル出力リードを割当て
    る手段と を備えることを特徴とする機能する記憶回路のマトリッ
    クス。 (旬特許請求の範囲第43項記載の装置であって:部分
    的に機能する記憶回路を組合わせて、データビット線と
    回路選択線に割当てられる1つの完全に機能する記憶回
    路を構成する手段と;対応する部分的に機能する回路ア
    ドレス信号を前記記憶回路選択信号に組合わせることに
    よシ、第1の部分的に機能する回路と第2の部分的に機
    能する回路を互いに独立にアドレッシングする手段と を備えることを特徴とする装置。
JP60016706A 1984-02-01 1985-02-01 機能する回路の電気的マトリツクスを構成する方法および装置 Pending JPS60182151A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/576,066 US4703436A (en) 1984-02-01 1984-02-01 Wafer level integration technique
US576066 1984-02-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60182151A true JPS60182151A (ja) 1985-09-17

Family

ID=24302832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60016706A Pending JPS60182151A (ja) 1984-02-01 1985-02-01 機能する回路の電気的マトリツクスを構成する方法および装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4703436A (ja)
JP (1) JPS60182151A (ja)
CA (1) CA1236918A (ja)
DE (1) DE3503433A1 (ja)
FR (1) FR2558989B1 (ja)
GB (1) GB2153590B (ja)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60254626A (ja) * 1984-05-30 1985-12-16 Sharp Corp ウエハテスト方法
DE3526485A1 (de) * 1985-07-24 1987-02-05 Heinz Krug Schaltungsanordnung zum pruefen integrierter schaltungseinheiten
DE3623470A1 (de) * 1986-07-11 1988-01-21 Gerd Teepe Integrierte schaltung mit mehreren schaltungsmoduln gleicher funktion
US5367208A (en) 1986-09-19 1994-11-22 Actel Corporation Reconfigurable programmable interconnect architecture
JPS63217821A (ja) * 1987-03-06 1988-09-09 Toshiba Corp 半導体集積回路
US5684723A (en) * 1987-11-16 1997-11-04 Fujitsu Limited Device simulation method and device simulator
JPH01158758A (ja) * 1987-12-16 1989-06-21 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP2516403B2 (ja) * 1988-06-01 1996-07-24 富士通株式会社 ウエハ・スケ―ル・メモリ
US5590349A (en) * 1988-07-11 1996-12-31 Logic Devices, Inc. Real time programmable signal processor architecture
US5068823A (en) 1988-07-11 1991-11-26 Star Semiconductor Corporation Programmable integrated circuit using topological and parametric data to selectively connect and configure different high level functional blocks thereof
JP3151203B2 (ja) * 1988-11-23 2001-04-03 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 集積回路の自己検査装置
US5276893A (en) * 1989-02-08 1994-01-04 Yvon Savaria Parallel microprocessor architecture
US4974048A (en) * 1989-03-10 1990-11-27 The Boeing Company Integrated circuit having reroutable conductive paths
JP2837433B2 (ja) * 1989-06-05 1998-12-16 三菱電機株式会社 半導体記憶装置における不良ビット救済回路
US5471427A (en) * 1989-06-05 1995-11-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Circuit for repairing defective bit in semiconductor memory device and repairing method
US5400262A (en) * 1989-09-20 1995-03-21 Aptix Corporation Universal interconnect matrix array
US5377124A (en) * 1989-09-20 1994-12-27 Aptix Corporation Field programmable printed circuit board
US4996670A (en) * 1989-09-28 1991-02-26 International Business Machines Corporation Zero standby power, radiation hardened, memory redundancy circuit
US5217916A (en) * 1989-10-03 1993-06-08 Trw Inc. Method of making an adaptive configurable gate array
US5459340A (en) * 1989-10-03 1995-10-17 Trw Inc. Adaptive configurable gate array
US5022011A (en) * 1989-12-28 1991-06-04 Inova Microelectronics Corporation Apparatus and method for reducing the access time after a write operation in a static memory device
US5198705A (en) * 1990-05-11 1993-03-30 Actel Corporation Logic module with configurable combinational and sequential blocks
US5214657A (en) * 1990-09-21 1993-05-25 Micron Technology, Inc. Method for fabricating wafer-scale integration wafers and method for utilizing defective wafer-scale integration wafers
EP0481703B1 (en) * 1990-10-15 2003-09-17 Aptix Corporation Interconnect substrate having integrated circuit for programmable interconnection and sample testing
US5274264A (en) * 1990-12-12 1993-12-28 Hughes Aircraft Company Defect tolerant power distribution network and method for integrated circuits
US5528600A (en) * 1991-01-28 1996-06-18 Actel Corporation Testability circuits for logic arrays
US5287311A (en) * 1991-05-31 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for implementing ×2 parity DRAM for 16 bit systems from ×4 parity DRAM
EP0518701A3 (en) * 1991-06-14 1993-04-21 Aptix Corporation Field programmable circuit module
US5360988A (en) * 1991-06-27 1994-11-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and methods for production thereof
US5576554A (en) * 1991-11-05 1996-11-19 Monolithic System Technology, Inc. Wafer-scale integrated circuit interconnect structure architecture
US5498990A (en) * 1991-11-05 1996-03-12 Monolithic System Technology, Inc. Reduced CMOS-swing clamping circuit for bus lines
US5831467A (en) * 1991-11-05 1998-11-03 Monolithic System Technology, Inc. Termination circuit with power-down mode for use in circuit module architecture
EP0541288B1 (en) * 1991-11-05 1998-07-08 Fu-Chieh Hsu Circuit module redundacy architecture
US5301153A (en) * 1992-06-03 1994-04-05 Mips Computer Systems, Inc. Redundant element substitution apparatus
US5648661A (en) * 1992-07-02 1997-07-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit wafer comprising unsingulated dies, and decoder arrangement for individually testing the dies
DE69331061T2 (de) * 1992-08-10 2002-06-06 Monolithic System Tech Inc Fehlertolerantes hierarchisiertes Bussystem
US5489538A (en) * 1992-08-21 1996-02-06 Lsi Logic Corporation Method of die burn-in
US5366906A (en) * 1992-10-16 1994-11-22 Martin Marietta Corporation Wafer level integration and testing
US5355344A (en) * 1992-11-13 1994-10-11 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Structure for using a portion of an integrated circuit die
US5360747A (en) * 1993-06-10 1994-11-01 Xilinx, Inc. Method of reducing dice testing with on-chip identification
US5655113A (en) 1994-07-05 1997-08-05 Monolithic System Technology, Inc. Resynchronization circuit for a memory system and method of operating same
WO1996035155A1 (en) * 1995-05-04 1996-11-07 Intel Corporation Printed circuit board with selectable routing configuration
JP3734853B2 (ja) 1995-06-27 2006-01-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
FR2741475B1 (fr) * 1995-11-17 2000-05-12 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de micro-electronique comportant sur un substrat une pluralite d'elements interconnectes
US5895942A (en) * 1996-06-18 1999-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Fuse selectable modules
US6167428A (en) 1996-11-29 2000-12-26 Ellis; Frampton E. Personal computer microprocessor firewalls for internet distributed processing
US7506020B2 (en) 1996-11-29 2009-03-17 Frampton E Ellis Global network computers
US20050180095A1 (en) 1996-11-29 2005-08-18 Ellis Frampton E. Global network computers
US6725250B1 (en) * 1996-11-29 2004-04-20 Ellis, Iii Frampton E. Global network computers
US7926097B2 (en) 1996-11-29 2011-04-12 Ellis Iii Frampton E Computer or microchip protected from the internet by internal hardware
US8225003B2 (en) 1996-11-29 2012-07-17 Ellis Iii Frampton E Computers and microchips with a portion protected by an internal hardware firewall
US7805756B2 (en) 1996-11-29 2010-09-28 Frampton E Ellis Microchips with inner firewalls, faraday cages, and/or photovoltaic cells
US5936426A (en) * 1997-02-03 1999-08-10 Actel Corporation Logic function module for field programmable array
US6233184B1 (en) * 1998-11-13 2001-05-15 International Business Machines Corporation Structures for wafer level test and burn-in
US6730527B1 (en) 2001-12-31 2004-05-04 Hyperchip Inc. Chip and defect tolerant method of mounting same to a substrate
US6768150B1 (en) * 2003-04-17 2004-07-27 Infineon Technologies Aktiengesellschaft Magnetic memory
US7208758B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-24 Micron Technology, Inc. Dynamic integrated circuit clusters, modules including same and methods of fabricating
US8256147B2 (en) 2004-11-22 2012-09-04 Frampton E. Eliis Devices with internal flexibility sipes, including siped chambers for footwear
DE102005006639B4 (de) * 2005-02-14 2007-08-16 Siemens Ag Erzeugen von SiC-Packs auf Wafer-Ebene
US7579689B2 (en) * 2006-01-31 2009-08-25 Mediatek Inc. Integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package
US8863230B1 (en) 2006-06-09 2014-10-14 Xilinx, Inc. Methods of authenticating a programmable integrated circuit in combination with a non-volatile memory device
US7339400B1 (en) * 2006-06-09 2008-03-04 Xilinx, Inc. Interface port for electrically programmed fuses in a programmable logic device
US7987358B1 (en) 2006-06-09 2011-07-26 Xilinx, Inc. Methods of authenticating a user design in a programmable integrated circuit
US8125796B2 (en) 2007-11-21 2012-02-28 Frampton E. Ellis Devices with faraday cages and internal flexibility sipes
US8429735B2 (en) 2010-01-26 2013-04-23 Frampton E. Ellis Method of using one or more secure private networks to actively configure the hardware of a computer or microchip
US9568960B2 (en) 2015-02-20 2017-02-14 International Business Machines Corporation Supercomputer using wafer scale integration
US20160329312A1 (en) * 2015-05-05 2016-11-10 Sean M. O'Mullan Semiconductor chip with offloaded logic

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4926270A (ja) * 1972-07-04 1974-03-08
JPS4933231A (ja) * 1972-07-27 1974-03-27
JPS506294A (ja) * 1972-07-28 1975-01-22
JPS515540A (ja) * 1974-07-03 1976-01-17 Shell Sekyu
JPS52115193A (en) * 1976-03-23 1977-09-27 Fujitsu Ltd Lsi structure

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES320796A1 (es) * 1964-12-21 1966-05-16 Texas Instruments Inc Un metodo de fabricacion de un sistema electrico.
US3835530A (en) * 1967-06-05 1974-09-17 Texas Instruments Inc Method of making semiconductor devices
GB1117579A (en) * 1967-06-09 1968-06-19 Standard Telephones Cables Ltd Manufacture of integrated circuits
GB1122749A (en) * 1967-06-09 1968-08-07 Standard Telephones Cables Ltd Manufacture of integrated circuits
US3633268A (en) * 1968-06-04 1972-01-11 Telefunken Patent Method of producing one or more large integrated semiconductor circuits
US3641661A (en) * 1968-06-25 1972-02-15 Texas Instruments Inc Method of fabricating integrated circuit arrays
GB1305319A (ja) * 1968-09-25 1973-01-31
GB1306189A (ja) * 1968-09-25 1973-02-07
GB1305010A (ja) * 1968-09-25 1973-01-31
GB1271243A (en) * 1968-10-08 1972-04-19 Texas Instruments Inc Integrated circuit arrays utilizing discretionary wiring and method of fabricating same
FR2045239A5 (ja) * 1969-06-26 1971-02-26 Comp Generale Electricite
US3771217A (en) * 1971-04-16 1973-11-13 Texas Instruments Inc Integrated circuit arrays utilizing discretionary wiring and method of fabricating same
US3795973A (en) * 1971-12-15 1974-03-12 Hughes Aircraft Co Multi-level large scale integrated circuit array having standard test points
US3795974A (en) * 1971-12-16 1974-03-12 Hughes Aircraft Co Repairable multi-level large scale integrated circuit
US3795975A (en) * 1971-12-17 1974-03-12 Hughes Aircraft Co Multi-level large scale complex integrated circuit having functional interconnected circuit routed to master patterns
GB1377859A (en) * 1972-08-03 1974-12-18 Catt I Digital integrated circuits
US3861023A (en) * 1973-04-30 1975-01-21 Hughes Aircraft Co Fully repairable integrated circuit interconnections
US3940740A (en) * 1973-06-27 1976-02-24 Actron Industries, Inc. Method for providing reconfigurable microelectronic circuit devices and products produced thereby
US4234888A (en) * 1973-07-26 1980-11-18 Hughes Aircraft Company Multi-level large scale complex integrated circuit having functional interconnected circuit routed to master patterns
US4122540A (en) * 1974-03-18 1978-10-24 Signetics Corporation Massive monolithic integrated circuit
US4038648A (en) * 1974-06-03 1977-07-26 Chesley Gilman D Self-configurable circuit structure for achieving wafer scale integration
US4007452A (en) * 1975-07-28 1977-02-08 Intel Corporation Wafer scale integration system
US4092733A (en) * 1976-05-07 1978-05-30 Mcdonnell Douglas Corporation Electrically alterable interconnection
US4398248A (en) * 1980-10-20 1983-08-09 Mcdonnell Douglas Corporation Adaptive WSI/MNOS solid state memory system
JPS5460874A (en) * 1977-10-03 1979-05-16 Secr Defence Brit Wafer
GB2006522B (en) * 1977-10-03 1982-01-27 Secretary Industry Brit Wafers having microelectronic circuit chips thereon
US4188670A (en) * 1978-01-11 1980-02-12 Mcdonnell Douglas Corporation Associative interconnection circuit
US4254477A (en) * 1978-10-25 1981-03-03 Mcdonnell Douglas Corporation Reconfigurable memory circuit
JPS5847596Y2 (ja) * 1979-09-05 1983-10-29 富士通株式会社 半導体装置
US4354217A (en) * 1980-07-07 1982-10-12 Burroughs Corporation Automatic power disconnect system for wafer scale integrated circuits
US4355376A (en) * 1980-09-30 1982-10-19 Burroughs Corporation Apparatus and method for utilizing partially defective memory devices
US4532611A (en) * 1982-11-01 1985-07-30 Motorola, Inc. Redundant memory circuit
US4494220A (en) * 1982-11-24 1985-01-15 At&T Bell Laboratories Folded bit line memory with one decoder per pair of spare rows
US4523313A (en) * 1982-12-17 1985-06-11 Honeywell Information Systems Inc. Partial defective chip memory support system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4926270A (ja) * 1972-07-04 1974-03-08
JPS4933231A (ja) * 1972-07-27 1974-03-27
JPS506294A (ja) * 1972-07-28 1975-01-22
JPS515540A (ja) * 1974-07-03 1976-01-17 Shell Sekyu
JPS52115193A (en) * 1976-03-23 1977-09-27 Fujitsu Ltd Lsi structure

Also Published As

Publication number Publication date
GB2153590A (en) 1985-08-21
DE3503433A1 (de) 1985-08-01
GB2153590B (en) 1987-12-16
FR2558989A1 (fr) 1985-08-02
US4703436A (en) 1987-10-27
CA1236918A (en) 1988-05-17
FR2558989B1 (fr) 1990-04-06
GB8502404D0 (en) 1985-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60182151A (ja) 機能する回路の電気的マトリツクスを構成する方法および装置
US5576554A (en) Wafer-scale integrated circuit interconnect structure architecture
US5498886A (en) Circuit module redundancy architecture
US5384499A (en) High-density erasable programmable logic device architecture using multiplexer interconnections
US6356958B1 (en) Integrated circuit module has common function known good integrated circuit die with multiple selectable functions
US5241224A (en) High-density erasable programmable logic device architecture using multiplexer interconnections
US6744656B2 (en) Semiconductor device and process for manufacturing the same
KR100438883B1 (ko) 멀티 칩 반도체 장치 및 메모리 카드
US4675849A (en) Semiconductor device
US5268598A (en) High-density erasable programmable logic device architecture using multiplexer interconnections
US3810301A (en) Method for making an integrated circuit apparatus
US6804156B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US5768173A (en) Memory modules, circuit substrates and methods of fabrication therefor using partially defective memory devices
JPH0320840B2 (ja)
JPS6114539B2 (ja)
US5487040A (en) Semiconductor memory device and defective memory cell repair circuit
KR19990029474A (ko) 디멘젼 프로그램가능 퓨즈뱅크 및 그것의 제조 방법
KR970008363B1 (ko) 트리밍 회로
USRE39016E1 (en) Memory module assembly using partially defective chips
US6333887B1 (en) Circuits and methods for selectively coupling redundant elements into an integrated circuit
JPH0245279B2 (ja)
US6788597B2 (en) Memory device having programmable column segmentation to increase flexibility in bit repair
KR20020020225A (ko) 스택된 모듈을 포함한 전자 부품 및 그의 제조 방법
JP3192220B2 (ja) 回路モジュール冗長性アーキテクチャ
KR900003884A (ko) 대규모 반도체 집적회로 장치