JPS60176240A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60176240A JPS60176240A JP59032853A JP3285384A JPS60176240A JP S60176240 A JPS60176240 A JP S60176240A JP 59032853 A JP59032853 A JP 59032853A JP 3285384 A JP3285384 A JP 3285384A JP S60176240 A JPS60176240 A JP S60176240A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphorus
- glass film
- oxide films
- glass
- source
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にＰ型不純
物領域を含み、その上に不純物を含むガラス膜を有する
集積回路の製造方法に関する。
物領域を含み、その上に不純物を含むガラス膜を有する
集積回路の製造方法に関する。
（従来技術の説明）
一般に半導体装置にはリンガラス膜が保護膜として使用
され、これによって歩留、信頼性が大巾に同上した。し
かし、リンガラス膜は電極取出し用のコンタクト孔ｔ−
あけたばかシの状態で社リンガラス膜のコンタクト孔の
側面が急峻な角部を有するので、その後このコンタクト
孔にＡＪ等の電極を取付け、これ＝ｉ ＩＪンガラス膜
の表面へ延在し、パターニングに配線を行なう時、コン
タクト孔角部にてＡ／配腺の断煉が生じ易いので、これ
を避けるために開孔形成後リンガラス膜を高温熱処理し
て前記角部をなだらかにして断線全防止するようになさ
れている。この方法を以下リンダラシと呼ぶ、しかしな
がらこのリンダラシをＰ型不純物領域の上１例えば、Ｐ
チャンネルトランジスタのソースおよびドレイン領域の
上で行なうと、熱処理の際リンガラス膜からＮ型不純物
であるリンが飛び出し、コンタクト孔を通してその下に
露出されているＰ型のソースおよびドレイン領域にアウ
トディ７ユージ、ンする。従って、この領域の表面部に
Ｎ型層が形成され、ソース、ドレインの各領域の中にＰ
Ｎ接合が形成されてしまう。このためコンタクト孔を通
してＡＡ！を蒸着してソース。
され、これによって歩留、信頼性が大巾に同上した。し
かし、リンガラス膜は電極取出し用のコンタクト孔ｔ−
あけたばかシの状態で社リンガラス膜のコンタクト孔の
側面が急峻な角部を有するので、その後このコンタクト
孔にＡＪ等の電極を取付け、これ＝ｉ ＩＪンガラス膜
の表面へ延在し、パターニングに配線を行なう時、コン
タクト孔角部にてＡ／配腺の断煉が生じ易いので、これ
を避けるために開孔形成後リンガラス膜を高温熱処理し
て前記角部をなだらかにして断線全防止するようになさ
れている。この方法を以下リンダラシと呼ぶ、しかしな
がらこのリンダラシをＰ型不純物領域の上１例えば、Ｐ
チャンネルトランジスタのソースおよびドレイン領域の
上で行なうと、熱処理の際リンガラス膜からＮ型不純物
であるリンが飛び出し、コンタクト孔を通してその下に
露出されているＰ型のソースおよびドレイン領域にアウ
トディ７ユージ、ンする。従って、この領域の表面部に
Ｎ型層が形成され、ソース、ドレインの各領域の中にＰ
Ｎ接合が形成されてしまう。このためコンタクト孔を通
してＡＡ！を蒸着してソース。
ドレイン電極を形成しても、これらの電極とソース、ド
レイン領域との間にはＰＮ接合が介在することになり、
オーム接触が不可能になる。第１図はこれを説明する図
で、１０はＮ型シリコン半導体基板、１，２はＰチャン
ネルＭＯ８ＦＥＴのソース、ドレイン領域となるＰ＋型
拡散層、３はフィールド酸化膜、３′はゲート絶縁膜、
４はゲート電極となる例えば多結晶シリコン膜、５は化
学気相成長法等により被着したリンガラス膜である。
レイン領域との間にはＰＮ接合が介在することになり、
オーム接触が不可能になる。第１図はこれを説明する図
で、１０はＮ型シリコン半導体基板、１，２はＰチャン
ネルＭＯ８ＦＥＴのソース、ドレイン領域となるＰ＋型
拡散層、３はフィールド酸化膜、３′はゲート絶縁膜、
４はゲート電極となる例えば多結晶シリコン膜、５は化
学気相成長法等により被着したリンガラス膜である。
６．７がリンダランつまクリンガラス膜の軟化処理の際
にリンガラス膜５からリンが飛び出してコンタクト孔を
通してソース、ドレイン領域１．２に入り、これによっ
てその露出表面附近に形成されたＮ＋拡散層である。こ
のＮ＋拡散層はＮチャンネルトランジスタでは、そのソ
ース、ドレイン領域と同じ導電型であるので問題はない
が、Ｐチャンネルトランジスタではソース、ドレイン領
域の中にＰＮ接合を形成し、Ａｌ電極とソース、ドレイ
ン領域とのコンタクト不良が生じて大きな問題となる。
にリンガラス膜５からリンが飛び出してコンタクト孔を
通してソース、ドレイン領域１．２に入り、これによっ
てその露出表面附近に形成されたＮ＋拡散層である。こ
のＮ＋拡散層はＮチャンネルトランジスタでは、そのソ
ース、ドレイン領域と同じ導電型であるので問題はない
が、Ｐチャンネルトランジスタではソース、ドレイン領
域の中にＰＮ接合を形成し、Ａｌ電極とソース、ドレイ
ン領域とのコンタクト不良が生じて大きな問題となる。
なお、ガラス膜が例えばボロンガラスのようにＰ型不純
物を含む場合は、逆にＮ型領域に上表の問題が発生する
。
物を含む場合は、逆にＮ型領域に上表の問題が発生する
。
（発明の目的）
不発明はガラスダラシによって不所望なＰＮ接合が形成
されることのない製造方法を提供することを目的とする
ものである。
されることのない製造方法を提供することを目的とする
ものである。
（発明の構成）
本発明は不純物を含むガラス膜に開孔を形成した後、こ
の開孔を絶縁膜でカバーした後、ガラス膜の熱処理を行
なうことを特徴とし、これによって半導体基板へガラス
膜からの不純物が導入されないようにしたことにある。
の開孔を絶縁膜でカバーした後、ガラス膜の熱処理を行
なうことを特徴とし、これによって半導体基板へガラス
膜からの不純物が導入されないようにしたことにある。
（実施例の説明）
第２図は本発明の一実施例を示す図で、１０はＮ型シリ
コン半導体基板、１，２はノース、ドレイン領域を形成
するＰ 型拡散領域、３はフィールド酸化膜、３′はゲ
ート絶縁膜、４は多結晶シリコンゲート電極、５はリン
ガラス膜である。これらの領域及び膜の形成方法は従来
通ルである。
コン半導体基板、１，２はノース、ドレイン領域を形成
するＰ 型拡散領域、３はフィールド酸化膜、３′はゲ
ート絶縁膜、４は多結晶シリコンゲート電極、５はリン
ガラス膜である。これらの領域及び膜の形成方法は従来
通ルである。
表面に被着し光リンガラス膜にコンタクト孔をあけ、ソ
ースおよびドレイン領域１，２の露出表面部に薄い熱酸
化膜８，９を低温酸化法によシ形成する。このようにす
ると熱酸化膜８，９はリンのアウトディ７−−ジヨンに
対する障壁となり、リンガラス膜中のリンがコンタクト
孔からソース。
ースおよびドレイン領域１，２の露出表面部に薄い熱酸
化膜８，９を低温酸化法によシ形成する。このようにす
ると熱酸化膜８，９はリンのアウトディ７−−ジヨンに
対する障壁となり、リンガラス膜中のリンがコンタクト
孔からソース。
ドレイン領域１，２へ拡散されるのが防止出来る。
酸化膜は低温処理することによって形成し、その一部が
半導体領域内に埋め込まれるようにする方がよい。
半導体領域内に埋め込まれるようにする方がよい。
ここで形成された熱酸化膜８，９は次の電極Ｍ蒸着前に
フッ酸系の液でエツチングして除去しくこの時半導体領
域の表面から一部、すなわちＡＩ接触部が深さ方間に堀
シ込まれる）、コンタクトには支障がないようにする。
フッ酸系の液でエツチングして除去しくこの時半導体領
域の表面から一部、すなわちＡＩ接触部が深さ方間に堀
シ込まれる）、コンタクトには支障がないようにする。
以上詳細に説明したように不発明によれば、Ｐチャンネ
ルトランジスタを含むトランジスタなどの半導体装置に
おいてソース、ドレイン領域の産出表面を薄い酸化膜で
覆うことによシリンダラシの際に生じるリンガラス膜か
らのリンのアウトディフェージアンを防ぎ半導体装置の
製造歩留、信頼性を同上させることが出来る。
ルトランジスタを含むトランジスタなどの半導体装置に
おいてソース、ドレイン領域の産出表面を薄い酸化膜で
覆うことによシリンダラシの際に生じるリンガラス膜か
らのリンのアウトディフェージアンを防ぎ半導体装置の
製造歩留、信頼性を同上させることが出来る。
なお、ボロンガラス等信の不純物をもつガラス膜にも同
様に適用できる。
様に適用できる。
第１図は従来のリンダラシを行なった段階のＰチャンネ
ルトランジスタの断面図、第２図は不発明の一実施例を
説明する断面図である。 １．２・・・・・・ｐ ＋ Ｗソース、ドレイン領域、
３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・ゲート電極、５
・・・・・・リンガラス膜、６，７・・・・・・Ｎ＋拡
散層、８，９・・・・・・熱酸化膜、１０・・・・・・
シリコン半導体基板。
ルトランジスタの断面図、第２図は不発明の一実施例を
説明する断面図である。 １．２・・・・・・ｐ ＋ Ｗソース、ドレイン領域、
３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・ゲート電極、５
・・・・・・リンガラス膜、６，７・・・・・・Ｎ＋拡
散層、８，９・・・・・・熱酸化膜、１０・・・・・・
シリコン半導体基板。
Claims (1)
- 半導体基板上に被着した不純物を含むガラス膜に開口を
形成したのち、これを熱処理する工程を含む半導体装置
の製造方法において、前記開口部を酸化膜で被覆したの
ち前記熱処理を行う事を特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032853A JPS60176240A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032853A JPS60176240A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176240A true JPS60176240A (ja) | 1985-09-10 |
Family
ID=12370390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032853A Pending JPS60176240A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993009599A2 (en) * | 1991-10-30 | 1993-05-13 | Harris Corporation | Analog-to-digital converter and method of fabrication |
| US5336332A (en) * | 1991-06-26 | 1994-08-09 | Kabushiki Kaisha Powrex | Washing apparatus and method for fluidized bed pelletizing and drying machine |
| JP2007098254A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Freunt Ind Co Ltd | 粉粒体処理装置のフィルタ洗浄装置及びフィルタ洗浄方法 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59032853A patent/JPS60176240A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336332A (en) * | 1991-06-26 | 1994-08-09 | Kabushiki Kaisha Powrex | Washing apparatus and method for fluidized bed pelletizing and drying machine |
| WO1993009599A2 (en) * | 1991-10-30 | 1993-05-13 | Harris Corporation | Analog-to-digital converter and method of fabrication |
| JP2007098254A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Freunt Ind Co Ltd | 粉粒体処理装置のフィルタ洗浄装置及びフィルタ洗浄方法 |
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