JPS60175420A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS60175420A JPS60175420A JP59030651A JP3065184A JPS60175420A JP S60175420 A JPS60175420 A JP S60175420A JP 59030651 A JP59030651 A JP 59030651A JP 3065184 A JP3065184 A JP 3065184A JP S60175420 A JPS60175420 A JP S60175420A
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- JP
- Japan
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- forming method
- pattern forming
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法、とくに、欠陥となるレジス
ト残りを除去する方法に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 半導体素子が微細化されるにつれてリングラフィ技術の
中でＸ線電光技術が注目されている０このＸｌｆＭ露光
に用いられるＸ線マスクは、製造。
ト残りを除去する方法に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 半導体素子が微細化されるにつれてリングラフィ技術の
中でＸ線電光技術が注目されている０このＸｌｆＭ露光
に用いられるＸ線マスクは、製造。
検査が難しいほか、とくに欠陥部分の修正が困難である
。従来の光電光用のホトマスクでは第１図に述べる工程
で欠陥部分の修正を行っている０すなわち、ガラス基板
上にレジス、ドパターン３を形成する（第１図ａ）。そ
の際にレジストノくターンの欠陥４が生じたとする□
Ｃｒ膜をエツチングし、レジストを除去することにより
、クロム膜ノくターン６が形成されるか、同時にクロム
欠陥６が生じる。このクロム欠陥６は欠陥検査装置によ
り検出された後、レーガリペアにより除去される。この
方法が、現在ホトマスクの欠陥修正に用いられている一
般的方法であるが、この方法をＸ線マスクの修正に用い
ることはできない。その理由はホトマスクのしゃ光膜で
あるクロムはその膜厚が０．０８μｍと薄いため、レー
ザ照射により容易に除去することが可能であるが、Ｘ線
マスクのＸ線しや元部であるＡｕ膜は厚さが０．５〜０
．７μｍと厚いので、レーザにより除去できないからで
ある。そのためｒｔｃＳＸ線マスクの欠陥修正を行う有
効な方法の確立が望捷れていた。
。従来の光電光用のホトマスクでは第１図に述べる工程
で欠陥部分の修正を行っている０すなわち、ガラス基板
上にレジス、ドパターン３を形成する（第１図ａ）。そ
の際にレジストノくターンの欠陥４が生じたとする□
Ｃｒ膜をエツチングし、レジストを除去することにより
、クロム膜ノくターン６が形成されるか、同時にクロム
欠陥６が生じる。このクロム欠陥６は欠陥検査装置によ
り検出された後、レーガリペアにより除去される。この
方法が、現在ホトマスクの欠陥修正に用いられている一
般的方法であるが、この方法をＸ線マスクの修正に用い
ることはできない。その理由はホトマスクのしゃ光膜で
あるクロムはその膜厚が０．０８μｍと薄いため、レー
ザ照射により容易に除去することが可能であるが、Ｘ線
マスクのＸ線しや元部であるＡｕ膜は厚さが０．５〜０
．７μｍと厚いので、レーザにより除去できないからで
ある。そのためｒｔｃＳＸ線マスクの欠陥修正を行う有
効な方法の確立が望捷れていた。
発明の目的
本発明は、この問題を解決し、Ｘ線マスク、あるいはホ
トマスクの欠陥修正方法を提供するものである。
トマスクの欠陥修正方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、ビーム断面積を０．００２６ｍイ以下にイタ
下、中心波長３００ ｎｍ以下の遠紫外光源を用いて、
所定温度に加熱保持された基板上のレジストの所定位置
を照射することにより、所定位置のレジストを除去まｋ
はその厚みを減少させる工程をそなえたパターン形成方
法で、これにより、迅速、確実にマスクの欠陥修正が可
能である。
下、中心波長３００ ｎｍ以下の遠紫外光源を用いて、
所定温度に加熱保持された基板上のレジストの所定位置
を照射することにより、所定位置のレジストを除去まｋ
はその厚みを減少させる工程をそなえたパターン形成方
法で、これにより、迅速、確実にマスクの欠陥修正が可
能である。
実施例の説明
本発明の実施例を第２図に基いて説明する。Ｓｉ基板１
上に厚さ２μｍのＢＮＮａ３よび０．７μｍのＡｕ膜９
が形成された試料上ＫＰＭＭＡレジストパターン３を形
成する（第２図ａ）０その際に生じたレジスト欠陥４を
、欠陥検査装置を用いて検出し、検出された欠陥４を、
ビーム断面積を０．００２５ｍ−以下に微細に絞った、
中心波長３００画以下の遠紫外光１ｏを照射することに
より除去する（第２図ｂ）。その後、イオンミリングを
用いてＡｕ膜９をエツチングしてＡｕパターン１１を形
成し、Ｓｉ基板のパックエツチングを行い、支持部１２
を作成してＸ線マスクが完成する。
上に厚さ２μｍのＢＮＮａ３よび０．７μｍのＡｕ膜９
が形成された試料上ＫＰＭＭＡレジストパターン３を形
成する（第２図ａ）０その際に生じたレジスト欠陥４を
、欠陥検査装置を用いて検出し、検出された欠陥４を、
ビーム断面積を０．００２５ｍ−以下に微細に絞った、
中心波長３００画以下の遠紫外光１ｏを照射することに
より除去する（第２図ｂ）。その後、イオンミリングを
用いてＡｕ膜９をエツチングしてＡｕパターン１１を形
成し、Ｓｉ基板のパックエツチングを行い、支持部１２
を作成してＸ線マスクが完成する。
常温（２３°Ｃ）におけるＰＭＭＡレジストの遠紫外光
に対するエッチレートを第３図に示す。通常の遠紫外光
露光に用いられる光源は１０ｍＷ／ｃ４ぐらいであるが
、その露光エリアは１０００ＭＸ１０１００Ｏである。
に対するエッチレートを第３図に示す。通常の遠紫外光
露光に用いられる光源は１０ｍＷ／ｃ４ぐらいであるが
、その露光エリアは１０００ＭＸ１０１００Ｏである。
よって０．００２５ｍｎｆＫ集光することにより、４Ｘ
１０ 倍程度の出力かえられ、実用的な時間でレジスト
が除去できる。またエキシマレーザを用いる場合にはピ
ークパルス出力でＩ ＭＷ／ ｃＪの高い出力がえらｎ
、レジスト除去時間はより短くなる。
１０ 倍程度の出力かえられ、実用的な時間でレジスト
が除去できる。またエキシマレーザを用いる場合にはピ
ークパルス出力でＩ ＭＷ／ ｃＪの高い出力がえらｎ
、レジスト除去時間はより短くなる。
第４図に基板温度に対するＰＭＭＡレジストのエッチレ
ートを示す。基板温度を高くするほどエッチレートは大
きくなる。ＰＭＭＡの耐熱性から、実用の基板温度範囲
は常温（２３°Ｃ）〜２００″Ｇである。
ートを示す。基板温度を高くするほどエッチレートは大
きくなる。ＰＭＭＡの耐熱性から、実用の基板温度範囲
は常温（２３°Ｃ）〜２００″Ｇである。
なお以上の説明ではＰＭＭＡレジストを例として説明を
行っているが、他のレジメ）、ＰＵＭＡ、ＦＢＭ、ＣＭ
Ｓなどでも可能である。その場合、レジストのエッチレ
ートは、ＦＢＭ＞ＰＭＭＡ’：Ｐｆｌｉ−ＭＡ）ＣＭＳ
の順になる。
行っているが、他のレジメ）、ＰＵＭＡ、ＦＢＭ、ＣＭ
Ｓなどでも可能である。その場合、レジストのエッチレ
ートは、ＦＢＭ＞ＰＭＭＡ’：Ｐｆｌｉ−ＭＡ）ＣＭＳ
の順になる。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明は、ビーム断面積を０．
００２５ｍ−以下に絞った、中心波長３００ｎｍ以下の
遠紫外光源を用いて、基板上のレジストの所定位置を照
射することにより、所定位置のレジストを除去またはそ
の厚みを減少させることを特徴とするパターン形成方法
であって、本発明を用いることにより、マスクを使用せ
ずにレジストノくターンを形成することができ、さらに
現像工程が不要となるのでプロセスが簡単となる。
００２５ｍ−以下に絞った、中心波長３００ｎｍ以下の
遠紫外光源を用いて、基板上のレジストの所定位置を照
射することにより、所定位置のレジストを除去またはそ
の厚みを減少させることを特徴とするパターン形成方法
であって、本発明を用いることにより、マスクを使用せ
ずにレジストノくターンを形成することができ、さらに
現像工程が不要となるのでプロセスが簡単となる。
これまで困難であったＸ線マスクの修正に応用できるほ
か、従来のホトマスクにも応用できる０
か、従来のホトマスクにも応用できる０
第１図ａ −ｃは従来例のマスク修正過程を説明する工
程順断面図、第２図ａ −Ｃは本発明実施例の工程順断
面図、第３図は本発明実施例による遠紫外線の強さとエ
ッチレートとの関係を示す特性図、第４図は本発明実施
例による基板温度とエッチレートとの関係を示す特性図
である。 １・・・・・・カラス基板、２・・・・・・クロム膜、
３・・・・レジストパターン、４・・・・・・欠陥（残
り）レジスト、５・・・・・・クロムパターン、６・・
・・・欠陥クロム膜くターン、７・・・・Ｓｉ基板、８
・・・・・・ＢＮ膜、９ ・・・Ａｕ膜、１ｏ・・・集
束遠紫外光、１１ ・・・・Ａｕ ／’ターン、１２・
・・・・・Ｓｉ支持体。 箔 １ 図 第３図 渫索外尤の強さく傾Ｗ／ｃ舛す 第４図 基板蓋ノ随 （’ｃ）
程順断面図、第２図ａ −Ｃは本発明実施例の工程順断
面図、第３図は本発明実施例による遠紫外線の強さとエ
ッチレートとの関係を示す特性図、第４図は本発明実施
例による基板温度とエッチレートとの関係を示す特性図
である。 １・・・・・・カラス基板、２・・・・・・クロム膜、
３・・・・レジストパターン、４・・・・・・欠陥（残
り）レジスト、５・・・・・・クロムパターン、６・・
・・・欠陥クロム膜くターン、７・・・・Ｓｉ基板、８
・・・・・・ＢＮ膜、９ ・・・Ａｕ膜、１ｏ・・・集
束遠紫外光、１１ ・・・・Ａｕ ／’ターン、１２・
・・・・・Ｓｉ支持体。 箔 １ 図 第３図 渫索外尤の強さく傾Ｗ／ｃ舛す 第４図 基板蓋ノ随 （’ｃ）
Claims (4)
- （１） ビーム断面積を０．００２５−以下に絞った中
心波長３００ ｎｍ以下の遠紫外光源を用いて、所定温
度に加熱保持さルた基板上のレジストの所定位置を照射
することにより、所定位置のレジストを除去またはその
厚みを減少させることを特徴とするパターン形成方法。 - （２）基板温度が２３°Ｃ以上２００°Ｃ以下に加熱さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパタ
ーン形成方法。 - （３）遠紫外光ビームが基板上に形成されたレジストパ
ターンの中で、欠陥検査装置により検出された欠陥部分
のレジスト残りを、除去または厚みを減少することに使
われることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパ
ターン形成方法。 - （４）基板温度が２３°Ｃ以上１６０“Ｃ以下に加熱さ
ｔしることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59030651A JPS60175420A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59030651A JPS60175420A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175420A true JPS60175420A (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12309697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59030651A Pending JPS60175420A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175420A (ja) |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP59030651A patent/JPS60175420A/ja active Pending
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