JP3440336B2 - 凸欠陥修正方法 - Google Patents
凸欠陥修正方法Info
- Publication number
- JP3440336B2 JP3440336B2 JP23081293A JP23081293A JP3440336B2 JP 3440336 B2 JP3440336 B2 JP 3440336B2 JP 23081293 A JP23081293 A JP 23081293A JP 23081293 A JP23081293 A JP 23081293A JP 3440336 B2 JP3440336 B2 JP 3440336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- convex defect
- light
- defect
- irradiation area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，フオトマスクの遮光膜
や位相シフトフオトマスクの遮光膜もしくはシフタ凸欠
陥の修正方法に関するもので、特に、微細な凸欠陥部を
レーザ光により修正する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化にとも
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。現在では、１
６ＭのＤＲＡＭ用の５倍レチクルから転写されるデバイ
スパターンの線幅は０．６μｍと微細なものである。６
４ＭのＤＲＡＭのデバイスパターンの場合には、０．３
５μｍ線幅の解像が必要となってきており、従来のステ
ッパーを用いた光露光方式ではもはや限界にきている。
この為、光露光におけるレチクルから転写されるデバイ
スパターンの解像性を上げることができ、現状のステッ
パーにて使用できる方式の位相シフトマスクが注目され
るようになってきた。このような、半導体回路の高集積
化にともない、フオトマスク及び位相シフトフオトマス
クにおける遮光層、シフターの残留欠陥については、修
正しなければならない欠陥部のサイズがますます小さく
なってき、修正における精度もますます厳しくなってき
た。 【０００３】従来、遮光部の修正には、ＹＡＧ等のレー
ザ光を用いて、欠陥部を蒸発させ、除去させる方法が用
いられている。このレーザ光照射修正方式のものは、レ
ーザ光をある範囲に広げ、アパーチャにて、所定の形状
（通常は矩形）、サイズ、強度分布になるようにしたも
のを、通常アパーチャを通過後にさらに縮小、集光さ
せ、被修正部へ照射されるもので、レーザ光照射領域
は、アパーチャのサイズを変えることにより、各種の欠
陥サイズ、形状に対応している。したがって、１パルス
当たりのレーザ強度は、レーザ光照射領域を大とした場
合には、必要以上に大きくなり、図２のように照射する
領域４ｂを、目合わせ位置調整でうまく指定しても、回
折により、欠陥部回りの遮光パターン部に影響を与え、
パターン部が大きくえぐれてエグレ６欠陥となってしま
うことがあるが、微小な欠陥に合わせ、照射する領域を
４ａのように小とした場合には、この照射領域４ａに
は、上記の大面積照射領域のように、他からの回折光に
よるエネルギーが得られず、単位面積当たり充分なエネ
ルギーが得られず、修正部に残渣７を生じてしまい精度
良く修正ができないことがある。従来のレーザ光照射修
正方式の装置では１μｍ□以下の欠陥については、対応
できなくなってきている。又、アパーチャのサイズ変
更、欠陥位置へのレーザ光照射領域合わせは、顕微鏡に
よる目合わせ、またはＴＶカメラによる目合わせ等で行
っており、修正時のレーザ光そのものではなく、実際の
レーザ照射領域とはズレがあるのが一般的である。尚、
近年、レーザビームの照射修正にかわり、微細化に対応
できるものとして、イオンビームの照射による凸欠陥を
除去する方法も用いられるようになってきたが、修正時
に欠陥の周囲部分や下地への影響が大で、まだ実用段階
ではない。 【０００４】上記のように、各種のサイズ欠陥に対応す
る、従来のレーザ修正装置には微小な欠陥部の修正には
残渣の問題があるが、例え、レーザ光のエネルギー密度
を上げたとしても、基本的に、欠陥部の微小化に合わ
せ、レーザ照射領域を小としても、レーザ光には、回折
という限界がある。この限界は、一般に０．５μｍ程度
とされており、これがレーザによる集束の限界である
が、１６ＭＤＲＡＭレベルの線幅はデバイス上で０．６
μｍ、×５レチクル上では０．６０μｍ×５程度とな
り、線幅精度については、その１／５〜１／１０の、
３．０μｍ×（１／５〜１／１０）が要求され、０．４
〜０．５μｍサイズのものが、欠陥として検査、修正さ
れているのが現状で、もはやレーザビームの集束の限界
であり、６４ＭＤＲＡＭレベルにおいては、限界を超え
たレベルの修正が求められている。このような状況のも
と、クロムを主成分とするフオトマスクの遮光膜や位相
シフトフオトマスクの遮光膜やシフタの修正において、
１．０μｍ□以下の微細な凸欠陥除去を、欠陥の周辺部
の正規のパターンや下地へ、大きな影響を及ぼすことな
く、行える修正方法が求められていた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】上記のように、レーザ
修正による、正規のパターンまで除去されてしまうエグ
レ、及び残渣の発生は、半導体集積回路の高集積化にと
もなう、フオトマスクパターンの微細化により、大きな
問題となってきた。本発明は、このような状況のもと、
微細な、フオトマスクの遮光パターンの凸欠陥あるいは
位相シフトフオトマスクの遮光パターンやシフターの凸
欠陥を、レーザビームを用いて除去する際に、エグレや
残渣の発生に対応できる方法を提供しようとするもので
ある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明のフオトマスクの
凸欠陥修正方法は、従来から使用されている、ＹＡＧ
（Ｎｂ）等のレーザ光の照射領域を矩形アパーチャにて
きめる方式の残留欠陥修正用のレーザ修正装置により、
クロムやモリブデンシリサイド等のレーザを吸収する膜
を主成分とする、フオトマスクの遮光膜や位相シフトフ
オトマスクの遮光膜もしくはシフタの凸欠陥部を、レー
ザ光を照射して除去する凸欠陥修正方法であり、凸欠陥
のサイズが１．０μｍ□以下の微細な凸欠陥部であり、
アパーチャ像観察にてきめたレーザ光照射領域の角部に
近い程、回折光の影響は少なく、角部から離れるにした
がい回折光の影響は大きくなるという性質を利用し、レ
ーザ光の照射領域の角部を正規のパターン側に向けて、
正規のパターンから突出している凸欠陥部のすくなくと
も一部にレーザ光照射領域を目合わせし、且つ、矩形ア
パーチャのサイズを、該レーザ光照射領域にて残渣が残
らないように設定し、レーザ照射を行い、凸欠陥部の除
去をおこなうものである。本発明のフオトマスクの凸欠
陥修正方法は、１．０μｍ□以下の微小な凸欠陥を修正
する場合にとくに有効な方法で、微小凸欠陥を修正する
際に、矩形アパーチャのサイズを、照射領域にて残渣が
残らない程度に設定しており、レーザ光の回折を利用し
たもので、アパーチャ像観察にてきめたレーザ光照射領
域の外側にも光が回り、欠陥部を除去するものであり、
矩形アパーチャのサイズを大きくしたり小さくしたりす
ることにより、又、レーザ光の単位照射領域へのエネル
ギー密度を大としたり小とすることにより、光の回りこ
み量を調整できる。アパーチャ像観察にてきめたレーザ
光照射領域の角部に近い程、回折光の影響は少なく、角
部から離れるにしたがい回折光の影響は大きくなり、レ
ーザ照射によって除去される領域も角部から離れるにし
たがい、アパーチャ像観察にてきめたレーザ光照射領域
よりも大きくなっているが、この度合を矩形アパーチャ
のサイズやレーザ光の単位照射領域へのエネルギー密度
で調整している。欠陥のサイズが大の場合には、上記の
ようにして、アパーチャによる照射領域を欠陥に合わ
せ、除去しながら、順次正規のパターンに沿い移動させ
修正しても良い。このようにすることにより、レーザの
照射位置の目あわせズレによるエグレ不良に対応でき、
ズレてもエグレがきわめて小となる。尚、アパーチャの
角部の角度を変えることによっても、凸欠陥除去可能領
域を調整できる。 【０００７】 【作用】本発明の凸欠陥修正方法においては、レーザ光
の照射領域をきめる矩形アパーチャの角部を、正規のパ
ターンから突出している凸欠陥部へ目合わせして正規の
パターン側に向けて、且つ、矩形アパーチャのサイズ
を、該照射領域にて残渣が残らないように設定して、レ
ーザ照射を行っていることより、レーザの直接照射領域
角部の凸欠陥除去領域と、その外側の一部への回折光に
よる凸欠陥除去領域を設定している。従来のように、微
細な欠陥に対して、サイズに応じて、微細に照射領域を
アパーチャを小さく設定することによる修正部の残渣の
問題をなくしており、又、アパーチャを大と設定した場
合のエグレの問題も少なくしている。 【０００８】 【実施例】本発明の実施例を以下、図１にそって説明す
る。図１は実施例の修正工程を示すものである。（ａ）
はクロムの凸欠陥を有するフオトマスクの平面図であ
り、透明なシリカガラス基板１の上にクロムを主成分と
する膜厚１００ｎｍの遮光層パターン２をリソグラフイ
ー技術により作成したもので、フオトマスク作成後に本
来あるべきでない、約０．５μｍ×１．０μｍサイズの
凸欠陥部３を残存させたものである。以下、この欠陥部
３をＹＡＧレーザの第二高長波（５３０ｎｍ）を用いた
レーザ修正装置にて、除去した工程を示す。先ず、
（ｂ）のように、アパーチャ像にて設定したレーザの直
接照射領域４を略３μｍ□領域とし、直接照射領域の角
部を正規のパターン側に向けて、角先端が正規パターン
部端に接するようにして、レーザ照射をし、欠陥を除去
した。結果は（ｃ）のように、修正後の凸欠陥部箇所５
は、凸欠陥部３は除去され、残渣もなく、正規のパター
ンへのエグレもなく、欠陥修正はされた。この修正パタ
ーンを用い、ステッパーにてデバイスパターンを転写作
成してみたが、修正後の凸欠陥部箇所５については、特
に問題はなく、実用に耐える欠陥修正方法であると判断
された。 【０００９】 【発明の効果】本発明は、フオトマスクや位相シフトフ
オトマスクにおける遮光膜やシフター凸欠陥修正におい
て、上記のような構成にすることにより、従来、難しい
とされレーザ修正装置での、微小凸欠陥の修正方法の提
供を可能にしている。
や位相シフトフオトマスクの遮光膜もしくはシフタ凸欠
陥の修正方法に関するもので、特に、微細な凸欠陥部を
レーザ光により修正する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化にとも
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。現在では、１
６ＭのＤＲＡＭ用の５倍レチクルから転写されるデバイ
スパターンの線幅は０．６μｍと微細なものである。６
４ＭのＤＲＡＭのデバイスパターンの場合には、０．３
５μｍ線幅の解像が必要となってきており、従来のステ
ッパーを用いた光露光方式ではもはや限界にきている。
この為、光露光におけるレチクルから転写されるデバイ
スパターンの解像性を上げることができ、現状のステッ
パーにて使用できる方式の位相シフトマスクが注目され
るようになってきた。このような、半導体回路の高集積
化にともない、フオトマスク及び位相シフトフオトマス
クにおける遮光層、シフターの残留欠陥については、修
正しなければならない欠陥部のサイズがますます小さく
なってき、修正における精度もますます厳しくなってき
た。 【０００３】従来、遮光部の修正には、ＹＡＧ等のレー
ザ光を用いて、欠陥部を蒸発させ、除去させる方法が用
いられている。このレーザ光照射修正方式のものは、レ
ーザ光をある範囲に広げ、アパーチャにて、所定の形状
（通常は矩形）、サイズ、強度分布になるようにしたも
のを、通常アパーチャを通過後にさらに縮小、集光さ
せ、被修正部へ照射されるもので、レーザ光照射領域
は、アパーチャのサイズを変えることにより、各種の欠
陥サイズ、形状に対応している。したがって、１パルス
当たりのレーザ強度は、レーザ光照射領域を大とした場
合には、必要以上に大きくなり、図２のように照射する
領域４ｂを、目合わせ位置調整でうまく指定しても、回
折により、欠陥部回りの遮光パターン部に影響を与え、
パターン部が大きくえぐれてエグレ６欠陥となってしま
うことがあるが、微小な欠陥に合わせ、照射する領域を
４ａのように小とした場合には、この照射領域４ａに
は、上記の大面積照射領域のように、他からの回折光に
よるエネルギーが得られず、単位面積当たり充分なエネ
ルギーが得られず、修正部に残渣７を生じてしまい精度
良く修正ができないことがある。従来のレーザ光照射修
正方式の装置では１μｍ□以下の欠陥については、対応
できなくなってきている。又、アパーチャのサイズ変
更、欠陥位置へのレーザ光照射領域合わせは、顕微鏡に
よる目合わせ、またはＴＶカメラによる目合わせ等で行
っており、修正時のレーザ光そのものではなく、実際の
レーザ照射領域とはズレがあるのが一般的である。尚、
近年、レーザビームの照射修正にかわり、微細化に対応
できるものとして、イオンビームの照射による凸欠陥を
除去する方法も用いられるようになってきたが、修正時
に欠陥の周囲部分や下地への影響が大で、まだ実用段階
ではない。 【０００４】上記のように、各種のサイズ欠陥に対応す
る、従来のレーザ修正装置には微小な欠陥部の修正には
残渣の問題があるが、例え、レーザ光のエネルギー密度
を上げたとしても、基本的に、欠陥部の微小化に合わ
せ、レーザ照射領域を小としても、レーザ光には、回折
という限界がある。この限界は、一般に０．５μｍ程度
とされており、これがレーザによる集束の限界である
が、１６ＭＤＲＡＭレベルの線幅はデバイス上で０．６
μｍ、×５レチクル上では０．６０μｍ×５程度とな
り、線幅精度については、その１／５〜１／１０の、
３．０μｍ×（１／５〜１／１０）が要求され、０．４
〜０．５μｍサイズのものが、欠陥として検査、修正さ
れているのが現状で、もはやレーザビームの集束の限界
であり、６４ＭＤＲＡＭレベルにおいては、限界を超え
たレベルの修正が求められている。このような状況のも
と、クロムを主成分とするフオトマスクの遮光膜や位相
シフトフオトマスクの遮光膜やシフタの修正において、
１．０μｍ□以下の微細な凸欠陥除去を、欠陥の周辺部
の正規のパターンや下地へ、大きな影響を及ぼすことな
く、行える修正方法が求められていた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】上記のように、レーザ
修正による、正規のパターンまで除去されてしまうエグ
レ、及び残渣の発生は、半導体集積回路の高集積化にと
もなう、フオトマスクパターンの微細化により、大きな
問題となってきた。本発明は、このような状況のもと、
微細な、フオトマスクの遮光パターンの凸欠陥あるいは
位相シフトフオトマスクの遮光パターンやシフターの凸
欠陥を、レーザビームを用いて除去する際に、エグレや
残渣の発生に対応できる方法を提供しようとするもので
ある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明のフオトマスクの
凸欠陥修正方法は、従来から使用されている、ＹＡＧ
（Ｎｂ）等のレーザ光の照射領域を矩形アパーチャにて
きめる方式の残留欠陥修正用のレーザ修正装置により、
クロムやモリブデンシリサイド等のレーザを吸収する膜
を主成分とする、フオトマスクの遮光膜や位相シフトフ
オトマスクの遮光膜もしくはシフタの凸欠陥部を、レー
ザ光を照射して除去する凸欠陥修正方法であり、凸欠陥
のサイズが１．０μｍ□以下の微細な凸欠陥部であり、
アパーチャ像観察にてきめたレーザ光照射領域の角部に
近い程、回折光の影響は少なく、角部から離れるにした
がい回折光の影響は大きくなるという性質を利用し、レ
ーザ光の照射領域の角部を正規のパターン側に向けて、
正規のパターンから突出している凸欠陥部のすくなくと
も一部にレーザ光照射領域を目合わせし、且つ、矩形ア
パーチャのサイズを、該レーザ光照射領域にて残渣が残
らないように設定し、レーザ照射を行い、凸欠陥部の除
去をおこなうものである。本発明のフオトマスクの凸欠
陥修正方法は、１．０μｍ□以下の微小な凸欠陥を修正
する場合にとくに有効な方法で、微小凸欠陥を修正する
際に、矩形アパーチャのサイズを、照射領域にて残渣が
残らない程度に設定しており、レーザ光の回折を利用し
たもので、アパーチャ像観察にてきめたレーザ光照射領
域の外側にも光が回り、欠陥部を除去するものであり、
矩形アパーチャのサイズを大きくしたり小さくしたりす
ることにより、又、レーザ光の単位照射領域へのエネル
ギー密度を大としたり小とすることにより、光の回りこ
み量を調整できる。アパーチャ像観察にてきめたレーザ
光照射領域の角部に近い程、回折光の影響は少なく、角
部から離れるにしたがい回折光の影響は大きくなり、レ
ーザ照射によって除去される領域も角部から離れるにし
たがい、アパーチャ像観察にてきめたレーザ光照射領域
よりも大きくなっているが、この度合を矩形アパーチャ
のサイズやレーザ光の単位照射領域へのエネルギー密度
で調整している。欠陥のサイズが大の場合には、上記の
ようにして、アパーチャによる照射領域を欠陥に合わ
せ、除去しながら、順次正規のパターンに沿い移動させ
修正しても良い。このようにすることにより、レーザの
照射位置の目あわせズレによるエグレ不良に対応でき、
ズレてもエグレがきわめて小となる。尚、アパーチャの
角部の角度を変えることによっても、凸欠陥除去可能領
域を調整できる。 【０００７】 【作用】本発明の凸欠陥修正方法においては、レーザ光
の照射領域をきめる矩形アパーチャの角部を、正規のパ
ターンから突出している凸欠陥部へ目合わせして正規の
パターン側に向けて、且つ、矩形アパーチャのサイズ
を、該照射領域にて残渣が残らないように設定して、レ
ーザ照射を行っていることより、レーザの直接照射領域
角部の凸欠陥除去領域と、その外側の一部への回折光に
よる凸欠陥除去領域を設定している。従来のように、微
細な欠陥に対して、サイズに応じて、微細に照射領域を
アパーチャを小さく設定することによる修正部の残渣の
問題をなくしており、又、アパーチャを大と設定した場
合のエグレの問題も少なくしている。 【０００８】 【実施例】本発明の実施例を以下、図１にそって説明す
る。図１は実施例の修正工程を示すものである。（ａ）
はクロムの凸欠陥を有するフオトマスクの平面図であ
り、透明なシリカガラス基板１の上にクロムを主成分と
する膜厚１００ｎｍの遮光層パターン２をリソグラフイ
ー技術により作成したもので、フオトマスク作成後に本
来あるべきでない、約０．５μｍ×１．０μｍサイズの
凸欠陥部３を残存させたものである。以下、この欠陥部
３をＹＡＧレーザの第二高長波（５３０ｎｍ）を用いた
レーザ修正装置にて、除去した工程を示す。先ず、
（ｂ）のように、アパーチャ像にて設定したレーザの直
接照射領域４を略３μｍ□領域とし、直接照射領域の角
部を正規のパターン側に向けて、角先端が正規パターン
部端に接するようにして、レーザ照射をし、欠陥を除去
した。結果は（ｃ）のように、修正後の凸欠陥部箇所５
は、凸欠陥部３は除去され、残渣もなく、正規のパター
ンへのエグレもなく、欠陥修正はされた。この修正パタ
ーンを用い、ステッパーにてデバイスパターンを転写作
成してみたが、修正後の凸欠陥部箇所５については、特
に問題はなく、実用に耐える欠陥修正方法であると判断
された。 【０００９】 【発明の効果】本発明は、フオトマスクや位相シフトフ
オトマスクにおける遮光膜やシフター凸欠陥修正におい
て、上記のような構成にすることにより、従来、難しい
とされレーザ修正装置での、微小凸欠陥の修正方法の提
供を可能にしている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の凸欠陥修正方法工程図
【図２】従来の凸欠陥修正方法とこれに起因する修正後
の欠陥図 【符号の説明】 １ シリカガラス基板 ２ 遮光膜パターン ３、３ａ、３ｂ 凸欠陥部 ４、４ａ、４ｂ レーザ照射領域 ５ 修正後の凸欠陥部箇所 ６ エグレ ７ 残渣 ８ メクレ
の欠陥図 【符号の説明】 １ シリカガラス基板 ２ 遮光膜パターン ３、３ａ、３ｂ 凸欠陥部 ４、４ａ、４ｂ レーザ照射領域 ５ 修正後の凸欠陥部箇所 ６ エグレ ７ 残渣 ８ メクレ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 横山寿文
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
(56)参考文献 特開 昭57−192024（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−111227（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/08 - 1/16
H01L 21/027
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＹＡＧ（Ｎｂ）等のレーザ光の照射領域
を矩形アパーチャにてきめる方式のフオトマスクの残留
欠陥修正用のレーザ修正装置により、クロム等のレーザ
を吸収する膜を主成分とする、フオトマスクの遮光膜や
位相シフトフオトマスクの遮光膜もしくはシフタの凸欠
陥部を、レーザ光を照射して除去する凸欠陥修正方法で
あって、凸欠陥のサイズが１．０μｍ□以下の微細な凸
欠陥部であり、アパーチャ像観察にてきめたレーザ光照
射領域の角部に近い程、回折光の影響は少なく、角部か
ら離れるにしたがい回折光の影響は大きくなるという性
質を利用し、レーザ光の照射領域の角部を正規のパター
ン側に向けて、正規のパターンから突出している凸欠陥
部のすくなくとも一部にレーザ光照射領域を目合わせ
し、且つ、矩形アパーチャのサイズを、該レーザ光照射
領域にて残渣が残らないように設定し、レーザ照射を行
い、凸欠陥部の除去をおこなうことを特徴する凸欠陥修
正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23081293A JP3440336B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 凸欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23081293A JP3440336B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 凸欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0764275A JPH0764275A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3440336B2 true JP3440336B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=16913663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23081293A Expired - Fee Related JP3440336B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 凸欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3440336B2 (ja) |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP23081293A patent/JP3440336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0764275A (ja) | 1995-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6340543B1 (en) | Photomask, manufacturing method thereof, and semiconductor device | |
| EP1649323B1 (en) | Method for correcting critical dimension variations in photomasks | |
| US7002165B2 (en) | Apparatus and method for repairing resist latent images | |
| US20070009816A1 (en) | Method and system for photolithography | |
| JP5012952B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| JP3177948B2 (ja) | 露光用フォトマスク | |
| JP3071324B2 (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| US20040219435A1 (en) | Critical dimension control of printed features using non-printing fill patterns | |
| JP3440336B2 (ja) | 凸欠陥修正方法 | |
| US6506525B2 (en) | Method of repairing an opaque defect in a photomask | |
| JP3050158B2 (ja) | マスクの修正方法 | |
| JP4926383B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| JPH09269592A (ja) | 凸欠陥修正方法およびレーザ修正装置 | |
| KR100230389B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| JPH05333534A (ja) | 位相シフト・マスクの欠陥修正方法 | |
| JP3737193B2 (ja) | パターン修正方法 | |
| TW472172B (en) | Method to repair the attenuated phase shift mask by optical proximity effect correction technology | |
| Satoh et al. | Performance of gas-assisted FIB repair for opaque defects | |
| Kubo et al. | Advanced FIB mask repair technology for ArF lithography: II | |
| JPH0728228A (ja) | 凸欠陥部修正方法 | |
| JPH0844039A (ja) | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法 | |
| JP2000035660A (ja) | フォトマスク欠陥リペア装置 | |
| JP2003318093A (ja) | マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2003121991A (ja) | フォトマスクの白欠陥修正方法 | |
| JPH05313354A (ja) | レチクル・マスクの欠陥修正方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030107 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030520 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |