JPS59172646A - フオト・マスク及びその製造方法 - Google Patents
フオト・マスク及びその製造方法Info
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- JPS59172646A JPS59172646A JP58047364A JP4736483A JPS59172646A JP S59172646 A JPS59172646 A JP S59172646A JP 58047364 A JP58047364 A JP 58047364A JP 4736483 A JP4736483 A JP 4736483A JP S59172646 A JPS59172646 A JP S59172646A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opaque
- transparent substrate
- pattern
- photomask
- pinhole
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はフォトマスク及びその製造方法、特に不透明膜
の望ましくない欠落部分、いわゆるピンホール等の修正
されたフォト・マスク及Ｄ −ｆ （７） ％遣方法に
関する。
の望ましくない欠落部分、いわゆるピンホール等の修正
されたフォト・マスク及Ｄ −ｆ （７） ％遣方法に
関する。
（ｂ） 技術の背貝
電子計算機をはじめとする各電子技術応用分野からの要
望に対応しつつ、半害体呆稙回路装置（以下ＩＣと略称
する）は果粒規模の拡大などの大幅な進歩音読けている
。
望に対応しつつ、半害体呆稙回路装置（以下ＩＣと略称
する）は果粒規模の拡大などの大幅な進歩音読けている
。
ＩＣの微細なパターンを実現する微細加工技術は、レジ
スト全バターニングする技術と、これをマスクとして半
導体基体等全エツチングする技術との複合技術であるが
、と′ｉ１−はＩＣ生産の最も重要な基破技術である。
スト全バターニングする技術と、これをマスクとして半
導体基体等全エツチングする技術との複合技術であるが
、と′ｉ１−はＩＣ生産の最も重要な基破技術である。
半導体基体面上にレジスト膜によって設計されたパター
ンを形成する手段としては、現在７メトマスクを使用す
る光学的方法が多く行なわれている。フォトマスクとし
ては半専体基体上のパターント同一寸法のマスターマス
クと寸法が拡大（通ｎ１０倍が用いられる）されたレチ
クルマスクとが多く使用されており、マスターマスクは
台漬法又は１：１投影法に用いられ、レチクルマスクは
縮小投影法又はマスターマスクの装作に用いられる０ （ｃ） 従来技術と問題点 半導体装置特にｉＣの製造工程においてはカラス基板上
に金ＰＡ膜または雀属酸化膜によって不透１ル」なパタ
ーンを形成したいわゆるハードマスクが、エマルジョン
マスクに比較して高精度が倚られかつ耐久性ＶＣ優るた
めに、一般に用いられている。
ンを形成する手段としては、現在７メトマスクを使用す
る光学的方法が多く行なわれている。フォトマスクとし
ては半専体基体上のパターント同一寸法のマスターマス
クと寸法が拡大（通ｎ１０倍が用いられる）されたレチ
クルマスクとが多く使用されており、マスターマスクは
台漬法又は１：１投影法に用いられ、レチクルマスクは
縮小投影法又はマスターマスクの装作に用いられる０ （ｃ） 従来技術と問題点 半導体装置特にｉＣの製造工程においてはカラス基板上
に金ＰＡ膜または雀属酸化膜によって不透１ル」なパタ
ーンを形成したいわゆるハードマスクが、エマルジョン
マスクに比較して高精度が倚られかつ耐久性ＶＣ優るた
めに、一般に用いられている。
マスクブランクの基板としては、レチクルマスク用には
例えばホワイトクラウンガラスか低膨張ガラスなど、マ
スクマスク用Ｋｌｉ低膨張ガラスか合成石英などが用い
ら１する。これらのカラスに例えば金属クロム（Ｃｒ
）を６０乃至９０ （ｎｍ）程度の膜厚にスパッタして
クロムマスクとする。クロムブランク上にポジあるいは
ネガ酸のレジストが塗布されている。
例えばホワイトクラウンガラスか低膨張ガラスなど、マ
スクマスク用Ｋｌｉ低膨張ガラスか合成石英などが用い
ら１する。これらのカラスに例えば金属クロム（Ｃｒ
）を６０乃至９０ （ｎｍ）程度の膜厚にスパッタして
クロムマスクとする。クロムブランク上にポジあるいは
ネガ酸のレジストが塗布されている。
光もしくは電子ビーム等の照射によってレジストに所要
のパターンの露光、現１欲全行ない、ポジ型レジストの
場合には露光された部分を、又イガ型レジストの場合に
Ｉ／ｉ露光さｉ″Ｌない部分奮辿択的に除去する。この
様に形成されｌｃンジストパターン全マスクとしてクロ
ムなどの膜をエツチングし、レジストを剥離除去してフ
ォトマスクが光成する。
のパターンの露光、現１欲全行ない、ポジ型レジストの
場合には露光された部分を、又イガ型レジストの場合に
Ｉ／ｉ露光さｉ″Ｌない部分奮辿択的に除去する。この
様に形成されｌｃンジストパターン全マスクとしてクロ
ムなどの膜をエツチングし、レジストを剥離除去してフ
ォトマスクが光成する。
以上述べた様に製造されるフォトマスクに寸法誤差もし
くは欠陥がある場合には、七の回走及び欠陥はそのまま
半導体素子に現わ１する。従ってトータルピッチ精度、
１チップ鞘度、素子寸法精度ならびに欠陥の発生状況が
詳細に検ヤニされる。
くは欠陥がある場合には、七の回走及び欠陥はそのまま
半導体素子に現わ１する。従ってトータルピッチ精度、
１チップ鞘度、素子寸法精度ならびに欠陥の発生状況が
詳細に検ヤニされる。
フォトマスクの製造工程中に発生するパターン欠陥とし
ては、（イ）ピンホール、（ロ）黒点、（ハ）パターン
間のブ’Ｊノジ、に）パターンの切断、（ホ）パターン
の突起、（へ）パターンの凹み、（ト）コーナー丸味、
（１）汚れなどなどがある。これらの欠陥は、例えはレ
ジストがマスクに通常使用されるポジ型である場合にお
いては、黒点及びプリイジ″＠はレジストの組成の不均
一、露光不足、現像不足もしくは異物の存在によって生
じ、捷だピンホール及びパターンの切断等は、レジスト
塗布の欠陥、剥離及び異物の存在、或いは露光過剰、現
像過剰、及びクロムブランク形成の際の異物の存在など
によって牛する。
ては、（イ）ピンホール、（ロ）黒点、（ハ）パターン
間のブ’Ｊノジ、に）パターンの切断、（ホ）パターン
の突起、（へ）パターンの凹み、（ト）コーナー丸味、
（１）汚れなどなどがある。これらの欠陥は、例えはレ
ジストがマスクに通常使用されるポジ型である場合にお
いては、黒点及びプリイジ″＠はレジストの組成の不均
一、露光不足、現像不足もしくは異物の存在によって生
じ、捷だピンホール及びパターンの切断等は、レジスト
塗布の欠陥、剥離及び異物の存在、或いは露光過剰、現
像過剰、及びクロムブランク形成の際の異物の存在など
によって牛する。
実務上フォトマスクの品質を評価するためには、マスク
の種類や大きさ全考慮して入陥判是基堺を決定するが、
通常はある限度以上の大きさの欠陥がなく、それ以下の
大きさの欠陥は欠陥密度が１丸定の値以下であることを
規定する。実際に製作されたフォトマスクについて許容
限度を超える欠陥が存在する場合には、これを修正する
ことがしばしば行なわれる。
の種類や大きさ全考慮して入陥判是基堺を決定するが、
通常はある限度以上の大きさの欠陥がなく、それ以下の
大きさの欠陥は欠陥密度が１丸定の値以下であることを
規定する。実際に製作されたフォトマスクについて許容
限度を超える欠陥が存在する場合には、これを修正する
ことがしばしば行なわれる。
ピンホールはクロムマスクに最も多く発生する欠陥であ
る。このクロムマスクのピンホールの修正には従来下記
の方法が行なわれている。
る。このクロムマスクのピンホールの修正には従来下記
の方法が行なわれている。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は従来方法によるピンホールの
修正工程を示す断面図である。基板１上にプレ族された
り・ロム膜２に第１図（ａ）の如くピンホール３が検査
によって発見されその修正が必髪であるとする０ このクロムマスク上に第１図（ｂ）の如く、ポジ型のレ
ジスト４を塗布して、ピンホール３よシやや広い範囲を
選択的に露光し、現像処理を行なって第１図（Ｃ）のレ
ジストマスク４を得る０次いで蒸着法又はスパッタリン
グ法によってクロム膜５を第１図（ｄ）の如く形成して
レジストマスク４を剥離除去することによって、第１図
（ｅ）の如くピンホール３の位置に選択的にクロム膜５
をプレ族する修正が終了する。
修正工程を示す断面図である。基板１上にプレ族された
り・ロム膜２に第１図（ａ）の如くピンホール３が検査
によって発見されその修正が必髪であるとする０ このクロムマスク上に第１図（ｂ）の如く、ポジ型のレ
ジスト４を塗布して、ピンホール３よシやや広い範囲を
選択的に露光し、現像処理を行なって第１図（Ｃ）のレ
ジストマスク４を得る０次いで蒸着法又はスパッタリン
グ法によってクロム膜５を第１図（ｄ）の如く形成して
レジストマスク４を剥離除去することによって、第１図
（ｅ）の如くピンホール３の位置に選択的にクロム膜５
をプレ族する修正が終了する。
また上ａα方法とは異なるピンホールの修正方法として
、−Ｆらα方法と同様にレジストマスクを設けて、その
１ｊ１１０．ＨＢ分の基板表面を旅１食剤に浸漬して腐
食し、表面を荒らして紫外町祝九巌に対する適通率を低
下させる方法が先に提供きれている。
、−Ｆらα方法と同様にレジストマスクを設けて、その
１ｊ１１０．ＨＢ分の基板表面を旅１食剤に浸漬して腐
食し、表面を荒らして紫外町祝九巌に対する適通率を低
下させる方法が先に提供きれている。
前記方法は何れもリソグラフィ法を第１」用する方法で
あって工程数も多く煩雑である。
あって工程数も多く煩雑である。
リソグラフィ法を利用しないピンホールの４（Ｈ歪力法
としては、修正ｆ！：要するフォトマスクを金属のアル
キル化合物例えばジメチルカドミウム界吐気中に置いて
、紫外レーザ光の選択的照射によってジメチルカドミウ
ム等から分解析出するカドミウム等の膜をピンホールに
形成する方法が既に仰られている。
としては、修正ｆ！：要するフォトマスクを金属のアル
キル化合物例えばジメチルカドミウム界吐気中に置いて
、紫外レーザ光の選択的照射によってジメチルカドミウ
ム等から分解析出するカドミウム等の膜をピンホールに
形成する方法が既に仰られている。
しかしながら、フォトマスク製造の工業的実施に尚って
は史に容易な修正方法が璧蟹はれている○（ｄ） 発
明の目的 本発明はフォトマスクの製造工程において不可避である
不透明膜の欠落部分、いわゆるピンホールが除去された
フォト・マスク及びその製造方法全提供することを目的
□とする。
は史に容易な修正方法が璧蟹はれている○（ｄ） 発
明の目的 本発明はフォトマスクの製造工程において不可避である
不透明膜の欠落部分、いわゆるピンホールが除去された
フォト・マスク及びその製造方法全提供することを目的
□とする。
（ｅ） 発明の構成
本発明の前記目的を達成するフォト・マスクは、透明基
板の一方の主面に、前記透明基板の一部か熱変化によっ
て不ｆｌ！ｉ明化された不透明パターンが配設されてな
るフォト・マスク、蛎に透明−ｉ：板と、前記透明基板
の一方の主面に選択的に形成された不透明膜パターンと
、前記透明基板の一方の主面の前記不透明膜パターンの
欠落部に力多成さｎたところの前記透明基板の熱変化て
よって不巧り」化された不透明パターンとを備えてなる
フォト会マスクである。
板の一方の主面に、前記透明基板の一部か熱変化によっ
て不ｆｌ！ｉ明化された不透明パターンが配設されてな
るフォト・マスク、蛎に透明−ｉ：板と、前記透明基板
の一方の主面に選択的に形成された不透明膜パターンと
、前記透明基板の一方の主面の前記不透明膜パターンの
欠落部に力多成さｎたところの前記透明基板の熱変化て
よって不巧り」化された不透明パターンとを備えてなる
フォト会マスクである。
また前記フォト・マ゛スクは、透明基板の表面に選択的
にエネルギー線を照射し、前記透明基板の被照射領域を
熱変化させて不透明化し、不熾明パターンを形成する工
程を有する製造方法、特に透明基板の一方の主面に選択
的に不透１力課パターンを形成する工程と、前記不透明
膜パターンの入洛部に対応する前記透明基板部分に選択
的にエイ・ルギー線を照射して、前記透明基０２を熱変
化せしめ不透明化する工程とを有する製造方法によって
容易に製造することが可能である。
にエネルギー線を照射し、前記透明基板の被照射領域を
熱変化させて不透明化し、不熾明パターンを形成する工
程を有する製造方法、特に透明基板の一方の主面に選択
的に不透１力課パターンを形成する工程と、前記不透明
膜パターンの入洛部に対応する前記透明基板部分に選択
的にエイ・ルギー線を照射して、前記透明基０２を熱変
化せしめ不透明化する工程とを有する製造方法によって
容易に製造することが可能である。
特に前記不透明膜欠落部の前記透明基板面上にエネルギ
ー線吸収材料を配置してエネルギー線を照射することに
よって、前記熱変化によって不透明化された不透明パタ
ーンが極めて安定した状態に形成される。
ー線吸収材料を配置してエネルギー線を照射することに
よって、前記熱変化によって不透明化された不透明パタ
ーンが極めて安定した状態に形成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明ｆ：実施例により図面を参照して具体的に説
明する。
明する。
第２図は本発明によるピンホールのイレ正方伝の実施例
を７Ｊ＜す模式図である。図において、１１はフォトマ
スクのガラス基板、１２はその上に形成されたクロム膜
、１３はクロム膜１２に生じたピンホール、１４はレー
ザ光、１５Ｖｉ敢９．１６は顕微鏡の一部を示す。
を７Ｊ＜す模式図である。図において、１１はフォトマ
スクのガラス基板、１２はその上に形成されたクロム膜
、１３はクロム膜１２に生じたピンホール、１４はレー
ザ光、１５Ｖｉ敢９．１６は顕微鏡の一部を示す。
この基板１１上にクロム１ｉＫ１２が形Ｊ−ＪＪ、ハれ
たフッ、トマスクは大気中において載物台に搭載されて
微細な位置移動を自由にイ丁なうことができ、発見され
たピンホール１３を顕微鏡１６の視野の中央に位置させ
ることによって、レーザ光１４の光軸ニヒンホール１２
の中央が位置整合する。
たフッ、トマスクは大気中において載物台に搭載されて
微細な位置移動を自由にイ丁なうことができ、発見され
たピンホール１３を顕微鏡１６の視野の中央に位置させ
ることによって、レーザ光１４の光軸ニヒンホール１２
の中央が位置整合する。
本実施例においては、レーザ光詠としてはパルス波、出
力３０ （ｍｗ）程度以上のＹＡＧレーザ全用いて、レ
ーザ光１４は絞ｐ１５によってその光束の直径が選択的
に制御される。この基板１１に入射するレーザ光１４の
光束はピンホール１３内に止まる様に選択する。この様
に制御されたレーザ光を例えば０．１秒程度以下の時間
照射することによって、基板１１のピンホール１３部分
の表面近傍が加熱されて深さく厚−ａ ） １ｏｏ〔Ｘ
〕〜１〔μ慴〕の熱変化領域１７が形成される。
力３０ （ｍｗ）程度以上のＹＡＧレーザ全用いて、レ
ーザ光１４は絞ｐ１５によってその光束の直径が選択的
に制御される。この基板１１に入射するレーザ光１４の
光束はピンホール１３内に止まる様に選択する。この様
に制御されたレーザ光を例えば０．１秒程度以下の時間
照射することによって、基板１１のピンホール１３部分
の表面近傍が加熱されて深さく厚−ａ ） １ｏｏ〔Ｘ
〕〜１〔μ慴〕の熱変化領域１７が形成される。
この熱変化領域１７は紫外線等に対して十分に不透明で
あって、フォトマスクのクロム等の不透明膜の欠落を修
正する効果が得られる。ただ深キ（厚さ）が１００［Ａ
）未満であると紫外線等ｒ（対して十分な不透明性が発
揮されない。クロム膜１２と熱変化領域１７との聞に価
かに透明筒Ｓ分が残存しても、多くの場合にはこれを用
いて形成されるレジストマスクに支障を生じない。なお
この透明部分の残存はマスターマスクよシレチクルマス
クが余裕がある。
あって、フォトマスクのクロム等の不透明膜の欠落を修
正する効果が得られる。ただ深キ（厚さ）が１００［Ａ
）未満であると紫外線等ｒ（対して十分な不透明性が発
揮されない。クロム膜１２と熱変化領域１７との聞に価
かに透明筒Ｓ分が残存しても、多くの場合にはこれを用
いて形成されるレジストマスクに支障を生じない。なお
この透明部分の残存はマスターマスクよシレチクルマス
クが余裕がある。
フォトマスクのレーザ光を用いるイヒ正方法として、望
ましくないクロム膜の刺着、いわゆる黒点の除去が既に
知られている。このクロム膜の除去と本発明のピンホー
ルの修正とを比較すれは、第３図に例示する如く最適と
するレーザパワーが異なる。第３図は縦軸に目的達成率
（目的達成数／実施数）を、横軸にレーザパワーの相対
（Ｉ！、ｆ ｊｒ＜ Ｌ、曲線Ａはクロム膜の除去、曲
線Ｂは本発明のピンホール修正の目的達成率をηくず。
ましくないクロム膜の刺着、いわゆる黒点の除去が既に
知られている。このクロム膜の除去と本発明のピンホー
ルの修正とを比較すれは、第３図に例示する如く最適と
するレーザパワーが異なる。第３図は縦軸に目的達成率
（目的達成数／実施数）を、横軸にレーザパワーの相対
（Ｉ！、ｆ ｊｒ＜ Ｌ、曲線Ａはクロム膜の除去、曲
線Ｂは本発明のピンホール修正の目的達成率をηくず。
クロム族を蒸発除去する黒点の除去に対して、ガラス等
の基板表面を熱変化させる本発明のビンホール修正は例
えば３倍程度のレーザパワーが最適である。
の基板表面を熱変化させる本発明のビンホール修正は例
えば３倍程度のレーザパワーが最適である。
本発明のピンホール修正方法は、大気中におけるレーザ
光の選択的照射という点では、望ましくないクロム族の
除去と共通し、フォトマスクのこれら２種のいわば逆方
向の修正を、同一装置を使用し同一工程としてレーザパ
ワーの選択によって実施することが可能であって、フォ
トマスクの製造方法に大きい改善の効果を及ぼす。
光の選択的照射という点では、望ましくないクロム族の
除去と共通し、フォトマスクのこれら２種のいわば逆方
向の修正を、同一装置を使用し同一工程としてレーザパ
ワーの選択によって実施することが可能であって、フォ
トマスクの製造方法に大きい改善の効果を及ぼす。
なお本発明の実施に際して、前記の位置整合及び光束径
の調整の後に、第４１スに示す如く、例えば炭素（０を
含む液体、微少粉体等の光吸収材料１８でピンホール１
３を被覆して、レーザ光熱ｍ−を全行なうならば、前記
熱変化領域１７が極めて安定した状態に形成される。
の調整の後に、第４１スに示す如く、例えば炭素（０を
含む液体、微少粉体等の光吸収材料１８でピンホール１
３を被覆して、レーザ光熱ｍ−を全行なうならば、前記
熱変化領域１７が極めて安定した状態に形成される。
また前記実施例においてはＹＡＧレーザをレーザ光源に
用いているが、アルゴン（Ａｒ ）レーザ等を用いても
同様に実施することができる。なお、レーザ光以外のエ
ネルギ線照射によっても同様ρ効果を得ることができる
。
用いているが、アルゴン（Ａｒ ）レーザ等を用いても
同様に実施することができる。なお、レーザ光以外のエ
ネルギ線照射によっても同様ρ効果を得ることができる
。
更に以上の説明において、不透明パターンを形成する材
料としてクロムを引例しているが、本発明は不透明）漠
形成に、酸化クロム或いはその他の金属、金属化合物、
有機物質を含む相′ｆ−＋等が用いられている場合にも
適用し得ることは明らかである０ また不透明膜欠落部分の形状についてもいわゆるピンホ
ールのみならず、パターンの凹与、切Ｉｔｔ［等にも適
用することができる。
料としてクロムを引例しているが、本発明は不透明）漠
形成に、酸化クロム或いはその他の金属、金属化合物、
有機物質を含む相′ｆ−＋等が用いられている場合にも
適用し得ることは明らかである０ また不透明膜欠落部分の形状についてもいわゆるピンホ
ールのみならず、パターンの凹与、切Ｉｔｔ［等にも適
用することができる。
（ｇ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、フォトマスクの製造工
程において生ずる不透明膜の欠落部分を容易に修正する
ことかり能となシ、更に不透明膜の望ましくない付着部
分の除去と工程を統一することも可能となって、半導体
装ＩＭ等の製造において極めて重要であるフォトマスク
及びその装造方法に極めて大きい改善効果が得られる。
程において生ずる不透明膜の欠落部分を容易に修正する
ことかり能となシ、更に不透明膜の望ましくない付着部
分の除去と工程を統一することも可能となって、半導体
装ＩＭ等の製造において極めて重要であるフォトマスク
及びその装造方法に極めて大きい改善効果が得られる。
第１図（ａ）乃至（ｅ）Ｉ′ｉフォトマスクに生じた不
透明膜欠落部分を修正する従来方法を説明するｍｒ ＋
７１１図、第２図は本発明の第１の実施例の説明図、第
３図はレーザパワーに対する目的達成率のｆｌｌを７ド
す図、第４図は本発明の第２の実施例の説明図である０
図において、１１はガラス基板、１２はクロム膜、１３
１−１：ピンホール、１４はレーザ光、１５は絞り、１
６は顕微鏡、１７は熱変化領域、１８は光吸収材料を乃
くす。 代理人 弁理士 松 岡 宏四廊 第 １ 図 ８ を 第７図 宴３ 因 し−丈尤ノバフ−〔オ目文すイ亘〕 亨４ 図 ／８
透明膜欠落部分を修正する従来方法を説明するｍｒ ＋
７１１図、第２図は本発明の第１の実施例の説明図、第
３図はレーザパワーに対する目的達成率のｆｌｌを７ド
す図、第４図は本発明の第２の実施例の説明図である０
図において、１１はガラス基板、１２はクロム膜、１３
１−１：ピンホール、１４はレーザ光、１５は絞り、１
６は顕微鏡、１７は熱変化領域、１８は光吸収材料を乃
くす。 代理人 弁理士 松 岡 宏四廊 第 １ 図 ８ を 第７図 宴３ 因 し−丈尤ノバフ−〔オ目文すイ亘〕 亨４ 図 ／８
Claims (5)
- （１）透明基板の一方の主面に、前記透明基板の一部が
熱変化によって不透明化された不透明パターンが配設さ
れてなることを特徴とするフォト・マスク。 - （２）透明基板と、前記透明基板の一方の主面に選択的
に形成きれた不透明膜パターンと、前記透明基板の一方
の主面の前記不透明膜パターンの欠落部に形成されたと
ころの前記透明基板の熱変化によって不透明化された不
透明パターンと？ｌｌ−侃えてなること全特徴とする特
許請求の範囲第１項占己賊のフォト・マスク。 - （３）透明基板の表面に選択的にエネルギー線を照射し
、前記透明基板の被照射領域を熱変化させて不透明化し
、不透明パターンを形成する工程を翁することを特徴と
するフォト・マスクの製造方法。 - （４）透明基板の一方の主面に選択的に不透明膜パター
ンを形成する工程と、前記不透す」膜パターンの欠落部
に対応する前記透明基板部分に選択的に工洋ルギー線を
照射して、前記透明基板を熱変化せしめ不透明化する工
程とを有することを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載のフメト・マスクの製造方法。 - （５）前記不透明膜欠落部の前記透明基板面上にエネル
ギー線吸収材料を配置してエネルギー線を照射すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトマスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047364A JPS59172646A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | フオト・マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047364A JPS59172646A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | フオト・マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172646A true JPS59172646A (ja) | 1984-09-29 |
| JPH0325768B2 JPH0325768B2 (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=12773051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58047364A Granted JPS59172646A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | フオト・マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172646A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163541A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask and its defect correcting method |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP58047364A patent/JPS59172646A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163541A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask and its defect correcting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325768B2 (ja) | 1991-04-08 |
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