JPS62112161A - フオトマスクの欠損欠陥修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体装置製造に用いられるフォトマスクの欠
損欠陥修正方法に関する。

（ロ）従来の技術 半導体装置製造に用いられるフォトマスクの品質の中で
、欠陥は素子の製造歩留りに大きく影響するものであり
、もちろん無欠陥マスクが望ましい。しかし通常のフォ
トマスク製造工程では数個の欠陥を含む場合が多く、無
欠陥マスクを得るにはこれらの欠陥を何らかの方法で修
正しなければならない。クロムハードマスクにおいては
、クロムの黒点が残る６残留欠陥”と、クロム膜テビン
ホールが残る６欠損欠陥”との２種類の欠陥が存在する
。このうち残留欠陥てついては、一般にレーザーリペア
装置と呼ばれる装置で欠陥部てレーザー光を照射して残
留クロムを蒸発させることにより容易に修正が可能であ
る。−刀、残留欠陥については、例えば特願昭５９−１
８２２６３号に記載されているリフトオフ法と呼ばれる
方法で修正が可能である。

リフトオフ法とは、先ず第３図（イ）Ｋ示す如く透明基
板（１）表面にクロム膜（２）による所望形状のパター
ンを形成したフォトマスク（３）にレジスト（４）を塗
布して欠損欠陥部（５）を含む微小部分を限定露光し、
次に第３図（ロ）に示す如く現像して欠損欠陥部（５）
を露出してから第２のクロム膜（６）を蒸着し、続いて
第３図←→に示す如くレジスト（４）を剥離することに
より余分な第２のクロム膜を除去して欠損欠陥な修正す
る方法である。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このようにすれば欠損欠陥を修正するこ
とが可能であるもののマスクを製造する工程と同じ工程
を経てはじめて可能となることで、大ｔに処理すること
は困難であるという欠点があった。

に）問題点を解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、欠損欠陥部（５
）直下の透明基板（１）深部にレーザー光（７）を一点
に集中して照射し、そこに不透明部（９）を形成するこ
とにより実質的に欠損欠陥を修正したことを特徴とする
。

（ホ）　作用 透明基板（１）は、残留欠陥を修正する程度のエネルギ
ーのレーザー光（７）に対しては透明であり何ら状態変
化を示さないが、そのレーザー光（力を集光レンズ（８
）により一点に集中して照射するとそこては光を通さな
い不透明部（９）が形成される。これはレーザー光（７
）を一点に集中させたことによる高密度のエネルギーが
透明基板（１）　Ｋ無数の細かいひび割れを発生させ、
光を乱反射するためと考えられる。

（へ）実施例 以下本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。

第１図において、（１）は透明基板、（２）はクロム膜
、（３）はフォトマスク、（５）は欠損欠陥部、（７）
はレーザー光、（８）は集光レンズ、（９）は不透明部
である。レーザー光（７）としては通常のレーザーリペ
ア装置に装備されている　Ｎｄ−ＹＡＧ第２高調波等を
用い、集光レンズ（８）には倍率が数倍〜士数倍のもの
を用いてその焦点が欠損欠陥部（５）直下の透明基板（
１）深部てなるように位置を調節しておく。そうして残
留欠陥を除去するときのエネルギーと同程度のレーザー
光（７）を照射すると、集光レンズ（８）の焦点の部分
には不透明部（９）が形成されるのである。

第２図はこのようにして不透明部（９）を形成した透明
基板（１）を示す平面図である。同図は反射光を写した
ものではなく透明光を写したものであり、その光量は通
常露光時の光量と略等しくしであるノテ、クロム膜（２
）の代用として十分に光を遮断できる能力を有すること
が明らかである。

本発明の最も特徴とする点は、欠損欠陥部（５）直下の
透明基板（１）深部にこの不透明部（９）を形成するこ
とにより実質的に欠損欠陥を修正した点にある。

不透明部（９）はレーザー光（力を一点に集中したこと
による高密度のエネルギーが透明基板ｍＫ無数の細かい
ひび割れを発生させ、このひび割れが光を乱反射するた
めと考えられるが、第２図から明らかな如くクロム膜（
２）の代用として十分に光を遮断する能力を有する。従
って本発明によれば欠損欠陥部（５）から光が漏洩する
ことのない、実質的に欠損欠陥を修正したフォトマスク
を得ることができる。

（ト）発明の詳細 な説明した如く、本発明によればレーザー光（７）を一
点に集中して照射するだけ・で簡単に欠損欠陥を修正で
き、極めて容易に無欠陥マスクが得られるという利薇な
有する。このことは、その性質上欠陥数″０”が要求さ
れるステッパ用のレチクルには特に有効である。また本
発明によれば、残留欠陥修正に用いる通常のレーザーリ
ペア装置を流用できるという利点をも有する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明を説明するための断
面図、平面図、第３図（イ）乃至ｅ→は従来の欠損欠陥
修正方法を説明するための工程断面図である。 主な図番の説明 （１）は透明基板、　（２）はクロム膜、　（５）は欠
損欠陥部、　（力はレーザー光、　（８）は集光レンズ
、（９）は不透明部である。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　　佐　野　靜　夫 第１図 四面の浄書（内容に変更なし） 第２　図 第３図（イ） 昭和６１年２月２５日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２５３２５７号 ２、発明の名称 フォトマスクの欠損欠陥馨正方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　（１８８）三洋を機株式会社 （外１名） ４、代理人 住　所　守口市京阪本通２丁目１８番地５、補正命令の
日付け（発送日） 昭和６１年１月２８日 ６、補正の対象 （１）明細書中、′発明の詳細な説明」の欄（２）明細
書中、１図面の簡単な説明」の欄（３）図面 ７、補正の内容 （１）明細書第４頁第１８行目、′第２図はこのように
して・・・・」から同頁第２０行「・・・・を写したも
のであり１．までを下記の如く補正する。 記 １第２図はこのようにして形成した不透明部（９）を写
した写真をもとにこれをスケッチした平面図である。も
とにした写真は反射光を写したものではなく透過光を写
したものであり、。 （２）明細書第６頁第６行目、「第１図及び第２図は・
・・・」から同頁第７行目１断面図、平面図、」までを
下記の如く補正する。 「第１図は本発明を説明するための断面図、第２図は本
発明による不透明部（９）を写した写真をもとにこれを
スケッチした平面図、」（３）図面の第２図を別紙の如
く補正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板表面に所望形状にパターンを形成した半
   導体装置製造に用いるフォトマスクの欠損欠陥修正方法
   において、欠損欠陥部直下の前記透明基板深部にレーザ
   ー光を一点に集中して照射し、そこに不透明部を形成す
   ることにより実質的に欠損欠陥を修正したことを特徴と
   するフォトマスクの欠損欠陥修正方法。