JPS60165641A - 放射線画像情報読取装置の傷検出装置 - Google Patents
放射線画像情報読取装置の傷検出装置Info
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- JPS60165641A JPS60165641A JP59021264A JP2126484A JPS60165641A JP S60165641 A JPS60165641 A JP S60165641A JP 59021264 A JP59021264 A JP 59021264A JP 2126484 A JP2126484 A JP 2126484A JP S60165641 A JPS60165641 A JP S60165641A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、放射線画像情報読取装置に用いる輝尽性螢光
体パネルのパネル面の傷乃至汚れの状態を検出すること
ができるようにしＩこ放射線画像情報読取装置の傷検出
装置に関する。
体パネルのパネル面の傷乃至汚れの状態を検出すること
ができるようにしＩこ放射線画像情報読取装置の傷検出
装置に関する。
（従来技術）
ＸＳ＊等のエネルギーの強い放射線を照射Ｊ−ると、そ
のエネルギーの一部を蓄え、これに可視光や熱等を加え
ると蓄えられたエネルギーを螢光の形で放出する輝尽性
螢光体がある。放射線画像情報読取装置は、この輝尽性
螢光体に記録された画像情報を読み取るものである。置
体的には輝尽性螢光体層を支持体上に形成したパネル（
以下輝尽性螢光体パネルという）を用い、第１図に示す
ように散開線源１を出射し被写体２を透過した放射線〈
一般にはＸ線）を輝尽性螢光体パネル３に吸収せしめ、
しかる後、この放ｔＩＡ線記録され１ｃ輝尽性螢光体パ
ネルをある種のエネルギーで励起して、螢光体が蓄積し
ているｔＩｉ躬線二Ｆネルギーを螢光として放射せしめ
、この螢光を検出することによってＭ！１Ｆｌｌ！画像
を得るようにしたものである。
のエネルギーの一部を蓄え、これに可視光や熱等を加え
ると蓄えられたエネルギーを螢光の形で放出する輝尽性
螢光体がある。放射線画像情報読取装置は、この輝尽性
螢光体に記録された画像情報を読み取るものである。置
体的には輝尽性螢光体層を支持体上に形成したパネル（
以下輝尽性螢光体パネルという）を用い、第１図に示す
ように散開線源１を出射し被写体２を透過した放射線〈
一般にはＸ線）を輝尽性螢光体パネル３に吸収せしめ、
しかる後、この放ｔＩＡ線記録され１ｃ輝尽性螢光体パ
ネルをある種のエネルギーで励起して、螢光体が蓄積し
ているｔＩｉ躬線二Ｆネルギーを螢光として放射せしめ
、この螢光を検出することによってＭ！１Ｆｌｌ！画像
を得るようにしたものである。
第２図はこの放射線画像情報読取装置の従来例を示す構
成図である。図において、レーザ発Ｊ辰器等（図示せず
）から出た励起光は、偏向器４によって一定角θだけ輝
尽性螢光体パネル３上を走査される。これにより該輝尽
性螢光体パネル３は輝尽発光させられ、このときの発光
は、ファイバ状の光伝導体５によって光電子増倍管等の
光検出器６に導かれ電気信号に変換される。必要な場合
、光伝導体５と光検出器６との間に励起光の反射光を除
去】るためのフィルタ７が設置′Ｊられる。そして、光
検出器６で光電変換された電気信号は、画像処理装置８
に送られ該画像処理ｉ１ｉ置８で必要な処理が行われ放
射線画像信号が１ｑられる。得られた画像信号は、ＣＲ
Ｔ等の表示装置９で表示される他、記録装［１０に送ら
れて記録紙−Ｆに記録される。
成図である。図において、レーザ発Ｊ辰器等（図示せず
）から出た励起光は、偏向器４によって一定角θだけ輝
尽性螢光体パネル３上を走査される。これにより該輝尽
性螢光体パネル３は輝尽発光させられ、このときの発光
は、ファイバ状の光伝導体５によって光電子増倍管等の
光検出器６に導かれ電気信号に変換される。必要な場合
、光伝導体５と光検出器６との間に励起光の反射光を除
去】るためのフィルタ７が設置′Ｊられる。そして、光
検出器６で光電変換された電気信号は、画像処理装置８
に送られ該画像処理ｉ１ｉ置８で必要な処理が行われ放
射線画像信号が１ｑられる。得られた画像信号は、ＣＲ
Ｔ等の表示装置９で表示される他、記録装［１０に送ら
れて記録紙−Ｆに記録される。
ここで、輝尽性螢光体としては、例えば、サマリウム付
活硫化ストロンチウム螢光体（Ｓｒ Ｓ ：Ｃｅ−８Ｉ
ｌｌ）、ユーロピウム及びリマリウム付活硫化ス４〜ロ
ンチウム螢光体 （ＳｒＳ：Ｅｕ−８ｍ）、ユーロピウ
ム及びサマリウム付活酸硫化ランタン螢光体（Ｌａ ２
０２ Ｓ：Ｅｕ −８ｍ ＞、 ？ンがン及びハロゲン
付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体（Ｚｎ−ｃｄ）Ｓ二Ｍ
１）・×［但しＸはＡＤゲン］がある。更に、一般式
ｎ Ｒｅ Ｘ３ ・ＩＩＩＡＸ２’ ：ＥＩＩＸ、ｎＲ
ｅＸ５ ・ｍＡＸ２’ ：ＥｌｌＸ−８ｍｙ［ここでＲ
ｅは１．−ａ 、Ｇｄ 、Ｙ、Ｌｕの少なくとも一種、
Ａはアルカリ土類金属のＢａ 、 Ｓｒ 。
活硫化ストロンチウム螢光体（Ｓｒ Ｓ ：Ｃｅ−８Ｉ
ｌｌ）、ユーロピウム及びリマリウム付活硫化ス４〜ロ
ンチウム螢光体 （ＳｒＳ：Ｅｕ−８ｍ）、ユーロピウ
ム及びサマリウム付活酸硫化ランタン螢光体（Ｌａ ２
０２ Ｓ：Ｅｕ −８ｍ ＞、 ？ンがン及びハロゲン
付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体（Ｚｎ−ｃｄ）Ｓ二Ｍ
１）・×［但しＸはＡＤゲン］がある。更に、一般式
ｎ Ｒｅ Ｘ３ ・ＩＩＩＡＸ２’ ：ＥＩＩＸ、ｎＲ
ｅＸ５ ・ｍＡＸ２’ ：ＥｌｌＸ−８ｍｙ［ここでＲ
ｅは１．−ａ 、Ｇｄ 、Ｙ、Ｌｕの少なくとも一種、
Ａはアルカリ土類金属のＢａ 、 Ｓｒ 。
Ｃａの少な（とも一種、Ｘ及びＸ′はＦ、Ｃ＃。
Ｂｒの少なくとも一種、Ｘは１×１０″４〜３Ｘ１０−
’、ｙはｌＸｌ０′Ｉ〜ｌＸ１０−’、ｎ／ｎ＋は１Ｘ
１０−３〜７Ｘ１０−１］で表わされる輝尽性螢光体等
があり、更に種々の化合物がある。第３図及び第４図は
、このような輝尽性螢光体の１つである０、 １１ ａ
Ｆｓ ・０．９Ｂａ ＦＣＩ！： ＥｕＯ，０３螢光
体の輝尽発光スペクトルと輝尽励起スペクトルの関係を
示す図である。図において、横軸は波３− 長（ｎｍ）、縦軸は相対発光強度である。
’、ｙはｌＸｌ０′Ｉ〜ｌＸ１０−’、ｎ／ｎ＋は１Ｘ
１０−３〜７Ｘ１０−１］で表わされる輝尽性螢光体等
があり、更に種々の化合物がある。第３図及び第４図は
、このような輝尽性螢光体の１つである０、 １１ ａ
Ｆｓ ・０．９Ｂａ ＦＣＩ！： ＥｕＯ，０３螢光
体の輝尽発光スペクトルと輝尽励起スペクトルの関係を
示す図である。図において、横軸は波３− 長（ｎｍ）、縦軸は相対発光強度である。
ところで、前述した輝尽性螢光体パネルは、放射線潜像
を光乃至熱で消去すると再度画像撮影に供することが可
能になる。しかしながら、複数回再利用しているうちに
パネルの表面には無数の傷がついたり或いは汚れ等が付
着し、画像の質を著しく劣化させる原因となっていた。
を光乃至熱で消去すると再度画像撮影に供することが可
能になる。しかしながら、複数回再利用しているうちに
パネルの表面には無数の傷がついたり或いは汚れ等が付
着し、画像の質を著しく劣化させる原因となっていた。
パネル表面についた細かな傷や汚れは人間の目には非常
に検出しづらく、画像を再構成してみて初めて気づくの
が通例であった。このことは、撮影のやり直しを余儀な
くされることになり、又、操作者や被撮影者にも大きな
負担をかけると共に、Ｘ線被曝量の増大という好ましく
ない結果を招いていた。
に検出しづらく、画像を再構成してみて初めて気づくの
が通例であった。このことは、撮影のやり直しを余儀な
くされることになり、又、操作者や被撮影者にも大きな
負担をかけると共に、Ｘ線被曝量の増大という好ましく
ない結果を招いていた。
（発明の目的）
本発明は、このような点に鑑みてなされたｂので、その
目的は、輝尽性螢光体パネルのパネル面の傷乃至汚れの
状態を検出することができるようにした放射線画像情報
読取装置の傷検出装置を実現することにある。
目的は、輝尽性螢光体パネルのパネル面の傷乃至汚れの
状態を検出することができるようにした放射線画像情報
読取装置の傷検出装置を実現することにある。
（発明の構成）
４−
このような目的を達成する本発明は、輝尽性の螢光特性
を有する輝尽性螢光体パネルに励起光を照射する光照射
手段と、該パネルからの反射光等を検出する光検出手段
と、該光検出手段からの出力を基準量と比較することに
より前記パネル面の傷乃至汚れの状態を検出する傷検出
手段とにより構成されてなる口とを特徴とするものであ
る。
を有する輝尽性螢光体パネルに励起光を照射する光照射
手段と、該パネルからの反射光等を検出する光検出手段
と、該光検出手段からの出力を基準量と比較することに
より前記パネル面の傷乃至汚れの状態を検出する傷検出
手段とにより構成されてなる口とを特徴とするものであ
る。
（実施例）
以下、図面を参照し本発明の実施例を詳細に説明する。
第５図は本発明の一実施例を示す構成図である。
図において、１１は前述したと同様の輝尽性螢光体パネ
ル、１２は励起光が該輝尽性螢光体パネル１１に入射し
た際に生じる輝尽螢光を光検出器まで導くファイバ状の
光伝導体、１３は該光伝導体１２により導かれた光のう
ちから励起光を阻止し、輝尽螢光のみを通過させる第１
のフィルタ、１４は該フィルタの通過光（輝尽螢光）を
電気信号に変換する第１の光検出器である。１５は輝尽
性螢光体パネル１１からの反射励起光を光検出器まで導
くファイバ状の光伝導体、１６は該光伝導体１５により
導かれた励起光の光■を減衰さ１する第２のフィルタ、
１７は該フィルタ１６の通過光を電気信号に変換する第
２の光検出器、１８は第１及び第２の光検出器１４．１
７の出力を受けて演算処理を行う処理装置である。
ル、１２は励起光が該輝尽性螢光体パネル１１に入射し
た際に生じる輝尽螢光を光検出器まで導くファイバ状の
光伝導体、１３は該光伝導体１２により導かれた光のう
ちから励起光を阻止し、輝尽螢光のみを通過させる第１
のフィルタ、１４は該フィルタの通過光（輝尽螢光）を
電気信号に変換する第１の光検出器である。１５は輝尽
性螢光体パネル１１からの反射励起光を光検出器まで導
くファイバ状の光伝導体、１６は該光伝導体１５により
導かれた励起光の光■を減衰さ１する第２のフィルタ、
１７は該フィルタ１６の通過光を電気信号に変換する第
２の光検出器、１８は第１及び第２の光検出器１４．１
７の出力を受けて演算処理を行う処理装置である。
ここで、励起光としては、例えば、光エネルギー密度の
高いレーザが用いられ、輝尽ｆ１１＊九体パネル１１と
しては、例えば、前述した０、１１ａＦｓ ・０．９Ｂ
ａ ｒ”ｃｇ ： Ｅｕ０１０３ 螢光体が用いられる
。輝尽性螢光体として、０．ｌＬａＦ３・０、９１３ａ
ＦＣｌｌ： ＥｔＩ Ｏ，０３ヲ用イタ’ｌＡ合、レ
ーザとしては該螢光体の輝尽励起効率の特に高いＡｒ
” （５１４，５ｒｖ）、ＹＡＧ （５３２ｎｍ）或い
はＨｅ −Ｎｅ （６３３ｎｎ＋）等が使用される。こ
のように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通
りである。
高いレーザが用いられ、輝尽ｆ１１＊九体パネル１１と
しては、例えば、前述した０、１１ａＦｓ ・０．９Ｂ
ａ ｒ”ｃｇ ： Ｅｕ０１０３ 螢光体が用いられる
。輝尽性螢光体として、０．ｌＬａＦ３・０、９１３ａ
ＦＣｌｌ： ＥｔＩ Ｏ，０３ヲ用イタ’ｌＡ合、レ
ーザとしては該螢光体の輝尽励起効率の特に高いＡｒ
” （５１４，５ｒｖ）、ＹＡＧ （５３２ｎｍ）或い
はＨｅ −Ｎｅ （６３３ｎｎ＋）等が使用される。こ
のように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通
りである。
励起光が輝尽性螢光体パネル１１に入射すると、該励起
光は入射面で反射されると共に、輝尽性螢光体パネル特
有の輝尽螢光を生ずる。これらの光は、ファイバ状の光
伝導体１２によって第１のフィルタ１３まで導かれ、該
フィルタで輝尽螢光は励起光と分離される。分離された
輝尽螢光は、第１の光検出器１４で電気信号に変換され
処理装置１Ｂに送られる。一方、もう１つの光伝導体１
５には励起光の反射光が導かれ第２のフィルタ１６に入
る。この励起光は該第２のフィルタ１６によって光電が
減衰させられた後、第２の光検出器１７で電気信号に変
換され、処理装置１８に送られる。
光は入射面で反射されると共に、輝尽性螢光体パネル特
有の輝尽螢光を生ずる。これらの光は、ファイバ状の光
伝導体１２によって第１のフィルタ１３まで導かれ、該
フィルタで輝尽螢光は励起光と分離される。分離された
輝尽螢光は、第１の光検出器１４で電気信号に変換され
処理装置１Ｂに送られる。一方、もう１つの光伝導体１
５には励起光の反射光が導かれ第２のフィルタ１６に入
る。この励起光は該第２のフィルタ１６によって光電が
減衰させられた後、第２の光検出器１７で電気信号に変
換され、処理装置１８に送られる。
第６図は光検出器の出力を示す模式図である。
（ａ ）は第１の光検出器１４の出ノＪを、（ｂ）は第
２の光検出器１７の出力をそれぞれ示す。即ち、（ａ）
は輝尽螢光の発光を示しており、即ち画像情報である。
２の光検出器１７の出力をそれぞれ示す。即ち、（ａ）
は輝尽螢光の発光を示しており、即ち画像情報である。
（ｂ）は同一時刻における励起光の反射光の検出信号で
ある。（ｂ）には励起光の反射光の他に輝尽螢光も若干
含まれているが、光強度は圧倒的に励起光の方が強いの
でほとんど問題とならない。尚、輝尽螢光が無視できな
い程合まれでいる場合は、第２のフィルタ１６部分に輝
尽７− 螢光を閉止して励起光のみ選択して透過させるフィルタ
を追加１−ればよい。第２の光検出器１７の分光感度特
性が、輝尽螢光スペクトル部に強く偏っている場合につ
いても同様である。
ある。（ｂ）には励起光の反射光の他に輝尽螢光も若干
含まれているが、光強度は圧倒的に励起光の方が強いの
でほとんど問題とならない。尚、輝尽螢光が無視できな
い程合まれでいる場合は、第２のフィルタ１６部分に輝
尽７− 螢光を閉止して励起光のみ選択して透過させるフィルタ
を追加１−ればよい。第２の光検出器１７の分光感度特
性が、輝尽螢光スペクトル部に強く偏っている場合につ
いても同様である。
第６図のＡ、Ａ’部はそれぞれ輝尽性螢光体パネル１１
のパネル面に傷又は汚れがあった場合の出力の低下を示
している。パネル面に傷や汚れがあると、第１及び第２
の光検出器１４．１７の出力は大きく変動し、通常は出
力減少となる。処理装置１８は、通常第２の光検出器１
７の出力を基準量と比較している。（ｂ）のＡ′部に示
１ように光検出器１７の出力が減少すると、該光検出器
１７の出力は基準量よりも低下する。従って、処理装置
１８は輝尽性螢光体パネル１１のパネル面上に傷或いは
汚れがあることを認知することができる。このような場
合、処理装置１Ｂは外部に警報信号を出力する。操作者
は、この警報信号により輝尽性螢光体パネル１１に傷或
いは汚れがあることを知ることができる。
のパネル面に傷又は汚れがあった場合の出力の低下を示
している。パネル面に傷や汚れがあると、第１及び第２
の光検出器１４．１７の出力は大きく変動し、通常は出
力減少となる。処理装置１８は、通常第２の光検出器１
７の出力を基準量と比較している。（ｂ）のＡ′部に示
１ように光検出器１７の出力が減少すると、該光検出器
１７の出力は基準量よりも低下する。従って、処理装置
１８は輝尽性螢光体パネル１１のパネル面上に傷或いは
汚れがあることを認知することができる。このような場
合、処理装置１Ｂは外部に警報信号を出力する。操作者
は、この警報信号により輝尽性螢光体パネル１１に傷或
いは汚れがあることを知ることができる。
輝尽性！！九鉢体パネル１に異常が見つかった場−〇−
合、装置全体とし−（、Ｊこのように傷乃至汚れのある
パネルは消去工程（図示せず）を実施せずに、専用マガ
ジンに回収される。輝尽性螢光体パネル１１に異常が見
つかった時点で、その異常パネルによる画像処理を行う
必要がある場合、第１の光検出器１４の出力（画像情報
信＠）を補正するようにりる。このようにすれば、傷或
いは汚れのある輝尽性螢光体パネルから正確な画像情報
を得ることができる。補正の方法としては、具体的には
傷の周辺の信号で、異常部の信号を補間する。或いは異
常出力直前の信号を用いて、異常部の信号を置換する。
パネルは消去工程（図示せず）を実施せずに、専用マガ
ジンに回収される。輝尽性螢光体パネル１１に異常が見
つかった時点で、その異常パネルによる画像処理を行う
必要がある場合、第１の光検出器１４の出力（画像情報
信＠）を補正するようにりる。このようにすれば、傷或
いは汚れのある輝尽性螢光体パネルから正確な画像情報
を得ることができる。補正の方法としては、具体的には
傷の周辺の信号で、異常部の信号を補間する。或いは異
常出力直前の信号を用いて、異常部の信号を置換する。
このような処理はパネル面の傷或いは汚れの数が少ない
場合は極めて有効な補正方法となる。第６図＜ａ ）の
Ａ部の破線は補正後の波形を示す。
場合は極めて有効な補正方法となる。第６図＜ａ ）の
Ａ部の破線は補正後の波形を示す。
本発明のような傷乃至汚れの検出手段を用いると、パネ
ル面上のマークも同時に検出できることから、パネル面
上の一部乃至は全部に画像情報を記録乃至は貼付してお
き、その情報も自動的に認識できるような機能を付加す
ることもできる。更に、輝尽性螢光体パネルに記録され
た画像情報のみならず、それ以外の記録媒体の原稿の読
取りを行わせることが可能である。
ル面上のマークも同時に検出できることから、パネル面
上の一部乃至は全部に画像情報を記録乃至は貼付してお
き、その情報も自動的に認識できるような機能を付加す
ることもできる。更に、輝尽性螢光体パネルに記録され
た画像情報のみならず、それ以外の記録媒体の原稿の読
取りを行わせることが可能である。
第５図に示す実施例においては、装置の小型化のために
画像情報の読取装置と、輝尽性螢光体パネルの信管検出
装置を一体化しているが、それぞれの装置を独立にする
ことも可能である。又、パネル面の傷等を検出するだめ
の光源も画像読出し用のそれとは巽ならしめてもよい。
画像情報の読取装置と、輝尽性螢光体パネルの信管検出
装置を一体化しているが、それぞれの装置を独立にする
ことも可能である。又、パネル面の傷等を検出するだめ
の光源も画像読出し用のそれとは巽ならしめてもよい。
′ＪＡ置を独立にする場合は、励起光として輝尽励起効
率の低い波長を主成分とする光を用い、画像情報読取り
の前にパネル面の傷等を検出するのがよい。尚、装置を
独立にする必要がない場合は、励起光とじては輝尽励起
効率の高い波長を主成分とする光を用いるようにしても
よい。又、本実施例においては、光伝導体としてファイ
バ束を用いて光を伝達したが、同等な媒体若しくはレン
ズを用いることができる。或いは光伝導体を全熱用いな
くてもよい。
率の低い波長を主成分とする光を用い、画像情報読取り
の前にパネル面の傷等を検出するのがよい。尚、装置を
独立にする必要がない場合は、励起光とじては輝尽励起
効率の高い波長を主成分とする光を用いるようにしても
よい。又、本実施例においては、光伝導体としてファイ
バ束を用いて光を伝達したが、同等な媒体若しくはレン
ズを用いることができる。或いは光伝導体を全熱用いな
くてもよい。
光伝導体を用いない場合は、光重変換効率が下がり、ダ
イナミックレンジも下がるが、傷や汚れを検出Ｊ゛る場
合には特に支障はない。更に、本実施例ではパネル面の
傷等の検出のために励起光を用いて走査を行ったが、代
わりにランプを使用してレンズで結像し、その焦点位置
に光電変換アレイを設置して検出することも可能である
。尚、このときのランプとｌノでは、消去工程に用いら
れるランプを兼用してもよいし、テレビカメラで検出す
るようにしてもｊ、い。
イナミックレンジも下がるが、傷や汚れを検出Ｊ゛る場
合には特に支障はない。更に、本実施例ではパネル面の
傷等の検出のために励起光を用いて走査を行ったが、代
わりにランプを使用してレンズで結像し、その焦点位置
に光電変換アレイを設置して検出することも可能である
。尚、このときのランプとｌノでは、消去工程に用いら
れるランプを兼用してもよいし、テレビカメラで検出す
るようにしてもｊ、い。
（発明の効宋）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、励起光の
反射光を光電変換したものと基準量と比較Ｊるようにす
ることにより、輝尽性螢光体パネルのパネル面の傷乃至
汚れの状態を検出することができるようにした放射線画
像情報読取装置の傷検出装置を実現することができる。
反射光を光電変換したものと基準量と比較Ｊるようにす
ることにより、輝尽性螢光体パネルのパネル面の傷乃至
汚れの状態を検出することができるようにした放射線画
像情報読取装置の傷検出装置を実現することができる。
第１図は輝尽性螢光体への放射線画像の記録を示Ｊ−説
明図、第２図は放射線画像情報読取装置の従来例を示す
構成図、第３図及び第４図は輝尽性螢光体の輝尽発光ス
ペクトルと輝尽励起スペクト−１１＝ ルの関係を示１図、第５図は本発明の一実施例を示す構
成図、第６図は光検出器の出力波形を示す図である。 １・・・放射Ｉ！ｉ！ｌ１ｉｉ２・・・被写体３・・・
輝尽性螢光体パネル ４・・・偏向器 ５．１２．１５・・・光伝導体 ６、”１４．１７・・・光検出器 ７．１３．１６・・・フィルタ ８・・・画像処理装置、 ９・・・表示Ｈ置１０・・・
記録装＠ １８・・・処］！ｌ！装置特許出願人 小西
六写真工業株式会社 代 理 人 弁理士 井 島 膝 治 外１名 １２− 消３図 ３５０ ４００ ４５０ 波長 （ｎｍ） Ｍ４図 ５００ ６００ ７００ ８００ 波長 （ｎｍ）
明図、第２図は放射線画像情報読取装置の従来例を示す
構成図、第３図及び第４図は輝尽性螢光体の輝尽発光ス
ペクトルと輝尽励起スペクト−１１＝ ルの関係を示１図、第５図は本発明の一実施例を示す構
成図、第６図は光検出器の出力波形を示す図である。 １・・・放射Ｉ！ｉ！ｌ１ｉｉ２・・・被写体３・・・
輝尽性螢光体パネル ４・・・偏向器 ５．１２．１５・・・光伝導体 ６、”１４．１７・・・光検出器 ７．１３．１６・・・フィルタ ８・・・画像処理装置、 ９・・・表示Ｈ置１０・・・
記録装＠ １８・・・処］！ｌ！装置特許出願人 小西
六写真工業株式会社 代 理 人 弁理士 井 島 膝 治 外１名 １２− 消３図 ３５０ ４００ ４５０ 波長 （ｎｍ） Ｍ４図 ５００ ６００ ７００ ８００ 波長 （ｎｍ）
Claims (3)
- （１）輝尽性の螢光特性を有する輝尽性螢光体パネルに
励起光を照射覆る光照射手段と、該パネルからの反射光
等を検出する光検出手段と、該光検出手段からの出力を
基＊ｍと比較することにより前記パネル面の傷乃至汚れ
の状態を検出づる傷検出手段とににり構成されてなる放
９ＡＩｉ１画像情報読取装置の傷検出装置。 - （２）前記励起光として前記輝尽性螢光体パネルの輝尽
螢光の励起効率の高い波長を主成分とするようにしたこ
とを特徴とする特Ｆｒ請求の範囲第１項記載の放射線画
像情報読取装置の傷検出装置。 - （３）前記肋起光として前記輝尽性螢光体パネルの輝尽
螢光の励起効率の低い波長を主成分とするようにしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射線画像
情報読取装置の傷検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021264A JPS60165641A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 放射線画像情報読取装置の傷検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021264A JPS60165641A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 放射線画像情報読取装置の傷検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165641A true JPS60165641A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH053567B2 JPH053567B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=12050242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021264A Granted JPS60165641A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 放射線画像情報読取装置の傷検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165641A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203461A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Canon Inc | 画像読取方式 |
| JPS62203460A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPS62213364A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像読取装置 |
| JPH0490983U (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-07 | ||
| US5151596A (en) * | 1990-03-28 | 1992-09-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for detecting the location of a pattern in a radiation image stored on a stimulable phosphor sheet |
| JP2013134158A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 放射線強度計測装置の放射線強度計測方法 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59021264A patent/JPS60165641A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203461A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Canon Inc | 画像読取方式 |
| JPS62203460A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPS62213364A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像読取装置 |
| JPH0681223B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1994-10-12 | コニカ株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| US5151596A (en) * | 1990-03-28 | 1992-09-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for detecting the location of a pattern in a radiation image stored on a stimulable phosphor sheet |
| JPH0490983U (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-07 | ||
| JP2013134158A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 放射線強度計測装置の放射線強度計測方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053567B2 (ja) | 1993-01-18 |
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