JPH053567B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、放射線画像情報読取装置に用いる輝
尽性螢光体パネルのパネル面の傷乃至汚れの状態
を検出することができるようにした放射線画像情
報読取装置の傷検出装置に関する。

（従来技術） Ｘ線等のエネルギーの強い放射線を照射する
と、そのエネルギーの一部を蓄え、これに可視光
や熱等を加えると蓄えられたエネルギーを螢光の
形で放出する輝尽性螢光体がある。放射線画像情
報読取装置は、この輝尽性螢光体に記録された画
像情報を読み取るものである。具体的には輝尽性
螢光層を指示体上に形成したパネル（以下輝尽性
螢光体パネルという）を用い、第１図に示すよう
に放射線源１を出射し被写体２を透過した放射線
（一般にはＸ線）を輝尽性螢光体パネル３に吸収
せしめ、しかる後、この放射線記録された輝尽性
螢光体パネルをある種のエネルギーで励起して、
螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢光と
して放射せしめ、この螢光を検出することによつ
て放射線画像を得るようにしたものである。

第２図はこの放射線画像情報読取装置の従来例
を示す構成図である。図において、レーザ発振器
等（図示せず）から出た励起光は、偏向器４によ
つて一定角θだけ輝尽性螢光体パネル３上を走査
される。これにより該輝尽性螢光体パネル３は輝
尽発光させられ、このときの発光は、フアイバ状
の光伝導体５によつて光電子増倍管等の光検出器
６に導かれ電気信号に変換される。必要な場合、
光伝導体５と光検出器６との間に励起光の反射光
を除去するためのフイルタ７が設けられる。そし
て、光検出器６で光電変換された電気信号は、画
像処理装置８に送られ該画像処理装置８で必要な
処理が行われ放射線画像信号が得られる。得られ
た画像信号は、CRT等の表示装置９で表示され
る他、記録装置１０に送られて記録紙上に記録さ
れる。

ここで、輝尽性螢光体としては、例えば、サマ
リウム不活硫化ストロンチウム螢光体（SrS：
Ce・Sm）、ユーロピウム及びサマリウム付活硫
化ストロンチウム螢光体（SrS：Eu・Sm）、ユー
ロピウム及びサマリウム不活酸硫化ランタン螢光
体（La₂O₂S：Eu・Sm）、マンガン及びハロゲン
不活硫化亜鉛・カドミウム螢光体（Zn・Cd）
Ｓ：Mn・Ｘ［但しＸはハロゲン］がある。更に、
一般式nReX₃・mAX₂′：Eux、nReX₃・
mAX₂′：Eux・Smy［ここでReはLa、Gd、Ｙ、
Luの少なくとも一種、Ａはアルカリ土類金属の
Ba、Sr、Caの少なくとも一種、Ｘ及びX′はＦ、
Cl、Brの少なくとも一種、ｘは１×10^-4〜３×
10^-1、ｙは１×10^-4〜１×10^-1、ｎ／ｍは１×
10^-3〜７×10^-1］で表わされる輝尽性螢光体等が
あり、更に種々の化合物がある。第３図及び第４
図は、このような輝尽性螢光体の１つである
0.1LaF₃・0.9BaFCl：Eu0.03螢光体の輝尽発光ス
ペクトルと輝尽励起スペクトルの関係を示す図で
ある。図において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は
相対発光強度である。

ところで、前述した輝尽性螢光体はパネルは、
放射線潜像を光乃至熱で消去すると再度画像投影
に供することが可能になる。しかしながら、複数
回再利用しているうちにパネルの表面には無数の
傷がついたり或いは汚れ等が付着し、画像の質を
著しく劣化させる原因となつていた。パネル表面
についた細かな傷や汚れは人間の目には非常に検
出しづらく、画像を再構成してみて初めて気づく
のが通例であつた。このことは、投影のやり直し
を余儀なくされることになり、又、操作者や被撮
影者にも大きな負担をかけると共に、Ｘ線被曝量
の増大という好ましくない結果を招いていた。

（発明の目的） 本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、輝尽性螢光体パネルのパネル面
の傷乃至汚れの状態を検出することができるよう
にした放射線画像情報読取装置の傷検出装置を実
現することにある。

（発明の構成） このような目的を達成する本発明は、輝尽性の
螢光特性を有する輝尽性螢光体パネルに励起光を
照射する光照射手段と、該パネルから反射する励
起光の反射光を検出する光検出手段と、該光検出
手段からの出力を基準量と比較することにより前
記パネル面の傷乃至汚れの状態を検出する傷検出
手段とにより構成されてなることを特徴とするも
のである。

（実施例） 以下、図面を参照し本発明の実施例を詳細に説
明する。

第５図は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図において、１１は前述したと同様の輝尽性
蛍光体パネル、１２は励起光が該輝尽性螢光体パ
ネル１１に入射した際に生じる輝尽螢光を光検出
器まで導くフアイバ状の光伝導体、１３は該光伝
導体１２により導かれた光のうちから励起光を阻
止し、輝尽螢光のみを通過させる第１のフイル
タ、１４は該フイルタの通過光（輝尽螢光）を電
気信号に変換する第１の光検出器である。１５は
輝尽性螢光体パネル１１からの反射励起光を光検
出器まで導くフアイバ状の光伝導体、１６は該光
伝導体１５により導かれた励起光の光量を減衰さ
せる第２のフイルタ、１７は該フイルタ１６の通
過光を電気信号に変換する第２の光検出器、１８
は第１及び第２の光検出器１４，１７の出力を受
けて演算処理を行う処理装置である。

ここで、励起光としては、例えば、光エネルギ
ー密度の高いレーザが用いられ、輝尽性螢光体パ
ネル１１としては、例えば、前述した0.1LaF₃・
0.9BaFCl：Eu0.03螢光体が用いられる。輝尽性
螢光体として、0.1LaF₃・0.9BaFCl：Eu0.03を用
いた場合、レーザとしては該螢光体の輝尽励起効
率の特に高いAr⁺（514・5nｍ）、YAG（532nｍ）
或いはHe−Ne（633nｍ）等が使用される。この
ように構成された装置の動作を説明すれば、以下
の通りである。

励起光が輝尽性螢光体パネル１１に入射する
と、該励起光は入射面で反射されると共に、輝尽
性螢光体パネル特有の輝尽螢光を生ずる。これら
の光は、フアイバ状の光伝導体１２によつて第１
のフイルタ１３まで導かれ、該フイルタで輝尽螢
光は励起光と分離される。分離された輝尽螢光
は、第１の光検出器１４で電気信号に変換され処
理装置１８に送られる。一方、もう１つの光伝導
体１５には励起光の反射が導かれ第２のフイルタ
１６に入る。この励起光は該第２のフイルタ１６
によつて光量が減衰させられた後、第２の光検出
器１７で電気信号に変換され、処理装置１８に送
られる。

第６図は光検出器の出力を示す模式図である。
ａは第１の光検出器１４の出力を、ｂは第２の光
検出器１７の出力をそれぞれ示す。即ち、ａは輝
尽螢光の発光を示しており、即ち画像情報であ
る。ｂは同一時刻における励起光の反射光の検出
信号である。ｂには励起光の反射光の他に輝尽螢
光も若干含まれているが、光強度は圧倒的に励起
光の方が強いのでほとんど問題とならない。尚、
輝尽螢光が無視できない程含まれている場合は、
第２のフイルタ１６部分に輝尽螢光を阻止して励
起光のみ選択して透過させるフイルタを追加すれ
ばよい。第２の光検出器１７の分光感度特性が、
輝尽螢光スペクトル部に強く偏つている場合につ
いても同様である。

第６図のＡ，A′部はそれぞれ輝尽性螢光体パ
ネル１１のパネル面に傷又は汚れがあつた場合の
出力の低下を示している。パネル面に傷や汚れが
あると、第１及び第２の光検出器１４，１７の出
力は大きく変動し、通常は出力減少となる。処理
装置１８は、通常第２の光検出器１７の出力を基
準量と比較している。ｂのA′部に示すように光
検出器１７の出力が減少すると、該光検出器１７
の出力は基準量よりも低下する。従つて、処理装
置１８は輝尽性螢光体パネル１１のパネル面上に
傷或いは汚れがあることを認知することができ
る。このような場合、処理装置１８は外部に警報
信号を出力する。操作者は、この警報信号により
輝尽性螢光体パネル１１に傷或いは汚れがあるこ
とを知ることができる。

輝尽性螢光体パネル１１に異常が見つかつた場
合、装置全体としてはこのように傷乃至汚れのあ
るパネルは消去工程（図示せず）を実施せずに、
専用マガジンに回収される。輝尽性螢光体パネル
１１に異常が見つかつた時点で、その異常パネル
による画像処理を行う必要がある場合、第１の光
検出器１４の出力（画像情報信号）を補正するよ
うにする。このようにすれば、傷或いは汚れのあ
る輝尽性螢光体パネルから正確な画像情報を得る
ことができる。補正の方法としては、具体的には
傷の周辺の信号で、異常部の信号を補間する。或
いは異常出力直前の信号を用いて、異常部の信号
を置換する。このような処理はパネル面の傷或い
は汚れの数が少ない場合は極めて有効な補正方法
となる。第６図ａのＡ部の破線は補正後の波形を
示す。

本発明のような傷乃至汚れの検出手段を用いる
と、パネル面上のマークも同時に検出できること
から、パネル面上の一部乃至は全部に画像情報を
記録乃至は貼付しておき、その情報も自動的に認
識できるような機能を付加することもできる。更
に、輝尽性螢光体パネルに記録された画像情報の
みならず、それ以外の記録媒体の原稿の読取りを
行わせることが可能である。

第５図に示す実施例においては、装置の小型化
のために画像情報の読取装置と、輝尽性螢光体パ
ネルの傷等検出装置を一体化しているが、それぞ
れの装置を独立にすることも可能である。又、パ
ネル面の傷等を検出するための光源も画像読出し
用のそれとは異ならしめてもよい。装置を独立に
する場合は、励起光として輝尽励起効率の低い波
長を主成分とする光を用い、画像情報読取りの前
にパネル面の傷等を検出するのがよい。尚、装置
を独立にする必要がない場合は、励起光としては
輝尽励起効率の高い波長を主成分とする光を用い
るようにしてもよい。又、本実施例においては、
光伝導体としてフアイバ束を用いて光を伝達した
が、同等な媒体若しくはレンズを用いることがで
きる。或いは光伝導体を全然用いなくてもよい。
光伝導体を用いない場合は、光電変換効率が下が
り、ダイナミツクレンジも下がるが、傷や汚れを
検出する場合には特に支障はない。更に、本実施
例ではパネル面の傷等の検出のために励起光を用
いて走査を行つたが、代わりにランプを使用して
レンズで結像し、その焦点位置に光電変換アレイ
を設置して検出することも可能である。尚、この
ときのランプとしては、消去工程に用いられるラ
ンプを兼用してもよいし、テレビカメラで検出す
るようにしてもよい。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、
励起光の反射光を光電変換したものと基準量と比
較するようにすることにより、輝尽性螢光体パネ
ルのパネル面の傷乃至汚れの状態を検出すること
ができるようにした放射線画像情報読取装置の傷
検出装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は輝尽性螢光体への放射線画像の記録を
示す説明図、第２図は放射線画像情報読取装置の
従来例を示す構成図、第３図及び第４図は輝尽性
螢光体の輝尽発光スペクトルと輝尽励起スペクト
ルの関係を示す図、第５図は本発明の一実施例を
示す構成図、第６図は光検出器の出力波形を示す
図である。 １……放射線源、２……被写体、３……輝尽性
螢光体パネル、４……偏向器、５，１２，１５…
…光伝導体、６，１４，１７……光検出器、７，
１３，１６……フイルタ、８……画像処理装置、
９……表示装置、１０……記録装置、１８……処
理装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 輝尽性の螢光特性を有する輝尽性螢光体パネ
   ルに励起光を照射する光照射手段と、該パネルか
   ら反射する励起光の反射光を検出する光検出手段
   と、該光検出手段からの出力を基準量と比較する
   ことにより前記パネル面の傷乃至汚れの状態を検
   出する傷検出手段とにより構成されてなる放射線
   画像情報読取装置の傷検出装置。 ２ 前記励起光として前記輝尽性螢光体パネルの
   輝尽螢光の励起効率の高い波長を主成分とするよ
   うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の放射線画像情報読取装置の傷検出装置。 ３ 前記励起光として前記輝尽性螢光体パネルの
   輝尽螢光の励起効率の低い波長を主成分とするよ
   うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の放射線画像情報読取装置の傷検出装置。