JPH053567B2 - - Google Patents
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- JPH053567B2 JPH053567B2 JP59021264A JP2126484A JPH053567B2 JP H053567 B2 JPH053567 B2 JP H053567B2 JP 59021264 A JP59021264 A JP 59021264A JP 2126484 A JP2126484 A JP 2126484A JP H053567 B2 JPH053567 B2 JP H053567B2
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Landscapes
- Facsimiles In General (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、放射線画像情報読取装置に用いる輝
尽性螢光体パネルのパネル面の傷乃至汚れの状態
を検出することができるようにした放射線画像情
報読取装置の傷検出装置に関する。
尽性螢光体パネルのパネル面の傷乃至汚れの状態
を検出することができるようにした放射線画像情
報読取装置の傷検出装置に関する。
(従来技術)
X線等のエネルギーの強い放射線を照射する
と、そのエネルギーの一部を蓄え、これに可視光
や熱等を加えると蓄えられたエネルギーを螢光の
形で放出する輝尽性螢光体がある。放射線画像情
報読取装置は、この輝尽性螢光体に記録された画
像情報を読み取るものである。具体的には輝尽性
螢光層を指示体上に形成したパネル(以下輝尽性
螢光体パネルという)を用い、第1図に示すよう
に放射線源1を出射し被写体2を透過した放射線
(一般にはX線)を輝尽性螢光体パネル3に吸収
せしめ、しかる後、この放射線記録された輝尽性
螢光体パネルをある種のエネルギーで励起して、
螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢光と
して放射せしめ、この螢光を検出することによつ
て放射線画像を得るようにしたものである。
と、そのエネルギーの一部を蓄え、これに可視光
や熱等を加えると蓄えられたエネルギーを螢光の
形で放出する輝尽性螢光体がある。放射線画像情
報読取装置は、この輝尽性螢光体に記録された画
像情報を読み取るものである。具体的には輝尽性
螢光層を指示体上に形成したパネル(以下輝尽性
螢光体パネルという)を用い、第1図に示すよう
に放射線源1を出射し被写体2を透過した放射線
(一般にはX線)を輝尽性螢光体パネル3に吸収
せしめ、しかる後、この放射線記録された輝尽性
螢光体パネルをある種のエネルギーで励起して、
螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢光と
して放射せしめ、この螢光を検出することによつ
て放射線画像を得るようにしたものである。
第2図はこの放射線画像情報読取装置の従来例
を示す構成図である。図において、レーザ発振器
等(図示せず)から出た励起光は、偏向器4によ
つて一定角θだけ輝尽性螢光体パネル3上を走査
される。これにより該輝尽性螢光体パネル3は輝
尽発光させられ、このときの発光は、フアイバ状
の光伝導体5によつて光電子増倍管等の光検出器
6に導かれ電気信号に変換される。必要な場合、
光伝導体5と光検出器6との間に励起光の反射光
を除去するためのフイルタ7が設けられる。そし
て、光検出器6で光電変換された電気信号は、画
像処理装置8に送られ該画像処理装置8で必要な
処理が行われ放射線画像信号が得られる。得られ
た画像信号は、CRT等の表示装置9で表示され
る他、記録装置10に送られて記録紙上に記録さ
れる。
を示す構成図である。図において、レーザ発振器
等(図示せず)から出た励起光は、偏向器4によ
つて一定角θだけ輝尽性螢光体パネル3上を走査
される。これにより該輝尽性螢光体パネル3は輝
尽発光させられ、このときの発光は、フアイバ状
の光伝導体5によつて光電子増倍管等の光検出器
6に導かれ電気信号に変換される。必要な場合、
光伝導体5と光検出器6との間に励起光の反射光
を除去するためのフイルタ7が設けられる。そし
て、光検出器6で光電変換された電気信号は、画
像処理装置8に送られ該画像処理装置8で必要な
処理が行われ放射線画像信号が得られる。得られ
た画像信号は、CRT等の表示装置9で表示され
る他、記録装置10に送られて記録紙上に記録さ
れる。
ここで、輝尽性螢光体としては、例えば、サマ
リウム不活硫化ストロンチウム螢光体(SrS:
Ce・Sm)、ユーロピウム及びサマリウム付活硫
化ストロンチウム螢光体(SrS:Eu・Sm)、ユー
ロピウム及びサマリウム不活酸硫化ランタン螢光
体(La2O2S:Eu・Sm)、マンガン及びハロゲン
不活硫化亜鉛・カドミウム螢光体(Zn・Cd)
S:Mn・X[但しXはハロゲン]がある。更に、
一般式nReX3・mAX2′:Eux、nReX3・
mAX2′:Eux・Smy[ここでReはLa、Gd、Y、
Luの少なくとも一種、Aはアルカリ土類金属の
Ba、Sr、Caの少なくとも一種、X及びX′はF、
Cl、Brの少なくとも一種、xは1×10-4〜3×
10-1、yは1×10-4〜1×10-1、n/mは1×
10-3〜7×10-1]で表わされる輝尽性螢光体等が
あり、更に種々の化合物がある。第3図及び第4
図は、このような輝尽性螢光体の1つである
0.1LaF3・0.9BaFCl:Eu0.03螢光体の輝尽発光ス
ペクトルと輝尽励起スペクトルの関係を示す図で
ある。図において、横軸は波長(nm)、縦軸は
相対発光強度である。
リウム不活硫化ストロンチウム螢光体(SrS:
Ce・Sm)、ユーロピウム及びサマリウム付活硫
化ストロンチウム螢光体(SrS:Eu・Sm)、ユー
ロピウム及びサマリウム不活酸硫化ランタン螢光
体(La2O2S:Eu・Sm)、マンガン及びハロゲン
不活硫化亜鉛・カドミウム螢光体(Zn・Cd)
S:Mn・X[但しXはハロゲン]がある。更に、
一般式nReX3・mAX2′:Eux、nReX3・
mAX2′:Eux・Smy[ここでReはLa、Gd、Y、
Luの少なくとも一種、Aはアルカリ土類金属の
Ba、Sr、Caの少なくとも一種、X及びX′はF、
Cl、Brの少なくとも一種、xは1×10-4〜3×
10-1、yは1×10-4〜1×10-1、n/mは1×
10-3〜7×10-1]で表わされる輝尽性螢光体等が
あり、更に種々の化合物がある。第3図及び第4
図は、このような輝尽性螢光体の1つである
0.1LaF3・0.9BaFCl:Eu0.03螢光体の輝尽発光ス
ペクトルと輝尽励起スペクトルの関係を示す図で
ある。図において、横軸は波長(nm)、縦軸は
相対発光強度である。
ところで、前述した輝尽性螢光体はパネルは、
放射線潜像を光乃至熱で消去すると再度画像投影
に供することが可能になる。しかしながら、複数
回再利用しているうちにパネルの表面には無数の
傷がついたり或いは汚れ等が付着し、画像の質を
著しく劣化させる原因となつていた。パネル表面
についた細かな傷や汚れは人間の目には非常に検
出しづらく、画像を再構成してみて初めて気づく
のが通例であつた。このことは、投影のやり直し
を余儀なくされることになり、又、操作者や被撮
影者にも大きな負担をかけると共に、X線被曝量
の増大という好ましくない結果を招いていた。
放射線潜像を光乃至熱で消去すると再度画像投影
に供することが可能になる。しかしながら、複数
回再利用しているうちにパネルの表面には無数の
傷がついたり或いは汚れ等が付着し、画像の質を
著しく劣化させる原因となつていた。パネル表面
についた細かな傷や汚れは人間の目には非常に検
出しづらく、画像を再構成してみて初めて気づく
のが通例であつた。このことは、投影のやり直し
を余儀なくされることになり、又、操作者や被撮
影者にも大きな負担をかけると共に、X線被曝量
の増大という好ましくない結果を招いていた。
(発明の目的)
本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、輝尽性螢光体パネルのパネル面
の傷乃至汚れの状態を検出することができるよう
にした放射線画像情報読取装置の傷検出装置を実
現することにある。
で、その目的は、輝尽性螢光体パネルのパネル面
の傷乃至汚れの状態を検出することができるよう
にした放射線画像情報読取装置の傷検出装置を実
現することにある。
(発明の構成)
このような目的を達成する本発明は、輝尽性の
螢光特性を有する輝尽性螢光体パネルに励起光を
照射する光照射手段と、該パネルから反射する励
起光の反射光を検出する光検出手段と、該光検出
手段からの出力を基準量と比較することにより前
記パネル面の傷乃至汚れの状態を検出する傷検出
手段とにより構成されてなることを特徴とするも
のである。
螢光特性を有する輝尽性螢光体パネルに励起光を
照射する光照射手段と、該パネルから反射する励
起光の反射光を検出する光検出手段と、該光検出
手段からの出力を基準量と比較することにより前
記パネル面の傷乃至汚れの状態を検出する傷検出
手段とにより構成されてなることを特徴とするも
のである。
(実施例)
以下、図面を参照し本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第5図は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図において、11は前述したと同様の輝尽性
蛍光体パネル、12は励起光が該輝尽性螢光体パ
ネル11に入射した際に生じる輝尽螢光を光検出
器まで導くフアイバ状の光伝導体、13は該光伝
導体12により導かれた光のうちから励起光を阻
止し、輝尽螢光のみを通過させる第1のフイル
タ、14は該フイルタの通過光(輝尽螢光)を電
気信号に変換する第1の光検出器である。15は
輝尽性螢光体パネル11からの反射励起光を光検
出器まで導くフアイバ状の光伝導体、16は該光
伝導体15により導かれた励起光の光量を減衰さ
せる第2のフイルタ、17は該フイルタ16の通
過光を電気信号に変換する第2の光検出器、18
は第1及び第2の光検出器14,17の出力を受
けて演算処理を行う処理装置である。
る。図において、11は前述したと同様の輝尽性
蛍光体パネル、12は励起光が該輝尽性螢光体パ
ネル11に入射した際に生じる輝尽螢光を光検出
器まで導くフアイバ状の光伝導体、13は該光伝
導体12により導かれた光のうちから励起光を阻
止し、輝尽螢光のみを通過させる第1のフイル
タ、14は該フイルタの通過光(輝尽螢光)を電
気信号に変換する第1の光検出器である。15は
輝尽性螢光体パネル11からの反射励起光を光検
出器まで導くフアイバ状の光伝導体、16は該光
伝導体15により導かれた励起光の光量を減衰さ
せる第2のフイルタ、17は該フイルタ16の通
過光を電気信号に変換する第2の光検出器、18
は第1及び第2の光検出器14,17の出力を受
けて演算処理を行う処理装置である。
ここで、励起光としては、例えば、光エネルギ
ー密度の高いレーザが用いられ、輝尽性螢光体パ
ネル11としては、例えば、前述した0.1LaF3・
0.9BaFCl:Eu0.03螢光体が用いられる。輝尽性
螢光体として、0.1LaF3・0.9BaFCl:Eu0.03を用
いた場合、レーザとしては該螢光体の輝尽励起効
率の特に高いAr+(514・5nm)、YAG(532nm)
或いはHe−Ne(633nm)等が使用される。この
ように構成された装置の動作を説明すれば、以下
の通りである。
ー密度の高いレーザが用いられ、輝尽性螢光体パ
ネル11としては、例えば、前述した0.1LaF3・
0.9BaFCl:Eu0.03螢光体が用いられる。輝尽性
螢光体として、0.1LaF3・0.9BaFCl:Eu0.03を用
いた場合、レーザとしては該螢光体の輝尽励起効
率の特に高いAr+(514・5nm)、YAG(532nm)
或いはHe−Ne(633nm)等が使用される。この
ように構成された装置の動作を説明すれば、以下
の通りである。
励起光が輝尽性螢光体パネル11に入射する
と、該励起光は入射面で反射されると共に、輝尽
性螢光体パネル特有の輝尽螢光を生ずる。これら
の光は、フアイバ状の光伝導体12によつて第1
のフイルタ13まで導かれ、該フイルタで輝尽螢
光は励起光と分離される。分離された輝尽螢光
は、第1の光検出器14で電気信号に変換され処
理装置18に送られる。一方、もう1つの光伝導
体15には励起光の反射が導かれ第2のフイルタ
16に入る。この励起光は該第2のフイルタ16
によつて光量が減衰させられた後、第2の光検出
器17で電気信号に変換され、処理装置18に送
られる。
と、該励起光は入射面で反射されると共に、輝尽
性螢光体パネル特有の輝尽螢光を生ずる。これら
の光は、フアイバ状の光伝導体12によつて第1
のフイルタ13まで導かれ、該フイルタで輝尽螢
光は励起光と分離される。分離された輝尽螢光
は、第1の光検出器14で電気信号に変換され処
理装置18に送られる。一方、もう1つの光伝導
体15には励起光の反射が導かれ第2のフイルタ
16に入る。この励起光は該第2のフイルタ16
によつて光量が減衰させられた後、第2の光検出
器17で電気信号に変換され、処理装置18に送
られる。
第6図は光検出器の出力を示す模式図である。
aは第1の光検出器14の出力を、bは第2の光
検出器17の出力をそれぞれ示す。即ち、aは輝
尽螢光の発光を示しており、即ち画像情報であ
る。bは同一時刻における励起光の反射光の検出
信号である。bには励起光の反射光の他に輝尽螢
光も若干含まれているが、光強度は圧倒的に励起
光の方が強いのでほとんど問題とならない。尚、
輝尽螢光が無視できない程含まれている場合は、
第2のフイルタ16部分に輝尽螢光を阻止して励
起光のみ選択して透過させるフイルタを追加すれ
ばよい。第2の光検出器17の分光感度特性が、
輝尽螢光スペクトル部に強く偏つている場合につ
いても同様である。
aは第1の光検出器14の出力を、bは第2の光
検出器17の出力をそれぞれ示す。即ち、aは輝
尽螢光の発光を示しており、即ち画像情報であ
る。bは同一時刻における励起光の反射光の検出
信号である。bには励起光の反射光の他に輝尽螢
光も若干含まれているが、光強度は圧倒的に励起
光の方が強いのでほとんど問題とならない。尚、
輝尽螢光が無視できない程含まれている場合は、
第2のフイルタ16部分に輝尽螢光を阻止して励
起光のみ選択して透過させるフイルタを追加すれ
ばよい。第2の光検出器17の分光感度特性が、
輝尽螢光スペクトル部に強く偏つている場合につ
いても同様である。
第6図のA,A′部はそれぞれ輝尽性螢光体パ
ネル11のパネル面に傷又は汚れがあつた場合の
出力の低下を示している。パネル面に傷や汚れが
あると、第1及び第2の光検出器14,17の出
力は大きく変動し、通常は出力減少となる。処理
装置18は、通常第2の光検出器17の出力を基
準量と比較している。bのA′部に示すように光
検出器17の出力が減少すると、該光検出器17
の出力は基準量よりも低下する。従つて、処理装
置18は輝尽性螢光体パネル11のパネル面上に
傷或いは汚れがあることを認知することができ
る。このような場合、処理装置18は外部に警報
信号を出力する。操作者は、この警報信号により
輝尽性螢光体パネル11に傷或いは汚れがあるこ
とを知ることができる。
ネル11のパネル面に傷又は汚れがあつた場合の
出力の低下を示している。パネル面に傷や汚れが
あると、第1及び第2の光検出器14,17の出
力は大きく変動し、通常は出力減少となる。処理
装置18は、通常第2の光検出器17の出力を基
準量と比較している。bのA′部に示すように光
検出器17の出力が減少すると、該光検出器17
の出力は基準量よりも低下する。従つて、処理装
置18は輝尽性螢光体パネル11のパネル面上に
傷或いは汚れがあることを認知することができ
る。このような場合、処理装置18は外部に警報
信号を出力する。操作者は、この警報信号により
輝尽性螢光体パネル11に傷或いは汚れがあるこ
とを知ることができる。
輝尽性螢光体パネル11に異常が見つかつた場
合、装置全体としてはこのように傷乃至汚れのあ
るパネルは消去工程(図示せず)を実施せずに、
専用マガジンに回収される。輝尽性螢光体パネル
11に異常が見つかつた時点で、その異常パネル
による画像処理を行う必要がある場合、第1の光
検出器14の出力(画像情報信号)を補正するよ
うにする。このようにすれば、傷或いは汚れのあ
る輝尽性螢光体パネルから正確な画像情報を得る
ことができる。補正の方法としては、具体的には
傷の周辺の信号で、異常部の信号を補間する。或
いは異常出力直前の信号を用いて、異常部の信号
を置換する。このような処理はパネル面の傷或い
は汚れの数が少ない場合は極めて有効な補正方法
となる。第6図aのA部の破線は補正後の波形を
示す。
合、装置全体としてはこのように傷乃至汚れのあ
るパネルは消去工程(図示せず)を実施せずに、
専用マガジンに回収される。輝尽性螢光体パネル
11に異常が見つかつた時点で、その異常パネル
による画像処理を行う必要がある場合、第1の光
検出器14の出力(画像情報信号)を補正するよ
うにする。このようにすれば、傷或いは汚れのあ
る輝尽性螢光体パネルから正確な画像情報を得る
ことができる。補正の方法としては、具体的には
傷の周辺の信号で、異常部の信号を補間する。或
いは異常出力直前の信号を用いて、異常部の信号
を置換する。このような処理はパネル面の傷或い
は汚れの数が少ない場合は極めて有効な補正方法
となる。第6図aのA部の破線は補正後の波形を
示す。
本発明のような傷乃至汚れの検出手段を用いる
と、パネル面上のマークも同時に検出できること
から、パネル面上の一部乃至は全部に画像情報を
記録乃至は貼付しておき、その情報も自動的に認
識できるような機能を付加することもできる。更
に、輝尽性螢光体パネルに記録された画像情報の
みならず、それ以外の記録媒体の原稿の読取りを
行わせることが可能である。
と、パネル面上のマークも同時に検出できること
から、パネル面上の一部乃至は全部に画像情報を
記録乃至は貼付しておき、その情報も自動的に認
識できるような機能を付加することもできる。更
に、輝尽性螢光体パネルに記録された画像情報の
みならず、それ以外の記録媒体の原稿の読取りを
行わせることが可能である。
第5図に示す実施例においては、装置の小型化
のために画像情報の読取装置と、輝尽性螢光体パ
ネルの傷等検出装置を一体化しているが、それぞ
れの装置を独立にすることも可能である。又、パ
ネル面の傷等を検出するための光源も画像読出し
用のそれとは異ならしめてもよい。装置を独立に
する場合は、励起光として輝尽励起効率の低い波
長を主成分とする光を用い、画像情報読取りの前
にパネル面の傷等を検出するのがよい。尚、装置
を独立にする必要がない場合は、励起光としては
輝尽励起効率の高い波長を主成分とする光を用い
るようにしてもよい。又、本実施例においては、
光伝導体としてフアイバ束を用いて光を伝達した
が、同等な媒体若しくはレンズを用いることがで
きる。或いは光伝導体を全然用いなくてもよい。
光伝導体を用いない場合は、光電変換効率が下が
り、ダイナミツクレンジも下がるが、傷や汚れを
検出する場合には特に支障はない。更に、本実施
例ではパネル面の傷等の検出のために励起光を用
いて走査を行つたが、代わりにランプを使用して
レンズで結像し、その焦点位置に光電変換アレイ
を設置して検出することも可能である。尚、この
ときのランプとしては、消去工程に用いられるラ
ンプを兼用してもよいし、テレビカメラで検出す
るようにしてもよい。
のために画像情報の読取装置と、輝尽性螢光体パ
ネルの傷等検出装置を一体化しているが、それぞ
れの装置を独立にすることも可能である。又、パ
ネル面の傷等を検出するための光源も画像読出し
用のそれとは異ならしめてもよい。装置を独立に
する場合は、励起光として輝尽励起効率の低い波
長を主成分とする光を用い、画像情報読取りの前
にパネル面の傷等を検出するのがよい。尚、装置
を独立にする必要がない場合は、励起光としては
輝尽励起効率の高い波長を主成分とする光を用い
るようにしてもよい。又、本実施例においては、
光伝導体としてフアイバ束を用いて光を伝達した
が、同等な媒体若しくはレンズを用いることがで
きる。或いは光伝導体を全然用いなくてもよい。
光伝導体を用いない場合は、光電変換効率が下が
り、ダイナミツクレンジも下がるが、傷や汚れを
検出する場合には特に支障はない。更に、本実施
例ではパネル面の傷等の検出のために励起光を用
いて走査を行つたが、代わりにランプを使用して
レンズで結像し、その焦点位置に光電変換アレイ
を設置して検出することも可能である。尚、この
ときのランプとしては、消去工程に用いられるラ
ンプを兼用してもよいし、テレビカメラで検出す
るようにしてもよい。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
励起光の反射光を光電変換したものと基準量と比
較するようにすることにより、輝尽性螢光体パネ
ルのパネル面の傷乃至汚れの状態を検出すること
ができるようにした放射線画像情報読取装置の傷
検出装置を実現することができる。
励起光の反射光を光電変換したものと基準量と比
較するようにすることにより、輝尽性螢光体パネ
ルのパネル面の傷乃至汚れの状態を検出すること
ができるようにした放射線画像情報読取装置の傷
検出装置を実現することができる。
第1図は輝尽性螢光体への放射線画像の記録を
示す説明図、第2図は放射線画像情報読取装置の
従来例を示す構成図、第3図及び第4図は輝尽性
螢光体の輝尽発光スペクトルと輝尽励起スペクト
ルの関係を示す図、第5図は本発明の一実施例を
示す構成図、第6図は光検出器の出力波形を示す
図である。 1……放射線源、2……被写体、3……輝尽性
螢光体パネル、4……偏向器、5,12,15…
…光伝導体、6,14,17……光検出器、7,
13,16……フイルタ、8……画像処理装置、
9……表示装置、10……記録装置、18……処
理装置。
示す説明図、第2図は放射線画像情報読取装置の
従来例を示す構成図、第3図及び第4図は輝尽性
螢光体の輝尽発光スペクトルと輝尽励起スペクト
ルの関係を示す図、第5図は本発明の一実施例を
示す構成図、第6図は光検出器の出力波形を示す
図である。 1……放射線源、2……被写体、3……輝尽性
螢光体パネル、4……偏向器、5,12,15…
…光伝導体、6,14,17……光検出器、7,
13,16……フイルタ、8……画像処理装置、
9……表示装置、10……記録装置、18……処
理装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 輝尽性の螢光特性を有する輝尽性螢光体パネ
ルに励起光を照射する光照射手段と、該パネルか
ら反射する励起光の反射光を検出する光検出手段
と、該光検出手段からの出力を基準量と比較する
ことにより前記パネル面の傷乃至汚れの状態を検
出する傷検出手段とにより構成されてなる放射線
画像情報読取装置の傷検出装置。 2 前記励起光として前記輝尽性螢光体パネルの
輝尽螢光の励起効率の高い波長を主成分とするよ
うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の放射線画像情報読取装置の傷検出装置。 3 前記励起光として前記輝尽性螢光体パネルの
輝尽螢光の励起効率の低い波長を主成分とするよ
うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の放射線画像情報読取装置の傷検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59021264A JPS60165641A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 放射線画像情報読取装置の傷検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59021264A JPS60165641A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 放射線画像情報読取装置の傷検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60165641A JPS60165641A (ja) | 1985-08-28 |
JPH053567B2 true JPH053567B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=12050242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59021264A Granted JPS60165641A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 放射線画像情報読取装置の傷検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60165641A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62203460A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Canon Inc | 画像読取装置 |
JPS62203461A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Canon Inc | 画像読取方式 |
JPH0681223B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1994-10-12 | コニカ株式会社 | 放射線画像読取装置 |
US5151596A (en) * | 1990-03-28 | 1992-09-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for detecting the location of a pattern in a radiation image stored on a stimulable phosphor sheet |
JPH0490983U (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-07 | ||
JP5792612B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-10-14 | 株式会社日立製作所 | 放射線強度計測装置 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59021264A patent/JPS60165641A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60165641A (ja) | 1985-08-28 |
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