JPS60151988A - チツプ型バリスタ - Google Patents
チツプ型バリスタInfo
- Publication number
- JPS60151988A JPS60151988A JP806684A JP806684A JPS60151988A JP S60151988 A JPS60151988 A JP S60151988A JP 806684 A JP806684 A JP 806684A JP 806684 A JP806684 A JP 806684A JP S60151988 A JPS60151988 A JP S60151988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- varistor element
- opposing
- chip type
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
不発すＪはリード線を用いず、プリン）・基板へ直接実
装可ｆ」Ｌなチップ型バリスタに関するものである。
装可ｆ」Ｌなチップ型バリスタに関するものである。
従来列の構成とその問題点
近年、電気機器の小型軽量化、組立工程の自動化に伴な
い、チップ型の電子部品が利用されるようになってきた
。各種電気機器のサージ対策、直流電源の安定化等に用
いられるバリスタもチップタイプが利用されるようにな
ってきた。
い、チップ型の電子部品が利用されるようになってきた
。各種電気機器のサージ対策、直流電源の安定化等に用
いられるバリスタもチップタイプが利用されるようにな
ってきた。
以下、図面を参照しながら、前述したような従来のチッ
プ型バリスタについて説明する。
プ型バリスタについて説明する。
第１図は従来のチップ型バリスタの斜視図を示すもので
、第２図は同従来例の正面断面図を示すものである。第
１図、第２図において、１はバリスタ素子で、電圧に依
存して抵抗値が変化する特性を有する。２および３はバ
リスタ素子１の相対する両面に両側面をそれぞれ介して
対面の一部分寸で連接するように形成された対向電極で
ある。
、第２図は同従来例の正面断面図を示すものである。第
１図、第２図において、１はバリスタ素子で、電圧に依
存して抵抗値が変化する特性を有する。２および３はバ
リスタ素子１の相対する両面に両側面をそれぞれ介して
対面の一部分寸で連接するように形成された対向電極で
ある。
以上のように構成されたチップ型バリスタについて、以
下その動作について説明する。
下その動作について説明する。
まず、対向電極２，３間に瞬間的な過電圧が加わった場
合、バリスタ素子１の抵抗値が急激に１氏下し、バリス
タ素子１に電流が流れてサージ吸収を行う。したがって
、対向１極２，３間の過電圧は抑制される。
合、バリスタ素子１の抵抗値が急激に１氏下し、バリス
タ素子１に電流が流れてサージ吸収を行う。したがって
、対向１極２，３間の過電圧は抑制される。
前記の構成において、バリスタ素子１面上での対向電極
２，３間の距離ｔ２がバリスタ素子１の厚みｔｌより小
さい場合、サージ吸収は１２間のみで行われるため、サ
ージ吸収能力は極めて低くなる。したがって、前記構成
においてサージ吸収作用をバリスタ素子１内部で行わせ
るためには、ｔｌ＞ｔｌ という条件が必要である。し
かしながら、ｔｌ：＞ｔ＋ という条件を満足するため
にｔｌを大きくとると、対向電極２と３が互いに重なり
合う面積が小さくなり、サージ吸収能力が低くなるとい
う欠点がある。この欠点を除去したチップ型ノ（リスク
の開発が望まれていた。
２，３間の距離ｔ２がバリスタ素子１の厚みｔｌより小
さい場合、サージ吸収は１２間のみで行われるため、サ
ージ吸収能力は極めて低くなる。したがって、前記構成
においてサージ吸収作用をバリスタ素子１内部で行わせ
るためには、ｔｌ＞ｔｌ という条件が必要である。し
かしながら、ｔｌ：＞ｔ＋ という条件を満足するため
にｔｌを大きくとると、対向電極２と３が互いに重なり
合う面積が小さくなり、サージ吸収能力が低くなるとい
う欠点がある。この欠点を除去したチップ型ノ（リスク
の開発が望まれていた。
発明の目的
本発明は前記のような従来の欠点に鑑み、サージ吸収能
力の高いチップ型バリスタを提供しようとするものでり
る。
力の高いチップ型バリスタを提供しようとするものでり
る。
発明の樋底
この目的を達成するために本発明のチップ型バリスタは
、角板状バリスタ素子の相対する両面の両端部に凸部金
膜け、前記角板状バリスタ素子の相対する両面に両側面
をそれぞれ介して対面の凸部まで連接するよう対向電極
を形成した構成にされている。この構成によって、対向
電極が互いに重なり合う面積を大きくすることができ、
サージ吸収能力の高いチップ型バリスタを実現すること
ができることとなる。
、角板状バリスタ素子の相対する両面の両端部に凸部金
膜け、前記角板状バリスタ素子の相対する両面に両側面
をそれぞれ介して対面の凸部まで連接するよう対向電極
を形成した構成にされている。この構成によって、対向
電極が互いに重なり合う面積を大きくすることができ、
サージ吸収能力の高いチップ型バリスタを実現すること
ができることとなる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第３図は本発明の一実施例におけるチップ型
バリスタの斜視図である。第４図は同実施例の正面断面
図を示すものである。第３図および第４図において、４
は角板形状の相対する両面の両端部に凸部を設けたバリ
スタ素子で、電圧に依存して抵抗値が変化する特性を有
する。
説明する。第３図は本発明の一実施例におけるチップ型
バリスタの斜視図である。第４図は同実施例の正面断面
図を示すものである。第３図および第４図において、４
は角板形状の相対する両面の両端部に凸部を設けたバリ
スタ素子で、電圧に依存して抵抗値が変化する特性を有
する。
５および６はバリスタ素子４の相対する両面に両側面を
それぞれ介して対面の凸部まで連接するよう形成された
対向電極である。ここで、対向電極６．６間のバリスタ
素子４面上における距離（ｔ３＋ｔ４）がバリスタ素子
４の厚みｔｌより長くなるように対向電極６，６を設け
ている。
それぞれ介して対面の凸部まで連接するよう形成された
対向電極である。ここで、対向電極６．６間のバリスタ
素子４面上における距離（ｔ３＋ｔ４）がバリスタ素子
４の厚みｔｌより長くなるように対向電極６，６を設け
ている。
以上のように構成されたチップ型バリスタについて、以
下その動作について説明する。まず、対向電極６，６間
に瞬間的な過電圧が加わった場合、バリスタ素子４の抵
抗値が急激に低下し、バリスタ素子４に電流が流れてサ
ージ吸収を行う。したがって、対向電極６，６間の過電
圧は抑制される。
下その動作について説明する。まず、対向電極６，６間
に瞬間的な過電圧が加わった場合、バリスタ素子４の抵
抗値が急激に低下し、バリスタ素子４に電流が流れてサ
ージ吸収を行う。したがって、対向電極６，６間の過電
圧は抑制される。
バリスタのサージ吸収作用は電極間距離の最短部分のみ
で行われるため、第４図において、（ｔ３＋ ｔ４）＜
ｔ＋ の場合、サージ吸収作用はバリスタ素子４の表面
部のみで行われるため、サージ吸収能力は極めて１氏い
。したがって、本実施例においては、（ｔｓ ＋ ｔ４
）’＞ ｔ＋ となるように対向電極５，６を設けてい
る。この場合、サージ吸収作用はバリスタ素子４内部で
行われ、そのサージ吸収能力は対向ｉＬ極６，６が互い
に重なり合う面積に比例する。
で行われるため、第４図において、（ｔ３＋ ｔ４）＜
ｔ＋ の場合、サージ吸収作用はバリスタ素子４の表面
部のみで行われるため、サージ吸収能力は極めて１氏い
。したがって、本実施例においては、（ｔｓ ＋ ｔ４
）’＞ ｔ＋ となるように対向電極５，６を設けてい
る。この場合、サージ吸収作用はバリスタ素子４内部で
行われ、そのサージ吸収能力は対向ｉＬ極６，６が互い
に重なり合う面積に比例する。
本実施例のチップ型バリスタのサージ吸収能力と、ｔｉ
ｉｌ記の従来例のチップ型バリスタのサージ吸収能力を
比較する。比較のため、本実施例のチップ型バリスタと
、前記従来例のチップ型バリスタのたて、よこ、厚みの
寸法を同一とし、それぞれ人、 Ｂ 、 ｔ、とする。
ｉｌ記の従来例のチップ型バリスタのサージ吸収能力を
比較する。比較のため、本実施例のチップ型バリスタと
、前記従来例のチップ型バリスタのたて、よこ、厚みの
寸法を同一とし、それぞれ人、 Ｂ 、 ｔ、とする。
そして、サージ吸収能力は対向電極が互いに重なり合う
面積に比例する。本実施例の対向電極６，６の重なり合
う面積を８１とすると、 Ｓ、＝ムｘ （Ｂ −２（ｔ５＋ｔ５＋ｔ６ ） ）で
ある。前記の従来例の対向電極２，３の重なり合う面積
を８２とすると、 Ｓ２−ムｘ （Ｂ −２（ｔ２＋ｔ６） ）である。こ
こで、サージ吸収作用がバリスタ内部で行われる限界条
件は本実施例の場合、１５＋１４＝１゜で、前記の従来
例の場合は１２＝ １．である。したがって、この場合
、１２＝ ｔ’、 ＝ ｔ３＋ ｔ４） ｔｓ−１−ｔ
ｓ となるから、Ｓｌ〉Ｓ２ となる。
面積に比例する。本実施例の対向電極６，６の重なり合
う面積を８１とすると、 Ｓ、＝ムｘ （Ｂ −２（ｔ５＋ｔ５＋ｔ６ ） ）で
ある。前記の従来例の対向電極２，３の重なり合う面積
を８２とすると、 Ｓ２−ムｘ （Ｂ −２（ｔ２＋ｔ６） ）である。こ
こで、サージ吸収作用がバリスタ内部で行われる限界条
件は本実施例の場合、１５＋１４＝１゜で、前記の従来
例の場合は１２＝ １．である。したがって、この場合
、１２＝ ｔ’、 ＝ ｔ３＋ ｔ４） ｔｓ−１−ｔ
ｓ となるから、Ｓｌ〉Ｓ２ となる。
したがって、本実施例のチップ型バリスタのサージ吸収
能力は前記の従来例のチップ型バリスタのサージ吸収能
力より高い。
能力は前記の従来例のチップ型バリスタのサージ吸収能
力より高い。
なお、本実施例においては、バリスタ素子４の相対する
両面の両端部に設けた凸部をバリスタ素子４のたて寸法
全体に設けたが、第６図の斜視図および第６図の正面断
面図は示す他の実施例のように、バリスタ素子４に設け
た凸部をバリスタ素子４のたて寸法より短くしても同様
の効果を得ることができる。
両面の両端部に設けた凸部をバリスタ素子４のたて寸法
全体に設けたが、第６図の斜視図および第６図の正面断
面図は示す他の実施例のように、バリスタ素子４に設け
た凸部をバリスタ素子４のたて寸法より短くしても同様
の効果を得ることができる。
発明の効果
以上のように、本発明は角板状バリスタ素子の相対する
両面の両端部に凸部を設け、前記角板状バリスタ素子の
相対する両面に両側面をそれぞれ介して対面の凸部壕で
連接するように対向電極を設けて、前記バリスタ素子面
上における前記対向電極間距離を前記バリスタ素子厚よ
り大きくすることにより、サージ吸収納力を高くするこ
とができ、その実用効果は犬なるものである。
両面の両端部に凸部を設け、前記角板状バリスタ素子の
相対する両面に両側面をそれぞれ介して対面の凸部壕で
連接するように対向電極を設けて、前記バリスタ素子面
上における前記対向電極間距離を前記バリスタ素子厚よ
り大きくすることにより、サージ吸収納力を高くするこ
とができ、その実用効果は犬なるものである。
第１図は従来のチップ型バリスタを示す宗１祝図、第２
図は同従来例の正面断面図、第３図は本発明の一実施例
におけるチップ型バリスタを示す斜視図、第４図は同実
施例の正面断面図、第６図は本発明の他の実施例におけ
るチップ型バリスタを示す斜視図、第６図は同他の実施
例の正面断面図で−ある。 ４・・・・バリスタ素子、６，６・・・・・・対向電極
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 第３図 第４図 ｔ、ｃ 第５図 第 ６ 図
図は同従来例の正面断面図、第３図は本発明の一実施例
におけるチップ型バリスタを示す斜視図、第４図は同実
施例の正面断面図、第６図は本発明の他の実施例におけ
るチップ型バリスタを示す斜視図、第６図は同他の実施
例の正面断面図で−ある。 ４・・・・バリスタ素子、６，６・・・・・・対向電極
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 第３図 第４図 ｔ、ｃ 第５図 第 ６ 図
Claims (1)
- 角板状バリスタ素子の相対する両面の両端部に凸部を設
け、前記角板状バリスタ素子の相対する両面に両側面を
それぞれ介して対面の凸部まで連接するよう対向電極を
形成し、前記バリスタ素子面上における前記対向電極間
距離を前記バリスタ素子厚より大きくしてなるデツプ型
バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806684A JPS60151988A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806684A JPS60151988A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60151988A true JPS60151988A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0580116B2 JPH0580116B2 (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=11682968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP806684A Granted JPS60151988A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60151988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236502U (ja) * | 1985-08-21 | 1987-03-04 | ||
| JPS62126801U (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-12 |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP806684A patent/JPS60151988A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236502U (ja) * | 1985-08-21 | 1987-03-04 | ||
| JPS62126801U (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580116B2 (ja) | 1993-11-05 |
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