JPS6014465A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野ン
、二の発明は、電気的に良好な半導体装置を高歩留で得
ることのできる半導体集積回路の製造方法に関する。
ることのできる半導体集積回路の製造方法に関する。
（従来技術）
従来のバイポーラ型半導体装置の製造方法は第１図（ａ
）ないし第１図（Ｃ）に示す通りである。すなわち、第
１図（ａ）に示すように、Ｐ型のシリコン基板１の所望
の場所に選択的に埋込拡散２を形成し、その上にエピタ
キシャル成長を行って、エピタキシャル成長層４を形成
し、しかる後、このエピタキシャル成長層４を電気的に
分離すべく、シリコン基板１と同じ導電型を有する不純
物を選択的に拡散する。
）ないし第１図（Ｃ）に示す通りである。すなわち、第
１図（ａ）に示すように、Ｐ型のシリコン基板１の所望
の場所に選択的に埋込拡散２を形成し、その上にエピタ
キシャル成長を行って、エピタキシャル成長層４を形成
し、しかる後、このエピタキシャル成長層４を電気的に
分離すべく、シリコン基板１と同じ導電型を有する不純
物を選択的に拡散する。
かくして、コンデンサなどの素子を形成するための分離
エピタキシャル領域、すなわち、アイツレ−ジョン拡散
Ｎ ３ ’ｉ得るためのアイソレーション処理を完了す
る。
エピタキシャル領域、すなわち、アイツレ−ジョン拡散
Ｎ ３ ’ｉ得るためのアイソレーション処理を完了す
る。
次に、このアイソレーション完了ウェハを熱酸化し・そ
の後に続くペース拡散を行うための選択拡散用のマスク
酸化１反５を得る。
の後に続くペース拡散を行うための選択拡散用のマスク
酸化１反５を得る。
次に、第１図（ｂ）に示すごとく、マスク酸化膜５を写
真食刻し、トランジスタのペース拡散部分を開窓し、し
かる後、このペース領域にＰ型不純物全ドーピングし、
ペース拡散層６を形成し、さらに酸化性雰囲気で熱処理
を行い、所望のペース接合深度を得るとともに、ペース
拡散層６の上部にペース酸化膜７を得る。
真食刻し、トランジスタのペース拡散部分を開窓し、し
かる後、このペース領域にＰ型不純物全ドーピングし、
ペース拡散層６を形成し、さらに酸化性雰囲気で熱処理
を行い、所望のペース接合深度を得るとともに、ペース
拡散層６の上部にペース酸化膜７を得る。
次に、第１図（ｃ）に示すごとく、エミッタ拡散を行う
ために、写真食刻により、ペース酸化膜７全開窓してエ
ミッタ拡散窓ａを形成する。
ために、写真食刻により、ペース酸化膜７全開窓してエ
ミッタ拡散窓ａを形成する。
なお、この工程で同時にコレクタ・コンタクト拡散窓９
についても不純物を拡散するために、開窓するのが普通
である。
についても不純物を拡散するために、開窓するのが普通
である。
これはこの部分にもＮ型不純物をエミッタ拡散と同時に
拡散してコレクタ電極取出し部分のエピタキシャル層の
抵抗を下げて、トランジスタの飽和特性を改善するため
と、後の電極取出しの際の配線金属との合金処理におけ
るオーミック性を改善する目的で行うものである。
拡散してコレクタ電極取出し部分のエピタキシャル層の
抵抗を下げて、トランジスタの飽和特性を改善するため
と、後の電極取出しの際の配線金属との合金処理におけ
るオーミック性を改善する目的で行うものである。
ところで、エミッタ拡散窓８とコレクタ・コンタクト拡
散窓９で開窓すべき酸化膜の厚さは異なる。すなわち、
一般にマスク酸化膜５の方が、ペース酸化膜７よりも厚
い。したがって、この工程における酸化膜エツチングに
おいて、両方を同一工程で開窓するためには、ペース酸
化ＪＩｒＡ７の開窓が完了しても引き続き、マスク酸化
膜５の開窓が完了し、コレクタ・コンタクト拡散窓９が
出現するまでエツチングを継続する必要があった。
散窓９で開窓すべき酸化膜の厚さは異なる。すなわち、
一般にマスク酸化膜５の方が、ペース酸化膜７よりも厚
い。したがって、この工程における酸化膜エツチングに
おいて、両方を同一工程で開窓するためには、ペース酸
化ＪＩｒＡ７の開窓が完了しても引き続き、マスク酸化
膜５の開窓が完了し、コレクタ・コンタクト拡散窓９が
出現するまでエツチングを継続する必要があった。
その結果、エミッタ拡散窓８の）ｆｂ分については、オ
ーバーエツチングとなシ、その結果、この部分において
、サイドエッチが起シ、エミッタサイズが設計目標値よ
シずれた）、ばらついたシすることが判っている。
ーバーエツチングとなシ、その結果、この部分において
、サイドエッチが起シ、エミッタサイズが設計目標値よ
シずれた）、ばらついたシすることが判っている。
このため、徽細なエミッタサイズが要求される高速論理
動作用集積回路や高周波集積回路を製造するプロセスと
しては不向きであった。
動作用集積回路や高周波集積回路を製造するプロセスと
しては不向きであった。
さらに、コレクタ・コンタクト領域については、酸化膜
の段差が大きいため、その後の工程で形成される金属配
線膜がこの段差部分で切れる、いわゆる、段切れによる
歩留低下の危険が大きかった。
の段差が大きいため、その後の工程で形成される金属配
線膜がこの段差部分で切れる、いわゆる、段切れによる
歩留低下の危険が大きかった。
（発明の目的）
この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、エミッタのエミッタボトエッテ工程の精度を大
幅に向上でき、高速論理動作が要求される集積回路や高
周波集積回路に用いて、特性安定化に寄与できる半導体
集積回路の製造方法を提供することを目的とする。
もので、エミッタのエミッタボトエッテ工程の精度を大
幅に向上でき、高速論理動作が要求される集積回路や高
周波集積回路に用いて、特性安定化に寄与できる半導体
集積回路の製造方法を提供することを目的とする。
（発明の構成う
この発明の半導体集積回路は、半導体ウェハの上部に形
成されたマスク酸化膜にベース拡散窓を形成して不純物
をドーピングすることにょシペース拡散層を形成し、こ
のペース拡散層の形成後マスク酸化膜をエツチングして
コレクタ・コンタクト領域を開窓し、このコレクタ・コ
ンタクト領域の開窓後、このコレクタ・コンタクト領域
とベース拡散窓の部分を同じ厚さに熱酸化膜を形成し、
この熱酸化膜にエミッタ拡散窓とコレクタ・コンタクト
拡散窓をエツチングにょシ同時に形成するようにしたも
のである。
成されたマスク酸化膜にベース拡散窓を形成して不純物
をドーピングすることにょシペース拡散層を形成し、こ
のペース拡散層の形成後マスク酸化膜をエツチングして
コレクタ・コンタクト領域を開窓し、このコレクタ・コ
ンタクト領域の開窓後、このコレクタ・コンタクト領域
とベース拡散窓の部分を同じ厚さに熱酸化膜を形成し、
この熱酸化膜にエミッタ拡散窓とコレクタ・コンタクト
拡散窓をエツチングにょシ同時に形成するようにしたも
のである。
（実施例）
以下、この発明の半導体集積回路の実施例について図面
に基づき説明する。第２図（ａ）ないし第２図（ａ）は
その一実施例の工程説明図である。この第２図（ａ）〜
第２図（ｄ）において、第１図（ａ）〜第１図（Ｃ）と
同一部分には同一符号を付して述べる。
に基づき説明する。第２図（ａ）ないし第２図（ａ）は
その一実施例の工程説明図である。この第２図（ａ）〜
第２図（ｄ）において、第１図（ａ）〜第１図（Ｃ）と
同一部分には同一符号を付して述べる。
まず、第２図（ａ）において、シリコン基板１に埋込拡
散２を形成し、しかる後エピタキシャル成長を行い、エ
ピタキシャル成長層４を形成し、さらにアイソレーショ
ン拡散層３全実施して、各素子間を分離する。
散２を形成し、しかる後エピタキシャル成長を行い、エ
ピタキシャル成長層４を形成し、さらにアイソレーショ
ン拡散層３全実施して、各素子間を分離する。
次にエピタキシャル成長層４を熱酸化し、熱酸化膜すな
わち、マスク酸化膜２１を形成ししかる後、このマスク
酸化膜２１についてベース拡散窓２４を開窓し、このベ
ース拡散窓２４に＋ｌ＜’ロンなどのＰ型不純物をドー
ピングし、ＩＫロンドーピングペース層２３を形成する
。以上までは従来の製造方法と何等変るところはない。
わち、マスク酸化膜２１を形成ししかる後、このマスク
酸化膜２１についてベース拡散窓２４を開窓し、このベ
ース拡散窓２４に＋ｌ＜’ロンなどのＰ型不純物をドー
ピングし、ＩＫロンドーピングペース層２３を形成する
。以上までは従来の製造方法と何等変るところはない。
次に第２図（ｂ）に示すごとく、ホトエラチェ程によシ
マスフ酸化膜２１をエツチングし、以降の工程でコレク
タ・コンタクト領域２２を開窓する。
マスフ酸化膜２１をエツチングし、以降の工程でコレク
タ・コンタクト領域２２を開窓する。
しかる後、第２図（ｃ）に示すごとく、酸化性雰囲気中
でペースのＰ型不純物の引き伸し、拡散を実施し所望の
ペース２８の接合深度を得るとともにコレクタ・コンタ
クト領域２２ ｓ ’ボロンドーピング・ベース層２３
の領域にそれぞれ所定の熱酸化膜２５を形成する。
でペースのＰ型不純物の引き伸し、拡散を実施し所望の
ペース２８の接合深度を得るとともにコレクタ・コンタ
クト領域２２ ｓ ’ボロンドーピング・ベース層２３
の領域にそれぞれ所定の熱酸化膜２５を形成する。
次に第２図（ｄ）に示すごとく、エミッタおよびコレク
タ・コンタクト領域のＮ型不純物全拡散するために、熱
酸化膜２５を開窓すべくホトエッチを行い、エミッタ拡
散窓２６、コレクタ・コンタクト拡散窓２７を形成する
。以後、通常の工程に基づきＮ型不純物拡散、コンタク
トホトエッチ、および配線工程金繰て、集積回路を完成
させる。
タ・コンタクト領域のＮ型不純物全拡散するために、熱
酸化膜２５を開窓すべくホトエッチを行い、エミッタ拡
散窓２６、コレクタ・コンタクト拡散窓２７を形成する
。以後、通常の工程に基づきＮ型不純物拡散、コンタク
トホトエッチ、および配線工程金繰て、集積回路を完成
させる。
以上説明したように上記実施例では、エミッタ拡散窓２
６全開窓する際に、コレクタ・コンタクト拡散窓２７も
同時に開窓するが、いずれも同じ厚さの熱酸化膜である
ため、エミッタ拡散窓２６のエツチングの終了と、コレ
クタ・コンタクト拡散窓２７のエツチングの終了が一致
する。
６全開窓する際に、コレクタ・コンタクト拡散窓２７も
同時に開窓するが、いずれも同じ厚さの熱酸化膜である
ため、エミッタ拡散窓２６のエツチングの終了と、コレ
クタ・コンタクト拡散窓２７のエツチングの終了が一致
する。
したがって従来の工程のごとく、エミッタ拡散窓２６で
オーバーエッチが発生し、開窓サイズが増大した９ばら
ついたシすることがなくなる。
オーバーエッチが発生し、開窓サイズが増大した９ばら
ついたシすることがなくなる。
また、コレクタ・コンタクト拡散窓２７の周辺の熱酸化
膜の段がマスク酸化Ｊ！祢２１と熱酸化膜２５との２段
となるため、この上部に位置する金属配線層の段差もゆ
るやかに゛なシ、配線段切れによる歩留低下も防げる。
膜の段がマスク酸化Ｊ！祢２１と熱酸化膜２５との２段
となるため、この上部に位置する金属配線層の段差もゆ
るやかに゛なシ、配線段切れによる歩留低下も防げる。
（発明の効果）
以上のようにこの発明の半導体集積回路の製造方法によ
れば、半導体ウェハの上部に酸化膜を形成して、ベース
拡散窓を形成してペース領域に不純物全ドーピングし、
コレクタ・コンタクト領域を開窓した後、同一厚さの熱
酸化膜を形成した後との熱酸化膜全エツチングしてエミ
ッタ拡散窓とコレクタ・コンタクト拡散窓を同時に形成
するようにしたので、エミッタ・ホトエッチ工程の精度
を大巾に向上でき、高速論理動作を要求される集積回路
や、高周波集積回路に用いることによりこれらの集積回
路の特性安定化に寄与するところ大である。
れば、半導体ウェハの上部に酸化膜を形成して、ベース
拡散窓を形成してペース領域に不純物全ドーピングし、
コレクタ・コンタクト領域を開窓した後、同一厚さの熱
酸化膜を形成した後との熱酸化膜全エツチングしてエミ
ッタ拡散窓とコレクタ・コンタクト拡散窓を同時に形成
するようにしたので、エミッタ・ホトエッチ工程の精度
を大巾に向上でき、高速論理動作を要求される集積回路
や、高周波集積回路に用いることによりこれらの集積回
路の特性安定化に寄与するところ大である。
第１図（ａ）ないし第１図（ｃ）は従来の半導体集積回
路の製造方法を示す工程説明図、第２図（ａ）ないし第
２図（ｄ）は４この発明の半導体集積回路の製造方法の
一実施例の工程説明図である。 １・・・シリコン基板、２・・・埋込拡散層、３・・・
アイソレーション拡散層、４・・・エピタキシャル成長
層。 ２１・・・マスク酸化膜、２２・・・コレクタ・コンタ
ク）領域、２３・・ボロンドーピング・ベース層、２４
・・・ベース拡散窓、２５・・・ペース・ドライブイン
酸化膜、２６・・・エミッタ拡散窓、２７・・・コレク
タ・コンタクト拡散窓、２８・・ペース。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 手続補正書 昭和５８年１２月２３１］ 特許庁長官若 杉 和 夫殿 １、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１２０９４８２、発明の名称 半導体集積回路の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の榴 ７、補正の内容 別紙の通り ７ 補正の内容 １）明細書６頁６行「実施」を「形成」と訂正する。 ２）同６頁１６行および１７行「以降の工程で」全削除
する。 ３）同１６頁１７行「開窓する。」紫「開窓する。 この際、開窓これるコレクタ・コンタクト領域２２を、
後の工程で開窓芒れるコレクタ・コンタクト拡散窓２７
よｐも大きめに開窓するとよい。」と訂正する。 ４）同６貞１９行「伸し、拡散」を「伸し拡散」と訂正
する。 ５）同７頁５行「領域の」を「領域に」と削正する。
路の製造方法を示す工程説明図、第２図（ａ）ないし第
２図（ｄ）は４この発明の半導体集積回路の製造方法の
一実施例の工程説明図である。 １・・・シリコン基板、２・・・埋込拡散層、３・・・
アイソレーション拡散層、４・・・エピタキシャル成長
層。 ２１・・・マスク酸化膜、２２・・・コレクタ・コンタ
ク）領域、２３・・ボロンドーピング・ベース層、２４
・・・ベース拡散窓、２５・・・ペース・ドライブイン
酸化膜、２６・・・エミッタ拡散窓、２７・・・コレク
タ・コンタクト拡散窓、２８・・ペース。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 手続補正書 昭和５８年１２月２３１］ 特許庁長官若 杉 和 夫殿 １、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１２０９４８２、発明の名称 半導体集積回路の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の榴 ７、補正の内容 別紙の通り ７ 補正の内容 １）明細書６頁６行「実施」を「形成」と訂正する。 ２）同６頁１６行および１７行「以降の工程で」全削除
する。 ３）同１６頁１７行「開窓する。」紫「開窓する。 この際、開窓これるコレクタ・コンタクト領域２２を、
後の工程で開窓芒れるコレクタ・コンタクト拡散窓２７
よｐも大きめに開窓するとよい。」と訂正する。 ４）同６貞１９行「伸し、拡散」を「伸し拡散」と訂正
する。 ５）同７頁５行「領域の」を「領域に」と削正する。
Claims (1)
- 半導体ウェハの上部に形成されたマスク酸化膜にペース
拡散窓を形成して不純物をドーピングしてペース拡散層
を形成する工程と、この不純物のドーピング後上記マス
ク酸化膜をエツチングしてコレクタ・コンタクト領域を
開窓する工程と、このコレクタ・コンタクト領域の開窓
後このコレクタ・コンタクト領域と上記ペース拡散窓の
部分に同じ膜厚の熱酸化膜？形成してこの熱酸化膜にエ
ミッタ拡散窓とコレクタ・コンタクト拡散窓全エツチン
グにより形成する工程とよりなる半導体集積回路の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12094883A JPS6014465A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12094883A JPS6014465A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014465A true JPS6014465A (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=14798932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12094883A Pending JPS6014465A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6032421A (en) * | 1996-11-28 | 2000-03-07 | Yamada; Susumu | Structural blocks for building a basement, block manufacturing method, block transporting method, and block installing method |
| JP2009243793A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | ヒートポンプ式給湯用室外機 |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP12094883A patent/JPS6014465A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6032421A (en) * | 1996-11-28 | 2000-03-07 | Yamada; Susumu | Structural blocks for building a basement, block manufacturing method, block transporting method, and block installing method |
| JP2009243793A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | ヒートポンプ式給湯用室外機 |
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