JPS5871655A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5871655A JPS5871655A JP16990181A JP16990181A JPS5871655A JP S5871655 A JPS5871655 A JP S5871655A JP 16990181 A JP16990181 A JP 16990181A JP 16990181 A JP16990181 A JP 16990181A JP S5871655 A JPS5871655 A JP S5871655A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1004—Base region of bipolar transistors
-
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/42304—Base electrodes for bipolar transistors
-
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- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、特に多結晶シリコン層を拡
散源として工＜ツタ拡散を行なう場合の拡散モニター用
トランジスタとして有用な相違を有するバイポーラ半導
体装置に係る。
散源として工＜ツタ拡散を行なう場合の拡散モニター用
トランジスタとして有用な相違を有するバイポーラ半導
体装置に係る。
パイ？−ラ半導体装置の製造においては、ペース領域を
形成するための拡散工程を終了した後、エミッタ領域の
拡散工程を実施するに先立って、適正なβ値（電流増幅
率）を有するパイポ〜ラトランノスタを形成するための
エミ、り拡散条件を設定するために、ペース拡散を終了
した各ロット毎に先行拡散試験が行なわれる。
形成するための拡散工程を終了した後、エミッタ領域の
拡散工程を実施するに先立って、適正なβ値（電流増幅
率）を有するパイポ〜ラトランノスタを形成するための
エミ、り拡散条件を設定するために、ペース拡散を終了
した各ロット毎に先行拡散試験が行なわれる。
この場合、各ロット毎の精密な拡散条件の決定は、先行
拡散によシエミッタ領域を形成したバイポーラトランジ
スタのβ値および各接合耐圧をチェ、りし、そのときの
先行拡散における条件をモニターすることによって行な
う、そして、このような目的で形成されるモニタートラ
ンジスタとしては、一般に、実際の回路素子として形成
されるバイポーラトランジスタよシも極端に大きなトラ
ンジスタが用いられる。これは、エミッタ拡散のマスク
に使用した絶縁膜を剥離することによシエミッタ、ペー
スおよびコレクタ領域に直接グローブし、電極を形成す
ることなく迅速に特性チェックを行なえるようにするた
めであシ、もし、モニタートランジスタが実際のトラン
ジスタと同じ大きさであれば、上記のように各領域に直
接グローブすることは不可能だからである。ところが、
このように大きなモニタートラン、ジスタの特性は実際
の回路素子として形成されるバイポーラトランジスタの
特性に必しも一致しなかった）、マた各拡散領域に直接
グローブすることから浅い接合を有するバイポーラトラ
ンジスタの場合にはプローブの除の針圧の加え方によっ
て測定値が異なることがある九め、精密な拡散モニター
ができないという問題があった。
拡散によシエミッタ領域を形成したバイポーラトランジ
スタのβ値および各接合耐圧をチェ、りし、そのときの
先行拡散における条件をモニターすることによって行な
う、そして、このような目的で形成されるモニタートラ
ンジスタとしては、一般に、実際の回路素子として形成
されるバイポーラトランジスタよシも極端に大きなトラ
ンジスタが用いられる。これは、エミッタ拡散のマスク
に使用した絶縁膜を剥離することによシエミッタ、ペー
スおよびコレクタ領域に直接グローブし、電極を形成す
ることなく迅速に特性チェックを行なえるようにするた
めであシ、もし、モニタートランジスタが実際のトラン
ジスタと同じ大きさであれば、上記のように各領域に直
接グローブすることは不可能だからである。ところが、
このように大きなモニタートラン、ジスタの特性は実際
の回路素子として形成されるバイポーラトランジスタの
特性に必しも一致しなかった）、マた各拡散領域に直接
グローブすることから浅い接合を有するバイポーラトラ
ンジスタの場合にはプローブの除の針圧の加え方によっ
て測定値が異なることがある九め、精密な拡散モニター
ができないという問題があった。
そこで、本願の発明者らは不純物添加多結晶シリコン層
を拡散源として接合の浅いバイポーラ半導体装置を製造
する際の先行拡散試験用として、第１図（Ａ）、（Ｂ）
に示す構造のモニタートランジスタを先に提案した。こ
れらの図において、１はｐ型シリコン基板である。該ｐ
型シリコン基板１にはｎ型コレクタ領域２が形成されて
いる。該ｎ型コレクタ領域２にはｐ型ベース領域３が形
成され、このｐ型ベース領域３にはｎ型工（ツタ領域４
が形成されている。
を拡散源として接合の浅いバイポーラ半導体装置を製造
する際の先行拡散試験用として、第１図（Ａ）、（Ｂ）
に示す構造のモニタートランジスタを先に提案した。こ
れらの図において、１はｐ型シリコン基板である。該ｐ
型シリコン基板１にはｎ型コレクタ領域２が形成されて
いる。該ｎ型コレクタ領域２にはｐ型ベース領域３が形
成され、このｐ型ベース領域３にはｎ型工（ツタ領域４
が形成されている。
前記ｎ型コレクタ領域２と基板１の界面付近にはコレク
タ抵抗を低減するためのｎ型埋込層５が形成され、ま九
ｎ型コレクタ領域２０表層にはｎ＋型コレクタ電極取出
領域６が形成されている。上記ｐ型シリコン基板１０表
面はシリコン酸化Ｍ７で被傍されている。そして、該シ
リコン酸化膜ｚ上にはコンタクトホールを介してｎ型工
（ツタ領域４およびｎ＋型コレク夛電極取出領域６の夫
々とオーミックコンタクトしたグローブ用のエミッタ電
極８およびコレクタ電極９が形成されている。このグロ
ーブ用の電極８゜９は燐、砒素等のｎ型不純物を添加し
た多結晶シリコン層からなシ、！ローブ可能な大きさに
形成されている。
タ抵抗を低減するためのｎ型埋込層５が形成され、ま九
ｎ型コレクタ領域２０表層にはｎ＋型コレクタ電極取出
領域６が形成されている。上記ｐ型シリコン基板１０表
面はシリコン酸化Ｍ７で被傍されている。そして、該シ
リコン酸化膜ｚ上にはコンタクトホールを介してｎ型工
（ツタ領域４およびｎ＋型コレク夛電極取出領域６の夫
々とオーミックコンタクトしたグローブ用のエミッタ電
極８およびコレクタ電極９が形成されている。このグロ
ーブ用の電極８゜９は燐、砒素等のｎ型不純物を添加し
た多結晶シリコン層からなシ、！ローブ可能な大きさに
形成されている。
上記第１図（Ａ）、（Ｂ）のモニタートランジスタにお
けるグローブ用電極８．９は、その形状にノ４ターンニ
ングして先行拡散の拡散源に用いた不純物添加多結晶シ
リコン層がそのまま用いられているから、先行拡散後に
電極８．９を形成する大めの特別の工程は必要としない
。
けるグローブ用電極８．９は、その形状にノ４ターンニ
ングして先行拡散の拡散源に用いた不純物添加多結晶シ
リコン層がそのまま用いられているから、先行拡散後に
電極８．９を形成する大めの特別の工程は必要としない
。
こうしてグローブ用のエミ、り電極８およびコレクタ抵
抗９を形成した仁とによシ、エミッタ領域４およびコレ
クタ領域６に直接グローブする必要がなくなるから、エ
ミッタ領域４を実際のトランジスタと同一の大きさに形
成して拡散モニターの精度を高めることができる。しか
し、上記第１図（Ａ）、（Ｂ）のモニタートランジスタ
においても、ペース領域３に対してはシリコン酸化膜７
を剥離して直接グローブしなければならない。従って、
この場合にもペース領域３は実際のトランジスタのペー
ス領域よりも極端に大きくしなければならず、モニター
トランジスタにおける既述の問題を完全に解決し得るも
のではない、を九、ペース領域３はエミッタ領域４およ
びコレクタ領域２とは逆の導電型を有しているため、前
記グローブ用電極８，９と同時にこのｐ型ベース領域３
にも該領域にオーミックコンタクトしたｎ型多結晶シリ
コン層からなるグローブ用電極を形成するのは不可能で
ある。もし、ｎ型工１．夕領域４、ｐ型ベース領域３お
よびコレクタ領域２の夫々についてグローブ用の電極を
形成しようとす°れば、通常のバイポーラトランジスタ
の製造と同様に、コンタクトホールの開口、電極材料の
堆積および・母ターンニングという工程を行なわなけれ
ばならず、これでは簡易かつ迅速な拡散モニターを可能
とするモニタートランジスタの存在意味自体が全くなく
なってしまう。
抗９を形成した仁とによシ、エミッタ領域４およびコレ
クタ領域６に直接グローブする必要がなくなるから、エ
ミッタ領域４を実際のトランジスタと同一の大きさに形
成して拡散モニターの精度を高めることができる。しか
し、上記第１図（Ａ）、（Ｂ）のモニタートランジスタ
においても、ペース領域３に対してはシリコン酸化膜７
を剥離して直接グローブしなければならない。従って、
この場合にもペース領域３は実際のトランジスタのペー
ス領域よりも極端に大きくしなければならず、モニター
トランジスタにおける既述の問題を完全に解決し得るも
のではない、を九、ペース領域３はエミッタ領域４およ
びコレクタ領域２とは逆の導電型を有しているため、前
記グローブ用電極８，９と同時にこのｐ型ベース領域３
にも該領域にオーミックコンタクトしたｎ型多結晶シリ
コン層からなるグローブ用電極を形成するのは不可能で
ある。もし、ｎ型工１．夕領域４、ｐ型ベース領域３お
よびコレクタ領域２の夫々についてグローブ用の電極を
形成しようとす°れば、通常のバイポーラトランジスタ
の製造と同様に、コンタクトホールの開口、電極材料の
堆積および・母ターンニングという工程を行なわなけれ
ばならず、これでは簡易かつ迅速な拡散モニターを可能
とするモニタートランジスタの存在意味自体が全くなく
なってしまう。
本発８Ａ祉上述の事情に鑑みてなされたもので、実際の
回路素子として形成されるバイポーラトランジスタと同
一、の寸法を有すると共にエミッタ、（−ス、コレクタ
の各拡散領域に夫々ノロープ可能な多結晶シリコン電極
を形成して高精度の拡散モニターを行なうことができる
エミッタ拡散用時のモニタートランジスタとして有用な
用途を有する半導体装置を提供するものである。
回路素子として形成されるバイポーラトランジスタと同
一、の寸法を有すると共にエミッタ、（−ス、コレクタ
の各拡散領域に夫々ノロープ可能な多結晶シリコン電極
を形成して高精度の拡散モニターを行なうことができる
エミッタ拡散用時のモニタートランジスタとして有用な
用途を有する半導体装置を提供するものである。
以下、＃Ｉ２図（Ａ）、（Ｂ）および第３図を参照して
本発明の一実施例を説明する。
本発明の一実施例を説明する。
第２図（Ａ）は本発明の一実施例になる拡散モニター用
バイポーラトランジスタのノナターン平面図であり、第
２図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である
。これらの図において、１１はｐ型シリコン基板である
。該ｐ型シリコン基板１ノにはｎ型コレクタ領域１２が
形成されている。該ｎ型コレクタ領斌１２と基板１１の
界面にはコレクタ抵抗を低減するためのｎ＋型埋込層１
３が形成されている。また、ｎ型コレクタ領域１２には
ｐ屋べ、−ス領域１４が形成されている。該ｐ型ベース
領域１４にはｎ＋型エミッタ領域１５およびｎ＋型不純
物領域１６が形成されている。このｐ型ベース領域１４
に形成された二つのｎ型領域のうちｎ型エミッタ領域１
５にはｐ型ベース領域１４とのｐｎ接合が職バイアスと
なる電位が印加され、他方、ｎ＋型ペース電極取出領域
１６にはベース電圧、即ち、ｎ型エミ、り領域１５とは
異なる電位が印加される。また、前記ｎ型コレクタ領域
１２０表層にはｎ型コレクタ電極堆出領域１７が形成さ
れている。なお、前記エミッタ領域１５、ベース領域１
４およびコレクタ領域１２は総て実際に回路素子として
形成されるｎｐｎ ）ランジスタと同じ大きさで形成さ
れている。そして、上記ｐ型シリコン基板１１表面はシ
リコン酸化膜等の絶縁ｔ４１１１で被覆されている。該
絶縁膜１８上にはグローブ用のエミッタ電極１９、ベー
ス電極２０およびコレクタ電極２１が形成されている。
バイポーラトランジスタのノナターン平面図であり、第
２図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である
。これらの図において、１１はｐ型シリコン基板である
。該ｐ型シリコン基板１ノにはｎ型コレクタ領域１２が
形成されている。該ｎ型コレクタ領斌１２と基板１１の
界面にはコレクタ抵抗を低減するためのｎ＋型埋込層１
３が形成されている。また、ｎ型コレクタ領域１２には
ｐ屋べ、−ス領域１４が形成されている。該ｐ型ベース
領域１４にはｎ＋型エミッタ領域１５およびｎ＋型不純
物領域１６が形成されている。このｐ型ベース領域１４
に形成された二つのｎ型領域のうちｎ型エミッタ領域１
５にはｐ型ベース領域１４とのｐｎ接合が職バイアスと
なる電位が印加され、他方、ｎ＋型ペース電極取出領域
１６にはベース電圧、即ち、ｎ型エミ、り領域１５とは
異なる電位が印加される。また、前記ｎ型コレクタ領域
１２０表層にはｎ型コレクタ電極堆出領域１７が形成さ
れている。なお、前記エミッタ領域１５、ベース領域１
４およびコレクタ領域１２は総て実際に回路素子として
形成されるｎｐｎ ）ランジスタと同じ大きさで形成さ
れている。そして、上記ｐ型シリコン基板１１表面はシ
リコン酸化膜等の絶縁ｔ４１１１で被覆されている。該
絶縁膜１８上にはグローブ用のエミッタ電極１９、ベー
ス電極２０およびコレクタ電極２１が形成されている。
これらの電極１９．２０．２１は実際に！ロープ可能な
大きさにノリーンニングされてお）、夫、〜絶縁膜１８
に開孔されたフンタクトホールを介してｎ型エミ、り領
域１５、ｎ＋型不純物領域１６まだ性鱈型コレクタ電極
取出領域１７とオーミックコンタクトしている。なお、
上記グローブ用の電極１９．２０，２１は、ｎ＋型エミ
ッタ領域１５、計型不純物領域１６およびｎ＋型コレク
タ電極取出領域１７を形成Ｊるための拡散源として用い
た燐、砒素等のｎ型不純物が添加された多結晶シリコン
層を・９ターンニングして形成されている。
大きさにノリーンニングされてお）、夫、〜絶縁膜１８
に開孔されたフンタクトホールを介してｎ型エミ、り領
域１５、ｎ＋型不純物領域１６まだ性鱈型コレクタ電極
取出領域１７とオーミックコンタクトしている。なお、
上記グローブ用の電極１９．２０，２１は、ｎ＋型エミ
ッタ領域１５、計型不純物領域１６およびｎ＋型コレク
タ電極取出領域１７を形成Ｊるための拡散源として用い
た燐、砒素等のｎ型不純物が添加された多結晶シリコン
層を・９ターンニングして形成されている。
上記構成からなる拡散モニター用・ぐイボーラトランジ
スタはｎ＋型ペース電極取出領域１６が形成されている
点で実際の回路素子として形成されるバイポーラトラン
ジスタと構造的に相違しているが、以下に述べるように
、一定の条件下においては実際の回路素子として形成さ
れる通常のトランジスタと同様に動作する。即ち、ｎ＋
型不純物領域１６はｐ型ベース領域１４とのｐｎ接合に
よシダイオードを構成するから、上記第２図のモニター
トランジスタは第３図の等価回路に示すように、ｎ型コ
レクタ領域１２、ｐ型ベース領域１４およびｎ＋型エミ
ッタ領域１５で構成される通常のパイポー２トランジス
タ２２のペース餉に前記ダイオード２３を逆方向に介在
させてグローブ用のベース電極２０を設りたものに勢し
い。そして、このダイオード２３をブレークダウンさせ
れは通常のノ９イボー２トランジスタ２２にベース１に
＆１．が流れ、１１ に対応してコレクタを流ｌ、が流
れる。つまり、鵬 プローグ用のベースｔ＆２０に印加するベース電圧がダ
イオード２３のブレークダウン耐圧よりも高い条件にお
ける上記実施例のモニタートランジスタの動作は、通常
の・々イボーラド２ンソスタ２２の動作に外ならない。
スタはｎ＋型ペース電極取出領域１６が形成されている
点で実際の回路素子として形成されるバイポーラトラン
ジスタと構造的に相違しているが、以下に述べるように
、一定の条件下においては実際の回路素子として形成さ
れる通常のトランジスタと同様に動作する。即ち、ｎ＋
型不純物領域１６はｐ型ベース領域１４とのｐｎ接合に
よシダイオードを構成するから、上記第２図のモニター
トランジスタは第３図の等価回路に示すように、ｎ型コ
レクタ領域１２、ｐ型ベース領域１４およびｎ＋型エミ
ッタ領域１５で構成される通常のパイポー２トランジス
タ２２のペース餉に前記ダイオード２３を逆方向に介在
させてグローブ用のベース電極２０を設りたものに勢し
い。そして、このダイオード２３をブレークダウンさせ
れは通常のノ９イボー２トランジスタ２２にベース１に
＆１．が流れ、１１ に対応してコレクタを流ｌ、が流
れる。つまり、鵬 プローグ用のベースｔ＆２０に印加するベース電圧がダ
イオード２３のブレークダウン耐圧よりも高い条件にお
ける上記実施例のモニタートランジスタの動作は、通常
の・々イボーラド２ンソスタ２２の動作に外ならない。
従って、上記モニタートランジスタによって通常のｉ４
イｆ −ラトランノスタ２２の電流増幅率βを測定し
、先行拡散における拡散条件をモニターすることができ
る・ しかも、上記実施例のモニタートランジスタに含まれて
いる通常のノ守イボーラド２／ノスタ２２は、実際に回
路素子として形成されるノ々イボーラトランノスタと同
一の大きさであ）、かつその特性チェックに際してはノ
ロー！可能な大きさに形成したプローブ用電極１９，２
０゜２１を用いることができ、各拡散領域に直接プロー
ブする必要がないから従来のモニタートランジスタよシ
も遥かに精度の高い拡散モニターが可能となる。
イｆ −ラトランノスタ２２の電流増幅率βを測定し
、先行拡散における拡散条件をモニターすることができ
る・ しかも、上記実施例のモニタートランジスタに含まれて
いる通常のノ守イボーラド２／ノスタ２２は、実際に回
路素子として形成されるノ々イボーラトランノスタと同
一の大きさであ）、かつその特性チェックに際してはノ
ロー！可能な大きさに形成したプローブ用電極１９，２
０゜２１を用いることができ、各拡散領域に直接プロー
ブする必要がないから従来のモニタートランジスタよシ
も遥かに精度の高い拡散モニターが可能となる。
また、上記実施例のモニタートランジスタは、コン／
タクトホールを開孔した絶縁膜１８をマスクとし、そ
の上に堆積、パターン平面図された多結晶シリコン層を
拡散源としてｎ＋型エミッタ領域１５ｎ＋型不純物領域
１６およびｎ型コレクタ電極取出領域１７を形成する先
行拡散工程によりｉｔちに製造される。従って、従来の
モニタートランジスタの製造に比較して何等複維な工程
を要することはなく、かえってプローブするために絶縁
膜１８を剥離する必要がないことからシリコンウェハー
を汚染する必要がないという利点が得られる。
タクトホールを開孔した絶縁膜１８をマスクとし、そ
の上に堆積、パターン平面図された多結晶シリコン層を
拡散源としてｎ＋型エミッタ領域１５ｎ＋型不純物領域
１６およびｎ型コレクタ電極取出領域１７を形成する先
行拡散工程によりｉｔちに製造される。従って、従来の
モニタートランジスタの製造に比較して何等複維な工程
を要することはなく、かえってプローブするために絶縁
膜１８を剥離する必要がないことからシリコンウェハー
を汚染する必要がないという利点が得られる。
ところで、上記実施例のモニタートランジスタでは、ｎ
型不純物領域１６を設けたことにより、設ｎ型不純物領
域１６をコレクタとする寄生トランジスタの発生が懸念
されるが、浅い接合で形成されるバイポーラトランジス
タでは各不純物領域は充分に濃度が高いから寄生トラン
ジスタの発生についてははとんど心配なく、実際に行な
った特性チェ、りにおいても正しいβ値を欄定すること
ができた。
型不純物領域１６を設けたことにより、設ｎ型不純物領
域１６をコレクタとする寄生トランジスタの発生が懸念
されるが、浅い接合で形成されるバイポーラトランジス
タでは各不純物領域は充分に濃度が高いから寄生トラン
ジスタの発生についてははとんど心配なく、実際に行な
った特性チェ、りにおいても正しいβ値を欄定すること
ができた。
なお、本発明はｎｐｎタイプのモニタートランジスタの
みならずｐｎｐタイプのモニタートランジスタにも同様
に適用することができる。
みならずｐｎｐタイプのモニタートランジスタにも同様
に適用することができる。
また、本発明の半導体装置は拡散モニター用トランジス
タのみならず、第３図の等価回路を有する総ての半導体
装置に適用することができる。この場合、ダイオード２
３をトランジスタ２２の占有面積の中に造シ込むことが
できるから、これらの素子を別々に形成する場合に比較
すれは略２倍の集積度が得られ、飛躍的な集積度の向上
を達成することができる。
タのみならず、第３図の等価回路を有する総ての半導体
装置に適用することができる。この場合、ダイオード２
３をトランジスタ２２の占有面積の中に造シ込むことが
できるから、これらの素子を別々に形成する場合に比較
すれは略２倍の集積度が得られ、飛躍的な集積度の向上
を達成することができる。
以上詳述したように、本発明の半導体装置は迅速かつ高
精度の拡散モニターが可能なエミッタ拡散時のモニター
用パイＩ−２トランジスタとして有用な用途を有する一
方、集積度の飛躍的な向上をも可能とする等、顕著な効
果を奏するものである。
精度の拡散モニターが可能なエミッタ拡散時のモニター
用パイＩ−２トランジスタとして有用な用途を有する一
方、集積度の飛躍的な向上をも可能とする等、顕著な効
果を奏するものである。
第１図（Ａ）はグローブ用のエミッタ領域およびコレク
タ領域にのみグローブ用の電極を形成した従来の拡散モ
ニター用バイポーラトランジスタのパターン平面図、第
１図（Ｂ）は同図（Ａ）ＯＢ−Ｂ線に沿う断面図、第２
図（Ａ）は本発明の一実施例になる拡散モニター用バイ
ポーラトランジスタのノ母ターン平面図、第２図（Ｂ）
は同図（Ａ）のＢ−ＢＩＩｉｌに沿う断面図、第３図は
第２図（Ａ）、（Ｂ）のモニタートランジスタの尋価回
路図である。 １１・・・ｐ型シリコン基板、１２・・・ｎ型コレクタ
領域、１３・・・ｎ型埋込層、１４・・・ｐ型ベース領
域、１５・・・硅型エミ、り領域、１６・・・ｎ型不純
物領域、１７・・・ｎ＋型コレクタ電極取出領域、１８
・・・絶縁膜、１９・・・グローブ用エミッタ電極、２
０・・−プローブ用ペース電極、２１・・・グローブ用
コレクタ電極、２２・・・通常のバイポーラトランジス
タ、２３・・・ダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ２・′ （Ｂ） 第２図 第３図 ２５７
タ領域にのみグローブ用の電極を形成した従来の拡散モ
ニター用バイポーラトランジスタのパターン平面図、第
１図（Ｂ）は同図（Ａ）ＯＢ−Ｂ線に沿う断面図、第２
図（Ａ）は本発明の一実施例になる拡散モニター用バイ
ポーラトランジスタのノ母ターン平面図、第２図（Ｂ）
は同図（Ａ）のＢ−ＢＩＩｉｌに沿う断面図、第３図は
第２図（Ａ）、（Ｂ）のモニタートランジスタの尋価回
路図である。 １１・・・ｐ型シリコン基板、１２・・・ｎ型コレクタ
領域、１３・・・ｎ型埋込層、１４・・・ｐ型ベース領
域、１５・・・硅型エミ、り領域、１６・・・ｎ型不純
物領域、１７・・・ｎ＋型コレクタ電極取出領域、１８
・・・絶縁膜、１９・・・グローブ用エミッタ電極、２
０・・−プローブ用ペース電極、２１・・・グローブ用
コレクタ電極、２２・・・通常のバイポーラトランジス
タ、２３・・・ダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ２・′ （Ｂ） 第２図 第３図 ２５７
Claims (2)
- （１） 第１導電型半導体層の一部に設けられた＃！
２導電製不純物領域と、該第２導電型不純物領域に設け
られた少なくとも二つ以上の第１導電型不純物領域と、
前記半導体層の全面を被覆する絶縁膜と、該絶縁膜上に
形成され、コンククトホールを介して前記第１導電型不
純物領域の一つにオーミックコンタクトした入力電極並
びに他の前記第１導電型不純物領域にオーミックコンタ
クトした電極と、前記絶縁膜上にコンククトホールを介
して前記第１導電型半導体層にオーミック接続した出力
電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - （２） 入力電極、電極および出力電極が第１導電型
不純物領域の拡散源として用いた第１導電型多結晶シリ
コン層で形成され、しかもグローブ可能な大きさに７４
ターンニングされていることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16990181A JPS5871655A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
| EP82108706A EP0077921A3 (en) | 1981-10-23 | 1982-09-21 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16990181A JPS5871655A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871655A true JPS5871655A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15895066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16990181A Pending JPS5871655A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0077921A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5871655A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164260A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Nec Corp | バイポ―ラトランジスタ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2204730A (en) * | 1987-05-13 | 1988-11-16 | British Telecomm | Bipolar transistors |
| GB9207472D0 (en) * | 1992-04-06 | 1992-05-20 | Phoenix Vlsi Consultants Ltd | High performance process technology |
| TW350089B (en) * | 1996-11-11 | 1999-01-11 | Nippon Electric Co | A semiconductor and the manufacturing method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3770519A (en) * | 1970-08-05 | 1973-11-06 | Ibm | Isolation diffusion method for making reduced beta transistor or diodes |
| DE3063191D1 (en) * | 1979-11-29 | 1983-06-16 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16990181A patent/JPS5871655A/ja active Pending
-
1982
- 1982-09-21 EP EP82108706A patent/EP0077921A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164260A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Nec Corp | バイポ―ラトランジスタ |
| JPH0466101B2 (ja) * | 1985-01-16 | 1992-10-22 | Nippon Electric Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0077921A2 (en) | 1983-05-04 |
| EP0077921A3 (en) | 1986-04-09 |
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