JPS60138974A - 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法Info
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- JPS60138974A JPS60138974A JP24713583A JP24713583A JPS60138974A JP S60138974 A JPS60138974 A JP S60138974A JP 24713583 A JP24713583 A JP 24713583A JP 24713583 A JP24713583 A JP 24713583A JP S60138974 A JPS60138974 A JP S60138974A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明ｌｉｎ形半尋体基板にｐ形のソース、ドレイン領
域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（以下Ｍ
ＩＳＦＥＴと記す）の製造方法に関するＯ〔従来技術と
その問題点〕 この種の技術としては、従来第１図（荀乃至（貞に示す
よう表製造方法によるのが一般的であった。
域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（以下Ｍ
ＩＳＦＥＴと記す）の製造方法に関するＯ〔従来技術と
その問題点〕 この種の技術としては、従来第１図（荀乃至（貞に示す
よう表製造方法によるのが一般的であった。
すなわち、第１図（ａ） ａ 、素子形成領域を除くシ
リコン基板１表面を選択的に厚いフィールド酸化膜２で
被った後ゲート酸化Ｍ３および多結晶シリコンゲート電
゛極４からなるゲート電極部を形成する工程、゛第ｉ’
ｇ（ｂ）は、フィールド酸化ｊｌ！２とゲート電＆―と
をマスクとして熱拡散法本しくは、イオ法（黛下い■法
と記す）による層間酸化膜を堆積すると１ともに、第１
図（ｂ）に示した工程で注入したｔｌう素を熱的に活性
化し、拡散させてソース、ドレイン領域’６１．６２を
形成する工程、第１図（ｄ） ｄ、ソース、ドレイン領
域上にコンタクトホールを鮨孔した後、アルきニウム、
もしくはアルミニウムを生成釡とする合金によシ゛°配 、 線７を形成すふ工程とプラズマＣＶＤ飽化膜から成
： るパツ゛シベーション換８を堆積する工程とである
・上記の方法下問題となるのは、第１図（ｂ）に示しだ
シリコン基板への＃１う素の注入工程である。熱拡散法
においては拡散表面濃度は拡散温度でめはう素のシリコ
ンへの固溶限に達するので、温度のばらつきに左右され
やすい点や析出−や欠陥の発生を伴いゃ、−！いという
欠点がある。また、イオン注入法では、表面濃度やその
均一性を極めて良く制御でき、浅い接合も可能であると
いう利点をもつ反面、注入による損傷を回覆しきれず、
多数の表面欠陥が発生するという問題がある０ただ、と
の損傷の同腹は高温長時間のアニールでかなシの程度可
能であるが、イオン注入法の特徴である浅い接合が損わ
れてしまうという新たな問題が起って：ａる。
リコン基板１表面を選択的に厚いフィールド酸化膜２で
被った後ゲート酸化Ｍ３および多結晶シリコンゲート電
゛極４からなるゲート電極部を形成する工程、゛第ｉ’
ｇ（ｂ）は、フィールド酸化ｊｌ！２とゲート電＆―と
をマスクとして熱拡散法本しくは、イオ法（黛下い■法
と記す）による層間酸化膜を堆積すると１ともに、第１
図（ｂ）に示した工程で注入したｔｌう素を熱的に活性
化し、拡散させてソース、ドレイン領域’６１．６２を
形成する工程、第１図（ｄ） ｄ、ソース、ドレイン領
域上にコンタクトホールを鮨孔した後、アルきニウム、
もしくはアルミニウムを生成釡とする合金によシ゛°配 、 線７を形成すふ工程とプラズマＣＶＤ飽化膜から成
： るパツ゛シベーション換８を堆積する工程とである
・上記の方法下問題となるのは、第１図（ｂ）に示しだ
シリコン基板への＃１う素の注入工程である。熱拡散法
においては拡散表面濃度は拡散温度でめはう素のシリコ
ンへの固溶限に達するので、温度のばらつきに左右され
やすい点や析出−や欠陥の発生を伴いゃ、−！いという
欠点がある。また、イオン注入法では、表面濃度やその
均一性を極めて良く制御でき、浅い接合も可能であると
いう利点をもつ反面、注入による損傷を回覆しきれず、
多数の表面欠陥が発生するという問題がある０ただ、と
の損傷の同腹は高温長時間のアニールでかなシの程度可
能であるが、イオン注入法の特徴である浅い接合が損わ
れてしまうという新たな問題が起って：ａる。
従って、従来の＃１う素注入技術で形成したソース、ド
レイン領域は、その接合を浅く形成すると、接合を横切
る欠陥のためにもれ電流が増大したル、欠陥の発生を押
えるために注入量を低減するとコンタクト抵抗が増加す
るという欠点があったＯ〔発明の目的〕 本、発明は、上記の欠点を除去し、極めて高い表面濃度
や浅い接合を有することも可能なソース。
レイン領域は、その接合を浅く形成すると、接合を横切
る欠陥のためにもれ電流が増大したル、欠陥の発生を押
えるために注入量を低減するとコンタクト抵抗が増加す
るという欠点があったＯ〔発明の目的〕 本、発明は、上記の欠点を除去し、極めて高い表面濃度
や浅い接合を有することも可能なソース。
ドレイン領域を、ゲート電極によって自己整合的・に形
成し、しかも接合のもれ電流が少なく、低いコンタクト
抵抗の得られるＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供すること
を目的とする。
成し、しかも接合のもれ電流が少なく、低いコンタクト
抵抗の得られるＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供すること
を目的とする。
本、発ＱＱＫよれば、接合形成のための不純物導入、を
、プラズマ生成はう素薄膜を拡散源として行うもので、
イオン注入のような表面欠陥が生ぜず、非常に浅く、シ
かも極めて高表１ｉＩａ度で表面欠陥のない、また均一
性のよい拡散接合が形成でき、接合のもれ一流が少く、
−低いコンタクト抵抗の得られる充分な不純物注入量−
も有するソース、ドレイン領域を、ゲート電極によル自
己整合的に形成することが可能となった０しかも拡散源
として用いた１１う素薄膜は堅牢で、耐酸性、耐アルカ
リ性また、本発明は上記の実施例ばかシではなく、例え
ばゲート金属にアルミニウムのような低融点金属を用−
た場合にでも、アルゴンプラズマを用いて形成したほう
素薄膜から、ゲート電極をマスクとして基板の表面にｉ
ｔう素を注入、活性化してｐ形ソース、ドレイン領域を
形成するという他の実施例にも適用できる。すなわち、
アルミニウムのような低融点金属ゲート電極でも、自己
整合的に極めて浅いソース、ドレイン領域の形成が可能
となる。
、プラズマ生成はう素薄膜を拡散源として行うもので、
イオン注入のような表面欠陥が生ぜず、非常に浅く、シ
かも極めて高表１ｉＩａ度で表面欠陥のない、また均一
性のよい拡散接合が形成でき、接合のもれ一流が少く、
−低いコンタクト抵抗の得られる充分な不純物注入量−
も有するソース、ドレイン領域を、ゲート電極によル自
己整合的に形成することが可能となった０しかも拡散源
として用いた１１う素薄膜は堅牢で、耐酸性、耐アルカ
リ性また、本発明は上記の実施例ばかシではなく、例え
ばゲート金属にアルミニウムのような低融点金属を用−
た場合にでも、アルゴンプラズマを用いて形成したほう
素薄膜から、ゲート電極をマスクとして基板の表面にｉ
ｔう素を注入、活性化してｐ形ソース、ドレイン領域を
形成するという他の実施例にも適用できる。すなわち、
アルミニウムのような低融点金属ゲート電極でも、自己
整合的に極めて浅いソース、ドレイン領域の形成が可能
となる。
第１図は、従来の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
製造工程を示す断面図、第２図は、本発明の一実施例の
工程を示す断面図である。 １・・・・・・ｎ形シリコン基板、２・・・・・・フィ
ールド酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・
・・・多結晶シリコレゲート電極、５・・・・・・＃１
う素膜、６１．６２・・・・・・ソース、ドレイン領域
。 才１［２ｍ ７２図
製造工程を示す断面図、第２図は、本発明の一実施例の
工程を示す断面図である。 １・・・・・・ｎ形シリコン基板、２・・・・・・フィ
ールド酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・
・・・多結晶シリコレゲート電極、５・・・・・・＃１
う素膜、６１．６２・・・・・・ソース、ドレイン領域
。 才１［２ｍ ７２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ｎ形の半導体基板の主表面の所定の領域に絶縁ぽを
介してゲート電極、他の所定の領域に絶□縁層をそれぞ
れ形成する工程と、前記半導体基板、の前記主表面を＃
Ｂ素を含むプラズマに曝するし′□“とによ１う素を主
成分とする薄膜□を堆積する工１と、核薄膜を拡散源と
し、前記ゲート電極およ゛び □絶縁層をマスクとして
ほう素拡散領域よシなるソ 、。 −ス、ドレイン領域を形成する工程とを含むとと ｌ：
を特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジス：１仁の
製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24713583A JPS60138974A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24713583A JPS60138974A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138974A true JPS60138974A (ja) | 1985-07-23 |
| JPH0558257B2 JPH0558257B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=17158950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24713583A Granted JPS60138974A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138974A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358823A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63166220A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6445118A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Fuji Electric Co Ltd | Solid-phase diffusion of boron |
| JPS6464315A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
| JPH02132823A (ja) * | 1987-12-30 | 1990-05-22 | Fujitsu Ltd | 浅い接合を形成する方法及びその浅い接合を有する半導体装置 |
| US5183777A (en) * | 1987-12-30 | 1993-02-02 | Fujitsu Limited | Method of forming shallow junctions |
| US8051835B2 (en) | 2006-11-10 | 2011-11-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine and internal combustion engine control method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5555469B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2014-07-23 | 東京応化工業株式会社 | 拡散剤組成物、および不純物拡散層の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50137481A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-10-31 | ||
| JPS5642336A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24713583A patent/JPS60138974A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50137481A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-10-31 | ||
| JPS5642336A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358823A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63166220A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6445118A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Fuji Electric Co Ltd | Solid-phase diffusion of boron |
| JPS6464315A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
| JPH02132823A (ja) * | 1987-12-30 | 1990-05-22 | Fujitsu Ltd | 浅い接合を形成する方法及びその浅い接合を有する半導体装置 |
| US5183777A (en) * | 1987-12-30 | 1993-02-02 | Fujitsu Limited | Method of forming shallow junctions |
| US8051835B2 (en) | 2006-11-10 | 2011-11-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine and internal combustion engine control method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558257B2 (ja) | 1993-08-26 |
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