JPS6013750B2 - 窒素酸化物除去用触媒およびその製造法 - Google Patents
窒素酸化物除去用触媒およびその製造法Info
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- JPS6013750B2 JPS6013750B2 JP55043465A JP4346580A JPS6013750B2 JP S6013750 B2 JPS6013750 B2 JP S6013750B2 JP 55043465 A JP55043465 A JP 55043465A JP 4346580 A JP4346580 A JP 4346580A JP S6013750 B2 JPS6013750 B2 JP S6013750B2
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Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は各種ボイラーから排出される排ガス中の窒素酸
化物をアンモニアの存在下で接触還元除去する窒素酸化
物除去用触媒および製造法に関するものである。
化物をアンモニアの存在下で接触還元除去する窒素酸化
物除去用触媒および製造法に関するものである。
従釆、各種ボイラー等から排出される排ガス中の窒素酸
化物をアンモニアの存在下で接触還元し、窒素と水に分
解する触媒として例えばV,W,Fe,Cu,Sn,C
e,Ti,Cd等の金属酸化物を組み合わせた触媒が知
られているが、中でもV,W,Tiよりなる成分系の触
媒は脱硝率に優れ特に注目されている。
化物をアンモニアの存在下で接触還元し、窒素と水に分
解する触媒として例えばV,W,Fe,Cu,Sn,C
e,Ti,Cd等の金属酸化物を組み合わせた触媒が知
られているが、中でもV,W,Tiよりなる成分系の触
媒は脱硝率に優れ特に注目されている。
しかしながら、従来の酸化バナジウム、酸化タングステ
ン、酸化チタンからなる触媒は、還元剤として添加する
アンモニアの分解によって高温時の脱硝率が低くなる欠
点や、触媒活性成分による排ガス中のS02の酸化によ
って生成するS03が、還元剤として排ガスに混合する
アンモニアと反応して硫酸アンモニウム塩を生成し、そ
の硫酸アンモニウム塩が例えばボイラーのエアーヒータ
ー、鰹道ダクト等の機材に付着してそれらを腐食したり
、時には目詰りを起す等の欠点があった。
ン、酸化チタンからなる触媒は、還元剤として添加する
アンモニアの分解によって高温時の脱硝率が低くなる欠
点や、触媒活性成分による排ガス中のS02の酸化によ
って生成するS03が、還元剤として排ガスに混合する
アンモニアと反応して硫酸アンモニウム塩を生成し、そ
の硫酸アンモニウム塩が例えばボイラーのエアーヒータ
ー、鰹道ダクト等の機材に付着してそれらを腐食したり
、時には目詰りを起す等の欠点があった。
更にK,Na等のアルカリ金属塩を含むダストが触媒表
面に付着すると、徐々に触媒活性が低下し、同時にS0
2のS03への酸化が増大するという欠点があった。す
なわち、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化チタ
ンから成る従来の脱硝用触媒は、触媒中に含まれている
バナジウムと酸素との結合力が弱いため酸化力が大きく
、従って、触媒中の格子酸素が簡単に解離し、本来は脱
硝反応に使われるべきアンモニアを酸化するために、脱
硝反応に必要なアンモニアが不足し、はまにアンモニア
の脱硝反応に対する選択率の小さい高温時の脱硝率が低
下するものである。
面に付着すると、徐々に触媒活性が低下し、同時にS0
2のS03への酸化が増大するという欠点があった。す
なわち、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化チタ
ンから成る従来の脱硝用触媒は、触媒中に含まれている
バナジウムと酸素との結合力が弱いため酸化力が大きく
、従って、触媒中の格子酸素が簡単に解離し、本来は脱
硝反応に使われるべきアンモニアを酸化するために、脱
硝反応に必要なアンモニアが不足し、はまにアンモニア
の脱硝反応に対する選択率の小さい高温時の脱硝率が低
下するものである。
また、K,Na等のアルカリ金属塩が触媒中の酸化バナ
ジウムと反応すると酸化バナジウムの格子がゆるみ、バ
ナジウムと酸素との結合力が弱くなって活性が低下し、
S02転化率が増大するものである。
ジウムと反応すると酸化バナジウムの格子がゆるみ、バ
ナジウムと酸素との結合力が弱くなって活性が低下し、
S02転化率が増大するものである。
本発明は従来のこのような欠点を解決するためになされ
たもので、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化チ
タンから成る触媒であり、特に酸化バナジウムの強すぎ
る酸化作用を緩和するため、触媒反応に関与する酸素と
バナジウムとの結合力を強めるようにバナジウムの周囲
の穣造を変化させたもので、従釆の触媒に見られない高
温高活性と低いS02転化率およびアルカリ金属による
活性低下とS02転化率の増加が極めて小さい触媒であ
って、酸化チタンと酸化バナジウムと酸化タングステン
とからなるバナジルイオンのg因子(軸−g,.)が0
.055以上であることを特徴とする排ガス中の窒素酸
化物をアンモニアの存在下で接触還元除去する窒素酸化
物除去用触媒および硫酸根を内包するチタン酸、硫酸チ
タン、あるいは硫酸チタニルを50000以下の温度で
焼成して得られる結晶面間隔3.52△のピーク半価幅
が0.母eg〆上の酸化チタンに、バナジウム化合物と
タングステン化合物を担持したバナジルィオンのg因子
(g,一&,)が0.055以上であることを特徴とす
る排ガス中の窒素産化物をアンモニアの存在下で接触還
元除去する窒素酸化物除去用触媒の製造法である。
たもので、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化チ
タンから成る触媒であり、特に酸化バナジウムの強すぎ
る酸化作用を緩和するため、触媒反応に関与する酸素と
バナジウムとの結合力を強めるようにバナジウムの周囲
の穣造を変化させたもので、従釆の触媒に見られない高
温高活性と低いS02転化率およびアルカリ金属による
活性低下とS02転化率の増加が極めて小さい触媒であ
って、酸化チタンと酸化バナジウムと酸化タングステン
とからなるバナジルイオンのg因子(軸−g,.)が0
.055以上であることを特徴とする排ガス中の窒素酸
化物をアンモニアの存在下で接触還元除去する窒素酸化
物除去用触媒および硫酸根を内包するチタン酸、硫酸チ
タン、あるいは硫酸チタニルを50000以下の温度で
焼成して得られる結晶面間隔3.52△のピーク半価幅
が0.母eg〆上の酸化チタンに、バナジウム化合物と
タングステン化合物を担持したバナジルィオンのg因子
(g,一&,)が0.055以上であることを特徴とす
る排ガス中の窒素産化物をアンモニアの存在下で接触還
元除去する窒素酸化物除去用触媒の製造法である。
なお酸化バナジウム内のバナジルイオンのg因子(&−
9,)の値は、配位子場理論によって酸化バナジウム内
のバナジウムの周囲の酸素の配位の歪みや対称性を示す
物性値であり、g,,9,はg因子の成分でバナジルイ
オンの軸対称性によりg,一gxx−gyy’91−g
zzを示す。すなわち、この酸化バナジウム内のバナジ
ルィオンのg因子(g,−&,)の値が0.05班〆上
好ましくは0.065以上を満足する本発明の触媒中の
バナジウムの周囲の構造はg因子(g,一g,.)の値
が0.055以下である従来触媒のバナジウムの周囲の
構造と比べて正八面体の対称性から大きく歪み、その結
果触媒作用に直接に関与する酸素とバナジウムとの間の
結合力が強いものである。換言すれば、通常の正八面体
の対称性を持つ酸化バナジウムを含有した従来の酸化チ
タン、酸化タングステン、酸化バナジウムからなる複合
酸化物に比べて、バナジルィオンのg因子(g,一9,
)の物性値が異なり正八面体の対称性から大きく歪んだ
構造の酸化バナジウムを含有した新規の複合酸化物であ
る本発明の脱硝用触媒は、同一組成にもかかわらず触媒
作用に直接に関与する酸素とバナジウムとの間の結合力
が強いため特に高温時の脱硝率が高く、また、アンモニ
アの分解が少なく、しかもS02転化率が小さい、ダス
ト成分による隆時劣化がなく長期にわたり安定して使用
できる触媒である。
9,)の値は、配位子場理論によって酸化バナジウム内
のバナジウムの周囲の酸素の配位の歪みや対称性を示す
物性値であり、g,,9,はg因子の成分でバナジルイ
オンの軸対称性によりg,一gxx−gyy’91−g
zzを示す。すなわち、この酸化バナジウム内のバナジ
ルィオンのg因子(g,−&,)の値が0.05班〆上
好ましくは0.065以上を満足する本発明の触媒中の
バナジウムの周囲の構造はg因子(g,一g,.)の値
が0.055以下である従来触媒のバナジウムの周囲の
構造と比べて正八面体の対称性から大きく歪み、その結
果触媒作用に直接に関与する酸素とバナジウムとの間の
結合力が強いものである。換言すれば、通常の正八面体
の対称性を持つ酸化バナジウムを含有した従来の酸化チ
タン、酸化タングステン、酸化バナジウムからなる複合
酸化物に比べて、バナジルィオンのg因子(g,一9,
)の物性値が異なり正八面体の対称性から大きく歪んだ
構造の酸化バナジウムを含有した新規の複合酸化物であ
る本発明の脱硝用触媒は、同一組成にもかかわらず触媒
作用に直接に関与する酸素とバナジウムとの間の結合力
が強いため特に高温時の脱硝率が高く、また、アンモニ
アの分解が少なく、しかもS02転化率が小さい、ダス
ト成分による隆時劣化がなく長期にわたり安定して使用
できる触媒である。
そして、このg因子(g,一&,)の0.055以上の
値は五酸化バナジウムと酸化チタンの間の表面相互作用
を利用し、前述した複合酸化物中の、酸化バナジウムの
周囲の構造を歪ませることによって得られる。すなわち
、本発明の触媒の製造法は、従来の窒素酸化物除去用触
媒に使われているようなアナターゼ型あるいはルチル型
に固定した酸化チタンではなく、X線回折において結晶
面間隔3.52Aのピーク半価幅(8101)が広く、
0.幻eg以上好ましくは0.8的eg以上の結晶化度
の低い特定の酸化チタンにバナジウム化合物とタングス
テン化合物を担持する工程を経ることにより得られる。
値は五酸化バナジウムと酸化チタンの間の表面相互作用
を利用し、前述した複合酸化物中の、酸化バナジウムの
周囲の構造を歪ませることによって得られる。すなわち
、本発明の触媒の製造法は、従来の窒素酸化物除去用触
媒に使われているようなアナターゼ型あるいはルチル型
に固定した酸化チタンではなく、X線回折において結晶
面間隔3.52Aのピーク半価幅(8101)が広く、
0.幻eg以上好ましくは0.8的eg以上の結晶化度
の低い特定の酸化チタンにバナジウム化合物とタングス
テン化合物を担持する工程を経ることにより得られる。
そして、この製造法によって得られた触媒は酸化チタン
と接触している酸化バナジウムが酸化チタン表面から影
響を受けて前述したようなバナジウムの周囲の対称性が
歪んだ複合酸化物になる。
と接触している酸化バナジウムが酸化チタン表面から影
響を受けて前述したようなバナジウムの周囲の対称性が
歪んだ複合酸化物になる。
なお、結晶面間隔3.52Aのピーク半価幅が0.We
g以上の結晶化度が低い、化学的に安定化されていない
特定の酸化チタンはチタン酸を硫酸根等の添加物を内包
させた状態で500q0以下の温度で焼成することによ
って得られる。そして本発明の触媒組成物は前述の特定
の酸化チタン、酸化バナジウム、酸化タングステンの混
合物を触媒形状したもの、前述の特定の酸化チタンのみ
で触媒形状に形成しその表面に酸化バナジウムと酸化タ
ングステンを坦持したもの、更にァルミナ、ムラィト、
ロージェラィト等のセラミック基材上に前記必須成分の
混合物を被覆坦持したもの、又セラミック基材上に前記
の酸化チタンを被覆しその表面に酸化バナジウムと酸化
タングステンを担持したもの等のいずれでもよい。そし
て本発明の触媒の調整法は通常触媒の製造に一般に利用
される共枕法、酸化物混合法、含浸法、混練法などいず
れの調整法を用いてもよい。又、触媒の成型法としては
通常の押し出し成型法、打錬成型法、転動造粒法など目
的に応じて任意の成型法を採用できる。また触媒の形状
は球状、粒状、棒状、板状、パイプ状または孔の形状が
三角形、四角形、六角形等いずれのハニカム状であって
もよい。また本発明に使用する酸化チタン原料としては
500qo以下の温度で焼成することにより酸化チタン
を生成する硫酸根を内包するチタン酸、硫酸チタン、硫
酸チタニルなどを用いることができる。
g以上の結晶化度が低い、化学的に安定化されていない
特定の酸化チタンはチタン酸を硫酸根等の添加物を内包
させた状態で500q0以下の温度で焼成することによ
って得られる。そして本発明の触媒組成物は前述の特定
の酸化チタン、酸化バナジウム、酸化タングステンの混
合物を触媒形状したもの、前述の特定の酸化チタンのみ
で触媒形状に形成しその表面に酸化バナジウムと酸化タ
ングステンを坦持したもの、更にァルミナ、ムラィト、
ロージェラィト等のセラミック基材上に前記必須成分の
混合物を被覆坦持したもの、又セラミック基材上に前記
の酸化チタンを被覆しその表面に酸化バナジウムと酸化
タングステンを担持したもの等のいずれでもよい。そし
て本発明の触媒の調整法は通常触媒の製造に一般に利用
される共枕法、酸化物混合法、含浸法、混練法などいず
れの調整法を用いてもよい。又、触媒の成型法としては
通常の押し出し成型法、打錬成型法、転動造粒法など目
的に応じて任意の成型法を採用できる。また触媒の形状
は球状、粒状、棒状、板状、パイプ状または孔の形状が
三角形、四角形、六角形等いずれのハニカム状であって
もよい。また本発明に使用する酸化チタン原料としては
500qo以下の温度で焼成することにより酸化チタン
を生成する硫酸根を内包するチタン酸、硫酸チタン、硫
酸チタニルなどを用いることができる。
酸化バナジウム、酸化タングステンの原料としてはそれ
らの酸化物、硫酸塩、硝酸塩、アンモニウム塩、ハ。ゲ
ン化合物などを用いることができるが水、有機溶媒、ア
ルカリ、酸などに溶解した溶液の形態で前述した特定の
酸化チタンに坦持することが好ましい。そして触媒成分
は触媒焼成完了時においていずれも酸化物の形態で含有
されていることが必要である。なお、本発明の触媒の成
分である酸化バナジウム中のバナジルィオンの磁気的物
性値であるg因子(9−軸,)の値が0.055以上で
あることが重要である。
らの酸化物、硫酸塩、硝酸塩、アンモニウム塩、ハ。ゲ
ン化合物などを用いることができるが水、有機溶媒、ア
ルカリ、酸などに溶解した溶液の形態で前述した特定の
酸化チタンに坦持することが好ましい。そして触媒成分
は触媒焼成完了時においていずれも酸化物の形態で含有
されていることが必要である。なお、本発明の触媒の成
分である酸化バナジウム中のバナジルィオンの磁気的物
性値であるg因子(9−軸,)の値が0.055以上で
あることが重要である。
その理由はg因子(&−g,.)の値が0.055以上
の条件を満足することによって、はじめて初期の高温時
の脱硝率が特に高く、S02転化率が小さく、更にアル
カリ金属塩による活性低下とS02転化率の増加が極め
て小さい触媒が得られるのに対し、g因子(g,一g,
.)の値が0.055以下であると、初期の高温時の脱
硝率が低く、S02転化率が大きく、更にアルカリ金属
塩による活性低下およびS02転化率の増加が大きいか
らである。
の条件を満足することによって、はじめて初期の高温時
の脱硝率が特に高く、S02転化率が小さく、更にアル
カリ金属塩による活性低下とS02転化率の増加が極め
て小さい触媒が得られるのに対し、g因子(g,一g,
.)の値が0.055以下であると、初期の高温時の脱
硝率が低く、S02転化率が大きく、更にアルカリ金属
塩による活性低下およびS02転化率の増加が大きいか
らである。
また酸化バナジウムの重量百分率は、好ましくは酸化チ
タンに対して1の重量%以下また酸化タングステンの重
量比は、好ましくは酸化バナジウムに対して0.1〜4
0である。なお本発明中の酸化バナジウム内のバナジル
ィオンのg因子(g,一&,)の測定は試料触媒を15
000で4時間排気した後、室温でESRスベクトロメ
ーターを用いて測定し、g,.および9値はMnマーカ
ーを用いて求めたものである。また、硫酸根を内包する
チタン酸等を500℃以下の温度で焼成することは、硫
酸根の内包(好ましくは3〜1の重量%)がなく、しか
も焼成温度が50ぴ○以上となると、焼成によって得ら
れる酸化チタンの結晶面間隔3.52Aのピーク半価幅
が0.母eg以上とならないからであり、さらに結晶面
間隔3.52Aのピーク半価幅が0.斑eg以上の酸化
チタンを用いなければ、バナジルイオンのg因子が0.
055以上とならず、前述のとおり各種の触媒特性の向
上が認められないからである。
タンに対して1の重量%以下また酸化タングステンの重
量比は、好ましくは酸化バナジウムに対して0.1〜4
0である。なお本発明中の酸化バナジウム内のバナジル
ィオンのg因子(g,一&,)の測定は試料触媒を15
000で4時間排気した後、室温でESRスベクトロメ
ーターを用いて測定し、g,.および9値はMnマーカ
ーを用いて求めたものである。また、硫酸根を内包する
チタン酸等を500℃以下の温度で焼成することは、硫
酸根の内包(好ましくは3〜1の重量%)がなく、しか
も焼成温度が50ぴ○以上となると、焼成によって得ら
れる酸化チタンの結晶面間隔3.52Aのピーク半価幅
が0.母eg以上とならないからであり、さらに結晶面
間隔3.52Aのピーク半価幅が0.斑eg以上の酸化
チタンを用いなければ、バナジルイオンのg因子が0.
055以上とならず、前述のとおり各種の触媒特性の向
上が認められないからである。
なお結晶面間隔3.52Aのピーク半価幅(8101)
の測定はX線回折により次の条件で行った。使用ビーム
はCu−KQ線を用い、フィルターはNjフィルターで
ある。入射スリット中は1/2o、受光スリット中は0
.3肋、ゴニオメーター半径は188側である。また、
本発明の触媒組成物を用いて具体的に排ガス中の窒素炭
化物を除去するには、排ガスへのアンモニアの添加は窒
素酸化物の0.5モル倍以上、好ましくは1〜2モル倍
程度加え、また得られた混合ガスは触媒上を空塔速度を
基準とした空間速度で2000〜100000/時間、
好ましくは5000〜50000/時間の範囲内で通過
させ、反応時の温度は200qC〜65ぴ0程度で実施
するのが最もよいのである。次に実施例をあげて本発明
を詳細に説明する。
の測定はX線回折により次の条件で行った。使用ビーム
はCu−KQ線を用い、フィルターはNjフィルターで
ある。入射スリット中は1/2o、受光スリット中は0
.3肋、ゴニオメーター半径は188側である。また、
本発明の触媒組成物を用いて具体的に排ガス中の窒素炭
化物を除去するには、排ガスへのアンモニアの添加は窒
素酸化物の0.5モル倍以上、好ましくは1〜2モル倍
程度加え、また得られた混合ガスは触媒上を空塔速度を
基準とした空間速度で2000〜100000/時間、
好ましくは5000〜50000/時間の範囲内で通過
させ、反応時の温度は200qC〜65ぴ0程度で実施
するのが最もよいのである。次に実施例をあげて本発明
を詳細に説明する。
実施例 1五酸化バナジウムとバラタングステン酸アン
モニウムをモ/エタノールアミンと水とに溶解した混合
液を、硫酸根をS03に換算して6.5重量%内包した
メタチタン酸を500℃で5時間で焼成して得られたX
線回折において、結晶面間隔3.52Aのピーク半価値
(8101)が0.57degS03含有量4.の重量
%である酸化チタンと共に湿式ボールミルを用いて混合
し、第1表に示すNo.1〜No.5の酸化バナジウム
と酸化タングステンの含有量よりなる混合物をそれぞれ
調製した。
モニウムをモ/エタノールアミンと水とに溶解した混合
液を、硫酸根をS03に換算して6.5重量%内包した
メタチタン酸を500℃で5時間で焼成して得られたX
線回折において、結晶面間隔3.52Aのピーク半価値
(8101)が0.57degS03含有量4.の重量
%である酸化チタンと共に湿式ボールミルを用いて混合
し、第1表に示すNo.1〜No.5の酸化バナジウム
と酸化タングステンの含有量よりなる混合物をそれぞれ
調製した。
この調製したそれぞれの混合物のスラリー中に孔形状、
四角形、孔相当直径6柵、肉厚1柵のムラィト質よりな
るハニカム状のセラミック基材を浸潰し、表面に触媒物
質を担持した後、12ぴ0の熱風で30分乾燥し50ぴ
0で3時間空気中で焼成して第1表に記載するNO.1
〜No.5の本発明の触媒を得た。実施例 2 硫酸根をS03に換算して6.5重量%内包したメタチ
タン酸を400℃で5時間焼成して得られた精晶面間隔
3.52Aのピーク半価幅(3101)が0.8虹eg
S03含有量7.0重量%である酸化チタンを用い、実
施例1と同じ調製方法で調製し、第1表に示す酸化バナ
ジウムと酸化タングステンの含有量よりなる第1表に記
載するNo.6〜No.10の本発明の触媒を得た。
四角形、孔相当直径6柵、肉厚1柵のムラィト質よりな
るハニカム状のセラミック基材を浸潰し、表面に触媒物
質を担持した後、12ぴ0の熱風で30分乾燥し50ぴ
0で3時間空気中で焼成して第1表に記載するNO.1
〜No.5の本発明の触媒を得た。実施例 2 硫酸根をS03に換算して6.5重量%内包したメタチ
タン酸を400℃で5時間焼成して得られた精晶面間隔
3.52Aのピーク半価幅(3101)が0.8虹eg
S03含有量7.0重量%である酸化チタンを用い、実
施例1と同じ調製方法で調製し、第1表に示す酸化バナ
ジウムと酸化タングステンの含有量よりなる第1表に記
載するNo.6〜No.10の本発明の触媒を得た。
実施例 3
硫酸根をS03に換算して6.5重量%内包したメタチ
タン酸を500qo、5時間焼成して得られた結晶面間
隔3.52Aのピーク半価幅(8101)が0.57d
egS03含有量4.0重量%である酸化チタンを主成
分とする孔形状、四角形、孔相当直径6柳、肉厚1脚の
ハニカム迫体を、五酸化バナジウムとバラタングステン
酸アンモニウムをモノェタノールアミンと水とに溶解し
、第1表のNo.16〜No.19に示す酸化バナジウ
ムと酸化タングステンの含有量になるように調製した溶
液中に浸潰した後、120qoの熱風で60分乾燥し、
ついで500℃で3時間焼成を行い、第1表に示すNO
.16〜NO.19の本発明の触媒を得た。
タン酸を500qo、5時間焼成して得られた結晶面間
隔3.52Aのピーク半価幅(8101)が0.57d
egS03含有量4.0重量%である酸化チタンを主成
分とする孔形状、四角形、孔相当直径6柳、肉厚1脚の
ハニカム迫体を、五酸化バナジウムとバラタングステン
酸アンモニウムをモノェタノールアミンと水とに溶解し
、第1表のNo.16〜No.19に示す酸化バナジウ
ムと酸化タングステンの含有量になるように調製した溶
液中に浸潰した後、120qoの熱風で60分乾燥し、
ついで500℃で3時間焼成を行い、第1表に示すNO
.16〜NO.19の本発明の触媒を得た。
比較例 1
硫酸根をS03に換算して6.5重量%内包したメタチ
タン酸を70ぴ○、5時間焼成して得られた結晶面間隔
352Aのピーク半価値(8101)が0.2&egS
03含有量0.5重量%である酸化チタンを用い、実施
例1と同じ方法により第1表に示すNo.20〜No.
24の比較例の触媒を得た。
タン酸を70ぴ○、5時間焼成して得られた結晶面間隔
352Aのピーク半価値(8101)が0.2&egS
03含有量0.5重量%である酸化チタンを用い、実施
例1と同じ方法により第1表に示すNo.20〜No.
24の比較例の触媒を得た。
比較例 2実施例1と同じ方法で調製したにもかかわら
ず触媒成分として酸化バナジウム又は酸化タングステン
を欠くためg因子(軸−g,.)の値が本発明の規定外
の物性値を有する第1表No.25〜No.26の比較
例の触媒を得た。
ず触媒成分として酸化バナジウム又は酸化タングステン
を欠くためg因子(軸−g,.)の値が本発明の規定外
の物性値を有する第1表No.25〜No.26の比較
例の触媒を得た。
そして実施例1,2,3および比較例1,2で得た触媒
を内隆8仇岬?、長さlow舷のステンレス製反応器を
用い車油焚ボイラー排ガスと下記条件で接触させて35
ぴ0,40ぴ○,450℃の脱硝率とS02のS03へ
の転化率を測定した。次にこれらの触媒を350℃で8
000時間耐久試験を行った後再び350℃,400q
o,450qoの脱硝率とSQのSQへの転化率を測定
した。
を内隆8仇岬?、長さlow舷のステンレス製反応器を
用い車油焚ボイラー排ガスと下記条件で接触させて35
ぴ0,40ぴ○,450℃の脱硝率とS02のS03へ
の転化率を測定した。次にこれらの触媒を350℃で8
000時間耐久試験を行った後再び350℃,400q
o,450qoの脱硝率とSQのSQへの転化率を測定
した。
それらの結果は第1表に示すとおりである。第1表の1
なお試験ガス組成はNQ:150〜20の側, SQ:
400〜50瓜肌023〜6%,ダスト100の9ノN
m3であり、ダスト中のアルカリ金属成分は3低重量%
である。
400〜50瓜肌023〜6%,ダスト100の9ノN
m3であり、ダスト中のアルカリ金属成分は3低重量%
である。
脱硝率測定条件はSV値10000日r‐1,NH3/
NO=1.1:S02転化率測定条件はSV=1000
のヤ‐1である。なおNQの測定は化学蟹光方式減圧型
のNO/NO×分析計(柳本製作所ECL一77A型)
で行つた。またS02のS03への転化率はアンモニア
の注入を止めNDI方式のS02分析計で反応器の入口
と出口のS02濃度を測定し次式により求めた。
NO=1.1:S02転化率測定条件はSV=1000
のヤ‐1である。なおNQの測定は化学蟹光方式減圧型
のNO/NO×分析計(柳本製作所ECL一77A型)
で行つた。またS02のS03への転化率はアンモニア
の注入を止めNDI方式のS02分析計で反応器の入口
と出口のS02濃度を測定し次式により求めた。
so2肘ヒ率協i入ロS02濃度−出ロS02濃里x,
。〇人口S02濃度また第1表の本発明の触媒例NO.
3と比較例の触媒No.20の初期($,2蛇)および
耐久試験800畑時間後(地,20b)についての脱硝
率と反応温度との関係を第1図にS02のS03への転
化率と反応温度との関係を第2図に、またはNaおよび
Kの蓄積量値を第2表に示す。
。〇人口S02濃度また第1表の本発明の触媒例NO.
3と比較例の触媒No.20の初期($,2蛇)および
耐久試験800畑時間後(地,20b)についての脱硝
率と反応温度との関係を第1図にS02のS03への転
化率と反応温度との関係を第2図に、またはNaおよび
Kの蓄積量値を第2表に示す。
第2表
第1図および第2図の結果より明らかなように本発明の
範囲外の触媒の脱硝率とS02転化率に比べて、本発明
の触媒は高温時の脱硝率が高く、またS02転化率が低
いことがわかる。
範囲外の触媒の脱硝率とS02転化率に比べて、本発明
の触媒は高温時の脱硝率が高く、またS02転化率が低
いことがわかる。
更に本発明の範囲外の触媒の脱硝率およびS02転化率
の経時劣化が極めて大きいのに比べて、NaおよびKの
蓄積量が同じにもかかわらず本発明の触媒の脱硝率およ
びSQ転化率の経時劣化は極めて小さいことが確認され
た。
の経時劣化が極めて大きいのに比べて、NaおよびKの
蓄積量が同じにもかかわらず本発明の触媒の脱硝率およ
びSQ転化率の経時劣化は極めて小さいことが確認され
た。
以上述べたとおり本発明の窒素酸化物除去用触媒は、特
にダスト成分としてK,Na等のアルカリ金属塩を多く
含む排ガス中の窒素酸化物除去に使用しても広い温度範
囲にわたってアルカリ金属成分による劣化の極めて少な
い、換言すれば広い温度範囲において彼毒による脱硝率
の経時変化の極めて少ないものであり、さらにS02の
S03への転イゼ率も箸るしく低いので、硫酸アンモニ
ウム等の生成が少なく長時間安定して使用できる窒素酸
化物除去用触媒である。
にダスト成分としてK,Na等のアルカリ金属塩を多く
含む排ガス中の窒素酸化物除去に使用しても広い温度範
囲にわたってアルカリ金属成分による劣化の極めて少な
い、換言すれば広い温度範囲において彼毒による脱硝率
の経時変化の極めて少ないものであり、さらにS02の
S03への転イゼ率も箸るしく低いので、硫酸アンモニ
ウム等の生成が少なく長時間安定して使用できる窒素酸
化物除去用触媒である。
従って、各種ボイラー等から排出される排ガス中の窒素
酸化物をアンモニアの存在下で接触還元除去する触媒と
して極めて有用であり、大気汚染防止に極めて有用なの
である。
酸化物をアンモニアの存在下で接触還元除去する触媒と
して極めて有用であり、大気汚染防止に極めて有用なの
である。
第1図は本発明触媒および比較触媒の一具体例の初期お
よび800畑時間後の反応温度と脱硝率の関係を示す説
明図、第2図は初期および800加持間後の反応温度と
S02のS03への転化率との関係を示す説明図である
。 第1図 第2図
よび800畑時間後の反応温度と脱硝率の関係を示す説
明図、第2図は初期および800加持間後の反応温度と
S02のS03への転化率との関係を示す説明図である
。 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化チタンと酸化バナジウムと酸化タングステンと
からなるバナジルイオンのg因子(g_1−g_1_1
)が0.055以上であることを特徴とする排ガス中の
窒素酸化物をアンモニアの存在下で接触還元除去する窒
素酸化物除去用触媒。 2 硫酸根を内包するチタン酸、硫酸チタンあるは硫酸
チタニルを500℃以下の温度で焼成して得られる結晶
面間隔3.52Åのピーク半価幅が0.5deg以上の
酸化チタンに、バナジウム化合物とタングステン化合物
を担持した酸化チタンと酸化バナジウムと酸化タングス
テンとからなるバナジルイオンのg因子(g_1−g_
1_1)が0.055以上である触媒を得ることを特徴
とする排ガス中の窒素酸化物をアンモニアの存在下で接
触還元除去する窒素酸化物除去用触媒の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55043465A JPS6013750B2 (ja) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | 窒素酸化物除去用触媒およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55043465A JPS6013750B2 (ja) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | 窒素酸化物除去用触媒およびその製造法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62213146A Division JPS6388047A (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 窒素酸化物除去用触媒の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56141837A JPS56141837A (en) | 1981-11-05 |
JPS6013750B2 true JPS6013750B2 (ja) | 1985-04-09 |
Family
ID=12664456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55043465A Expired JPS6013750B2 (ja) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | 窒素酸化物除去用触媒およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6013750B2 (ja) |
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JP2583911B2 (ja) * | 1987-10-26 | 1997-02-19 | バブコツク日立株式会社 | 窒素酸化物除去用触媒 |
JP5911350B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-04-27 | 大阪瓦斯株式会社 | 排ガス浄化方法および装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0249457A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56141837A (en) | 1981-11-05 |
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