JPS60128409A - レ−ザモジユ−ル装置 - Google Patents
レ−ザモジユ−ル装置Info
- Publication number
- JPS60128409A JPS60128409A JP23664583A JP23664583A JPS60128409A JP S60128409 A JPS60128409 A JP S60128409A JP 23664583 A JP23664583 A JP 23664583A JP 23664583 A JP23664583 A JP 23664583A JP S60128409 A JPS60128409 A JP S60128409A
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- JP
- Japan
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- fiber
- semiconductor laser
- lens
- light
- laser
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信の光源に使用するレーザモジ一−ル装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図はアイソレータを用いた従来の半導体し一ザモジ
ーール装置を示している。第１図において、１は半導体
レーザであり、この半導体レーザ１から発した光は、レ
ンズ２で平行光線にされる。
ーール装置を示している。第１図において、１は半導体
レーザであり、この半導体レーザ１から発した光は、レ
ンズ２で平行光線にされる。
レンズ２からの平行光線はアイソレータ３を通った後、
レンズ４で集光され、ファイバ５へと結合される。６は
光軸である。上記アイソレータ３は半導体レーザ１から
ファイバ５へと進行する光に対しては損失がほとんどな
いが、ファイバ５から半導体レーザ１へと戻ってくる光
に対しては、そのアイソレータ３の種類に応じた損失を
生じさせ、それによってコネクタ端面等からの反射戻り
光量を低減する働きをしている。
レンズ４で集光され、ファイバ５へと結合される。６は
光軸である。上記アイソレータ３は半導体レーザ１から
ファイバ５へと進行する光に対しては損失がほとんどな
いが、ファイバ５から半導体レーザ１へと戻ってくる光
に対しては、そのアイソレータ３の種類に応じた損失を
生じさせ、それによってコネクタ端面等からの反射戻り
光量を低減する働きをしている。
なければならず、半導体レーザモジュール装置が小形化
できないという問題点およびアイソレータ３が高価であ
るという欠点があった。
できないという問題点およびアイソレータ３が高価であ
るという欠点があった。
第２図は同じく反射戻り光量を低減するだめの従来の他
のレーザモジュール装置を示している。
のレーザモジュール装置を示している。
第２図において、７は半導体レーザ、８はレンズ。
９はファイバであり、本従来例ではファイバ９０入射面
をレンズ８によるビーム集光点からずらし、半導体レー
ザ７とファイバ９間の結合効率を最大状態から低下させ
ている。しかし、この従来例においては、ファイバ９に
入射する光ビームの伝搬モードを一部分に制限する。い
わゆる空間フィルタリングが生じてファイバ伝搬後のＣ
／Ｈに劣化が生じるという欠点があった。
をレンズ８によるビーム集光点からずらし、半導体レー
ザ７とファイバ９間の結合効率を最大状態から低下させ
ている。しかし、この従来例においては、ファイバ９に
入射する光ビームの伝搬モードを一部分に制限する。い
わゆる空間フィルタリングが生じてファイバ伝搬後のＣ
／Ｈに劣化が生じるという欠点があった。
発明の目的
本発明は、上記従来例の問題点を除去するものであり、
アイソレータを用いずに、しかも軸ずれ結合による空間
フィルタリング効果を生じさせないで、反射戻り光量を
一７０ｄＢ前後に抑えることにより、小形で安価で高い
Ｃ／Ｎのとれる半導体し一ザモジー、−ル装置を提供す
ることを目的とするものである。
アイソレータを用いずに、しかも軸ずれ結合による空間
フィルタリング効果を生じさせないで、反射戻り光量を
一７０ｄＢ前後に抑えることにより、小形で安価で高い
Ｃ／Ｎのとれる半導体し一ザモジー、−ル装置を提供す
ることを目的とするものである。
発明の構成
本発明は、上記目的を達成するために、レンズの半導体
レーザ側の面、あるいはレンズのファイバ側の面、ある
いはその両面に光減衰器の働きをするニュートラルデン
シティフィルタを蒸着することにより、コネクタ端面等
から半導体レーザへの反射戻り光量を一７０ｄＢ前後に
抑えるものであり、高価なアイソレータを使用せずに、
また軸ずれ結合による空間フィルタリングも生じさせず
にレーザの反射光による雑音増加等の劣化をなくする効
果を得るものである。
レーザ側の面、あるいはレンズのファイバ側の面、ある
いはその両面に光減衰器の働きをするニュートラルデン
シティフィルタを蒸着することにより、コネクタ端面等
から半導体レーザへの反射戻り光量を一７０ｄＢ前後に
抑えるものであり、高価なアイソレータを使用せずに、
また軸ずれ結合による空間フィルタリングも生じさせず
にレーザの反射光による雑音増加等の劣化をなくする効
果を得るものである。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
３図において１０は半導体レーザであり、この半導体レ
ーザ１０から発する光を集束性ロッドレンズ１で集光し
、ファイバ１３へと結合している。ファイバ１３の端面
は集光点に設置する。
３図において１０は半導体レーザであり、この半導体レ
ーザ１０から発する光を集束性ロッドレンズ１で集光し
、ファイバ１３へと結合している。ファイバ１３の端面
は集光点に設置する。
ファイバ１３０入射端面は、そこでの反射光線が再び集
束性ロッドレンズ１１内を伝搬してレーザ活性層へと戻
ることを防ぐために斜めに研磨され′ ている。上記集
束性ロンドレンズ１１の側面にはニュートラルデンシテ
ィフィルタ１２が蒸着されてお、？、１４のファイバコ
ネクタ部からの反射戻り光が再びレーザ活性層へと戻る
量は、−７０ｄＢ前後に低減される。ニュートラルデン
シティフィルタ１２は、例えば半導体レーザ１０の特性
が劣化しないための許容反射戻り光量が一７０ｄＢの場
合には、半導体レーザ１ｏからファイバ１３への結合に
おける損失、ファイバコネクタ部１４での反射率、ファ
イバ１３から半導体レーザ１ｏへの結合における損失の
合計が一７９ｄＢになるようにその光減衰量を設定すれ
ばよい。伝送用の光ファイバにマルチモードファイバを
使用した場合には半導体レーザ１０からファイバ１３へ
の結合効率よりも、ファイバ１３から半導体レーザ１ｏ
への結合効率の方が約１０ｄＢ低い。ニュートラルデン
シティフィルタ１２を蒸着していない時における半導体
レーザ１ｏからファイバ１３への結合効率をηｄＢ、フ
ァイバコネクタ部１４での反射率をＣｄ１３． ニュー
トラルデンシティフィルタ１２の光減衰量をＲ，ｄＢと
すると、 ７７＋Ｒ＋η十Ｒ−１０＋Ｃ＝、２７７＋２Ｂ−１０＋
Ｃ＝−７０ になるようにＲを設定すればよいことになる。例えばＣ
−−４０ｄＢ、η−７３ｄＢの場合にはＲは一７ｄＢと
すればよい。
束性ロッドレンズ１１内を伝搬してレーザ活性層へと戻
ることを防ぐために斜めに研磨され′ ている。上記集
束性ロンドレンズ１１の側面にはニュートラルデンシテ
ィフィルタ１２が蒸着されてお、？、１４のファイバコ
ネクタ部からの反射戻り光が再びレーザ活性層へと戻る
量は、−７０ｄＢ前後に低減される。ニュートラルデン
シティフィルタ１２は、例えば半導体レーザ１０の特性
が劣化しないための許容反射戻り光量が一７０ｄＢの場
合には、半導体レーザ１ｏからファイバ１３への結合に
おける損失、ファイバコネクタ部１４での反射率、ファ
イバ１３から半導体レーザ１ｏへの結合における損失の
合計が一７９ｄＢになるようにその光減衰量を設定すれ
ばよい。伝送用の光ファイバにマルチモードファイバを
使用した場合には半導体レーザ１０からファイバ１３へ
の結合効率よりも、ファイバ１３から半導体レーザ１ｏ
への結合効率の方が約１０ｄＢ低い。ニュートラルデン
シティフィルタ１２を蒸着していない時における半導体
レーザ１ｏからファイバ１３への結合効率をηｄＢ、フ
ァイバコネクタ部１４での反射率をＣｄ１３． ニュー
トラルデンシティフィルタ１２の光減衰量をＲ，ｄＢと
すると、 ７７＋Ｒ＋η十Ｒ−１０＋Ｃ＝、２７７＋２Ｂ−１０＋
Ｃ＝−７０ になるようにＲを設定すればよいことになる。例えばＣ
−−４０ｄＢ、η−７３ｄＢの場合にはＲは一７ｄＢと
すればよい。
本実施例によれば、アイソレータを用いずに、まだ軸ず
れによる空間フィルタリングも生じさせずに反射戻り光
量を所要の値に低減することができる。
れによる空間フィルタリングも生じさせずに反射戻り光
量を所要の値に低減することができる。
なお、ニュートラルデンシティフィルタ１２による減衰
量の分だけ、半導体レーザｉｏからファイバ１３への結
合効率は低下するので、半導体し一ザ１０としては、伝
送距離によっては高出力のレーザ、例えば２０ｍＷ程度
の出力の得られるトウイン・リッジ形レーザなどを用い
る必要がある。
量の分だけ、半導体レーザｉｏからファイバ１３への結
合効率は低下するので、半導体し一ザ１０としては、伝
送距離によっては高出力のレーザ、例えば２０ｍＷ程度
の出力の得られるトウイン・リッジ形レーザなどを用い
る必要がある。
発明の効果
本発明は上記のような構成であり、以下に示す効果が得
られるものである。
られるものである。
（ａ） 反射戻り光低減に高価で大形のアイソレータの
代ワシに、ニュートラルデンシティフィルタを蒸着した
レンズを用いるために、安価で小形のレーザモジュール
装置が得られる。
代ワシに、ニュートラルデンシティフィルタを蒸着した
レンズを用いるために、安価で小形のレーザモジュール
装置が得られる。
（ｂ） 従来例のような反射戻り光低減に軸ずれ結合に
よる結合効率の低下ではなく、ニュートラルデンシティ
フィルタによる結合効率の低下であるため、空間フィル
タリングによる伝送時のＣ／Ｎ劣化が生じない。
よる結合効率の低下ではなく、ニュートラルデンシティ
フィルタによる結合効率の低下であるため、空間フィル
タリングによる伝送時のＣ／Ｎ劣化が生じない。
第１図は従来のレーザモジュール装置の構成図、第２図
は従来の他のレーザモジュール装置の構成図、第３図は
本発明の一実施例におけるレーザモジュール装置の構成
図である。 １０・半導体レーザ、１１・・集束性ロッドレンズ、】
２・ニュートラルデンシティフィルタ、１３ ・ファイ
バ、１４ ファイバコネクタ部。
は従来の他のレーザモジュール装置の構成図、第３図は
本発明の一実施例におけるレーザモジュール装置の構成
図である。 １０・半導体レーザ、１１・・集束性ロッドレンズ、】
２・ニュートラルデンシティフィルタ、１３ ・ファイ
バ、１４ ファイバコネクタ部。
Claims (2)
- （１）半導体レーザと、この半導体レーザから発する光
を集光するレンズと、このレンズの集光点に端面が配置
されたファイバと、上記レンズの少なくとも片面に設け
られた二一一トラルデンシティフィルタとからなるレー
ザモジュール装置。 - （２）レンズとして集束性のロンドレンズヲ用い−た特
許請求の範囲第１項記載のレーザモジュール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23664583A JPS60128409A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | レ−ザモジユ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23664583A JPS60128409A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | レ−ザモジユ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128409A true JPS60128409A (ja) | 1985-07-09 |
| JPH0358086B2 JPH0358086B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=17003685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23664583A Granted JPS60128409A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | レ−ザモジユ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128409A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05203844A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-08-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光ファイバによるデータ伝送 |
| WO2008096832A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 光モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494577U (ja) * | 1972-04-15 | 1974-01-15 | ||
| JPS5238939A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical coupler |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23664583A patent/JPS60128409A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494577U (ja) * | 1972-04-15 | 1974-01-15 | ||
| JPS5238939A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical coupler |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05203844A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-08-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光ファイバによるデータ伝送 |
| WO2008096832A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0358086B2 (ja) | 1991-09-04 |
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