JPS60145689A - ピグテ−ル付半導体レ−ザ装置 - Google Patents
ピグテ−ル付半導体レ−ザ装置Info
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- JPS60145689A JPS60145689A JP217784A JP217784A JPS60145689A JP S60145689 A JPS60145689 A JP S60145689A JP 217784 A JP217784 A JP 217784A JP 217784 A JP217784 A JP 217784A JP S60145689 A JPS60145689 A JP S60145689A
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- pig
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光出力を取シ出すためにパッケージに短
かい光ファイバを取り付けた。いわゆるピグテール付半
導体レーザ装置に関するものである。
かい光ファイバを取り付けた。いわゆるピグテール付半
導体レーザ装置に関するものである。
一般に、このようなピグテール付半導体レーザ装置は、
使用者が半導体レーザと光ファイバの光結合の調整をし
ないで使用することが出来るため、使いやすい実装形態
であるが、このピグテール付半導体レーザ装置はピグテ
ールの光出力端からの戻り尤によって半導体レーザの雑
音が増加するという問題があった。この問題の解決策と
して、従来は次のような2つの対策が実施されていた。
使用者が半導体レーザと光ファイバの光結合の調整をし
ないで使用することが出来るため、使いやすい実装形態
であるが、このピグテール付半導体レーザ装置はピグテ
ールの光出力端からの戻り尤によって半導体レーザの雑
音が増加するという問題があった。この問題の解決策と
して、従来は次のような2つの対策が実施されていた。
第1の対策は、半導体レーザとピグテールとの間の光結
合を故意に小6くし、戻り光が半導体レーザに戻る量を
低減し、半導体レーザの雑音の増加を防ぐ方法である。
合を故意に小6くし、戻り光が半導体レーザに戻る量を
低減し、半導体レーザの雑音の増加を防ぐ方法である。
第2の対策は半導体レーザとピグテールの間に光アイソ
レータを挿入し、戻シ元が半導体レーザに戻ることを防
ぐ方法である。
レータを挿入し、戻シ元が半導体レーザに戻ることを防
ぐ方法である。
しかし、第1の対策は、半導体レーザとピグテールの間
の光結合を小さくするために、ピグテール端で得られる
光出力が小さくなる欠点があり、また第2の対策は、光
アイソレータの形状が太きいため、半導体レーザのパッ
ケージか非常に大きくなり、実用には適さなかった。
の光結合を小さくするために、ピグテール端で得られる
光出力が小さくなる欠点があり、また第2の対策は、光
アイソレータの形状が太きいため、半導体レーザのパッ
ケージか非常に大きくなり、実用には適さなかった。
本発明の目的は、これらの問題を解決し、半導体レーザ
とピグテールの間の光結合を小さくせずに、半導体レー
ザのパッケージも大きくせずに、ピグテールの光出力端
からの戻り光の量を低減し、戻り光による半導体レーザ
の雑音を低減したピグテール付半導体レーザ装置を提供
することにある。
とピグテールの間の光結合を小さくせずに、半導体レー
ザのパッケージも大きくせずに、ピグテールの光出力端
からの戻り光の量を低減し、戻り光による半導体レーザ
の雑音を低減したピグテール付半導体レーザ装置を提供
することにある。
本発明のピグテール付半導体レーザの構成は、短い光フ
ァイバの側面の一部に金属膜を設けたファイバ型偏波フ
ィルタと、このファイバ型偏波フィルタと接続されコア
に応力を印加した複屈折性光ファイバとを含むピグテー
ルを、半導体レーザの光出力端と前記ピグテールの一端
とが光学的に結合するように配置したことを特徴とする
。
ァイバの側面の一部に金属膜を設けたファイバ型偏波フ
ィルタと、このファイバ型偏波フィルタと接続されコア
に応力を印加した複屈折性光ファイバとを含むピグテー
ルを、半導体レーザの光出力端と前記ピグテールの一端
とが光学的に結合するように配置したことを特徴とする
。
1図のピグテールの出射端からの戻り光を低減する様子
を説明する部分拡大図である。第1図において、半導体
レーザ11はヒートン/り12の上に固定されており、
この半導体レーザ11から出射した光は結合レンズ13
によってピグテール14の入射端に集光される。パッケ
ージ15には半導体レーザll、ヒートシンク12.結
合レンズ13゜およびピグテール14の入射端が収納さ
れ、ピグテール14は従来のピグテールと異なり側面の
一部に金属膜17が形成されたファイバ型偏波フィルタ
18と複屈折型光ファイバ19とを接続して形成される
。
を説明する部分拡大図である。第1図において、半導体
レーザ11はヒートン/り12の上に固定されており、
この半導体レーザ11から出射した光は結合レンズ13
によってピグテール14の入射端に集光される。パッケ
ージ15には半導体レーザll、ヒートシンク12.結
合レンズ13゜およびピグテール14の入射端が収納さ
れ、ピグテール14は従来のピグテールと異なり側面の
一部に金属膜17が形成されたファイバ型偏波フィルタ
18と複屈折型光ファイバ19とを接続して形成される
。
次に第2図を用いて第1図のピグテール14の出射端1
6からの戻シ光が半導体レーザ11に戻る量を低減され
る様子を説明する。この実施例のピグテール14は、第
1図で示したように2つの部分18.19で構成されて
いる。入射端に近い方の第1の部分(18)は通常の複
屈折性ファイバのクラッド部の側面を除去し、この上に
金属膜17が形成δれており、このようなファイバはT
E波透過型の偏波フィルタとし7て働くことが知られて
いる(特願昭56−133742参照)。
6からの戻シ光が半導体レーザ11に戻る量を低減され
る様子を説明する。この実施例のピグテール14は、第
1図で示したように2つの部分18.19で構成されて
いる。入射端に近い方の第1の部分(18)は通常の複
屈折性ファイバのクラッド部の側面を除去し、この上に
金属膜17が形成δれており、このようなファイバはT
E波透過型の偏波フィルタとし7て働くことが知られて
いる(特願昭56−133742参照)。
ピグテール14の出射端16に近い方の第2の部分(1
9)はコア2oに応力が加えられた通常の複屈折性ファ
イバである。但し、そのファイバの長さは、ビート長L
(TE波とT、M波の位相が−゛相ずれるのに必要なフ
ァイバ長)の(2n+1)74倍(nは整数)にほぼ等
しい長さに切断されており、このようなファイバは4分
の1波長板と同様な働きをする。そして偏波フィルタ1
8と第2の部分の複屈折性ファイバ19とは、コア20
に応力付与部21によって加えられた応力の方向が45
°回転して接続されている。
9)はコア2oに応力が加えられた通常の複屈折性ファ
イバである。但し、そのファイバの長さは、ビート長L
(TE波とT、M波の位相が−゛相ずれるのに必要なフ
ァイバ長)の(2n+1)74倍(nは整数)にほぼ等
しい長さに切断されており、このようなファイバは4分
の1波長板と同様な働きをする。そして偏波フィルタ1
8と第2の部分の複屈折性ファイバ19とは、コア20
に応力付与部21によって加えられた応力の方向が45
°回転して接続されている。
このようなピグテール14に対し、半導体レーザ11の
出射光の偏波方向22が、ピグテール14の偏波フィル
タ18の応力の方向と一致するように、半導体レーザ光
を入射させると、第1の部分(18)ではTE波は減衰
しないのでその−1ま通過する。次に、この光は第2の
部分(19)に入射されるが、この時偏波方向23は第
2の部分(19)の応力の方向と45°の角度をなして
いるので偏波秋態が変化しながら進む。この第2の部分
(19)の長さが(zn+l)L/4になっているので
、出射端では円偏波24になる。この出射端で反射した
戻り光は、第1の部分18との接続部迄戻ると、この第
1の部分18の応力方向と垂直なTM波となる。このT
M波は、第1の部分18を透過する際、金属膜17によ
って減衰されるので、半導体レーザ11にはほとんど光
が戻らない。よって、半導体レーザは戻り光による雑音
が増加することなく、安定に動作することが出来る。
出射光の偏波方向22が、ピグテール14の偏波フィル
タ18の応力の方向と一致するように、半導体レーザ光
を入射させると、第1の部分(18)ではTE波は減衰
しないのでその−1ま通過する。次に、この光は第2の
部分(19)に入射されるが、この時偏波方向23は第
2の部分(19)の応力の方向と45°の角度をなして
いるので偏波秋態が変化しながら進む。この第2の部分
(19)の長さが(zn+l)L/4になっているので
、出射端では円偏波24になる。この出射端で反射した
戻り光は、第1の部分18との接続部迄戻ると、この第
1の部分18の応力方向と垂直なTM波となる。このT
M波は、第1の部分18を透過する際、金属膜17によ
って減衰されるので、半導体レーザ11にはほとんど光
が戻らない。よって、半導体レーザは戻り光による雑音
が増加することなく、安定に動作することが出来る。
また、ピグテール14の第1の部分18の側面は研磨に
よって削り、その上に銀を蒸着し、この部分の長さを1
0Crnとした。捷た、ピグテール14の第2の部分1
9には、ビート長10mmの複屈折性ファイバを用い、
長さを10.25CnLとした。これら2つの部分18
.19をそれぞれの応力の方向が45°の角をなすよう
に融着接続した。このようにして出来たピグテール14
は通常のパッケージと同様に半導体レーザのパッケージ
15の甲に固定した。
よって削り、その上に銀を蒸着し、この部分の長さを1
0Crnとした。捷た、ピグテール14の第2の部分1
9には、ビート長10mmの複屈折性ファイバを用い、
長さを10.25CnLとした。これら2つの部分18
.19をそれぞれの応力の方向が45°の角をなすよう
に融着接続した。このようにして出来たピグテール14
は通常のパッケージと同様に半導体レーザのパッケージ
15の甲に固定した。
なお、この実施例では、ピグテール14の入射端側に偏
波フィルタ18を挿入したが、ピグテール14の中間部
に形成してもよい。この場合は、入射端に近い部分は偏
光保存部、中間に偏波フィルタ18.出射端に近い部分
に4分の1波長板に相当する複屈折性ファイバ19を順
に接続しなければならない。
波フィルタ18を挿入したが、ピグテール14の中間部
に形成してもよい。この場合は、入射端に近い部分は偏
光保存部、中間に偏波フィルタ18.出射端に近い部分
に4分の1波長板に相当する複屈折性ファイバ19を順
に接続しなければならない。
また、この実施例では、コア20の両側に応力付与部2
1がある複屈折性ファイバ19を用いたが、複屈折性フ
ァイバであれば楕円型コアの複屈折性ファイバ等を用い
てもよく、その形状には限定されない。また偏波フィル
タ1Bと複屈折性ファイバ19との長さは実施例の長さ
に限定されないのも明らかである。
1がある複屈折性ファイバ19を用いたが、複屈折性フ
ァイバであれば楕円型コアの複屈折性ファイバ等を用い
てもよく、その形状には限定されない。また偏波フィル
タ1Bと複屈折性ファイバ19との長さは実施例の長さ
に限定されないのも明らかである。
以上説明したように、本発明によると、半導体レーザと
ピグテールの間の光結合を小さくせずに、かつ半導体の
パッケージケ大きくせずに、ピグテールの光出力端から
の戻り光の量を低減し、戻り光による半導体レーザの雑
音を低減したピグテール付半導体レーザ装置が得られた
。
ピグテールの間の光結合を小さくせずに、かつ半導体の
パッケージケ大きくせずに、ピグテールの光出力端から
の戻り光の量を低減し、戻り光による半導体レーザの雑
音を低減したピグテール付半導体レーザ装置が得られた
。
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は第1図の
ピグテールを説明する部分拡大斜視図である。図におい
て 11・・・・・・半導体レーザ、12・・・・・・ヒー
トシンク、13・・・・−・結合レンズ、14・・・・
・・ピグテール、15・・・・・・パッケージ、16・
・・・・・出射端、17・・・・・・金属膜、1B・・
・・・・ファイバ型偏波フィルタ、19・・・・・・複
屈折型偏波ファイバ、20・・・・・・コア、21・・
・・・・応力付与部、22,23.24・・・・・・入
射端、接続部、出射端での偏波状態、 である。
ピグテールを説明する部分拡大斜視図である。図におい
て 11・・・・・・半導体レーザ、12・・・・・・ヒー
トシンク、13・・・・−・結合レンズ、14・・・・
・・ピグテール、15・・・・・・パッケージ、16・
・・・・・出射端、17・・・・・・金属膜、1B・・
・・・・ファイバ型偏波フィルタ、19・・・・・・複
屈折型偏波ファイバ、20・・・・・・コア、21・・
・・・・応力付与部、22,23.24・・・・・・入
射端、接続部、出射端での偏波状態、 である。
Claims (1)
- 短い光ファイバの側面の一部に金属膜を設けたファイバ
型偏波フィルタと、このファイバ型tA波フィルタと接
続されコアに応力を印加した複屈折性光ファイバとを含
むピグテールを、半導体レーザの光出力端と前記ピグテ
ールの一端とが光学的に結合するように配置したことを
特徴とするピグテール付半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP217784A JPS60145689A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | ピグテ−ル付半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP217784A JPS60145689A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | ピグテ−ル付半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60145689A true JPS60145689A (ja) | 1985-08-01 |
JPH0584074B2 JPH0584074B2 (ja) | 1993-11-30 |
Family
ID=11522079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP217784A Granted JPS60145689A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | ピグテ−ル付半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60145689A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01210907A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Fujitsu Ltd | 光ファイバ型単一偏波素子及びその製造方法 |
EP1085622A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module with external cavity and birefringent fibers |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BRPI1008803A2 (pt) | 2009-03-20 | 2015-08-25 | Novozymes As | Método para fabricar uma bebida não alcoólica |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5834406A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-02-28 | Nec Corp | 偏光保存単一モ−ドフアイバ |
JPS5858782A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Nec Corp | 半導体レ−ザモジユ−ル |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP217784A patent/JPS60145689A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5834406A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-02-28 | Nec Corp | 偏光保存単一モ−ドフアイバ |
JPS5858782A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Nec Corp | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01210907A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Fujitsu Ltd | 光ファイバ型単一偏波素子及びその製造方法 |
EP1085622A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module with external cavity and birefringent fibers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0584074B2 (ja) | 1993-11-30 |
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