JPS60258993A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS60258993A JPS60258993A JP59114552A JP11455284A JPS60258993A JP S60258993 A JPS60258993 A JP S60258993A JP 59114552 A JP59114552 A JP 59114552A JP 11455284 A JP11455284 A JP 11455284A JP S60258993 A JPS60258993 A JP S60258993A
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- light
- rod lens
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0654—Single longitudinal mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体発光装置に関する。
（発明の背景〕
半導体発光素子、特に半導体レーザ（以下。
ＬＤと略称する。）を用いた光通信システムでは。
ＬＤの後方出射光を光電変換器で光電変換してモニタ信
号として用いたり、その出力をＬＤ駆動回（２） 路を通してＬＤにフィードバックし、光電気負帰還を行
なったり、あるいは後方出射光を強制的にＬＤにもどし
て光フィードバックを行なう方法などが使われている。
号として用いたり、その出力をＬＤ駆動回（２） 路を通してＬＤにフィードバックし、光電気負帰還を行
なったり、あるいは後方出射光を強制的にＬＤにもどし
て光フィードバックを行なう方法などが使われている。
この場合に、後方出射光をできるだけ多くとりだすこと
が重要である。しかし、従来法ではＬＤのマウント構造
に制約を受けるとか、ＬＤの放熱効率が下がるなどの理
由で、第１図のような構造のものが主流をしめている。
が重要である。しかし、従来法ではＬＤのマウント構造
に制約を受けるとか、ＬＤの放熱効率が下がるなどの理
由で、第１図のような構造のものが主流をしめている。
これはＬＤＩの後方出射光７が集まる近辺に受光素子５
を配置させて後方出射光７をとりだすようにした構成で
ある。しかし、ＬＤの後方出射光７は拡がりをもつため
、この構成ではサブマウント２の表面でその一部が反射
してさらに拡がり、あるいは干渉しあったりして受光素
子５で効率よく受光できないという問題があった。また
、ＬＤＩの歪を補償するために受光素子５の出力をＬＤ
駆動回路を通してＬＤにフィードバックする際に、上述
、 の如く後方出射光の一部し力゛受光できなし゛ため
番；充分な歪補償が困戴という問題があった。
を配置させて後方出射光７をとりだすようにした構成で
ある。しかし、ＬＤの後方出射光７は拡がりをもつため
、この構成ではサブマウント２の表面でその一部が反射
してさらに拡がり、あるいは干渉しあったりして受光素
子５で効率よく受光できないという問題があった。また
、ＬＤＩの歪を補償するために受光素子５の出力をＬＤ
駆動回路を通してＬＤにフィードバックする際に、上述
、 の如く後方出射光の一部し力゛受光できなし゛ため
番；充分な歪補償が困戴という問題があった。
この対策案として、サブマウント２にＶ溝（図（３）
示せず）を形成させ、そのＶ溝に前方側のロッドレンズ
８と同じロッドレンズ（図示せず）を設けて後方出射光
を受光素子５に集光させるアイデアがあるが、ＬＤＩの
そばにＶ溝を形成させることは機械工作上極めてむずか
しく、またたとえできたとしてもＬＤの放熱効率が極端
に低下するためにＬＤの寿命を劣化させるという逆効果
もあり、現状ではこれらの問題を解決させることのでき
る構造は見い出されていない。なお第１図において、３
は金属（たとえば銅）のヒートシンク、４は受光素子５
のサブマウント、６は前方出射光、９は光ファイバであ
る。
８と同じロッドレンズ（図示せず）を設けて後方出射光
を受光素子５に集光させるアイデアがあるが、ＬＤＩの
そばにＶ溝を形成させることは機械工作上極めてむずか
しく、またたとえできたとしてもＬＤの放熱効率が極端
に低下するためにＬＤの寿命を劣化させるという逆効果
もあり、現状ではこれらの問題を解決させることのでき
る構造は見い出されていない。なお第１図において、３
は金属（たとえば銅）のヒートシンク、４は受光素子５
のサブマウント、６は前方出射光、９は光ファイバであ
る。
本発明の目的は、半導体発光素子の後方出射光をその素
子の放熱効率を低下させることなく高効率で取り出す装
置と、その後方出射光を用いて光モニタ、光電気負帰還
、および光フィードバックを行なう装置を提供すること
にある。
子の放熱効率を低下させることなく高効率で取り出す装
置と、その後方出射光を用いて光モニタ、光電気負帰還
、および光フィードバックを行なう装置を提供すること
にある。
本発明は反射面付ロッドレンズ（屈折率分布型）（４）
をＬＤの後方のサブマウント上にハンダ付けなどにより
固定配置させ、そのロッドレンズの後に受光素子を配置
させた構成の装置である。また受光素子の出力をＬＤ駆
動回路を通してＬＤにフィードバックするようにした装
置である。さらに、上記反射面付ロッドレンズとして、
全長が０．２０〜０．３０ ピッチで反射面の畏さも同
様の長さのもの以外に、全長が約１７２ピツチで反射面
の長さが約１７４ピツチのものを用い、ＬＤの後方出射
光を上記ロッドレンズで２分配し、一方の分配出力側に
は受光素子を、他方の分配出力側には所望の反射率の膜
を有するガラス板を配置した構成の装置である。
固定配置させ、そのロッドレンズの後に受光素子を配置
させた構成の装置である。また受光素子の出力をＬＤ駆
動回路を通してＬＤにフィードバックするようにした装
置である。さらに、上記反射面付ロッドレンズとして、
全長が０．２０〜０．３０ ピッチで反射面の畏さも同
様の長さのもの以外に、全長が約１７２ピツチで反射面
の長さが約１７４ピツチのものを用い、ＬＤの後方出射
光を上記ロッドレンズで２分配し、一方の分配出力側に
は受光素子を、他方の分配出力側には所望の反射率の膜
を有するガラス板を配置した構成の装置である。
本発明によれば、反射面付ロッドレンズの反射面は平坦
であるので、サブマウント上にハンダ付けなどにより容
易に固定でき、またＬＤの後方近傍に接近配置させるこ
とができるので、ＬＤの後方出射光のほとんどすべてを
このロッドレンズ内に入射させることができる。そして
このロッドレンズ内に入射した光線のうち、反射面によ
って反（５） 射されない光線は、通常の屈折率分布型ロッドレンズを
通過するときと同様の振舞いをして上記ロッドレンズ（
長さ０．２０〜０．３０ピツチの場合、）の反射端面近
傍に集光され、また反射面によって一度反射された光線
も反射の後はあたかも反射面に対し対称な光線が通常の
屈折率分布型ロッドレンズを通過するときと同様な振舞
いをして反対端面近傍に集光される。したがってとのロ
ッドレンズの反対端面近傍に受光素子を配置させておけ
ば、極めて高結合率でＬＤの後方出射光を受光すること
できる。またＬＤのサブマウント上は何ら切断あるいは
掘削などの加工をしないので放熱効果は低下せず、逆に
反射面付ロッドレンズの反射面を上記サブマウント上に
ハンダ付けするのでこれによる放熱効果の向上を期待で
きる。さらに、ＬＤの後方出射光を畏さが１／２ピツチ
の反射面付ロッドレンズを用いることにより２分配させ
。
であるので、サブマウント上にハンダ付けなどにより容
易に固定でき、またＬＤの後方近傍に接近配置させるこ
とができるので、ＬＤの後方出射光のほとんどすべてを
このロッドレンズ内に入射させることができる。そして
このロッドレンズ内に入射した光線のうち、反射面によ
って反（５） 射されない光線は、通常の屈折率分布型ロッドレンズを
通過するときと同様の振舞いをして上記ロッドレンズ（
長さ０．２０〜０．３０ピツチの場合、）の反射端面近
傍に集光され、また反射面によって一度反射された光線
も反射の後はあたかも反射面に対し対称な光線が通常の
屈折率分布型ロッドレンズを通過するときと同様な振舞
いをして反対端面近傍に集光される。したがってとのロ
ッドレンズの反対端面近傍に受光素子を配置させておけ
ば、極めて高結合率でＬＤの後方出射光を受光すること
できる。またＬＤのサブマウント上は何ら切断あるいは
掘削などの加工をしないので放熱効果は低下せず、逆に
反射面付ロッドレンズの反射面を上記サブマウント上に
ハンダ付けするのでこれによる放熱効果の向上を期待で
きる。さらに、ＬＤの後方出射光を畏さが１／２ピツチ
の反射面付ロッドレンズを用いることにより２分配させ
。
一方は光電気負帰還用信号として、他方はＬＤ側へ強制
的にもどさせる光フイードバツク用として用いることに
より、低歪化、低雑音化、発振スペ（６） クトルの安定化を同時に満足させることができる。
的にもどさせる光フイードバツク用として用いることに
より、低歪化、低雑音化、発振スペ（６） クトルの安定化を同時に満足させることができる。
第２図に本発明の半導体発光装置の一実施例を示す、１
０は反射面付ロッドレンズであり、反射面１１がサブマ
ウント２上にハンダ付けされている。反射面付ロッドレ
ンズ１０の構造は第３図（ａ）〜（ｃ）のようなものが
使える。すなわち、（ａ）のようにロッドレンズ１０の
中心軸より半割りとし、その半割り面に反射面１１を形
成した構成、（ｂ）、（（りのようにロッドレンズの中
心軸より下側部分を切断してその切断面に反射面１１を
形成した構成のものが使える。
０は反射面付ロッドレンズであり、反射面１１がサブマ
ウント２上にハンダ付けされている。反射面付ロッドレ
ンズ１０の構造は第３図（ａ）〜（ｃ）のようなものが
使える。すなわち、（ａ）のようにロッドレンズ１０の
中心軸より半割りとし、その半割り面に反射面１１を形
成した構成、（ｂ）、（（りのようにロッドレンズの中
心軸より下側部分を切断してその切断面に反射面１１を
形成した構成のものが使える。
その長さΩはＬＤと反射面付ロッドレンズとの距離Ｑｔ
、反射面付ロッドレンズと受光素子との距＊ （ｌ Ｓ
＋−１受光素子の有効受光面積、ＬＤの発振波長などに
依存するが、通常０．２０〜０．３０ピツチの間から選
ぶ。たとえば、ＬＤの発振波長が１．３μｍの場合、Ω
□＝１．０閣、Ω、＝０．２９ピッチ、ｆｌ、＝２．５
１■が好ましい。またＱ。
、反射面付ロッドレンズと受光素子との距＊ （ｌ Ｓ
＋−１受光素子の有効受光面積、ＬＤの発振波長などに
依存するが、通常０．２０〜０．３０ピツチの間から選
ぶ。たとえば、ＬＤの発振波長が１．３μｍの場合、Ω
□＝１．０閣、Ω、＝０．２９ピッチ、ｆｌ、＝２．５
１■が好ましい。またＱ。
＝０．５閣とすると、Ω＝０．２９ピッチ、Ω２＝（７
） ４．１３ｍが好ましい値であった。Ｑ、を非常に小さい
値に選べば、ＬＤの後方出射光のほとんどすべてを反射
面付ロッドレンズ内に入射させることができる。そして
上記入射光のうち１反射面によって反射されない光線は
、通常の屈折率分布型ロッドレンズを通過するときと同
様の振舞いをし、反射面によって一度反射される光線は
１反射の後はあたかも反射面に対し対称な光線が通常の
屈折率分布型ロッドレンズを通過するときと同様の振舞
いをする。そしてこれらロッドレンズ内を伝搬した光線
は受光素子端面上に効率よく入射されて大信号の光電変
換出力となる。
） ４．１３ｍが好ましい値であった。Ｑ、を非常に小さい
値に選べば、ＬＤの後方出射光のほとんどすべてを反射
面付ロッドレンズ内に入射させることができる。そして
上記入射光のうち１反射面によって反射されない光線は
、通常の屈折率分布型ロッドレンズを通過するときと同
様の振舞いをし、反射面によって一度反射される光線は
１反射の後はあたかも反射面に対し対称な光線が通常の
屈折率分布型ロッドレンズを通過するときと同様の振舞
いをする。そしてこれらロッドレンズ内を伝搬した光線
は受光素子端面上に効率よく入射されて大信号の光電変
換出力となる。
第４図は本発明の半導体発光装置の別の実施例である。
これは反射面付ロッドレンズ１２として、第５図に示す
ようなものを用いた場合である。すなわち１反射面付ロ
ンドレンズ１２として、長さを約１／２ピツチとし、反
射面１１の長さを約１／４ピツチとしたものを用いた場
合で、ＬＤの後方出射光を上記ロッドレンズ１２内に入
射させた後、ロッドレンズの反対面側に上記光を２分配
（８） させるようにしたものである。そして、２分配された光
の一方は受光素子５に入射させ、もう一方は所望の反射
率を有するガラス板１３に入射させるようにしたもので
ある。ガラス板１３に入射した光の一部は所望の反射率
で反射されてロッドレンズ１２内を逆に伝搬し、ＬＤ側
へもどされ、光フィードバックがなされるように構成さ
れている。
ようなものを用いた場合である。すなわち１反射面付ロ
ンドレンズ１２として、長さを約１／２ピツチとし、反
射面１１の長さを約１／４ピツチとしたものを用いた場
合で、ＬＤの後方出射光を上記ロッドレンズ１２内に入
射させた後、ロッドレンズの反対面側に上記光を２分配
（８） させるようにしたものである。そして、２分配された光
の一方は受光素子５に入射させ、もう一方は所望の反射
率を有するガラス板１３に入射させるようにしたもので
ある。ガラス板１３に入射した光の一部は所望の反射率
で反射されてロッドレンズ１２内を逆に伝搬し、ＬＤ側
へもどされ、光フィードバックがなされるように構成さ
れている。
これにより、ＬＤの縦モードを拡げ、その可干渉性を低
下させ、モーダル雑音、モーダル歪を低減させることが
できる。なお、反射面の長さを変えることにより２分配
信号の分配比を変えることができる。すなわち、光フイ
ードバツク量をこれによっても制御することができる。
下させ、モーダル雑音、モーダル歪を低減させることが
できる。なお、反射面の長さを変えることにより２分配
信号の分配比を変えることができる。すなわち、光フイ
ードバツク量をこれによっても制御することができる。
ガラス板１３の反射率を変えても光フイードバツク量を
制御できることは勿論である。また反射膜はガラス板１
３上に形成させる以外に、ガラス棒、光フアイバ端面な
どに形成させ、これらに光を入射させるようにしてもよ
い。
制御できることは勿論である。また反射膜はガラス板１
３上に形成させる以外に、ガラス棒、光フアイバ端面な
どに形成させ、これらに光を入射させるようにしてもよ
い。
第６図は第４図の装置を用いて構成した本発明の半導体
発光装置の実施例である。これは光ブイ（９） −ドパツクによるモーダル雑音、モーダル歪の低減化、
光電気負帰還によるＬＤの歪補償、高周波重畳法による
モーダル雑音、モーダル歪の低減化をはかったブロック
構成である。その動作について述べる。入力情報信号１
６は電圧−電流変換回路１５の一方に入力端に入力され
、もう一方の入力端に入力された受光素子の光電変換信
号を増幅器１４で増幅した信号２０と共に電流変換され
る。
発光装置の実施例である。これは光ブイ（９） −ドパツクによるモーダル雑音、モーダル歪の低減化、
光電気負帰還によるＬＤの歪補償、高周波重畳法による
モーダル雑音、モーダル歪の低減化をはかったブロック
構成である。その動作について述べる。入力情報信号１
６は電圧−電流変換回路１５の一方に入力端に入力され
、もう一方の入力端に入力された受光素子の光電変換信
号を増幅器１４で増幅した信号２０と共に電流変換され
る。
そして電圧−電流変換回路１５の出力電流は高周波電流
発生回路１９の信号とバイアス電流発生回路１７の信号
と共に加算回路１８に入力されて加算され、加算回路１
８の出力信号はＬＤＩに送られる。ＬＤｌの前方出射光
６はロッドレンズ８を通して光ファイバ９に結合され、
後方出射光の一部は矢印７ａのごとく受光素子５と、所
望の反射率を有するガラス板１３へ送られる。ガラス板
１３へ送られた光信号７ｂの一部あるいは全部は矢印２
２のとと＜ＬＤへもどされる。
発生回路１９の信号とバイアス電流発生回路１７の信号
と共に加算回路１８に入力されて加算され、加算回路１
８の出力信号はＬＤＩに送られる。ＬＤｌの前方出射光
６はロッドレンズ８を通して光ファイバ９に結合され、
後方出射光の一部は矢印７ａのごとく受光素子５と、所
望の反射率を有するガラス板１３へ送られる。ガラス板
１３へ送られた光信号７ｂの一部あるいは全部は矢印２
２のとと＜ＬＤへもどされる。
本発明は上記実施例に限定されない。たとえば、ＬＤＩ
とロッドレンズ８の間、ＬＤｌと反射面付（１０） ロッドレンズ１０あるいは１２の間に光ビームを平行光
に変換する球レンズ、または円柱レンズを挿入する構成
のものにも適用できる。この場合、ロッドレンズ８、反
射面付ロッドレンズ１０の長さは０．２５ ピッチ前後
が好ましい。ロッドレンズ８、反射面付ロッドレンズ１
０，１２の天端面は反射防止用のために斜め（８°前後
）光学鏡面研磨をほどこすか、あるいはその面に反射防
止用コーテイング膜をほどこしてもよい、またＬＤ以外
に、発光ダイオードにも適用できることは言うまでもな
いことである。第６図において、伝送すべき入力情報信
号へ高周波信号を重畳する方法として、加算回路の代り
に乗算回路を用いて実現してもよい。
とロッドレンズ８の間、ＬＤｌと反射面付（１０） ロッドレンズ１０あるいは１２の間に光ビームを平行光
に変換する球レンズ、または円柱レンズを挿入する構成
のものにも適用できる。この場合、ロッドレンズ８、反
射面付ロッドレンズ１０の長さは０．２５ ピッチ前後
が好ましい。ロッドレンズ８、反射面付ロッドレンズ１
０，１２の天端面は反射防止用のために斜め（８°前後
）光学鏡面研磨をほどこすか、あるいはその面に反射防
止用コーテイング膜をほどこしてもよい、またＬＤ以外
に、発光ダイオードにも適用できることは言うまでもな
いことである。第６図において、伝送すべき入力情報信
号へ高周波信号を重畳する方法として、加算回路の代り
に乗算回路を用いて実現してもよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、次のような効果がある。
（１）半導体発光素子の後方出射光をその素子の放］
熱動＊″！″′Ｆ″″’５ｆ６＝ｋｆｔ＜、ｍＬ：ｒＮ
Ｊ：、＊−ｔｋ６と同時に極めて高い効率で上記光を受
光素子に導くことができる。
熱動＊″！″′Ｆ″″’５ｆ６＝ｋｆｔ＜、ｍＬ：ｒＮ
Ｊ：、＊−ｔｋ６と同時に極めて高い効率で上記光を受
光素子に導くことができる。
（１１）
（２）前方出射光とほぼ同じような光出力レベル、光ス
ペクトル特性をもった光信号を受光素子に導くことがで
きるので、光電気負帰還により半導体発光素子の非直線
性によって生ずる歪の補償が容易である。
ペクトル特性をもった光信号を受光素子に導くことがで
きるので、光電気負帰還により半導体発光素子の非直線
性によって生ずる歪の補償が容易である。
（３）後方出射光を２分配することができ、その分配比
も反射面付ロッドレンズの反射面の長さを変えることに
より、あるいはガラス面に形成した反射膜の反射率を変
えることにより制御することができる。また上記反射膜
で後方出射光の一部をＬＤ側へ強制的にもどすことによ
り光フィードバックを実現させ、モーダル雑音、モーダ
ル歪の低減化が可能となる。
も反射面付ロッドレンズの反射面の長さを変えることに
より、あるいはガラス面に形成した反射膜の反射率を変
えることにより制御することができる。また上記反射膜
で後方出射光の一部をＬＤ側へ強制的にもどすことによ
り光フィードバックを実現させ、モーダル雑音、モーダ
ル歪の低減化が可能となる。
（４）光フィードバックと光電気負帰還を併用したまっ
たく新構成の装置を提供でき、ＬＤの非直線性による歪
の補償と、モーダル雑音、モーダル歪の低減を達成する
ことが可能である。さらにこれに高周波重畳法も併用す
ることができるのでより一層のモーダル雑音、モーダル
歪の低減を期待できる。
たく新構成の装置を提供でき、ＬＤの非直線性による歪
の補償と、モーダル雑音、モーダル歪の低減を達成する
ことが可能である。さらにこれに高周波重畳法も併用す
ることができるのでより一層のモーダル雑音、モーダル
歪の低減を期待できる。
（１２）
第１図は従来の半導体発光装置の概略図、第２図および
第４図は本発明の半導体発光装置の実施例、第３図およ
び第５図は本発明に用いる反射面付ロッドレンズの概略
図、第６図は第４図の装置を用いて構成した本発明の半
導体発光装置の実施例である。 １・・・半導体発光素子、２，４・・・サブマウント、
３・・・ヒートシンク、５・・・受光素子、６・・・前
方出射光、７・・・後方出射光、８・・・ロッドレンズ
、９・・・光ファイバ、１０，１２・・・反射面付ロッ
ドレンズ、１１・・・反射面、１３・・・反射膜付ガラ
ス板、１４・・・増幅器、１５・・・電圧−電流変換回
路、１６・・・入力情報信号、１７・・・バイアス電流
発生回路、１８・・・加算回路、１９・・・高周波電流
発生回路、２０・・・フィー（１３） 第１図 第 ３ 図 （Ｉ２−）（ｂ） （Ｃ） 第４図 第５図 第 ６ 図
第４図は本発明の半導体発光装置の実施例、第３図およ
び第５図は本発明に用いる反射面付ロッドレンズの概略
図、第６図は第４図の装置を用いて構成した本発明の半
導体発光装置の実施例である。 １・・・半導体発光素子、２，４・・・サブマウント、
３・・・ヒートシンク、５・・・受光素子、６・・・前
方出射光、７・・・後方出射光、８・・・ロッドレンズ
、９・・・光ファイバ、１０，１２・・・反射面付ロッ
ドレンズ、１１・・・反射面、１３・・・反射膜付ガラ
ス板、１４・・・増幅器、１５・・・電圧−電流変換回
路、１６・・・入力情報信号、１７・・・バイアス電流
発生回路、１８・・・加算回路、１９・・・高周波電流
発生回路、２０・・・フィー（１３） 第１図 第 ３ 図 （Ｉ２−）（ｂ） （Ｃ） 第４図 第５図 第 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体発光素子の後方出射光側に反射面付ロッドレ
ンズを介して受光素子を配置させ、該後方出射光を受光
するようにした半導体発光装置。 ２、反射面付ロッドレンズの全長が０．２０〜０．３０
ピッチで反射面の長さも全長にわたって形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装
置。 ３、反射面付ロッドレンズの全長が約１７２ピツチで反
射面の長さが０．２０〜０．３０ピツチの範囲にあるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光
装置。 ４、半導体発光素子の後方出射光を反射面付ロッドレン
ズで２つの光信号に分配し、一方の分配出力側には受光
素子を、他方の分配出力側には所望の反射率の膜を有す
るガラス板を配置したことを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載の半導体発光装置。 （１） ５、受光素子の出力信号を半導体発光素子の駆動回路を
通して該半導体発光素子にフィードバックし、光電気負
帰還を行なったことを特徴とする特許請求の範囲第１〜
４項記載の半導体発光装置。 ６、伝送すべく入力情報信号に高周波信号を重畳させた
ことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の半導体発
光装置。 ７、半導体発光素子と反射面付ロッドレンズとの間に光
ビームを平行に変換するレンズを挿入したことを特徴と
する特許請求の範囲第１〜６項記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114552A JPS60258993A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114552A JPS60258993A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258993A true JPS60258993A (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=14640647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59114552A Pending JPS60258993A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258993A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206578A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-08-13 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 外部キャビティダイオードレーザ |
| EP0713271A1 (en) * | 1994-11-18 | 1996-05-22 | Nortel Networks Corporation | Injection laser assembly incorporating a monitor photosensor |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP59114552A patent/JPS60258993A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206578A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-08-13 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 外部キャビティダイオードレーザ |
| EP0713271A1 (en) * | 1994-11-18 | 1996-05-22 | Nortel Networks Corporation | Injection laser assembly incorporating a monitor photosensor |
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