JPH0358086B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光通信の光源に使用するレーザモジ
ユール装置に関するものである。

従来例の構成とその問題点 第１図はアイソレータを用いた従来の半導体レ
ーザモジユール装置を示している。第１図におい
て、１は半導体レーザであり、この半導体レーザ
１から発した光は、レンズ２で平行光線にされ
る。レンズ２からの平行光線はアイソレータ３を
通つた後、レンズ４で集光され、フアイバ５へと
結合される。６は光軸である。上記アイソレータ
３は半導体レーザ１からフアイバ５へと進行する
光に対しては損失がほとんどないが、フアイバ５
から半導体レーザ１へと戻つてくる光に対して
は、そのアイソレータ３の種類に応じた損失を生
じさせ、それによつてコネクタ端面等からの反射
戻り光量を低減する働きをしている。

しかしながら、上記従来例においては、アイソ
レータ３を挿入するために２個のレンズ２，４を
使用しなければならず、半導体レーザモジユール
装置が小形化できないという問題点およびアイソ
レータ３が高価であるという欠点があつた。

第２図は同じく反射戻り光量を低減するための
従来の他のレーザモジユール装置を示している。
第２図において、７は半導体レーザ、８はレン
ズ、９はフアイバであり、本従来例ではフアイバ
９の入射面をレンズ８によるビーム集光点からず
らし、半導体レーザ７とフアイバ９間の結合効率
を最大状態から低下させている。しかし、この従
来例においては、フアイバ９に入射する光ビーム
の伝搬モードを一部分に制限する。いわゆる空間
フイルタリングが生じてフアイバ伝搬後のＣ／Ｎ
に劣化が生じるという欠点があつた。

発明の目的 本発明は、上記従来例の問題点を除去するもの
であり、アイソレータを用いずに、しかも軸ずれ
結合による空間フイルタリング効果を生じさせな
いで、反射戻り光量を−70dB前後に抑えること
により、小形で安価で高いＣ／Ｎのとれる半導体
レーザモジユール装置を提供することを目的とす
るものである。

発明の構成 本発明は、上記目的を達成するために、レンズ
の半導体レーザ側の面、あるいはレンズのフアイ
バ側の面、あるいはその両面に光減衰器の働きを
するニユートラルデンシテイフイルタを蒸着する
ことにより、コネクタ端面等から半導体レーザへ
の反射戻り光量を−70dB前後に抑えるものであ
り、高価なアイソレータを使用せずに、また軸ず
れ結合による空間フイルタリングも生じさせずに
レーザの反射光による雑音増加等の劣化をなくす
る効果を得るものである。

実施例の説明 以下に本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。第３図において１０は半導体レーザであ
り、この半導体レーザ１０から発する光を集束性
ロツドレンズ１１で集光し、フアイバ１３へと結
合している。フアイバ１３の端面は集光点に設置
する。フアイバ１３の入射端面は、そこでの反射
光線が再び集束性ロツドレンズ１１内を伝搬して
レーザ活性層へと戻ることを防ぐために斜めに研
磨されている。上記集束性ロツドレンズ１１の側
面にはニユートラルデンシテイフイルタ１２が蒸
着されており、１４のフアイバコネクタ部からの
反射戻り光が再びレーザ活性層へと戻る量は、−
70dB前後に低減される。ニユートラルデンシテ
イフイルタ１２は、例えば半導体レーザ１０の特
性が劣化しないための許容反射戻り光量が−
70dBの場合には、半導体レーザ１０からフアイ
バ１３への結合における損失、フアイバコネクタ
部１４での反射率、フアイバ１３から半導体レー
ザ１０への結合における損失の合計が−70dBに
なるようにその光減衰量を設定すればよい。伝送
用の光フアイバにマルチモードフアイバを使用し
た場合には半導体レーザ１０からフアイバ１３へ
の結合効率よりも、フアイバ１３から半導体レー
ザ１０への結合効率の方が約10dB低い。ニユー
トラルデンシテイフイルタ１２を蒸着していない
時における半導体レーザ１０からフアイバ１３へ
の結合効率をηdB、フアイバコネクタ部１４での
反射率をCdB、ニユートラルデンシテイフイルタ
１２の光減衰量をRdBとすると、 η＋Ｒ＋η＋Ｒ−10＋Ｃ＝2η＋2R−10＋Ｃ ＝−70 になるようにＲを設定すればよいことになる。例
えばＣ＝−40dB、η＝−3dBの場合にはＲは−
7dBとすればよい。

本実施例によれば、アイソレータを用いずに、
また軸ずれによる空間フイルタリングも生じさせ
ずに反射戻り光量を所要の値に低減することがで
きる。

なお、ニユートラルデンシテイフイルタ１２に
よる減衰量の分だけ、半導体レーザ１０からフア
イバ１３への結合効率は低下するので、半導体レ
ーザ１０としては、伝送距離によつては高出力の
レーザ、例えば20ｍＷ程度の出力の得られるトウ
イン・リツジ形レーザなどを用いる必要がある。

発明の効果 本発明は上記のような構成であり、以下に示す
効果が得られるものである。

(a) 反射戻り光低減に高価で大形のアイソレータ
の代わりに、ニユートラルデンシテイフイルタ
を蒸着したレンズを用いるために、安価で小形
のレーザモジユール装置が得られる。

(b) 従来例のような反射戻り光低減に軸ずれ結合
による結合効率の低下ではなく、ニユートラル
デンシテイフイルタによる結合効率の低下であ
るため、空間フイルタリングによる伝送時の
Ｃ／Ｎ劣化が生じない。

半導体レーザからレンズ、フアイバに伝送され
る光、及びフアイバコネクタ部等で反射してフア
イバ、レンズを介して半導体レーザに戻る反射戻
り光をニユートラルデンシテイフイルタで減衰さ
せるため、戻り光を半導体レーザに影響を与えな
いように十分減衰できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のレーザモジユール装置の構成
図、第２図は従来の他のレーザモジユール装置の
構成図、第３図は本発明の一実施例におけるレー
ザモジユール装置の構成図である。 １０……半導体レーザ、１１……集束性ロツド
レンズ、１２……ニユートラルデンシテイフイル
タ、１３……フアイバ、１４……フアイバコネク
タ部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザと、この半導体レーザから発す
   る光を集光するレンズと、このレンズの集光点に
   端面が配置されたフアイバと、上記レンズの少な
   くとも片面に蒸着されたニユートラルデンシテイ
   フイルタとを有し、上記半導体レーザから発する
   光及び上記半導体レーザへの反射戻り光を上記ニ
   ユートラルデンシテイフイルタにより減衰させる
   ことを特徴とするレーザモジユール装置。 ２ レンズとして集束性のロツドレンズを用いた
   特許請求の範囲第１項記載のレーザモジユール装
   置。