JPS60119752A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60119752A JPS60119752A JP22715383A JP22715383A JPS60119752A JP S60119752 A JPS60119752 A JP S60119752A JP 22715383 A JP22715383 A JP 22715383A JP 22715383 A JP22715383 A JP 22715383A JP S60119752 A JPS60119752 A JP S60119752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive film
- contact hole
- conductive
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する技術分野の説明
本発明は半導体装置の製造方法に係シ、特に稠密な電極
配線を形成するのに有利な半導体装置の製造方法に関す
る。
配線を形成するのに有利な半導体装置の製造方法に関す
る。
（２）従来技術の説明
従来、半導体装置の基板上の電極や配線等の導電膜パタ
ーンに対してコンタクト孔を形成する場合、第１図に示
すように第１の導電膜パターン上に層間絶縁膜を形成し
、パターンの内側にコンタクト孔を開孔し、その後、第
２０導電膜を形成して第１の導電膜パターンと第２の導
電膜パターンの間の電気的接続を行なっていた。
ーンに対してコンタクト孔を形成する場合、第１図に示
すように第１の導電膜パターン上に層間絶縁膜を形成し
、パターンの内側にコンタクト孔を開孔し、その後、第
２０導電膜を形成して第１の導電膜パターンと第２の導
電膜パターンの間の電気的接続を行なっていた。
この方法によると、コンタクト孔に被着した第２の導電
膜パターンは、コンタクト孔の端部の段差によって断切
れを起こす事故がちる。特に、近年集積回路上のパター
ンの高集積化が進み、コンタクト孔自身の寸法が、従来
に較べて微細となってくるとますます前述の段切れによ
る歩留シ低下の事故が多くなって来ている。
膜パターンは、コンタクト孔の端部の段差によって断切
れを起こす事故がちる。特に、近年集積回路上のパター
ンの高集積化が進み、コンタクト孔自身の寸法が、従来
に較べて微細となってくるとますます前述の段切れによ
る歩留シ低下の事故が多くなって来ている。
（３）発明の詳細な説明
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、このよう
な従来技術が有していた問題点を解決し段切れが起とシ
に＜＜、高集積化に好適な半導体装置の製造方法を提供
するものである。
な従来技術が有していた問題点を解決し段切れが起とシ
に＜＜、高集積化に好適な半導体装置の製造方法を提供
するものである。
（４）発明の構成
半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の導電膜パタ
ーンを形成する工程と、この導電膜及びその周辺部を第
２の絶縁膜で被覆する工程とフォトレジスト加工によシ
第１の導電膜上にコンタクト孔を形成する工程と、上記
フォトレジストはそのｉｔにして第２の導電膜と同一の
導電膜を少なくとも第２の絶縁膜の厚さだけ被着し、そ
の後第２の絶縁膜上のフォトレジストをリフトオフして
、コンタクト孔領域にのみ導電膜を埋め込む工程と、第
２の絶縁膜上及び導電膜が埋め込まれたコンタクト孔領
域上に第２の導電膜を被着、加工する工程とを具備して
なる半導体装置の製造方法を提供するものである。
ーンを形成する工程と、この導電膜及びその周辺部を第
２の絶縁膜で被覆する工程とフォトレジスト加工によシ
第１の導電膜上にコンタクト孔を形成する工程と、上記
フォトレジストはそのｉｔにして第２の導電膜と同一の
導電膜を少なくとも第２の絶縁膜の厚さだけ被着し、そ
の後第２の絶縁膜上のフォトレジストをリフトオフして
、コンタクト孔領域にのみ導電膜を埋め込む工程と、第
２の絶縁膜上及び導電膜が埋め込まれたコンタクト孔領
域上に第２の導電膜を被着、加工する工程とを具備して
なる半導体装置の製造方法を提供するものである。
（５）実施例の説明
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図Ａに示すように、半導体基板１１上に第１の絶縁
膜として酸化珪素膜１２を設け、その上に多結晶珪素膜
１３を被着し、これを蝕刻して配線領域を形成して第１
の導電膜パターンとする。次に層間絶縁膜として例えば
、燐添加酸化珪素膜１４を１．０μｍ〜１，５μｍ被着
し、従来のフォトレジスト加工によシコンタクト孔１５
を形成する。この時コンタクト孔１５の側壁の高さはレ
ジスト膜１６の厚さ約１．０μｍと眉間絶縁膜１４の厚
さ１．０μｍ〜１５μｍの和となっている。
膜として酸化珪素膜１２を設け、その上に多結晶珪素膜
１３を被着し、これを蝕刻して配線領域を形成して第１
の導電膜パターンとする。次に層間絶縁膜として例えば
、燐添加酸化珪素膜１４を１．０μｍ〜１，５μｍ被着
し、従来のフォトレジスト加工によシコンタクト孔１５
を形成する。この時コンタクト孔１５の側壁の高さはレ
ジスト膜１６の厚さ約１．０μｍと眉間絶縁膜１４の厚
さ１．０μｍ〜１５μｍの和となっている。
次に、第２図Ｂに示すように、導電膜としてアルミニウ
ムを層間絶縁膜１４の厚さと同程度、スパッタ蒸着法に
よシ被着する。この際、コンタクト孔１５の側壁の高さ
は２．０μｍ〜２，５μｍとなっているため、アルミニ
ウムはコンタクト孔の端部で段切れを起こす。
ムを層間絶縁膜１４の厚さと同程度、スパッタ蒸着法に
よシ被着する。この際、コンタクト孔１５の側壁の高さ
は２．０μｍ〜２，５μｍとなっているため、アルミニ
ウムはコンタクト孔の端部で段切れを起こす。
その後、レジスト膜１６を有機溶剤によ如リフトオンす
れば第２図Ｃに示すように、コンタクト孔の部分には層
間膜の厚さ分を埋めるようにアルミニウム１９が残る。
れば第２図Ｃに示すように、コンタクト孔の部分には層
間膜の厚さ分を埋めるようにアルミニウム１９が残る。
こうして、コンタクト部分の段差をアルミニウム１９で
吸収した後に、第２図りに示すように、第２の導電膜と
してアルミニウムを被着すれば、コンタクト孔部分での
段切れのおそれなく第１の導電膜１３と第２の導電膜２
０とを電気的に接続することが可能である。
吸収した後に、第２図りに示すように、第２の導電膜と
してアルミニウムを被着すれば、コンタクト孔部分での
段切れのおそれなく第１の導電膜１３と第２の導電膜２
０とを電気的に接続することが可能である。
以上、本発明の実施例として、第１層目の導電膜を多結
晶珪素膜、第２層目の導電膜をアルミニウムとした場合
を示したが、本発明は例えば、多層のアルミニウム配線
を行なう場合にも、各層間を接続するコンタクト孔の段
差を吸収する手段として非常に有効でおる。
晶珪素膜、第２層目の導電膜をアルミニウムとした場合
を示したが、本発明は例えば、多層のアルミニウム配線
を行なう場合にも、各層間を接続するコンタクト孔の段
差を吸収する手段として非常に有効でおる。
しかも、コンタクト孔段差を吸収するために、特別にフ
ォトレジストマスク工程を追加する必要かが＜、コンタ
クト孔に対してセルファラインで、アルミニウムな埋め
込むことができるので、信頼性及びコスト面でも有利で
ある。
ォトレジストマスク工程を追加する必要かが＜、コンタ
クト孔に対してセルファラインで、アルミニウムな埋め
込むことができるので、信頼性及びコスト面でも有利で
ある。
（６）発明の詳細な説明
本発明は、以上説明したように、特別にフォトレジスト
マスク工程を追加することなく、導電膜上にコンタクト
孔を開孔する際に生じる段差を吸収、低減することにょ
シ、電極用導電膜の断切れを防止する効果がある。
マスク工程を追加することなく、導電膜上にコンタクト
孔を開孔する際に生じる段差を吸収、低減することにょ
シ、電極用導電膜の断切れを防止する効果がある。
第１図は従来法を説明する電極配線の断面図、第２図Ａ
〜Ｄは本発１４の一実施例の製造工程を示す断面図であ
る。 図において、１．１１・・曲珪素基板、２．１２・・・
・・・酸化珪素膜、３，１３・・曲多結晶珪素膜、４゜
１４・・・・・・燐添加酸化珪素膜、５．１５・・曲コ
ンタク）［孔部分、６．１８．２０・・曲アルミニウム
膜、７・・・・・・コンタクト開孔端部、１６・・聞フ
ォトレジス）、１７１１９・・曲コンタクト開孔領域に
埋めこまれたアルミニウム。 奉 ｌ 図 椿 ２ 図
〜Ｄは本発１４の一実施例の製造工程を示す断面図であ
る。 図において、１．１１・・曲珪素基板、２．１２・・・
・・・酸化珪素膜、３，１３・・曲多結晶珪素膜、４゜
１４・・・・・・燐添加酸化珪素膜、５．１５・・曲コ
ンタク）［孔部分、６．１８．２０・・曲アルミニウム
膜、７・・・・・・コンタクト開孔端部、１６・・聞フ
ォトレジス）、１７１１９・・曲コンタクト開孔領域に
埋めこまれたアルミニウム。 奉 ｌ 図 椿 ２ 図
Claims (1)
- 半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の導電膜パタ
ーンを形成する工程と、該第１の導電膜パターン及びそ
の周辺部を第２０絶縁膜で被覆する工程と、フォトレジ
スト加工によシ第１の導電膜上にコンタクト孔を形成す
る工程と、上記フォトレジストはそのままにして、導電
膜を少シくとも該第２の絶縁膜の厚さだけ被着し、その
後該第２の絶縁膜上のフォトレジストをリフトオフして
コンタクト孔領域にのみ該導電膜を埋め込む工程と、第
２の絶縁膜上及び該導電膜が埋め込まれたコンタクト孔
領域上に該導電膜と同じ材質の第２の導電膜を被着、加
工する工程とを具備してなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22715383A JPS60119752A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22715383A JPS60119752A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119752A true JPS60119752A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16856324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22715383A Pending JPS60119752A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60119752A (ja) |
-
1983
- 1983-12-01 JP JP22715383A patent/JPS60119752A/ja active Pending
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