JPS60108842A - 半導体装置の製法 - Google Patents
半導体装置の製法Info
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- JPS60108842A JPS60108842A JP58218209A JP21820983A JPS60108842A JP S60108842 A JPS60108842 A JP S60108842A JP 58218209 A JP58218209 A JP 58218209A JP 21820983 A JP21820983 A JP 21820983A JP S60108842 A JPS60108842 A JP S60108842A
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- JP
- Japan
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- wiring
- layer
- insulating layer
- photopolymerizable
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製法に関する。さらに詳しくは、
多層配線構造を有する半導体装置を製造する際に、光重
合性ラダー型オルガノシロキザンを用いて層間絶縁層を
形成し、半導体装置を製造する方法に関する。
多層配線構造を有する半導体装置を製造する際に、光重
合性ラダー型オルガノシロキザンを用いて層間絶縁層を
形成し、半導体装置を製造する方法に関する。
従来から多層配線構造を有する半導体装置が製造されて
いる。前記のごとき多層配線構造を有する半導体装置を
図面にもとづき説明する。
いる。前記のごとき多層配線構造を有する半導体装置を
図面にもとづき説明する。
第２図は多層配線構造を有する半導体装置の概略説明断
面図である。
面図である。
第２図において、トランジスタ、ダイオードなどの素子
が組込まれたシリコン基板（１）上に、第１層配線体（
２）と電゛気的に接続するための窓を有する保護膜であ
る二酸化ケイ素膜（γ）が形成されている。
が組込まれたシリコン基板（１）上に、第１層配線体（
２）と電゛気的に接続するための窓を有する保護膜であ
る二酸化ケイ素膜（γ）が形成されている。
該保護膜上に形成された第１層配線（２）上に第２層配
線（４）を形成するために、層間絶縁層として、たとえ
ば燐牛イ酸ガラス（以下、ＰＳＧという）からなる絶縁
層（８）が化学気相成長法（ＯＶＤ法）により形成され
る。ついで全面に７オトレジストが塗布され、フォトマ
スクを用いて露光現像後、該フォトレジスト膜をマスク
としてプラズマエツチングにより窓あけし、絶縁層（８
）に前記第１層配線（２）に達するスルーホール（６）
を形成する。そののちフォトレジストを除失し、全面に
アルミニウム層を蒸着し、これをバターニングされたフ
ォトレジストをマスクとしてドライエツチングすること
により選択的に除去し、第２図に示すような絶縁層（８
）を層間絶縁膜とし、第２層配線（４）がスルーホール
（６）を通して第１層配線（２）と接続され、多層配線
構造を有する半導体装置が製造される。
線（４）を形成するために、層間絶縁層として、たとえ
ば燐牛イ酸ガラス（以下、ＰＳＧという）からなる絶縁
層（８）が化学気相成長法（ＯＶＤ法）により形成され
る。ついで全面に７オトレジストが塗布され、フォトマ
スクを用いて露光現像後、該フォトレジスト膜をマスク
としてプラズマエツチングにより窓あけし、絶縁層（８
）に前記第１層配線（２）に達するスルーホール（６）
を形成する。そののちフォトレジストを除失し、全面に
アルミニウム層を蒸着し、これをバターニングされたフ
ォトレジストをマスクとしてドライエツチングすること
により選択的に除去し、第２図に示すような絶縁層（８
）を層間絶縁膜とし、第２層配線（４）がスルーホール
（６）を通して第１層配線（２）と接続され、多層配線
構造を有する半導体装置が製造される。
かかる従来技術による半導体装置における無機絶縁層は
、平滑性が劣るため層の厚さを厚くする必要があり、多
層配線構造になるにつれ段差が累積され、配線間で短絡
が生じやすくなり、信頼性に欠けるなどの問題がある。
、平滑性が劣るため層の厚さを厚くする必要があり、多
層配線構造になるにつれ段差が累積され、配線間で短絡
が生じやすくなり、信頼性に欠けるなどの問題がある。
前記のごとき問題を解決するため、有機高分子、とくに
ポリイミド樹脂の熱硬化被膜を層間絶縁膜として使用す
る方法（特公昭４８−５６９８８号、同５１−４４８７
１号、特開昭４９−４００７７号、同５２−１０６６７
９号、同５４−３３６５８号、同５６−１３１９４９号
の各公報）が提案されているが、上下層との間の接着力
が充分でなく、この欠点を改善するためには上下層の表
面処理が必要テアリ、プロセスが煩雑となり、かつ段差
被覆性も充分なものではない。
ポリイミド樹脂の熱硬化被膜を層間絶縁膜として使用す
る方法（特公昭４８−５６９８８号、同５１−４４８７
１号、特開昭４９−４００７７号、同５２−１０６６７
９号、同５４−３３６５８号、同５６−１３１９４９号
の各公報）が提案されているが、上下層との間の接着力
が充分でなく、この欠点を改善するためには上下層の表
面処理が必要テアリ、プロセスが煩雑となり、かつ段差
被覆性も充分なものではない。
一方、無機高分子であるオルガノラダーボリシ四キサン
は接着性、耐熱性、耐ドライエツチング性が優れ、また
低粘度であるために段差被覆性に優れていることが知ら
れている。しかしながら、このような長所を有するオル
ガノラダーがリシロキサンにも、そのまま使用するばあ
いには熱硬化樹脂であるためにポリイミドを用いるばあ
いと同じように、オルガノラダーポリシロキサン硬化被
膜の微細加工のために７オトレジストの使用が必要であ
り、プロセスが煩雑である（特開昭５６−１２５８５５
号、同５６−１２５８５６号、同５６−１２５８５７号
の各公報）。
は接着性、耐熱性、耐ドライエツチング性が優れ、また
低粘度であるために段差被覆性に優れていることが知ら
れている。しかしながら、このような長所を有するオル
ガノラダーがリシロキサンにも、そのまま使用するばあ
いには熱硬化樹脂であるためにポリイミドを用いるばあ
いと同じように、オルガノラダーポリシロキサン硬化被
膜の微細加工のために７オトレジストの使用が必要であ
り、プロセスが煩雑である（特開昭５６−１２５８５５
号、同５６−１２５８５６号、同５６−１２５８５７号
の各公報）。
本発明は、多層配線構造を有する半導体装置の層間絶縁
膜として使用するときに通常上記のごとき長所と欠点を
有するオルガノラダーボリシ田キサンの欠点を解消した
光重合性オルガノ２ダーボリシｐキサンを用いて、従来
技術の問題点を解決し、かつ大巾なプロセスの簡略化を
はかるためになされたものであり、半導体基板上に多層
配線を形成し、半導体装置を製造する方法において、半
導体基板上に形成された下層配線をおおう絶縁層を 一般式（１）： （式中、ｎは２〜２０の整数、Ｒ工はフェニル基または
メチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ感光
基または水素原子であり、かつＲ２、Ｒ３、Ｒ４および
〜のうち２〜４個の基が感光基である］で示す光重合性
ラダー型オルガノシロキザン無機高分子を用いて形成し
、プリベーキングを行なったのち、該絶縁層に所定のマ
スクを通して紫外線を照射し、バターニングを行なし１
、ボストベーキングをほどこし、ついで該絶縁層上に上
層配線を形成することを特徴とする半導体装置の製法に
関する。
膜として使用するときに通常上記のごとき長所と欠点を
有するオルガノラダーボリシ田キサンの欠点を解消した
光重合性オルガノ２ダーボリシｐキサンを用いて、従来
技術の問題点を解決し、かつ大巾なプロセスの簡略化を
はかるためになされたものであり、半導体基板上に多層
配線を形成し、半導体装置を製造する方法において、半
導体基板上に形成された下層配線をおおう絶縁層を 一般式（１）： （式中、ｎは２〜２０の整数、Ｒ工はフェニル基または
メチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ感光
基または水素原子であり、かつＲ２、Ｒ３、Ｒ４および
〜のうち２〜４個の基が感光基である］で示す光重合性
ラダー型オルガノシロキザン無機高分子を用いて形成し
、プリベーキングを行なったのち、該絶縁層に所定のマ
スクを通して紫外線を照射し、バターニングを行なし１
、ボストベーキングをほどこし、ついで該絶縁層上に上
層配線を形成することを特徴とする半導体装置の製法に
関する。
本発明に用いる光重合性ラダー型オルガノシロキサン無
機高分子は、式： （式中、ｎは２以上の整数を表わす）で示されるラダー
構造を有し、これらに、たとえばビニル基、アクリロイ
ル基、メタク四イル基、アクリルアミド基、ビニルエー
テル基、ビニルチオエーテル基、ビニルアミノ基、グリ
シジル基などの感光基が結合した化合物である。
機高分子は、式： （式中、ｎは２以上の整数を表わす）で示されるラダー
構造を有し、これらに、たとえばビニル基、アクリロイ
ル基、メタク四イル基、アクリルアミド基、ビニルエー
テル基、ビニルチオエーテル基、ビニルアミノ基、グリ
シジル基などの感光基が結合した化合物である。
前記光重合性ラダー型オルガノジローキサン無機系高分
子は、ラダー構造であるがゆえに耐熱性に優れ、またそ
の分子鎖の剛直性のために、同程度の分子量の他の直鎖
状高分子と比較して粘度がいちじるしく低くなる。
子は、ラダー構造であるがゆえに耐熱性に優れ、またそ
の分子鎖の剛直性のために、同程度の分子量の他の直鎖
状高分子と比較して粘度がいちじるしく低くなる。
本発明に用いる光重合性ラダー型オルガノシロキサン無
機高分子は、一般式（１）： （式中、ｎは２〜２０の整数、Ｒ□はフェニル基または
メチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびへはそれぞれ光重合
性基または水素原子であり、かつＲ８−Ｒ５のうち２〜
４個の基が感光基である）で示され、前記のごときラダ
ー構造にもとづく特性である耐熱性が良好で、分子量の
わりには粘度が低い。なお、一般式（１）において、ｎ
が２未満ではラダー構造とはならず、また２０をこえる
と加熱下においても流動性が低下し、段差被覆性が充分
でなくなる。またＲ２−Ｒ５が水素原子のばあいには末
端が水酸基となり、約２５０°０以上に加熱すると水酸
基間で脱水縮合反応がおこり、６次元化に寄与し、かつ
シリコン牛導体との接着力をさらに強くする。したがっ
てＲ２−Ｒ５のうち、１〜２個は水素原子である一般式
（１）で示される化合物も本発明に好ましく使用しうる
。また該化合物が光重合性であり、かつ３次元構造を形
成するためには一〜Ｒ５のうち２〜４個は光重合性基で
あることが必要である。またＲ工がメチル基のばあいに
はフェニル基のばあいと比較して耐熱性に優れているが
、つぎのごとき工程で必要とされるプラズマ耐性におい
て劣る。すなわち層間絶縁膜形成後の第２層の配線はア
ルミニウムを蒸着させたアルミニウム膜を形成後、フォ
トレジストをマスクとして塩素プラズマのエツチングに
よって通常行なわれているが、この過程で層間絶縁膜は
プラズマに曝されるため耐プラズマ性が良好なことが要
求される。
機高分子は、一般式（１）： （式中、ｎは２〜２０の整数、Ｒ□はフェニル基または
メチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびへはそれぞれ光重合
性基または水素原子であり、かつＲ８−Ｒ５のうち２〜
４個の基が感光基である）で示され、前記のごときラダ
ー構造にもとづく特性である耐熱性が良好で、分子量の
わりには粘度が低い。なお、一般式（１）において、ｎ
が２未満ではラダー構造とはならず、また２０をこえる
と加熱下においても流動性が低下し、段差被覆性が充分
でなくなる。またＲ２−Ｒ５が水素原子のばあいには末
端が水酸基となり、約２５０°０以上に加熱すると水酸
基間で脱水縮合反応がおこり、６次元化に寄与し、かつ
シリコン牛導体との接着力をさらに強くする。したがっ
てＲ２−Ｒ５のうち、１〜２個は水素原子である一般式
（１）で示される化合物も本発明に好ましく使用しうる
。また該化合物が光重合性であり、かつ３次元構造を形
成するためには一〜Ｒ５のうち２〜４個は光重合性基で
あることが必要である。またＲ工がメチル基のばあいに
はフェニル基のばあいと比較して耐熱性に優れているが
、つぎのごとき工程で必要とされるプラズマ耐性におい
て劣る。すなわち層間絶縁膜形成後の第２層の配線はア
ルミニウムを蒸着させたアルミニウム膜を形成後、フォ
トレジストをマスクとして塩素プラズマのエツチングに
よって通常行なわれているが、この過程で層間絶縁膜は
プラズマに曝されるため耐プラズマ性が良好なことが要
求される。
本発明において、半導体上に形成された下層配線をおお
うために前記光重合性ラダー型オルガノシロキサン無機
高分子が使用される。該光重合性ラダー型オルガノシロ
キサン無機高分子は単、独で用いてもよいが、感光性架
橋剤および（または）光増感剤などを併用してもよく、
これらを使用すると感光性が大巾に改善されうる。
うために前記光重合性ラダー型オルガノシロキサン無機
高分子が使用される。該光重合性ラダー型オルガノシロ
キサン無機高分子は単、独で用いてもよいが、感光性架
橋剤および（または）光増感剤などを併用してもよく、
これらを使用すると感光性が大巾に改善されうる。
前記感光性架橋剤としては、たとえば一般式：１式中、
Ｒ６はメチル基、エチル基、プロピル基すどの低級アル
キル基、ｐおよびｒはそれぞれ１〜３の整数である】で
示されるα、ω位にメルカプト７”キル基ｔ−有するシ
ロキサンオリゴマーヤ一般式： ％式％ （式中、Ｒ７は２価の有機基である）で示されるビスア
ジド類があげられ、具体例としては、たとえては、７ビ
スシリル化物、たとえば１，４−ビス（ジメチルシリル
）ベンゼンなどがあげられるが、これらに限定されるも
のではない。
Ｒ６はメチル基、エチル基、プロピル基すどの低級アル
キル基、ｐおよびｒはそれぞれ１〜３の整数である】で
示されるα、ω位にメルカプト７”キル基ｔ−有するシ
ロキサンオリゴマーヤ一般式： ％式％ （式中、Ｒ７は２価の有機基である）で示されるビスア
ジド類があげられ、具体例としては、たとえては、７ビ
スシリル化物、たとえば１，４−ビス（ジメチルシリル
）ベンゼンなどがあげられるが、これらに限定されるも
のではない。
前記光増感剤としては、たとえばＮ 、 Ｎ、 Ｎ’、
Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノ
ン（ミヒラーケトン）などのケトン糸化合物、ベンゾキ
ノンなどのキノン系化合物、３−メチル−１，３−ジア
ゾ−１，９−ベンズアントロンなどのようなアントロン
系化合物などがあげられるが、これらに限定されるもの
ではない。
Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノ
ン（ミヒラーケトン）などのケトン糸化合物、ベンゾキ
ノンなどのキノン系化合物、３−メチル−１，３−ジア
ゾ−１，９−ベンズアントロンなどのようなアントロン
系化合物などがあげられるが、これらに限定されるもの
ではない。
これらの感光性架橋剤、光増感剤などは、本発明に用い
る光重合性ラダー型オルガノシロキサン無機高分子の光
重合性基の種類によって必要に応じて用いられる。
る光重合性ラダー型オルガノシロキサン無機高分子の光
重合性基の種類によって必要に応じて用いられる。
つぎに本発明の方法を第１１図にもとづいて説明する。
本発明に用いる光重合性ラダー型オルガノシロキサン無
機高分子またはこれに感光性架橋剤および（または）光
増感剤などを配合した組成物は、通常、たとえばトルエ
ン、キシレン、ｎ−ブチルセルソルブアセテートなどの
溶媒を用いて６０重量％れた第１層（下層ン配線（２）
をおおうように塗布され、溶剤を除去し、１２０〜１８
０°ａ×４５〜７５分間程度の条件でプリベーキングが
行なわれ、絶縁層（８）が形成される。この過程で光重
合性オルガノラダーポリシロ午サンまたはその組成物は
流動し、第１層配線層の段差は平坦化される。ついで所
定のパターンを有するフォトマスク（５）を介して紫外
線（ｈν）が照射されたのち、イソブチルケトンなどの
溶媒で朱露光部を溶解し、第１図（１，、）に示すよう
なスルーホール（６）が形成される。そののち３５０〜
４５０°０×２０〜４０分間程度加熱すると、一部存在
する水酸基間で脱水縮合反応がおこり、３次元化した無
機高分子絶縁層（３ａ）が形成される。最後に無機高分
子絶縁層（３Ｂ）上に、第＃４（Ｑ）に示すように、通
常の方法により第２層（上層）配線（４）が形成される
。
機高分子またはこれに感光性架橋剤および（または）光
増感剤などを配合した組成物は、通常、たとえばトルエ
ン、キシレン、ｎ−ブチルセルソルブアセテートなどの
溶媒を用いて６０重量％れた第１層（下層ン配線（２）
をおおうように塗布され、溶剤を除去し、１２０〜１８
０°ａ×４５〜７５分間程度の条件でプリベーキングが
行なわれ、絶縁層（８）が形成される。この過程で光重
合性オルガノラダーポリシロ午サンまたはその組成物は
流動し、第１層配線層の段差は平坦化される。ついで所
定のパターンを有するフォトマスク（５）を介して紫外
線（ｈν）が照射されたのち、イソブチルケトンなどの
溶媒で朱露光部を溶解し、第１図（１，、）に示すよう
なスルーホール（６）が形成される。そののち３５０〜
４５０°０×２０〜４０分間程度加熱すると、一部存在
する水酸基間で脱水縮合反応がおこり、３次元化した無
機高分子絶縁層（３ａ）が形成される。最後に無機高分
子絶縁層（３Ｂ）上に、第＃４（Ｑ）に示すように、通
常の方法により第２層（上層）配線（４）が形成される
。
上記説明においては第１層配線と第２Ｎ配線との間の層
間絶縁層を形成するばあいについて説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、さらに上層の配線層
間を絶縁するばあいにも適用しうる。
間絶縁層を形成するばあいについて説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、さらに上層の配線層
間を絶縁するばあいにも適用しうる。
また本発明に用いうる配線材料としては、たとえばＡ１
、Ａｕ５Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｏｕ、Ｐｔなどを単独または
２種以上用いた合金などが用いられうる。
、Ａｕ５Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｏｕ、Ｐｔなどを単独または
２種以上用いた合金などが用いられうる。
つぎに本発明の方法を実施例にもとづき説明する。
実施例１
シリコン基板上に厚さ約０．８μｍのアルミニウム層を
通常の方法により所定の配線パターンに形成した。つい
で式： で示される分子量約１５００の光重合性無機高分子のト
ルエン３０重Ｉ１１％溶液を調製した。えられた溶液を
スピンナーを用いて回転数的２００Ｏｒｐｍで前記配線
パターンを形成したシリコン半導体上に、乾燥時の膜厚
が約１μｍになるように塗布した。そののち６０°ｏ×
６０分間乾燥させ、さらに１５０町×１時間加熱した。
通常の方法により所定の配線パターンに形成した。つい
で式： で示される分子量約１５００の光重合性無機高分子のト
ルエン３０重Ｉ１１％溶液を調製した。えられた溶液を
スピンナーを用いて回転数的２００Ｏｒｐｍで前記配線
パターンを形成したシリコン半導体上に、乾燥時の膜厚
が約１μｍになるように塗布した。そののち６０°ｏ×
６０分間乾燥させ、さらに１５０町×１時間加熱した。
ついで所定のパターンを有するフォトマスクを介して紫
外、ＩＩ（超高圧水銀灯５００Ｗ、距離５０ｏｍ ）を
１０秒間照射したのちイソブチル＋）ンを用いて現像し
、スルーホールを形成した。つぎに４００％×３０分間
加熱したのちＡ１層を蒸着して、通常の方法により第２
層配線を行なった。
外、ＩＩ（超高圧水銀灯５００Ｗ、距離５０ｏｍ ）を
１０秒間照射したのちイソブチル＋）ンを用いて現像し
、スルーホールを形成した。つぎに４００％×３０分間
加熱したのちＡ１層を蒸着して、通常の方法により第２
層配線を行なった。
本発明においては、光重合性ラダー型オルガノシロキサ
ン無機高分子を用いて多層配ｌ５ＷＪＩ造を有する半導
体装置の層間絶縁膜を形成することにより、耐熱性、平
坦性、接着性および耐プラズマエツチング性に優れた層
間絶縁膜を大巾に簡略化されたプロセスにより製造する
ことができる。その結果、信頼性の高い多層配線構造を
有する半導体装置かえられる。
ン無機高分子を用いて多層配ｌ５ＷＪＩ造を有する半導
体装置の層間絶縁膜を形成することにより、耐熱性、平
坦性、接着性および耐プラズマエツチング性に優れた層
間絶縁膜を大巾に簡略化されたプロセスにより製造する
ことができる。その結果、信頼性の高い多層配線構造を
有する半導体装置かえられる。
第１図は本発明の方法により多層配線構造を有する半導
体装置を製造する工程の一実施態様を示す説明図、第２
図は従来法による多層配線構造を有する半導体装置の説
明図である。 （図面の符号） （１）：シリコン牛導体基板 （２）：第１層配線 （８）、（５Ｋ） ：絶縁層 （４）：第２層配線 （５） ： ７オトマスク （６）ニスルーホール （７）二二酸化ヤイ素膜 （８）：絶縁膜 代理人 大岩増雄 （Ｇテか２名） 箋１ 図
体装置を製造する工程の一実施態様を示す説明図、第２
図は従来法による多層配線構造を有する半導体装置の説
明図である。 （図面の符号） （１）：シリコン牛導体基板 （２）：第１層配線 （８）、（５Ｋ） ：絶縁層 （４）：第２層配線 （５） ： ７オトマスク （６）ニスルーホール （７）二二酸化ヤイ素膜 （８）：絶縁膜 代理人 大岩増雄 （Ｇテか２名） 箋１ 図
Claims (2)
- （１）半導体基板上に多層配線を形成し、半導体装置を
製造する方法において、半導体基板上に形成された下層
配線をおおう絶縁層を 一般式（す： １ （式中、ｎは２〜２０の整数、Ｒ□はフェニル基または
メチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ感光
基または水素原子であり、かっＲ２、へ、只、およびＲ
５のうち２〜４個の基が感光基である）で示す光重合性
ラダー型オルガノシロキサン無機高分子を用いて形成し
、プリベーキングを行なったのち、該絶縁層に所定のマ
スクを通して紫外線を照射し、バターニングを行ない、
ボストベーキングをほどこし、ついで該絶縁層上に上層
配線を形成することを特徴とする半導体装置の製法。 - （２） 前記光重合性ラダー型オルガノシロキサン無機
高分子が感光性架橋剤および（または）光増感剤ととも
に用いられる特許請求の範囲第（１）項記載の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218209A JPS60108842A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218209A JPS60108842A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108842A true JPS60108842A (ja) | 1985-06-14 |
| JPH0222943B2 JPH0222943B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=16716327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58218209A Granted JPS60108842A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108842A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4732841A (en) * | 1986-03-24 | 1988-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Tri-level resist process for fine resolution photolithography |
| JPS6476046A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| US5270259A (en) * | 1988-06-21 | 1993-12-14 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating an insulating film from a silicone resin using O.sub. |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58218209A patent/JPS60108842A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4732841A (en) * | 1986-03-24 | 1988-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Tri-level resist process for fine resolution photolithography |
| JPS6476046A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| US5270259A (en) * | 1988-06-21 | 1993-12-14 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating an insulating film from a silicone resin using O.sub. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222943B2 (ja) | 1990-05-22 |
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