JPS6340142A - シリコ−ン系レジスト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、アジド基を感光基として有するシリコーン系
レジスト材料に関し、さらに、詳しくは、半導体集積回
路などの微細パターンの形成に際して好適であるシリコ
ーン系レジスト材料に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］ 集積回路、バブルメモリ素子などの製造において光学的
リングラフィまたは電子ビームリングラフィが主要な手
段として用いられている。近年パターンの微細化に伴な
い、現像により得られたレジストパターンを精度よく基
板に転写するために、従来のウェットエツチングにかわ
って、ガスプラズマ、反応性スパッタエンチング、イオ
ンミリング等を用いたドライエツチングが用いられるよ
うになった。これに伴って、レジストに対して高感度、
高解像度の他にドライエツチング耐性に優れていること
が要求されるようになった。

また、実際の素子の製造プロセスにおいては、被加工物
の段差を平坦化するためにレジスト層を厚く塗布する場
合がある。このようにレジストを厚く塗布すると一般に
解像度に悪影響を及ぼす。

特に段差部においては異常な近接効果のためパターンの
線幅が変化するという不都合が生じる。

これは露光に伴なう木質的な問題であり、高感度、高解
像度、高ドライエツチング耐性のレジストがあっても回
継することはできない。また、ネガ型レジストにおいて
は、現像時の膨潤のために膜厚が厚くなると、微細なパ
ターンを解像することは著しく困難となる。

かかる問題点を解決するために三層構造レジスト層か、
ジェイ・エム・モラン（Ｊ、　Ｎ、　Ｎｏｒａｎ）によ
ってジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス参アン
ド会テクノロジー（Ｊ、　Ｖａｃｃｕｍ　５ｃｉｅｎｃ
ｅａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）　、第１６巻第１６
２０ページ（１９７９年）に提案されている。この三層
構造においては、第一層に厚い有機層を塗布したのち中
間層としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン
膜などのように酸素を使用するドライエ、チングにおい
て蝕刻され難い無機化合物材料層を形成する。しかるの
ち、かかる中間層の上に１／シストをスピン塗布し、電
子ビーム、光によりレジストを露光、現像する。得られ
たレジストパターンをマスクとして用いて中間層をドラ
イエツチングし、しかるのち、この中間層をマスクにし
て第一層の厚い有機層を酸素を用いた反応性スパッタエ
ツチング法によりエツチングする。かかる三層構造を用
いるとパターン形成用のレジストは薄くてよく、かつ基
板からの電子の後方散乱の影響が低減されるので高解像
度のパターンが形成できる。しかしながらこのような方
法においては、工程が複雑かつ長くなるという問題点が
ある。

パターニング用レジストが酸素を用いたドライエンチン
グに対して強ければ、パターニング用レジストをマスク
として厚い有機層をエンチングすることができるので、
二層構造とすることができ、工程を簡略化することがで
きる。

ポリジメチルシロキサンは、酸素プラズマによるエツチ
ング速度がほとんどゼロであることが知られているが、
塗膜形成後も常温で液状であるためにほこりが付着し易
く、また傷がつき易く、さらには流動性があるなど、取
扱いが困難であるという問題点がある。

また、本発明者らは、先にアジド基を側鎖に有するポリ
オルガノシロキサンを含有する組成物が、乾式平版印刷
において感光層として適用でき、さらには該組成物にビ
ニル基を含有するポリオルガノシロキサンを配合した組
成物から、より強固な皮Ｉ漠を形成し得ることを見出し
ている（＃＋Ｆ公昭５５−３７７４４号公報参照）。し
かしながらに記組成物において配合されているビニル基
含有ポリオルガノシロキサンは高分子量であることから
パターン形成時におけるコーテイング性が不十分であり
、さらに改良の余地がある。

［発明の目的コ 本発明は、上記したような従来のパターン形成用レジス
ト材料の問題点を解消し、光照射により効率よく硬化さ
せることができ、得られた硬化膜が酸素による反応性ス
パッタエツチングに対して極めて強い耐性を示す、パタ
ーン形成時におけるマスキング物質として有用なシリコ
ーン系しジス）・材料の提供を目的とする。

［発明の構成］ 本発明者らは、上記の目的に適合したレジスト材料を得
るべく研究を行った結果、軟化温度が高く、分子中に特
定割合のビニル基を含有する、比較的低分子量のポリオ
ルガノシロキサンとアジド化ポリオルガノシロキサンを
配合することにより、；（発１！ｊの［目的を達成し得
ることを見い出し。

未発明を完成するに到った。

すなわち本発明のシリコーン系レジスト材１■は、 （Ａ）平均単位式（１）； （式中、Ｒ１は置換または非置換の１価の炭化木〕ｋ基
を表し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル
基を表し；ａは０．８〜１．７の数を表し；ｂはＯ〜０
．６の数を表す）で示される構成単位からなり、１分子
中に少なくとも１個のビニル基を有するポリオルガノシ
ロキサン、並びに （Ｂ）一般式（ＩＩ）； （但しＲ３，Ｒ’、Ｒ’およびＲ６はアルキル基、フェ
ニル基及びビニル基からなる群から選ばれた。夫々間−
又は相異なる１価の炭化水素基を表し；Ｒ７は炭素数１
〜１０の２価の炭化水素基を表し；Ｙは水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基およびハロゲン原子か
らなる群から選ばれた基を表し；ｍは０〜３００の整数
を表し；ｎは１〜３００の整数を表し；ｎ＋ｍは１〜３
００の整数を表す） で示されるアジド化ポリオルガノシロキサン、からなる
ことを特徴とする。

本発明のレジスト材料を構成する（Ａ）成分のビニル基
含有ポリオルガノシロキサンは１式（Ｉ）で示される構
成単位からなるが、該構成単位としては、例えば下記の
各単位が使用可能である。なお、５ｉ−ＯＲ２基は、縮
合反応により５ｉ−０−Ｓｉ結合に変化することから、
下記のシロキサン単位の表現においてはＯＲ２はＯＨと
同様に扱う。

Ｍ単位：　（Ｒ１）３　Ｓ　１０３４単位り単位：（Ｒ
’）２ＳｉＯ単位 Ｔｉｉ位：　Ｒ【Ｓ　ｉ　Ｃ）％ｉｉ位Ｑ単位：Ｓｉｏ
２栄位 （Ａ）成分は、上記の各構成単位の所定着？適宜Ｍ１合
わせて構成することができる０例えば。

ＤＴ型（所定モル比のＤＱｉ位とＴｉＩ４位の組合せを
表す：以下、同様である）、ＴＱ型、ＭＱ型、ＭＤＱ型
及びＭＤＴ型などを挙げることができ。

これら以外にもＴＯｉ位のみで構成することができるが
、合成の容易さからＤＴ型が好ましい。

また、かかる（Ａ）成分は、液状であっても固体であっ
ても差し支えないが、軟化温度が４０℃以」二の固体の
場合は、パターン形成時においてレジスト材料を有機溶
剤に溶解させる工程が必須となるが、その反面コーテイ
ング後に加熱することによって、固体の皮膜を容易に形
成することができるために、マスクパターンを接触させ
だ状態での露光が回旋であるという点で優れている。

（Ａ）成分の構成単位を示す式（Ｉ）中において、基Ｒ
１は、置換または非置換の１価の炭化水−（す、（を表
し、具体的には、メチル基、エチルノ。（、プロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチルフ。（
、デンル基およびドデシル基などのアルキルノ＾；シク
ロヘキシル基などのシクロアルキル基；フェニル基など
のアリール基；β−フェニルエチル基、β−フェニルプ
ロピル基などのアラルキル基：３−アミノプロピル基、
３゜３．３−トリフルオロプロピル基およびグロロフェ
ニルノ、（などの、７ｉｌＩ換炭化水素基：並びにビニ
ル基を挙げることができる。これらの中でも基１（１と
しては、レジスト材料としての用途面の要請から、（Ａ
）成分の１分子中において、少なくとも１個がビニル基
であることが必要である。これは、露光によって生じた
（Ｂ）成分に由来するナイトレンラジカルが、（Ａ）成
分中のビニル基を攻撃することにより１画成分の架橋反
応が行われ、その結果、現像液に不溶性のポリオルガノ
シロキサン層を形成できるためである。また、ビニル基
以外のＲ１としては、中間体の合成が容易であることや
、耐熱性、耐酸素プラズマ性及びコーテイング性能の点
から、メチル基及びフェニル基か好ましい。

）、ｑ　Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のフルキル
ノ、（であり、該アルキル基は直鎖状であっても分岐状
であっても差し支えない。

ａは０．８〜１．７、好ましくは１．０５〜１．５５の
範囲の数である。ａが０．８未満の場合は、レジスト材
料の実用時におけるコーテイング性が悪く、好適な分子
量の（Ａ）成分を安定に得ることが困難であり、ａが１
．７を超える場合も、やはりコーテイング性が悪い。

ｂは０−０．６の範囲の数である。ｂが０．６を超える
場合は、（Ａ）成分の安定性が悪く、ゲル化しやすい。

このｂは、０であっても本発明の］］的を達成する上で
は特に差し支えないが、式ＣＩ）で示される平均単位式
中において、基Ｒ２が水素原子であり、ｂが０を超える
０、６以内の数になるように水酸基が存在する場合には
、パターン形成時における基板との密着性が優れている
点で好ましい。

本発明のレジスト材料を構成する式（ＩＩ　）で示され
るＣＢ）成分のアジド化ポリオルガノシロキサンは、特
公昭５８−１１４５８号公報において開示された公知の
シロキサン化合物である。この（Ｂ）成分は、上記した
ように光照射によって。

それに含有されているアジド基からナイトレンラジカル
が発生し、このラジカルが、（Ａ）成分に含有されてい
るビニル基を攻撃することにより、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分を架橋せしめる働きをする。

かかる（Ｂ）成分を示す一般式（ＩＩ　）中、基Ｒ３、
Ｒ’、Ｒ’およびＲ６としては、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基の様なアル
キル基、ビニル基およびフェニル基等を挙げることがで
きる。これらは同一でも、相異なっていてもよいが、化
学的安定性１合成の容易さ、ポリオルガノシロキサンの
粘度が低くて取扱いが容易なことから、メチル基が最も
有利である。また、感光効果を上げるために、少量のビ
ニル基を含有することが有利である。ビニルノ１（は、
例えば基Ｒ３として鎖状分子の両端に含有してもよく、
基Ｒ５およびＲ６のうちの一部に導入してもよい、７．
ＱＲ７としては１例えば、メチレンツ、（、ジメチレン
基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレ
ン基等を挙げることができる。

一般ニポリオルガノシロキサンの側鎖に導入されたエス
テル結合の加水分解に対する安定性は。

エステル結合がケイ素原子に直結しているときに最も弱
いので、この場合、アジド化ポリオルガノシロキサンは
空気中の水分によって加水分解を受ける。そこで、エス
テル結合は前述の２価の炭化水素基Ｒ７を介してケイ素
原子に結合する必要があるが、エステル結合が炭素原子
１〜２個を介してケイ素原子に結合している場合も、酸
性乃至アルカリ性の環境では、条件によっては加水分解
を受ける傾向があり、炭素原子３個又はそれ以上を介し
てケイ素原子に結合しているときは、その様な加水分解
を受けることがない。一方、基Ｒ７が余り大きくなると
、ポリオルガノシロキサンの粘度が大きくなって取扱い
が不便となる。このことから、基Ｒ７としては炭素数３
〜４のものが好ましく、特にトリメチレン基が有利であ
るが、その他の炭素数１−１０の範囲の２価炭化水素基
の何れも使用可能である。

ｍはＯ〜３００の整数であり、ｎは１〜３００の整数で
あり、ｎ＋ｍの値は１〜３００の整数である。ｍ＋ｎの
値が３００を超える場合は、合成が困難であり、（Ｂ）
成分の粘度が一ヒ昇して取扱いが困難になる。

（Ｂ）成分の配合量は、特に制限されるものではないが
、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量に対して、３〜５０
玉埴％が好ましく、１０〜２５重州％がさらに好ましい
。（Ｂ）成分の配合量が３重量％未層の場合は、レジス
ト材料の光照射による硬化が不十分であり、５０爪砥％
を超えて使用する場合は、もはやそれ以−ヒの添加効果
は得られず、硬化前の塗膜のレジスト材としての物性が
低下する。

本発明のレジスト材料には、（Ｂ）成分の尤に対する感
度を高め、特に感光可能な波長域を長波長側に広げるた
めに、増感剤を配合することかでさる。かかる増感剤と
しては、芳香族ケトン類、芳香族ニトロ化合物、トリフ
ェニルメタン系染才１、ビリリウム及びチオピリリウム
塩などを挙げることができ、具体的には、アセナフテン
、ピレン、アクリドン、Ｎ−フェニルアクリドン、Ｎ−
フェニルチオアクリドン、アントラキノン、ベンゾフェ
ノン、α−ナフトキノン、ミヘラーズケトン、ｐ−ニト
ロアニリン、５−ニドａアセナフテン、２−ニトロフル
オレン、１．２−ベンズアントロキノン、１１−クロロ
−６−ヒトロキシベンズアンスロン、１．８−フタロイ
ルナフタレン、２−ジベンゾイルメチレン−３−メチル
−β−ナフトチアゾリン、２，４．６−ドリフエニルピ
リリウムパークロレートおよび２，４．６−ドリフエニ
ルチアピリリウムパークロレートならびにこれらの誘導
体を挙げることができる。増感剤の配合量は、（Ｂ）成
分に対して０〜３０重量％、好ましくは５〜１０重量％
である。増感剤を３０重量部を超えて配合する場合であ
っても、もはやそれ以上の配合による効果の向上は認め
られず。

かえって解像力の低下をもたらす。

また１本発明のレジスト材料の基材への塗布作業を容易
にするためには、該レジスト材料を溶剤に溶解させるこ
とが好ましい。この場合に用いる溶剤としては、（Ａ）
成分および（Ｂ）成分を溶解させることができ、かつ露
光により生成した架橋ポリオルガノシロキサンを溶解さ
せないものがよい。かかる溶剤としては、例えば、ベン
ゼン。

トルエン、キシレンなどの炭化水素系溶剤；およびシク
ロヘキサノンなどのケトン系溶剤；などを挙げることが
できる０石油エーテルやベンジンなどの低沸点の溶剤は
、コーティング作業中に乾燥してしまい、かつ引火の危
険性が大きいことなどから好ましくない、かかる溶剤を
用いてコーティングを行う際のレジスト材料溶液の濃度
は、スピンコーティング法を適用して大村上に数戸以下
の均一な感光層を形成するためには、該溶液の固形分濃
度が５０重着％以下、好ましくは１０〜２５屯賃％であ
る。

本発明のレジスト材ネ」を用いて、基材Ｅにパターンを
形成する方法は１例えば次のとおりである。

まず、必要に応じて増感剤を配合した本発明のレジスト
材料を、溶剤に溶解させる。次いで、該溶解液を、シリ
コンウェハー、金属蒸着膜およびポリイミドなどの有機
高分子材料などの基板上に均一な厚さに塗布したのち、
乾燥して感光層を形成する。塗布後の感光層の厚さは１
通常は５００八〜ａｐである。その後、所望のネガパタ
ーンを該塗布面上に載置したのち露光するか、または投
影露光法を適用して露光する。この露光は、例えば高圧
水銀灯３ａ高圧水銀灯、キセノンランプ、レーザー光線
及び他の公知のレジスト硬化用光源を用いて行う、露光
後、未硬化レジスト材料を溶解させ、かつ硬化部分を溶
解させない溶剤、すなわち、さきに（Ａ）成分と（Ｂ）
成分の溶剤として例示されたような溶剤で現像を行う。

この現像により、非露光部である未硬化のビニル基含有
ポリオルカノシロキサンおよびアシド化ポリオルガノシ
ロキサンは溶出してしまい、露光部である前記の２種の
ポリオルカッシロキサンの架橋改合物は溶出せず、その
結果として所望のパターンの硬化層が形成される。かか
るパターンは、ネガマスクとして使用される。

また、本発明のレジスト材料を２層レジストの上層レジ
ストとして使用する場合は、例えば、次の方法による。

まず、大村上に、有機高分子材料、例えば、フェノール
ノボラック樹脂、グレゾールノポラック樹脂、ポリイミ
ド樹脂、ポリメタクリル酸エステル系ポリマー、ポリス
チレンおよびケトン系ポリマーなどの溶液を、例えばス
ピンコード法を適用して塗布したのち、加熱舎乾固させ
て第１層を形成する６次いで、この第１層上に、本発明
のレジスト材料の溶液を、上記と同様にして塗布したの
ち、加熱乾燥して第２層を形成する。その後。

深紫外線〜紫外線の光を用いて所望のパターンになるよ
うに露光したのち、現像して未露光部を溶出させ、露光
部のみを残留させる。このようにして得られたパターン
をマスクとして、酸素による反応性スパンタエッチング
によって、第１層の有機層をエツチングする。このよう
にして、アスペクト比の高い微細パターンを形成するこ
とができることから、ＬＳＩなどの微細加工が可能にな
る。

［発明の効果］ 以上説明したとおり、本発明のレジスト材料は、大村上
に、または大村上に形成された有機層上に、解像度の優
れたネガ型フォトレジストを容易に形成することができ
る。また本発明のレジスト材料は、酸素による反応性ス
パッタエツチングに対する、極めて強い抵抗性を有する
ので。

５００〜２．５００人程度の非常に薄い膜厚であっても
、１５μｍ程度の厚い有機高分子化合物膜をエツチング
するためのマスクとして充分に適用できる。したがって
、パターン形成のためのレジスト層の厚さを薄くするこ
とができ、その結果として解像度の高いパターンを得る
ことができる。

本発明のレジスト材料は、ネガ型フォトレジストの形成
用として、特に平坦化層を含む二層レジストシステムの
上層の形成用とし−Ｃ有用であり、例えば多層構造集積
回路などの製造用のレジスト材料として極めて有用であ
る。

［発明の実施例］ 以下実施例を掲げ、本発明をさらに詳しく説明する。な
お、以下において「部」は全て「重量部」を表す。

ビニル　　　ポリシロキサンの 合成例１ フェニルトリクロロシラン４２３部、ビニルトリエトキ
シシラン７６部およびα、ω−ジグ口口ポリジメチルシ
ロギサン（平均重合度１２）６２９部を、トルエン５６
４部に溶解した。一方、水１，６９５部とトルエン９６
０部を激しく攪拌・混合し、その後、該溶液を３０分間
かけて滴下したのち、加水分解を行った。次いで１０分
間静置後、２層に分離したうちの水層を除去したのち、
さらに水１，１３０部を添加して１０分間攪拌した。そ
の後、３０分間静置したのち１分離した水層を除去した
。次いで、水酸化カリウムの１０％水溶液３．４部を添
加して、縮合反応を行った。なお、この反応は、反応に
より生じた水を系外に除去しながら、トルエンの；流温
度で１時間加熱して行った。かかる反応により、ケイ素
原子に結合した水酸基を、全てシロキサン結合に転化せ
しめた。その後、反応液中に酢酸を添加して中和したの
ち、トルエンを留去して、第１表に示すような白色固体
樹脂状のポリオルガノシロキサン（Ａ）−１を得た。

合成例２ ジフェニルジクロロシラン２５３部、ビニルトリクロロ
シラン３２．３部およびメチルトリイソプロポキシシラ
ン３５２部を、トルエン４１７部に溶解させた。次いで
、かかる溶液を攪拌しながら、水２１６部を３０分間か
けて滴下して、加水分解を行った０次いで、１０分間静
置したのち、分離した水層を除去し、その後さらに２回
の水洗を行った。次いで、減圧下で加熱しながら、シロ
キサン濃度が５０％になるまでトルエンを留去したのち
、濾過を行い、ポリオルガノシロキサン溶液を得た。か
かる溶液を使用し、クロロホルムをキャリア液としてゲ
ル浸透クロマトグラフィー（Ｇ　Ｐ　Ｃ）により１分子
ψ範囲１０，０００〜５０．０００のものを分取した。

その後、かかる分取物からクロロホルムを留去して、第
１表に示すような白色固体樹脂状のポリオルガノシロキ
サン（Ａ）−２を得た。

合成例３ トリメチルクロロシラン４３．４部、ジメチルジクロロ
シラン３８．７部、メチルビニルジクロロシラン６６．
９部およびテＩ・ラエトキシシラン１８０部を、トルエ
ン４５７部に溶解させた１次いで、該溶液を攪拌しなが
ら水１０４Ｍを滴下して加水分解を行った。以下、合成
例２と同様にして、分子量範囲１０，０００〜５０．０
００のものを分取して、最終的に白色固体樹脂状のポリ
オルガノシロキサン（Ａ）−３を得た。

第１表 アジド　ポリオルガノシロキサンの 下記平均式で示されるアジド化ポリオルガノシロキサン
を、特公昭５８−１１４５８号公報に記・成の方法に準
じて合成した。

０Ｉ３ 実施例１ （Ａ）−１次分１７部と（Ｂ）−１次分３部をシクロへ
キサノン８０部に溶解させて、レジスト材料溶液を製造
した。この溶液を、シリコンウェハー上にスピンコード
法を適用して塗布したのち、風乾した。その後、８０’
Ｃ！で２０分間加熱して、シリコンウェハー上に膜厚０
．３−のレジスト層を形成した。

かかるレジスト層に、波長２５４ｎｍの紫外線を照射し
て、残膜率が初期膜厚の５０％となる照射エネルギー量
（Ｄ０°５）を求めたところ、２７ｒｓＪ／Ｃｆｆ１２
であった。

実施例２ 増感剤として、１１−クロロ−６−ヒトロキシベンズア
ミンスロン　０．３部を添加した以外は、実施例１と同
様にしてレジスト材料溶液を得、ざらに膜厚０．３μｓ
のレジスト層を形成した。

かかるレジスト層に、波長２５４ｒ＋ｍと３６５部ｍの
紫外線を照射して感度を調べた。その結果、ＤＯ゛５は
それぞれ２７ｍＪ／ｃｍ２とｌ　９０　ｍＪ／　ｃｙａ
２であった、また、感度スペクトルを求めたところ、感
光波長域は４８０部ｍの可視領域まで広かっていた。

実施例３ シリコンウェハー↓−に、厚さ１．２μｍになるように
フェノールノボラック樹脂系ポジ型レジストを４１＋ｊ
　ｌ、、ｌ　３０°Ｃで２０分間加熱して該樹脂からな
るレジスト層を形成した。次いで、溶剤としてトルエン
を用いた以外は実施例２と同様にして製造したレジスト
溶液を、該レジスト層上にスピンコード法を適用して塗
ＩＨシた。塗布後、風乾したのち８０°Ｃで２０分加熱
してシリコーンレジスト層を形成した。

かかるレジスト層に、超高圧水銀灯により、クロムマス
クパターンを用いて２００ｍＪ／ａｍ２の照射エネルギ
ーで密着露光を行った。次いで、＋シレンで現像するこ
とにより、シリコーンレジストの未硬化（未露光）部分
を除去して線幅１．５戸のラインパターンを得た。その
後圧カフＰａ、酸素流量５０　ｓｅｃｍ　（標ＱＲｃｍ
３）および出力１２０Ｗの平行平板型ドライエツチング
装首によるＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）を行った。その結果、樹脂系ポジ型レジスト
は約５分でエツチングされたが、光硬化したシリコーン
レジスト部分は、３０分間のエツチングを行っても全く
変化がなかった。

実施例４〜７ 第１表に示す組成の各成分を使用して、実施例１と同様
にしてレジスト材料を得、ざらに膜厚０．３−のレジス
ト層を形成した。かかるレジスト層に、実施例２と同様
にして紫外線照射を行った。その結果を第２表に示す。

第２表

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）（Ａ）平均単位式（ I ）； （Ｒ＾１）＿ａＳｉ（ＯＲ＾２）＿ｂＯ｛４−ａ−ｂ｝
   ／２（ I ）（式中、Ｒ＾１は置換または非置換の１価
   の炭化水素基を表し；Ｒ＾２は水素原子または炭素数１
   〜４のアルキル基を表し；ａは０．８〜１．７の数を表
   し；ｂは０〜０．６の数を表す） で示される構成単位からなり、１分子中に少なくとも１
   個のビニル基を有するポリオルガノシロキサン、並びに （Ｂ）次式（II）； ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （但しＲ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５およびＲ＾６はアルキル
   基、フェニル基及びビニル基からなる群から選ばれた、
   夫々同一又は相異なる１価の炭化水素基を表し；Ｒ＾７
   は炭素数１〜１０の２価の炭化水素基を表し；Ｙは水素
   原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基およびハロ
   ゲン原子からなる群から選ばれた基を表し；ｍは０〜３
   ００の整数を表し；ｎは１〜３００の整数を表し；ｎ＋
   ｍは１〜３００の整数を表す） で示されるアジド化ポリオルガノシロキサン、からなる
   ことを特徴とするシリコーン系レジスト材料。
2. （２）（Ａ）成分が実質的に、（Ｒ＾１）ＳｉＯ＿１＿
   ．＿５単位と（Ｒ＾１）＿２ＳｉＯ単位からなる特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト材料。
3. （３）式（ I ）中のａが１．０５〜１．５５の数であ
   る特許請求の範囲第１項記載のレジスト材料。
4. （４）（Ａ）成分の軟化温度が４０℃以上である特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト材料。
5. （５）式（II）中のＲ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５およびＲ＾
   ６が、いずれもメチル基である特許請求の範囲第１項記
   載のレジスト材料。
6. （６）Ｒ＾７がトリメチレン基である特許請求の範囲第
   １項記載のレジスト材料。
7. （７）Ｙが水素原子である特許請求の範囲第１項記載の
   レジスト材料。
8. （８）（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサンに含有され
   ているアジド基が、パラ位置に結合している特許請求の
   範囲第１項記載のレジスト材料。