JPS5861697A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPS5861697A JPS5861697A JP16125681A JP16125681A JPS5861697A JP S5861697 A JPS5861697 A JP S5861697A JP 16125681 A JP16125681 A JP 16125681A JP 16125681 A JP16125681 A JP 16125681A JP S5861697 A JPS5861697 A JP S5861697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- silicone resin
- resin
- wiring board
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁層がポリシルセスキオキサンを主が構成材
とするシリコン樹脂ＫＬシ形成されている配線基板に関
する。
とするシリコン樹脂ＫＬシ形成されている配線基板に関
する。
配線基板にはエポキシ樹脂或はフェノール樹脂のような
樹脂基板上にエボキク々どを接着剤として銅箔を接着し
てあシ、写真蝕刻技術（ホ） ＩＪソグラフィ）を用い
て選択エツチングを行い、基板上ｔｉｃ＠子回路を形成
したものが一般的であるが、これ以外に金属板上に絶縁
層を形放しこの上に印刷配線を施す・ことによシ回路形
成を行った配線基板がある。
樹脂基板上にエボキク々どを接着剤として銅箔を接着し
てあシ、写真蝕刻技術（ホ） ＩＪソグラフィ）を用い
て選択エツチングを行い、基板上ｔｉｃ＠子回路を形成
したものが一般的であるが、これ以外に金属板上に絶縁
層を形放しこの上に印刷配線を施す・ことによシ回路形
成を行った配線基板がある。
例えばアルずをＭ＝飯とし、電解酸化によりこの表面を
アルマイト形の酸化皮膜層に変えて絶縁層とし、この上
に導体ペースト、抵抗体ペーストなどをスクリーン印刷
して回路形成を行ったものがある。
アルマイト形の酸化皮膜層に変えて絶縁層とし、この上
に導体ペースト、抵抗体ペーストなどをスクリーン印刷
して回路形成を行ったものがある。
またこれとは別にアルミナなどの耐熱性磁器を基板とし
て薄膜形成技術戟は厚膜形成技術を用いて集積回路を形
成したものがある・ Ｃの工うに各棟の配線基板が実用化されているが本発明
は金属基板上に％縁層を設けた配線基板に関するもので
ある。
て薄膜形成技術戟は厚膜形成技術を用いて集積回路を形
成したものがある・ Ｃの工うに各棟の配線基板が実用化されているが本発明
は金属基板上に％縁層を設けた配線基板に関するもので
ある。
こ＼で従来の配線基板の内樹脂基板上に銅箔を＃碧接着
したタイプのものはり着剤として一般にエポキシ樹脂が
用いられており、そのため基板の耐熱温＃はこれら樹脂
の分解温度により一義的に決められている。例えば抵抗
体パターンなどを基板上にＷ接に焼付けて形成する場合
ＦｃＦｉ熱分解温度以下の２００℃のような低温で長時
間に亘って焼成することが必要であって量産に適してい
吟い。
したタイプのものはり着剤として一般にエポキシ樹脂が
用いられており、そのため基板の耐熱温＃はこれら樹脂
の分解温度により一義的に決められている。例えば抵抗
体パターンなどを基板上にＷ接に焼付けて形成する場合
ＦｃＦｉ熱分解温度以下の２００℃のような低温で長時
間に亘って焼成することが必要であって量産に適してい
吟い。
一方、アルミ板上にアルマイト形の酸化物を形成して船
縁層としたタイプのものは焼付けによるパターン形成線
容易であるが、良質なアルマイト形酸化物層の形成が難
しく、製造コストが高いと云う欠点がある。
縁層としたタイプのものは焼付けによるパターン形成線
容易であるが、良質なアルマイト形酸化物層の形成が難
しく、製造コストが高いと云う欠点がある。
また磁器基板に耐熱性の点では優れているが平）
１□□、４３−０゜ヤ３．１よ７、あり、。
１□□、４３−０゜ヤ３．１よ７、あり、。
左製造コストが高いと云う欠点がある。
本発明の目的に耐熱性および放熱性が優れ月つ任意の大
きさの配線基板を低い製造コストで提供丁６にあり、そ
の方法として金属Ｓ特に了ルミ板の上にポリシルセスキ
オキサンを含有するシリコン樹脂を船縁層として設ける
ことを本旨とするものである。
きさの配線基板を低い製造コストで提供丁６にあり、そ
の方法として金属Ｓ特に了ルミ板の上にポリシルセスキ
オキサンを含有するシリコン樹脂を船縁層として設ける
ことを本旨とするものである。
こ＼でポリシルセスオキサンはシリコン樹脂構成体の一
部である。以下これについて説明する。
部である。以下これについて説明する。
シリコン樹脂はポリシロキサン樹脂の一般名であり、こ
の樹脂は無機質の８ｌ−０−Ｓｉ結合と由機基とから構
成されているのでシリコン樹脂の物理的性質および化′
！？旬性質は無機質と有機質の性質を兼ね備えていると
云うことができる。
の樹脂は無機質の８ｌ−０−Ｓｉ結合と由機基とから構
成されているのでシリコン樹脂の物理的性質および化′
！？旬性質は無機質と有機質の性質を兼ね備えていると
云うことができる。
すなわち耐熱性は無機質の５ｔ−０−Ｓｉ結合Ｋまた〜
可塑性、溶解性などは有機基に由来している。
可塑性、溶解性などは有機基に由来している。
さて硅素（Ｓｌ）の原子債は４価であり、そのためＳｉ
［子につく官能基の数により次の４ｗ１１！１１の官能
性単位に区別これ、それぞれＭ、Ｄ、Ｔ。
［子につく官能基の数により次の４ｗ１１！１１の官能
性単位に区別これ、それぞれＭ、Ｄ、Ｔ。
Ｑ単位と略称されている。
（１１Ｒｓ ＳｊＸ （Ｍ単位）
（２）Ｒｓ Ｓ ｉＸｔ （Ｄ単位）（３） Ｒ
８ｌＸ５ （Ｔ単位）（４） ＳｉＸ＜
（Ｑ単位）但しＲ・・・・・・有機基例えばＣＨｓ基、
Ｃ，Ｈ，基。
８ｌＸ５ （Ｔ単位）（４） ＳｉＸ＜
（Ｑ単位）但しＲ・・・・・・有機基例えばＣＨｓ基、
Ｃ，Ｈ，基。
Ｃ・Ｒ１基など
Ｘ・・・・・・官能基例えばＯＨ基、ノ１０ゲン基。
メトキシ基など
さて官能基をＯＨ基に限定し、（１）〜（４）で示した
各の官能単位が連鎖する場合は第１図のように表わすこ
とができる。
各の官能単位が連鎖する場合は第１図のように表わすこ
とができる。
丁なわち、
ｆｌｌ Ｍ単位の場合は５ＩＮ−ＦＫ３個の有機基が
結合しており、そのため１ｍのＯ原子を通じて仲のＳｉ
原子と結合するだけでシロキサン連鎖が終っている。そ
のため樹脂とはならない。
結合しており、そのため１ｍのＯ原子を通じて仲のＳｉ
原子と結合するだけでシロキサン連鎖が終っている。そ
のため樹脂とはならない。
（２）Ｄ単位の場合、８１原子には２個の有機基が結合
して訃り、２個のＯＨ子を通じ互に反対方向の８１原子
と結合し得るので連鎖が延び、また環を形成することも
できる。
して訃り、２個のＯＨ子を通じ互に反対方向の８１原子
と結合し得るので連鎖が延び、また環を形成することも
できる。
＋３１ Ｔｊ１位はシルセスキオキサンと云われ、１
個の有機基が８１原子に結合しておシ、Ｓ１原子はＯ原
子と交互に結合すると共に連鎖の間に入って枝分れする
ことができ鋼量の架橋や網目構造なすポリシルセスキオ
キサンを形成する。
個の有機基が８１原子に結合しておシ、Ｓ１原子はＯ原
子と交互に結合すると共に連鎖の間に入って枝分れする
ことができ鋼量の架橋や網目構造なすポリシルセスキオ
キサンを形成する。
（４）Ｑ単位はＳｉ原子とＯ原子とが交互に結合してシ
リカ形の網目構造を生ずる。
リカ形の網目構造を生ずる。
こ＼でＴ単位からなる樹脂す々わちポリシルセスオキサ
ンは優れた耐熱性をもつ樹脂であるが、これにＱ単位を
加えることにより硬ｆ−Ｐ高めることができ、またＤ単
位を加えることによりねばり強さを４えることができる
。
ンは優れた耐熱性をもつ樹脂であるが、これにＱ単位を
加えることにより硬ｆ−Ｐ高めることができ、またＤ単
位を加えることによりねばり強さを４えることができる
。
一方、Ｔ単位ＫＱ単位を過剰に加えると樹脂が脆くなり
、またＤ単位を過剰に加えると耐熱性が低下する性質が
ある。
、またＤ単位を過剰に加えると耐熱性が低下する性質が
ある。
本発明に用いるシリコン樹脂はＴ単位すなわちシルセス
キオキサンを５０〜８０モルチ含み他をＱ単位およびＤ
単位からなる工うにして重合したシリコン樹脂を用いて
船縁層を形成するもので、各単位の組成比は次のようで
ある。
キオキサンを５０〜８０モルチ含み他をＱ単位およびＤ
単位からなる工うにして重合したシリコン樹脂を用いて
船縁層を形成するもので、各単位の組成比は次のようで
ある。
Ｔ単位（シルセスキオキサン）・・・・・・５０〜８０
モルチ ゛ Ｑ、単位・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ ３０〜１・０モルチＤ単位・・・・
・・・・・・・・・・・・明・・・・用曲 ２０〜ＩＱ
モル％ｃ〜でシリコン樹脂の合成法を実施例について述
べると次のようになる。
モルチ ゛ Ｑ、単位・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ ３０〜１・０モルチＤ単位・・・・
・・・・・・・・・・・・明・・・・用曲 ２０〜ＩＱ
モル％ｃ〜でシリコン樹脂の合成法を実施例について述
べると次のようになる。
メチルトリメトキシシラン ＣＨａ ８１ （０ＣＨｓ
）ｓＴＴ単位・・６０モルチ テトラエトキシシラン Ｓ ｌ （ＱＣｓ Ｈｓ
）ａＱＱ単位・・３０モルチ シラノール末端封鎖ポリジメチルシロキサンＨＯ（（Ｃ
Ｈｓ ）＊ Ｓ ｉ Ｏ） ｎＨＤ単位−１０モルチ
を混合し、これをメチルエチルケトンに溶解し、水およ
び微量の塩酸を加えて重合せしめＴシリコン樹脂が作ら
れる。
）ｓＴＴ単位・・６０モルチ テトラエトキシシラン Ｓ ｌ （ＱＣｓ Ｈｓ
）ａＱＱ単位・・３０モルチ シラノール末端封鎖ポリジメチルシロキサンＨＯ（（Ｃ
Ｈｓ ）＊ Ｓ ｉ Ｏ） ｎＨＤ単位−１０モルチ
を混合し、これをメチルエチルケトンに溶解し、水およ
び微量の塩酸を加えて重合せしめＴシリコン樹脂が作ら
れる。
か＼る樹脂の熱分解温度Ｕ４５０℃であり、そのためア
ルミ板の両面に塗布して作った配線基板は耐熱性をもち
、そのため従来のアルマイト形基板と同様に抵抗器など
を含む回路形成を行うことができる。
ルミ板の両面に塗布して作った配線基板は耐熱性をもち
、そのため従来のアルマイト形基板と同様に抵抗器など
を含む回路形成を行うことができる。
次に図面により本発明にか＼る配線基板の゛製法ふ・よ
び集積回路の形成法を実施例につい丁訝明す０ 実施例１．（第２図） Ｔ単位（シルセスキオキサン）６０モル％、Ｑ単位２５
モルチ、Ｄ単位１５モルチからなるシリコン樹脂のイン
グロビルアルコール溶液中に、大こ き９５０ Ｘ ５ ｔｙｔｒで厚さ２−のアルミ基板ｌ
を浸漬（７、引上げ後室温で３０分乾燥して後約２００
℃で３時間に亘っマ加熱することにより厚さ１０μのシ
リコン樹脂よシなる結縁ＮＪ２を両面に形成し穴。（Ａ
図） 次に電子回路を形成すべき基板面にホトレジスト３をス
ピンコーティング法によシ被覆したる後写真蝕刻技術（
ホトリソグラフィ）により導体回路部を窓明けし、この
部分に無電解メッキおよびメッキ法によシ銅からなる配
線パターン４を作成した。（Ｂ図） 次にか＼る配線基板上にカーボン抵抗ペースト５をスク
リーン印刷し３００℃で１時間加熱焼成して抵抗器を作
ると共にＩＣチップ６を半田づけして集積回路を作った
。（Ｃ図）次Ｋかかる配線基板をプレス切断して８個の
ハイブリッドＩＣとしたが、この際Ｐｋｊ層の剥離など
の異常は起らなかった。
び集積回路の形成法を実施例につい丁訝明す０ 実施例１．（第２図） Ｔ単位（シルセスキオキサン）６０モル％、Ｑ単位２５
モルチ、Ｄ単位１５モルチからなるシリコン樹脂のイン
グロビルアルコール溶液中に、大こ き９５０ Ｘ ５ ｔｙｔｒで厚さ２−のアルミ基板ｌ
を浸漬（７、引上げ後室温で３０分乾燥して後約２００
℃で３時間に亘っマ加熱することにより厚さ１０μのシ
リコン樹脂よシなる結縁ＮＪ２を両面に形成し穴。（Ａ
図） 次に電子回路を形成すべき基板面にホトレジスト３をス
ピンコーティング法によシ被覆したる後写真蝕刻技術（
ホトリソグラフィ）により導体回路部を窓明けし、この
部分に無電解メッキおよびメッキ法によシ銅からなる配
線パターン４を作成した。（Ｂ図） 次にか＼る配線基板上にカーボン抵抗ペースト５をスク
リーン印刷し３００℃で１時間加熱焼成して抵抗器を作
ると共にＩＣチップ６を半田づけして集積回路を作った
。（Ｃ図）次Ｋかかる配線基板をプレス切断して８個の
ハイブリッドＩＣとしたが、この際Ｐｋｊ層の剥離など
の異常は起らなかった。
実施例２．（第３図）
シルセスキオキサン７０モル％、Ｑ単位１５モルチ、Ｄ
単位１５モルチからなるシリコン樹脂のメチルエチルケ
トン溶液を用量し、これに必昏な位置に孔明けした厚さ
１．５−のアルミ基板１を浸漬し、引上げ後１崎間に亘
って乾燥しｋる後２５０℃で２時間加熱して厚さ約１５
μｍのシリコン樹脂ＰＩＩｊ層２を孔明は部を含めて全
面に形成し、次に無電解メッキ法により厚さ約３ａｍの
銅７を全面に形成した。
単位１５モルチからなるシリコン樹脂のメチルエチルケ
トン溶液を用量し、これに必昏な位置に孔明けした厚さ
１．５−のアルミ基板１を浸漬し、引上げ後１崎間に亘
って乾燥しｋる後２５０℃で２時間加熱して厚さ約１５
μｍのシリコン樹脂ＰＩＩｊ層２を孔明は部を含めて全
面に形成し、次に無電解メッキ法により厚さ約３ａｍの
銅７を全面に形成した。
次にネガタイプレジスト８を基板の両面に被覆し、写真
蝕刻技術によりスルーホール部９のレジストを溶解除去
し、各スルーホールｆｌ！９に厚さ３０μｍに銅メッキ
１０を施した。（Ｂ図）次にレジスト８およびこの下の
無電界メッキ層７をクイックエッチによ）除去すること
により、スルーホール配線基！を得た。（Ｃ図）この配
線基板は耐熱性が優れているため高温放＃鍼−において
も異常は認められず、牛田付は情およびメッキ層の密着
性も良好であった。
蝕刻技術によりスルーホール部９のレジストを溶解除去
し、各スルーホールｆｌ！９に厚さ３０μｍに銅メッキ
１０を施した。（Ｂ図）次にレジスト８およびこの下の
無電界メッキ層７をクイックエッチによ）除去すること
により、スルーホール配線基！を得た。（Ｃ図）この配
線基板は耐熱性が優れているため高温放＃鍼−において
も異常は認められず、牛田付は情およびメッキ層の密着
性も良好であった。
なお第２図おＬび第３図は何れも配線基板をメッキ法に
より作成した実施例であるが、アルミｈ機上にシリコン
樹脂層を形成ｌｋＫ銅箔をおき熱圧着子にとにより導体
層を作り、これを通常の配？１ｉｊｌＥ板のように写真
蝕刻技術を用いて配線パターンを形成してもよい。
より作成した実施例であるが、アルミｈ機上にシリコン
樹脂層を形成ｌｋＫ銅箔をおき熱圧着子にとにより導体
層を作り、これを通常の配？１ｉｊｌＥ板のように写真
蝕刻技術を用いて配線パターンを形成してもよい。
本発明は放熱性≠１優れ、耐熱性があり、廉価で且つ大
面積に亘って製作する方法としてアルミ板のように熱伝
導度のよい金属板上に耐熱性の優れたシリコン樹脂を絶
縁層として形成したものであって、シルセスキオキサン
を５０〜８０モルチ含むシリコン樹脂を用いることによ
！ｌ）、４００℃のような高温においても使用できる配
線基板を作ることができた。
面積に亘って製作する方法としてアルミ板のように熱伝
導度のよい金属板上に耐熱性の優れたシリコン樹脂を絶
縁層として形成したものであって、シルセスキオキサン
を５０〜８０モルチ含むシリコン樹脂を用いることによ
！ｌ）、４００℃のような高温においても使用できる配
線基板を作ることができた。
第１図はシリコン樹脂の構造式の説明図、第２図および
第３図の（８）、（均およびＣは配１１ｉ！基板の製造
工程を示すもので、第３図はスルーホール部の製造工程
である。 図において、１は金属基板、２はシリコン樹脂よりなる
絶縁層、３はホトレジスト、４は配線パターン、７は無
電解メッキ層、１０はスルーホール部のメッキ層。 可１図 ” Ｒ３５Ｌ（θＨ）（Ｍ軌仕） （２） Ｆｚｒ＝（０８層（ｐ拳＆〕（Ｊ） Ｉ
？ Ｊこ（θＨ）！ （丁孝Ｂｔ）（４λ Ｊｉ（
θｄ〕４ （Ｑ季ｌ立）ＦｅＦ！Ｒ
第３図の（８）、（均およびＣは配１１ｉ！基板の製造
工程を示すもので、第３図はスルーホール部の製造工程
である。 図において、１は金属基板、２はシリコン樹脂よりなる
絶縁層、３はホトレジスト、４は配線パターン、７は無
電解メッキ層、１０はスルーホール部のメッキ層。 可１図 ” Ｒ３５Ｌ（θＨ）（Ｍ軌仕） （２） Ｆｚｒ＝（０８層（ｐ拳＆〕（Ｊ） Ｉ
？ Ｊこ（θＨ）！ （丁孝Ｂｔ）（４λ Ｊｉ（
θｄ〕４ （Ｑ季ｌ立）ＦｅＦ！Ｒ
Claims (1)
- 金属基板上に絶縁層があり、該絶縁層上ＶＣ＠形成技術
によシミ子回路パターンが形成されている配線基板にお
いて、該絶縁層がポリシルセスキオキサンを５０〜８０
モル−含むシリコン樹脂を用いて形成されていることを
特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16125681A JPS5861697A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16125681A JPS5861697A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861697A true JPS5861697A (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=15731626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16125681A Pending JPS5861697A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861697A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003511297A (ja) * | 1999-10-07 | 2003-03-25 | ウィンザー ロルフェ，デイビッド | 折りたたみ式ボート |
| JP2010232360A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Fujitsu Ltd | 絶縁膜の形成製造、プリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16125681A patent/JPS5861697A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003511297A (ja) * | 1999-10-07 | 2003-03-25 | ウィンザー ロルフェ，デイビッド | 折りたたみ式ボート |
| JP4714395B2 (ja) * | 1999-10-07 | 2011-06-29 | イージーボート ホールディングス プロプライアタリー リミティド | 折りたたみ式ボート |
| JP2010232360A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Fujitsu Ltd | 絶縁膜の形成製造、プリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法 |
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