JPS61212096A - 多層配線板 - Google Patents
多層配線板Info
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- JPS61212096A JPS61212096A JP5227085A JP5227085A JPS61212096A JP S61212096 A JPS61212096 A JP S61212096A JP 5227085 A JP5227085 A JP 5227085A JP 5227085 A JP5227085 A JP 5227085A JP S61212096 A JPS61212096 A JP S61212096A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、多層配線板に係り、特に基本に金属を用い、
かつ基体の絶縁に高分子材料を用いた多層配線板に関す
る。
かつ基体の絶縁に高分子材料を用いた多層配線板に関す
る。
従来、多層配線板は、（１）基体にアルミナセラミクス
、シリコン、モリブデン、タングステン等を用い、この
基板をポリイミド系樹脂で絶縁し、この上に導体層、絶
縁層を交互に積層したもの。（特開昭４８−４２５９、
特開昭５５−７１０９１）半導体集積回路基板上に設け
られた複数の配線導体相互間、およびその上の二層目以
上の絶縁層としてポリイミド系樹脂を用いたものカ知ら
れている。（特公昭５ｌ−４４８７１）絶縁層に用いて
いるポリイミド樹脂は、耐熱性が３５０°Ｃ以上と高く
、誘電率が低いため高速信号伝送用配線基板機として好
適である。
、シリコン、モリブデン、タングステン等を用い、この
基板をポリイミド系樹脂で絶縁し、この上に導体層、絶
縁層を交互に積層したもの。（特開昭４８−４２５９、
特開昭５５−７１０９１）半導体集積回路基板上に設け
られた複数の配線導体相互間、およびその上の二層目以
上の絶縁層としてポリイミド系樹脂を用いたものカ知ら
れている。（特公昭５ｌ−４４８７１）絶縁層に用いて
いるポリイミド樹脂は、耐熱性が３５０°Ｃ以上と高く
、誘電率が低いため高速信号伝送用配線基板機として好
適である。
しかし、基材とポリイミド系樹脂との熱膨脹係数が不整
合であることから、積層数あるいは総５ｌＮｊ厚みを大
きくできなかった。一般の熱硬化性ｉ ＩＩイｓｉｒ樹
脂は、３００〜３５０℃で硬化させる。そして硬化樹脂
の熱膨脹係数は、２０〜６ｏ×１０−６／℃であり、そ
のうえ２０〜３００℃の範囲では。
合であることから、積層数あるいは総５ｌＮｊ厚みを大
きくできなかった。一般の熱硬化性ｉ ＩＩイｓｉｒ樹
脂は、３００〜３５０℃で硬化させる。そして硬化樹脂
の熱膨脹係数は、２０〜６ｏ×１０−６／℃であり、そ
のうえ２０〜３００℃の範囲では。
ぼ一定である。
一方基板であるアルミナセラミクス、シリコン、モリブ
デン、タングステンの熱膨脹係数は夫々６〜９ Ｘ １
０−’、２．４Ｘ１０−６．５．９Ｘ１０−８ （３０
〜５００℃）、４．４Ｘ１０−’ Ｃ５０〜５００℃）
程度である。
デン、タングステンの熱膨脹係数は夫々６〜９ Ｘ １
０−’、２．４Ｘ１０−６．５．９Ｘ１０−８ （３０
〜５００℃）、４．４Ｘ１０−’ Ｃ５０〜５００℃）
程度である。
例えば、基体に６０ｔＷＩＩＯのアルミナセラミクスを
用い、絶縁層に熱膨脹係数４０ Ｘ １ ｏ−６１ｃ、
弾性係１［００ｋｇ／−のポリイミド樹脂を用いた場合
、ポリイミド樹脂の総積層厚みは１５０μｍ程度が限界
であった。
用い、絶縁層に熱膨脹係数４０ Ｘ １ ｏ−６１ｃ、
弾性係１［００ｋｇ／−のポリイミド樹脂を用いた場合
、ポリイミド樹脂の総積層厚みは１５０μｍ程度が限界
であった。
そしてこれ以上積層すると、ポリイミド樹脂とセラミク
ス基板の熱膨脹係数の不整合に起因する両界面の歪によ
り、セラミクス基板がハクリした。また、積層厚みが１
５０μｍｎ以下であっても、基材にそりが発生した。
ス基板の熱膨脹係数の不整合に起因する両界面の歪によ
り、セラミクス基板がハクリした。また、積層厚みが１
５０μｍｎ以下であっても、基材にそりが発生した。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点をなくし、積
層数あるいは総１ｆＲｆｉｌＩ厚みを増大させうる多層
配線基板を提供することだある。
層数あるいは総１ｆＲｆｉｌＩ厚みを増大させうる多層
配線基板を提供することだある。
上記した目的は、多層配線板の実用温度領域では熱膨張
係が小さく、かつポリイミド系樹脂を硬化させる高温領
域では熱膨張係が大きくなる正特性の非直線熱膨脹係数
を有する材料を基体とし、絶縁層ポリイミド系樹脂とし
た多層配線板で達成される。
係が小さく、かつポリイミド系樹脂を硬化させる高温領
域では熱膨張係が大きくなる正特性の非直線熱膨脹係数
を有する材料を基体とし、絶縁層ポリイミド系樹脂とし
た多層配線板で達成される。
この多層配線、仮は、シリコン素子に適用できる。シリ
コン素子と多層配線板を電気的１機械的に接続した後の
常温領域あるいは、これを実用に供する実用温度領域で
は、（一般的には１００℃以下）多層配線板の熱膨脹係
数はシリコンに限りなく近い。
コン素子と多層配線板を電気的１機械的に接続した後の
常温領域あるいは、これを実用に供する実用温度領域で
は、（一般的には１００℃以下）多層配線板の熱膨脹係
数はシリコンに限りなく近い。
前述の非直線熱膨脹係数を有する基板が、実使用温度領
域で膨張係数が小さいことを要求する意味はここにある
。
域で膨張係数が小さいことを要求する意味はここにある
。
基体のヤング率がポリイミド系の樹脂より大きく、かつ
基体の厚みが適当量あれば、多層配線板のポリイミド系
樹脂の層の膨張は基体によって割筒され、基体の膨張係
数に近いものになる。
基体の厚みが適当量あれば、多層配線板のポリイミド系
樹脂の層の膨張は基体によって割筒され、基体の膨張係
数に近いものになる。
従って、実用温度領域における膨張係数がシリコンに近
い基体を用いれば、シリコン素子と膨張係数の整合のと
れた多層配線板を得ることができる。
い基体を用いれば、シリコン素子と膨張係数の整合のと
れた多層配線板を得ることができる。
一方、基体とポリイミド系樹脂層との残留歪は、極力押
える必要がある。このためには、樹脂硬化時の温度、す
なわち３００〜３５０℃の温度での基体の膨張量はポリ
イミド系樹脂層のそれとほぼ等しいことが望ましい。
える必要がある。このためには、樹脂硬化時の温度、す
なわち３００〜３５０℃の温度での基体の膨張量はポリ
イミド系樹脂層のそれとほぼ等しいことが望ましい。
前述の非直線熱膨脹係数を有する基体で高温領域で熱膨
脹係数が大きいことを要求する意味はここにある。すな
わち、硬化完了時での高温領域において、ポリイミド系
樹脂層と基体との膨張量をほぼ等しい状態にしておくこ
とで、室温にもどした時には残留歪を非常に小さい値に
することができる。
脹係数が大きいことを要求する意味はここにある。すな
わち、硬化完了時での高温領域において、ポリイミド系
樹脂層と基体との膨張量をほぼ等しい状態にしておくこ
とで、室温にもどした時には残留歪を非常に小さい値に
することができる。
以下、本発明で使用する材料などについて説明する。基
体は、非直線熱膨脹係数を有する材料を用いる。具体的
には、Ｎｉ−４０〜５０％、Ｃｏ−０〜５％残りＦｅの
Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いる。この種の合金は、１００°Ｃ
以下での膨張係数を４ Ｘ １０− ’／’（・以下に
、また２００°Ｃ以上での膨張係数を１０Ｘ１０プ／℃
以上とすることができる。
体は、非直線熱膨脹係数を有する材料を用いる。具体的
には、Ｎｉ−４０〜５０％、Ｃｏ−０〜５％残りＦｅの
Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いる。この種の合金は、１００°Ｃ
以下での膨張係数を４ Ｘ １０− ’／’（・以下に
、また２００°Ｃ以上での膨張係数を１０Ｘ１０プ／℃
以上とすることができる。
上記材料よりなる基体の片面あるいは両面に順次積層す
るｉ ＩＪイミド系樹脂からなる絶縁層は、それ自身の
熱膨脹係数が小さいことが望ましく、具体的には４Ｘ１
０−５／℃以下がよい。
るｉ ＩＪイミド系樹脂からなる絶縁層は、それ自身の
熱膨脹係数が小さいことが望ましく、具体的には４Ｘ１
０−５／℃以下がよい。
絶縁層は、周知のようｆワニス状のポリイミド樹脂を基
体上にスビンコートシ、これを熱硬化させて形成するか
、予めフィルム状に成形したポリイミド樹脂を接着剤を
介して基板などに貼りつけて形成する。
体上にスビンコートシ、これを熱硬化させて形成するか
、予めフィルム状に成形したポリイミド樹脂を接着剤を
介して基板などに貼りつけて形成する。
前者は、１回当りの工程で通常２〜１０μｍ厚さのポリ
イミド樹脂層が形成できるので、所望の厚みを積層する
には同一工程を繰返えすことになる。
イミド樹脂層が形成できるので、所望の厚みを積層する
には同一工程を繰返えすことになる。
一方、後者は１回の接着工程で所望の厚さを形成するこ
とができ、プロセス的には容易である。しかしこのため
には、基体表面の凹凸あるいは、複層積層の場合の層間
導体の凹凸等を平担化し更に十分な接着強度を有する接
着剤が必要である。しかも、この接着剤は、耐熱性、ホ
リイミドフイルムとの相性から同系列のポリイミド樹脂
からなる溶融平担性を有することが望ましい。
とができ、プロセス的には容易である。しかしこのため
には、基体表面の凹凸あるいは、複層積層の場合の層間
導体の凹凸等を平担化し更に十分な接着強度を有する接
着剤が必要である。しかも、この接着剤は、耐熱性、ホ
リイミドフイルムとの相性から同系列のポリイミド樹脂
からなる溶融平担性を有することが望ましい。
上記のワニス状のポリイミド樹脂の硬化物、ポリイミド
フィルムおよびポリイミド樹脂接着剤は、いずれも熱膨
脹係数が４Ｘ１０−５／℃であり接着剤は、溶融平坦性
の良い゛ものである。
フィルムおよびポリイミド樹脂接着剤は、いずれも熱膨
脹係数が４Ｘ１０−５／℃であり接着剤は、溶融平坦性
の良い゛ものである。
本発明で用いるポリイミドフィルムの化学構造は、例え
ば一般式 Ｃ但し上式中Ｒ６は〉（、ン距−＠： 、 ａ’はであ
って、）Ｌ６．Ｒ，？はいずれも上記の群のうちから選
ばれた少なくとも一種類である。）の繰返し本位からな
るものである。
ば一般式 Ｃ但し上式中Ｒ６は〉（、ン距−＠： 、 ａ’はであ
って、）Ｌ６．Ｒ，？はいずれも上記の群のうちから選
ばれた少なくとも一種類である。）の繰返し本位からな
るものである。
好マシ＜は、Ｐ−フェニレンジアミンと３゜３Ｚ ４１
．４／−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６．３
′−ジメチルベンチジンおよび４Ｉ４１−ジアミノジフ
ェニルエーテルと３＋５７＋’＋４′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物・３゜３′−ジメチルベンジジオ
ヨＵ Ｐ −ｙ ｚ ニレｙジアミンと３． ５’、
４． ４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
４．４′−シアミッタ７エ二ルおよびａ、ａ’ジアミノ
ジフェニルニーテルト３＋ ３’＊ ’ｒ ”−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４′−ジア
ミノタフｚニルおよびＰ−７ｚニレンジアミンと５＋
３７． ’ｌ ”−ビフェニルテトラカルボ／酸二無水
物、３ ＋ ”−ジメチルベンジジンおよび４．４′
−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリットｍ二ｍ水
物の等モルを縮重合したものである。
．４／−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６．３
′−ジメチルベンチジンおよび４Ｉ４１−ジアミノジフ
ェニルエーテルと３＋５７＋’＋４′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物・３゜３′−ジメチルベンジジオ
ヨＵ Ｐ −ｙ ｚ ニレｙジアミンと３． ５’、
４． ４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
４．４′−シアミッタ７エ二ルおよびａ、ａ’ジアミノ
ジフェニルニーテルト３＋ ３’＊ ’ｒ ”−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４′−ジア
ミノタフｚニルおよびＰ−７ｚニレンジアミンと５＋
３７． ’ｌ ”−ビフェニルテトラカルボ／酸二無水
物、３ ＋ ”−ジメチルベンジジンおよび４．４′
−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリットｍ二ｍ水
物の等モルを縮重合したものである。
本発明で用いる接着剤用の溶融平坦性ポリイミド樹脂の
化学構造は、例えば、一般式（但し、上式中Ｒ１は炭素
数１〜６個のアルキル基、水酸基Ｒ２は炭素数１〜６個
のアルキル基、Ｒ３は炭素数２〜６個のアルキレン基、
炭素数６〜１２個の芳香族基、Ｒ４は −ｒζ−９−０
−０−◎−であってＲ４、Ｒ５はいずれも上記の群から
選ばれた少な（とも一種類、ｍは０゜１．２又は３．ｎ
は正の整数である。）で表わされるポリイミド、末端エ
チニル基又はノルボルネン基を有する付加反応型ポリイ
ミドである。
化学構造は、例えば、一般式（但し、上式中Ｒ１は炭素
数１〜６個のアルキル基、水酸基Ｒ２は炭素数１〜６個
のアルキル基、Ｒ３は炭素数２〜６個のアルキレン基、
炭素数６〜１２個の芳香族基、Ｒ４は −ｒζ−９−０
−０−◎−であってＲ４、Ｒ５はいずれも上記の群から
選ばれた少な（とも一種類、ｍは０゜１．２又は３．ｎ
は正の整数である。）で表わされるポリイミド、末端エ
チニル基又はノルボルネン基を有する付加反応型ポリイ
ミドである。
以下、本発明を、実施例によって更に詳細に！１２明す
る。
る。
実施例１
第１図（ａ）に示すようにＦｅ−Ｎｉ系合金からなる非
直線熱膨脹係数を有する基体１上に、次式で示されるポ
リイミド前躯体ワニス 等モル量のジアミン成分と酸二無水物成分の反応したも
の、ジアミン成分は３，４′−ジアミノジフェニルエー
テル９７モル％およびｒ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン３モル％の混合物を使用、ワニス中のポリイミド
前駆体含有量３Ｑｗｔ％溶媒はジメチルアセトアミド）
をスピンナ塗布し、窒素ガス雰囲気中は１０−’Ｔｏｒ
ｒの真空中で１５０°Ｃで３０分間加熱してポリイミド
前駆体よりなる第１層目のＷ着剤層２−１を形成した。
直線熱膨脹係数を有する基体１上に、次式で示されるポ
リイミド前躯体ワニス 等モル量のジアミン成分と酸二無水物成分の反応したも
の、ジアミン成分は３，４′−ジアミノジフェニルエー
テル９７モル％およびｒ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン３モル％の混合物を使用、ワニス中のポリイミド
前駆体含有量３Ｑｗｔ％溶媒はジメチルアセトアミド）
をスピンナ塗布し、窒素ガス雰囲気中は１０−’Ｔｏｒ
ｒの真空中で１５０°Ｃで３０分間加熱してポリイミド
前駆体よりなる第１層目のＷ着剤層２−１を形成した。
基に１の表面の細かい凹はほとんど平坦化した。
次いで第２図（ｂ）に示すように厚さ４０μｍの下記繰
り返し単位を有するポリイミドフィルム３をポリイミド
前駆体よりなる第１層目の接着剤層２−１上におき、３
ｏｏ／ｃｄで加圧しながら、２００°Ｃで３０分間加熱
し、更に４００°Ｃで６０分加熱して接着した。
り返し単位を有するポリイミドフィルム３をポリイミド
前駆体よりなる第１層目の接着剤層２−１上におき、３
ｏｏ／ｃｄで加圧しながら、２００°Ｃで３０分間加熱
し、更に４００°Ｃで６０分加熱して接着した。
その後、熱着法、スパッタリング法等の周知の金属膜形
成技術を用いて、第１図（Ｃ）のように第１層目の接着
層２′−１上に形成した第１層目のポリイミドフィルム
５−１上に厚さ２μｍのアルミニウム製の金属層４を形
成した。
成技術を用いて、第１図（Ｃ）のように第１層目の接着
層２′−１上に形成した第１層目のポリイミドフィルム
５−１上に厚さ２μｍのアルミニウム製の金属層４を形
成した。
更に、これも周知の写真食刻技術を用いて第１図（ｄ）
に示すように第１層目の配線導体５−１をパターニング
した。
に示すように第１層目の配線導体５−１をパターニング
した。
次に第１図（ａ）お上び由）で説明した手順で第１図（
ｅ）、（ｆ）に示すように、第２層目の接着剤層２−２
を形成し、この上に第２Ｍ＃目のポリイミドフィルム３
−２を接着した。
ｅ）、（ｆ）に示すように、第２層目の接着剤層２−２
を形成し、この上に第２Ｍ＃目のポリイミドフィルム３
−２を接着した。
しかるのちに第１図（ｇ）に示すようにスパッタリング
法により、厚さ３０００〜４０００人のモリブデン製メ
タルマスク６を形成した。
法により、厚さ３０００〜４０００人のモリブデン製メ
タルマスク６を形成した。
次いで、周知の写真食刻技術によりメタルマスク６の所
定の部分を選択的に除失して第２層目のポリイミドフィ
ルム３−２が露出するように室７を設けた。
定の部分を選択的に除失して第２層目のポリイミドフィ
ルム３−２が露出するように室７を設けた。
次いで第１図（ｈ）に示すよ５１Ｃ第２Ｍ目のボリイミ
ドフィルム３−２および第２層目のポリイミドの接着層
２′−２を０．プラズマ法あるいはエツチング液忙浸す
等の周知の化学的、物理的なエツチング手段を用いて選
択的に除去して孔８を形成した。この段階で孔８の位置
に相当する第１層目の配線導体５−１の表面が露出され
たしかるのちにメタルマスク６を全て除去した。
ドフィルム３−２および第２層目のポリイミドの接着層
２′−２を０．プラズマ法あるいはエツチング液忙浸す
等の周知の化学的、物理的なエツチング手段を用いて選
択的に除去して孔８を形成した。この段階で孔８の位置
に相当する第１層目の配線導体５−１の表面が露出され
たしかるのちにメタルマスク６を全て除去した。
次に第１図（Ｃ）および（ｄ）で説明した手段により第
１図（ｉ）ｋ示したように第１層目の配線導体５−１と
電気的に接続した第２層目の配線導体５−２を形成した
。
１図（ｉ）ｋ示したように第１層目の配線導体５−１と
電気的に接続した第２層目の配線導体５−２を形成した
。
第３層以上の配線導体を有する多層配線板を形成する場
合には、上記した方法を繰返えして行なえばよい。
合には、上記した方法を繰返えして行なえばよい。
以上のようにして製造した多層配線板は、基体とポリイ
ミド樹脂層との間の残留応力が小さく、両者間のはくも
りも生じないものとなった１実施例２ 第２図は、基体１０両面に、それぞれポリイミドフィル
ムを絶縁層とした多層配線層を形成したものである。実
ｔｓ例１で説明した形成手段と相違する点のみを以下述
べる。
ミド樹脂層との間の残留応力が小さく、両者間のはくも
りも生じないものとなった１実施例２ 第２図は、基体１０両面に、それぞれポリイミドフィル
ムを絶縁層とした多層配線層を形成したものである。実
ｔｓ例１で説明した形成手段と相違する点のみを以下述
べる。
基体１には上下配線層を電気的に接続するためのスルー
ホール９が必要であるが、これは予め、周知の放電加工
技術で所定の位置に孔加工を施したものを使用した。
ホール９が必要であるが、これは予め、周知の放電加工
技術で所定の位置に孔加工を施したものを使用した。
基体１０両面にある第１層目のポリイミドフィルム３−
１と第１層目の配線導体５−１は、それぞれ交互に形成
した。２層目以上も同様である。
１と第１層目の配線導体５−１は、それぞれ交互に形成
した。２層目以上も同様である。
本実施例での配線導体層は、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒとした。
これは、スルーホール９の内面を導体材寥；で十分に埋
めるためであり、Ｃｒは厚さ１０００Ａをスパッタによ
り、Ｃｕは厚さ１μｍをスパッタにより、残り１μｍを
めっきにより、Ｃｒは厚さ１０００Ａをスパッタにより
形成した。
めるためであり、Ｃｒは厚さ１０００Ａをスパッタによ
り、Ｃｕは厚さ１μｍをスパッタにより、残り１μｍを
めっきにより、Ｃｒは厚さ１０００Ａをスパッタにより
形成した。
実施例３
第３図は実施例２の構成に加え、第３図の多層配線板を
複数個積層するための接続パッド１０−１および１０−
２を設けたものである。
複数個積層するための接続パッド１０−１および１０−
２を設けたものである。
配線導体層５−１および５−２の上に第３層目の接着層
２′−３を形成した。ついで、これの所定の位置に先に
述べた写真食刻法で接続パッド１０−１．１０−２を形
成する位置に孔を形成した。
２′−３を形成した。ついで、これの所定の位置に先に
述べた写真食刻法で接続パッド１０−１．１０−２を形
成する位置に孔を形成した。
その後、第３層目の接着層２′−３の全面に八９５％、
５ｒ１５％の組成のはんだ材料の層を蒸着法で形成し
た。
５ｒ１５％の組成のはんだ材料の層を蒸着法で形成し
た。
そして、写真食刻法により接続パッド１０−１゜１０−
２を形成した。
２を形成した。
なお、以上のようにして形成した接続パッド同志を、位
置合せして重ね、３０（−加圧下に２００℃で間加熱し
、更に３５０℃で５分間加熱して、第３図の多層配線板
を少なくとも二つ接続すれば、暦数の非常忙多い配線板
となる。
置合せして重ね、３０（−加圧下に２００℃で間加熱し
、更に３５０℃で５分間加熱して、第３図の多層配線板
を少なくとも二つ接続すれば、暦数の非常忙多い配線板
となる。
実施例４〜８
ポリイミドフィルムに第１表の試料Ａ１〜ム５のものを
用いた以外は、実施例１と同様の結果を得た。
用いた以外は、実施例１と同様の結果を得た。
実施例９〜１２
接着剤に第２表の試料＆６〜＆１０のポリイミド前駆体
を用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線板を製
造し、実施例１と同様の結果を得た。
を用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線板を製
造し、実施例１と同様の結果を得た。
以下余白
〔発明の効果〕
以と説明してきたように、本発明によれば、各実施例で
以下の積層数あるいは総積層厚の多層配線基板が実現で
き、論理回路数の多い集積回路を実装できる配線基板を
構成することが可能となる。
以下の積層数あるいは総積層厚の多層配線基板が実現で
き、論理回路数の多い集積回路を実装できる配線基板を
構成することが可能となる。
〔実施例１〕 積層数 ５以上 積層厚 ２００μｍ
以上〔実施例２〕 実施例１０２倍 〔実施例３〕 実施例２０３倍以上。
以上〔実施例２〕 実施例１０２倍 〔実施例３〕 実施例２０３倍以上。
第１図は本発明に係る多層配線板の製造工程を示す図、
第２図、第３図は本発明に係る多層配線板の断面図であ
る。
第２図、第３図は本発明に係る多層配線板の断面図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体の少なくとも片面に絶縁層と配線導体層が交互
に積み重ねられており、かつ配線導体間がスルーホール
内に充填された導体で接続されている多層配線板におい
て、基板がＮｉ：３０〜５０重量％、Ｃｏ：０〜５重量
％、残部ＦｅよりなるＦｅ−Ｎｉ系合金であり、絶縁層
が熱膨脹係数４×１０＾−＾５／℃以下のポリイミド樹
脂であることを特徴とする多層配線板。 ２、前記絶縁層が熱膨脹係数４×１０＾−＾５／℃以下
のポリイミドフィルムを基体もしくは配線導体と熱膨脹
係数４×１０＾−＾５／℃以下のポリイミド樹脂接着層
で接着させたものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の多層配線板。 ３、前記ポリイミドフィルム層が、一般式（１）で表わ
される繰り返し単位からなるものであって、かつ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） 熱膨脹係数４×１０＾−＾５／℃、以下のポリイミド樹
脂よりなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の多層配線板。 但し、一般式（１）中Ｒ＾６は▲数式、化学式、表等が
あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｒ＾
７は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ であり、Ｒ＾６、Ｒ＾７はいずれも上記の群のうちから
選ばれた少なくとも一種類である。 ４、前記ポリイミド樹脂接着層が、一般式（１）で表わ
されるものであって、かつ熱膨脹係数４×１０＾−＾５
／℃以下のものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の多層配線板。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・（２） 但し、一般式（２）中Ｒ＾１は炭素数１〜６個のアルキ
ル基、水酸基、Ｒ＾２は炭素数１〜６個のアルキル基、
Ｒ＾３は炭素数２〜６個のアルキル基、炭素数６〜１２
個の芳香族基、Ｒ＾４は▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＾５は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｒ＾４ Ｒ＾５はいずれも上記の群のうちから選ばれた少なくと
も一種類、ｍは０．１または２、ｎは正の整数である。 ５、前記ポリイミドフィルム層が下記（ａ）〜（ｄ）（
ａ）▲数式、化学式、表等があります▼ （ｂ）▲数式、化学式、表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼ （ｃ）▲数式、化学式、表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼ （ｄ）▲数式、化学式、表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼ のいずれかで表わされる繰返し単位からなるものであっ
て、かつ熱膨脹係数が４×１０＾−＾５／℃以下のもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多
層配線板。 ６、前記ポリイミド樹脂接着層が、一般式（３）で示さ
れるものであって、かつ熱膨脹係数が４×１０＾−＾５
／℃以下のものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の多層配線板。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・（３） 但し、一般式（３）中Ｒ＾１はメチル、エチル、プロピ
ル、Ｒ＾３はプロピレン、フェニレン、Ｒ＿４は▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼、Ｒ＾５は▲数式、化学式、表等があります
▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ であり、Ｒ＿１、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５はいずれも上
記の群のうちから選ばれた少なくとも一種類であり、Ｒ
＾２はメチルであり、ｍは０、１、２又は３、ｎは正の
整数である。 ７、基体の少なくとも片面に絶縁層と配線導体層が交互
に積み重ねられており、かつ配線導体間がスルーホール
内に充填された導体接続されていて、前記配線導体層の
最上層の所定の位置に接続用はんだパットが設けられて
いることを特徴とする多層配線板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227085A JPS61212096A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 多層配線板 |
| JP6175392A JPH0582972A (ja) | 1985-03-18 | 1992-03-18 | 多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227085A JPS61212096A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 多層配線板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6175392A Division JPH0582972A (ja) | 1985-03-18 | 1992-03-18 | 多層配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212096A true JPS61212096A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12910084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5227085A Pending JPS61212096A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS61212096A (ja) |
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