JPS6226200B2 - - Google Patents
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- JPS6226200B2 JPS6226200B2 JP56047060A JP4706081A JPS6226200B2 JP S6226200 B2 JPS6226200 B2 JP S6226200B2 JP 56047060 A JP56047060 A JP 56047060A JP 4706081 A JP4706081 A JP 4706081A JP S6226200 B2 JPS6226200 B2 JP S6226200B2
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- Japan
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- conductor
- circuit board
- circuit
- ceramic multilayer
- balls
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- Expired
Links
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Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIC，LSIなどを実装する回路基板に係
り、特に高密度な実装を可能とするセラミツク多
層回路基板に関する。
り、特に高密度な実装を可能とするセラミツク多
層回路基板に関する。
従来、多層回路基板の製造方法としては、積層
または印刷などにより絶縁体と導体とを交互に形
成して多層化し、その表面にICまたはLSI素子を
搭載する方法が用いられている。これらの方法で
素子の実装密度を高めるためには、導体線幅を細
くする必要があるが、厚膜法で導体を形成する場
合の線幅は80〜100μｍが実用的な限界であり、
薄膜法で導体を形成する場合には電気抵抗が高く
なるため線幅を細くしていくことには限界がある
欠点がある。
または印刷などにより絶縁体と導体とを交互に形
成して多層化し、その表面にICまたはLSI素子を
搭載する方法が用いられている。これらの方法で
素子の実装密度を高めるためには、導体線幅を細
くする必要があるが、厚膜法で導体を形成する場
合の線幅は80〜100μｍが実用的な限界であり、
薄膜法で導体を形成する場合には電気抵抗が高く
なるため線幅を細くしていくことには限界がある
欠点がある。
本発明の目的は上記のような方法では限界のあ
る多層回路基板の実装密度を飛躍的に増大させる
ことにあり、そしてその目的は本発明によれば導
体ボールをグリーンシート内に充填して形成した
多層回路基板の側面に該導体ボールを露出させ、
該多層回路基板の側面にも回路素子または部品を
実装可能としたことを特徴とする高密度実装回路
基板、及び導体ボールをグリーンシート内に充填
して多層回路基板を形成する工程と該多層回路基
板の側面に導体ボールを露出させる工程とを含む
ことを特徴とする高密度実装回路基板の製造方法
を提供することによつて達成される。
る多層回路基板の実装密度を飛躍的に増大させる
ことにあり、そしてその目的は本発明によれば導
体ボールをグリーンシート内に充填して形成した
多層回路基板の側面に該導体ボールを露出させ、
該多層回路基板の側面にも回路素子または部品を
実装可能としたことを特徴とする高密度実装回路
基板、及び導体ボールをグリーンシート内に充填
して多層回路基板を形成する工程と該多層回路基
板の側面に導体ボールを露出させる工程とを含む
ことを特徴とする高密度実装回路基板の製造方法
を提供することによつて達成される。
本発明の特徴は導体ボールを充填して形成した
球状のバイアホールを利用して回路基板の側面に
も回路を形成してLSIなどの素子を実装可能にし
高密度化したことである。
球状のバイアホールを利用して回路基板の側面に
も回路を形成してLSIなどの素子を実装可能にし
高密度化したことである。
以下図面により本発明の一実施例を詳説する。
第１図はグリーンシート１に導体ボール２を充填
し、導体回路３を形成して積重ねた状態を示した
ものである。
第１図はグリーンシート１に導体ボール２を充填
し、導体回路３を形成して積重ねた状態を示した
ものである。
本実施例ではグリーンシート１にガラス―セラ
ミツク系のボロシリケートガラスとアルミナ粉末
及びブチラール系のバインダーを使用したが、そ
の他の組成のアルミナ、ムライト、マグネシアな
どのセラミツク粉末及びこれらのセラミツク粉末
とボロシリケートガラス、鉛ガラスなどからなる
ガラス―セラミツク材料をグリーンシート材料と
して使用することができる。導体ボール２や導体
回路３に使用する導体材料としては、Au、Ag、
Cu、Pt、Pt／Pd、Ag／Pd、Ｗ、Mo、Mo／Mn
が適用できが本実施例では印刷．焼成などの厚膜
形成が比較的容易で、焼成後の安定性も優れてい
るAu導体材料を使用した。導体ボール２はグリ
ーンシート１上の所定位置に配列され、冶具によ
り加圧して、グリーンシート１内に導体ボール２
を充填しバイアホールが形成される。第１図は導
体ボール２を充填したグリーンシート１の両面に
導体回路３を厚膜印刷または蒸着、スパツタなど
により形成し、グリーンシート１を複数枚積重ね
た状態である。第２図は第１図の複数枚のグリー
ンシート１を積層用冶具を用いて温度110℃、圧
力30MPaで15分間加圧し、積層したグリーンシー
ト１を900℃、３時間焼成した多層回路基板であ
る。次いでこの多層回路基板の側面をダイヤモン
ドデイスクを用いて研摩、第３図に示すように回
路基板の側面に導体ボールを露出させ、その面に
も導体回路を厚膜印刷または蒸着、スパツタなど
により形成し、各種回路素子または部品を塔載可
能とする。
ミツク系のボロシリケートガラスとアルミナ粉末
及びブチラール系のバインダーを使用したが、そ
の他の組成のアルミナ、ムライト、マグネシアな
どのセラミツク粉末及びこれらのセラミツク粉末
とボロシリケートガラス、鉛ガラスなどからなる
ガラス―セラミツク材料をグリーンシート材料と
して使用することができる。導体ボール２や導体
回路３に使用する導体材料としては、Au、Ag、
Cu、Pt、Pt／Pd、Ag／Pd、Ｗ、Mo、Mo／Mn
が適用できが本実施例では印刷．焼成などの厚膜
形成が比較的容易で、焼成後の安定性も優れてい
るAu導体材料を使用した。導体ボール２はグリ
ーンシート１上の所定位置に配列され、冶具によ
り加圧して、グリーンシート１内に導体ボール２
を充填しバイアホールが形成される。第１図は導
体ボール２を充填したグリーンシート１の両面に
導体回路３を厚膜印刷または蒸着、スパツタなど
により形成し、グリーンシート１を複数枚積重ね
た状態である。第２図は第１図の複数枚のグリー
ンシート１を積層用冶具を用いて温度110℃、圧
力30MPaで15分間加圧し、積層したグリーンシー
ト１を900℃、３時間焼成した多層回路基板であ
る。次いでこの多層回路基板の側面をダイヤモン
ドデイスクを用いて研摩、第３図に示すように回
路基板の側面に導体ボールを露出させ、その面に
も導体回路を厚膜印刷または蒸着、スパツタなど
により形成し、各種回路素子または部品を塔載可
能とする。
本発明によれば、回路基板の側面にも素子を塔
載することができるため、従来の多層回路基板の
配線技術であつても、側面が四面使用可能となる
ため、従来使用していた上面の一面と合せ、最大
５倍の高密度実装が可能となる。
載することができるため、従来の多層回路基板の
配線技術であつても、側面が四面使用可能となる
ため、従来使用していた上面の一面と合せ、最大
５倍の高密度実装が可能となる。
尚、通常の多層セラミツク回路基板では導体の
厚さが10〜15μｍと薄いため側面の利用は困難で
ある。
厚さが10〜15μｍと薄いため側面の利用は困難で
ある。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を製造工程
順に示した多層回路基板の断面図である。 図において、１はグリーンシート（焼成後はセ
ラミツク）、２は導体ボール、３は導体回路、４
は回路素子または部品、Ａ―−―A′は研摩して
露出させる面を示している。
順に示した多層回路基板の断面図である。 図において、１はグリーンシート（焼成後はセ
ラミツク）、２は導体ボール、３は導体回路、４
は回路素子または部品、Ａ―−―A′は研摩して
露出させる面を示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体ボールがグリーンシート内の所定位置に
配列充填され、導体回路が表面に形成されたグリ
ーンシートを積層焼成して形成したセラミツク多
層回路基板であつて、 該セラミツク多層回路基板の主面にほぼ垂直な
該導体ボールが露出された側面研摩面を有し、該
側面研摩面にも導体回路形成もしくは回路素子ま
たは部品搭載を可能としたことを特徴とする高密
度実装回路基板。 ２ 導体ボールをグリーンシート内の所定位置に
配列充填し、表面に導体回路を形成したグリーン
シートを加圧積層・焼成してセラミツク多層回路
基板を形成する工程と、 該セラミツク多層回路基板の側面を該基板の主
面にほぼ垂直に研摩して該導体ボールが露出され
た側面研摩面を形成する工程と、 該側面研摩面に導体回路を形成するもしくは回
路素子または部品を実装する工程を有することを
特徴とする高密度実装回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56047060A JPS57162396A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | High density mounting circuit board and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56047060A JPS57162396A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | High density mounting circuit board and method of producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57162396A JPS57162396A (en) | 1982-10-06 |
| JPS6226200B2 true JPS6226200B2 (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=12764603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56047060A Granted JPS57162396A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | High density mounting circuit board and method of producing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57162396A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171352U (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JPS62173799A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | 富士通株式会社 | 高密度実装基板の製造方法 |
-
1981
- 1981-03-30 JP JP56047060A patent/JPS57162396A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57162396A (en) | 1982-10-06 |
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