JP2002076628A - ガラスセラミック基板の製造方法 - Google Patents
ガラスセラミック基板の製造方法Info
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- JP2002076628A JP2002076628A JP2000257356A JP2000257356A JP2002076628A JP 2002076628 A JP2002076628 A JP 2002076628A JP 2000257356 A JP2000257356 A JP 2000257356A JP 2000257356 A JP2000257356 A JP 2000257356A JP 2002076628 A JP2002076628 A JP 2002076628A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラスセラミック基板の表面に形成する後付
け配線パターンの、密着強度のばらつきの少ないガラス
セラミック基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 焼結温度が８００〜１０００℃であるセ
ラミックグリーンシート２１〜２４を複数枚積層し、焼
成した後、配線導体が形成されるガラスセラミック基板
の製造方法において、積層したセラミックグリーンシー
ト２１〜２４の上下に焼結温度では焼結しない未焼結シ
ート２７、２８を載置し、加熱圧着して積層体２０を形
成する第１工程と、焼結温度で積層体２０を加圧焼成し
て焼成体３０を形成する第２工程と、焼成体３０から未
焼結シート２７、２８を除去する第３工程と、未焼結シ
ート２７、２８を除去した焼成体３０の表面をブラスト
処理して、表面粗さを１．５μｍＲａ以上に形成する第
４工程と、ブラスト処理された表面に外層配線パターン
１１を印刷し、焼成する第５工程とを有する。
け配線パターンの、密着強度のばらつきの少ないガラス
セラミック基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 焼結温度が８００〜１０００℃であるセ
ラミックグリーンシート２１〜２４を複数枚積層し、焼
成した後、配線導体が形成されるガラスセラミック基板
の製造方法において、積層したセラミックグリーンシー
ト２１〜２４の上下に焼結温度では焼結しない未焼結シ
ート２７、２８を載置し、加熱圧着して積層体２０を形
成する第１工程と、焼結温度で積層体２０を加圧焼成し
て焼成体３０を形成する第２工程と、焼成体３０から未
焼結シート２７、２８を除去する第３工程と、未焼結シ
ート２７、２８を除去した焼成体３０の表面をブラスト
処理して、表面粗さを１．５μｍＲａ以上に形成する第
４工程と、ブラスト処理された表面に外層配線パターン
１１を印刷し、焼成する第５工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックグリー
ンシートの積層、焼成後に後付けの外層配線パターンを
形成するガラスセラミック基板の製造方法に関する。
ンシートの積層、焼成後に後付けの外層配線パターンを
形成するガラスセラミック基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック基板は、電子部品
を実装するための回路基板として用いられており、その
表面に電子部品の実装用の配線パターンを形成したり、
直接抵抗ペーストで抵抗体を形成したりしている。通
常、セラミック基板はセラミックグリーンシートに導体
パターンや上下の導通用のビアホールを形成し、複数枚
を積層して積層体を形成し、焼成し、その後表面に後付
けの配線パターンを印刷し、焼成することで製造してい
る。また、セラミック基板は、焼成する時に約２０％の
収縮を伴うのでその収縮分を見込んでセラミックグリー
ンシートが大きく形成されている。この収縮により、
縦、横方向に０．２〜０．５％程度の寸法誤差が発生す
る。この寸法誤差は、セラミックグリーンシートの内層
に形成された導体パターンの寸法誤差となり、後付けの
配線パターンの印刷において、焼成されたセラミック基
板の内層配線パターンやビアホール導体との接続位置が
ずれるという問題を発生させている。
を実装するための回路基板として用いられており、その
表面に電子部品の実装用の配線パターンを形成したり、
直接抵抗ペーストで抵抗体を形成したりしている。通
常、セラミック基板はセラミックグリーンシートに導体
パターンや上下の導通用のビアホールを形成し、複数枚
を積層して積層体を形成し、焼成し、その後表面に後付
けの配線パターンを印刷し、焼成することで製造してい
る。また、セラミック基板は、焼成する時に約２０％の
収縮を伴うのでその収縮分を見込んでセラミックグリー
ンシートが大きく形成されている。この収縮により、
縦、横方向に０．２〜０．５％程度の寸法誤差が発生す
る。この寸法誤差は、セラミックグリーンシートの内層
に形成された導体パターンの寸法誤差となり、後付けの
配線パターンの印刷において、焼成されたセラミック基
板の内層配線パターンやビアホール導体との接続位置が
ずれるという問題を発生させている。
【０００３】そこで、焼成におけるセラミックグリーン
シートの収縮率を一定にするためにセラミックグリーン
シートの上下に、セラミックグリーンシートの焼結温度
では焼結しないセラミックからなる未焼結シートを載置
し、加熱圧着して積層体を形成し、焼成後この未焼結シ
ートを除去している。この方法では、積層されたセラミ
ックグリーンシートが上下から未焼結シートで拘束され
た状態で焼成されるので収縮による縦、横方向の寸法誤
差は０．１％以下に抑えることができる。また、セラミ
ック基板の表面は印刷解像度を向上させるために通常研
磨を行って、表面粗さが１．０μｍＲａ以下となるよう
に仕上げている。このようなセラミック基板として、例
えば、１０００℃以下の焼結温度の低温焼成基板材料か
らなるセラミックグリーンシートに、未焼結シートとし
て、この焼結温度では焼結しない、例えば、アルミナ等
からなるグリーンシートを載置して、焼成するガラスセ
ラミック基板がある。
シートの収縮率を一定にするためにセラミックグリーン
シートの上下に、セラミックグリーンシートの焼結温度
では焼結しないセラミックからなる未焼結シートを載置
し、加熱圧着して積層体を形成し、焼成後この未焼結シ
ートを除去している。この方法では、積層されたセラミ
ックグリーンシートが上下から未焼結シートで拘束され
た状態で焼成されるので収縮による縦、横方向の寸法誤
差は０．１％以下に抑えることができる。また、セラミ
ック基板の表面は印刷解像度を向上させるために通常研
磨を行って、表面粗さが１．０μｍＲａ以下となるよう
に仕上げている。このようなセラミック基板として、例
えば、１０００℃以下の焼結温度の低温焼成基板材料か
らなるセラミックグリーンシートに、未焼結シートとし
て、この焼結温度では焼結しない、例えば、アルミナ等
からなるグリーンシートを載置して、焼成するガラスセ
ラミック基板がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来のガラスセラミック基板の製造方法におい
ては、次のような問題がある。 （１）低温焼成基板材料からなるセラミックグリーンシ
ートを未焼結シートで上下から拘束して積層体を形成
し、焼成を行うことで収縮による寸法誤差は小さく抑え
られるが、セラミックグリーンシート間の内層導体パタ
ーンの有無により、ガラスセラミック基板の表面の平坦
性を維持することができず、表面にうねりが発生し、後
付けの配線パターンの膜厚みのばらつきを大きくしてい
る。これにより、後付けの配線パターンとガラスセラミ
ック基板との焼成後の密着強度のばらつきを大きくして
いる。 （２）ガラスセラミック基板の表面粗さが平滑である
と、パターンの解像度は向上するが、界面での接触面積
が低下して、アンカー効果による後付けの配線パターン
の密着強度自体が低下する。本発明は、かかる事情に鑑
みてなされたものであって、表面が平坦で、表面に形成
する後付けの配線パターンの密着強度のばらつきの少な
いガラスセラミック基板の製造方法を提供することを目
的とする。
たような従来のガラスセラミック基板の製造方法におい
ては、次のような問題がある。 （１）低温焼成基板材料からなるセラミックグリーンシ
ートを未焼結シートで上下から拘束して積層体を形成
し、焼成を行うことで収縮による寸法誤差は小さく抑え
られるが、セラミックグリーンシート間の内層導体パタ
ーンの有無により、ガラスセラミック基板の表面の平坦
性を維持することができず、表面にうねりが発生し、後
付けの配線パターンの膜厚みのばらつきを大きくしてい
る。これにより、後付けの配線パターンとガラスセラミ
ック基板との焼成後の密着強度のばらつきを大きくして
いる。 （２）ガラスセラミック基板の表面粗さが平滑である
と、パターンの解像度は向上するが、界面での接触面積
が低下して、アンカー効果による後付けの配線パターン
の密着強度自体が低下する。本発明は、かかる事情に鑑
みてなされたものであって、表面が平坦で、表面に形成
する後付けの配線パターンの密着強度のばらつきの少な
いガラスセラミック基板の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係るガラスセラミック基板の製造方法は、焼結温度が８
００〜１０００℃であるセラミックグリーンシートを複
数枚積層し、焼成した後、配線導体が形成されるガラス
セラミック基板の製造方法において、積層したセラミッ
クグリーンシートの上下に焼結温度では焼結しない未焼
結シートを載置し、加熱圧着して積層体を形成する第１
工程と、焼結温度で積層体を加圧焼成して焼成体を形成
する第２工程と、焼成体から未焼結シートを除去する第
３工程と、未焼結シートを除去した焼成体の表面をブラ
スト処理して、表面粗さを１．５μｍＲａ以上に形成す
る第４工程と、ブラスト処理された表面に外層配線パタ
ーンを印刷し、焼成する第５工程とを有する。積層体を
加圧焼成することによって、ガラスセラミック基板の表
面のうねりを少なくして、後付けの配線パターンの膜厚
みを均一化し、更に、表面粗さを１．５μｍＲａ以上に
することによって、配線パターンの接触面積を増加させ
て、アンカー効果を発現させ、密着強度のばらつきを抑
制することができる。なお、焼結温度を８００〜１００
０℃としたのは、８００℃未満では焼結が行えず、１０
００℃を超えるとガラスが溶融してセラミックとしての
強度がでなくなるためである。
係るガラスセラミック基板の製造方法は、焼結温度が８
００〜１０００℃であるセラミックグリーンシートを複
数枚積層し、焼成した後、配線導体が形成されるガラス
セラミック基板の製造方法において、積層したセラミッ
クグリーンシートの上下に焼結温度では焼結しない未焼
結シートを載置し、加熱圧着して積層体を形成する第１
工程と、焼結温度で積層体を加圧焼成して焼成体を形成
する第２工程と、焼成体から未焼結シートを除去する第
３工程と、未焼結シートを除去した焼成体の表面をブラ
スト処理して、表面粗さを１．５μｍＲａ以上に形成す
る第４工程と、ブラスト処理された表面に外層配線パタ
ーンを印刷し、焼成する第５工程とを有する。積層体を
加圧焼成することによって、ガラスセラミック基板の表
面のうねりを少なくして、後付けの配線パターンの膜厚
みを均一化し、更に、表面粗さを１．５μｍＲａ以上に
することによって、配線パターンの接触面積を増加させ
て、アンカー効果を発現させ、密着強度のばらつきを抑
制することができる。なお、焼結温度を８００〜１００
０℃としたのは、８００℃未満では焼結が行えず、１０
００℃を超えるとガラスが溶融してセラミックとしての
強度がでなくなるためである。
【０００６】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の
形態に係るガラスセラミック基板の製造方法で形成した
ガラスセラミック基板の断面図、図２（Ａ）〜（Ｅ）は
同ガラスセラミック基板の製造方法の説明図である。
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の
形態に係るガラスセラミック基板の製造方法で形成した
ガラスセラミック基板の断面図、図２（Ａ）〜（Ｅ）は
同ガラスセラミック基板の製造方法の説明図である。
【０００７】図１に示すように、本発明の一実施の形態
に係るガラスセラミック基板の製造方法を適用して製造
したガラスセラミック基板１０は、複数のセラミックグ
リーンシート２１〜２４（図２参照）の積層体を焼成し
て形成され、上下の外表面には外層配線パターン１１が
形成されている。焼成前の各セラミックグリーンシート
２１〜２４間に対応する位置には内層配線パターン１２
がそれぞれ形成されていて、各層の内層配線パターン１
２及び外層配線パターン１１はビアホール導体１３で接
続されている。
に係るガラスセラミック基板の製造方法を適用して製造
したガラスセラミック基板１０は、複数のセラミックグ
リーンシート２１〜２４（図２参照）の積層体を焼成し
て形成され、上下の外表面には外層配線パターン１１が
形成されている。焼成前の各セラミックグリーンシート
２１〜２４間に対応する位置には内層配線パターン１２
がそれぞれ形成されていて、各層の内層配線パターン１
２及び外層配線パターン１１はビアホール導体１３で接
続されている。
【０００８】次いで、図２（Ａ）〜（Ｅ）を参照して本
発明の一実施の形態に係るガラスセラミック基板の製造
方法について説明する。先ず、図２（Ａ）に示すよう
に、第１工程において、８００〜１０００℃で焼結可能
な複数枚のセラミックグリーンシート２１〜２４を準備
する。このセラミックグリーンシート２１〜２４は、Ｃ
ａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス５０〜
６５重量％（好ましくは６０重量％）とＡｌ2 Ｏ3 ５０
〜３５重量％（好ましくは４０重量％）からなるセラミ
ック粉末にバインダー、溶剤及び可塑材を添加して混合
し、ドクターブレード法等で所望の厚みのシート状に
し、所望の大きさに切断して形成している。各セラミッ
クグリーンシート２１〜２４には孔を穿設し、Ａｇ系の
導体ペーストを充填して上下層導通用ビアホール２５を
形成し、各セラミックグリーンシート２１〜２４の表面
には回路を形成するためのＡｇ系の導体ペーストで内層
用の導体パターン２６をスクリーン印刷で形成してい
る。
発明の一実施の形態に係るガラスセラミック基板の製造
方法について説明する。先ず、図２（Ａ）に示すよう
に、第１工程において、８００〜１０００℃で焼結可能
な複数枚のセラミックグリーンシート２１〜２４を準備
する。このセラミックグリーンシート２１〜２４は、Ｃ
ａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス５０〜
６５重量％（好ましくは６０重量％）とＡｌ2 Ｏ3 ５０
〜３５重量％（好ましくは４０重量％）からなるセラミ
ック粉末にバインダー、溶剤及び可塑材を添加して混合
し、ドクターブレード法等で所望の厚みのシート状に
し、所望の大きさに切断して形成している。各セラミッ
クグリーンシート２１〜２４には孔を穿設し、Ａｇ系の
導体ペーストを充填して上下層導通用ビアホール２５を
形成し、各セラミックグリーンシート２１〜２４の表面
には回路を形成するためのＡｇ系の導体ペーストで内層
用の導体パターン２６をスクリーン印刷で形成してい
る。
【０００９】一方、８００〜１０００℃では焼結しない
未焼結シート２７、２８を準備する。この未焼結シート
２７、２８は、ガラス分を含まないアルミナ紛末のみに
バインダー、溶剤及び可塑材を添加して混合し、ドクタ
ーブレード法等で所望の厚みのシート状にし、所望の大
きさに切断して形成している。次に、セラミックグリー
ンシート２１〜２４を積層し、更に上下のセラミックグ
リーンシート２１、２４の外表面に未焼結シート２７、
２８を重ね合わせ、温度１００℃、圧力５０Ｋｇ／ｃｍ
2 で加熱圧着して積層体２０を形成する。
未焼結シート２７、２８を準備する。この未焼結シート
２７、２８は、ガラス分を含まないアルミナ紛末のみに
バインダー、溶剤及び可塑材を添加して混合し、ドクタ
ーブレード法等で所望の厚みのシート状にし、所望の大
きさに切断して形成している。次に、セラミックグリー
ンシート２１〜２４を積層し、更に上下のセラミックグ
リーンシート２１、２４の外表面に未焼結シート２７、
２８を重ね合わせ、温度１００℃、圧力５０Ｋｇ／ｃｍ
2 で加熱圧着して積層体２０を形成する。
【００１０】次に、図２（Ｂ）に示すように、第２工程
において、積層体２０の上、下面に金属や耐火物からな
る押え治具３１、３２をあてがい、荷重１０Ｋｇ／ｃｍ
2 を掛けながら、温度９００℃で加圧焼成する。これに
よって、セラミックグリーンシート２１〜２４が焼結
し、バインダー、溶剤及び可塑材が無くなった未焼結シ
ート２７、２８を上下面に有する焼成体３０が形成され
る。この加圧焼成によって、セラミックグリーンシート
２１〜２４のそれぞれの間に設けられた内層導体パター
ン２６が焼成されて内層配線パターン１２が形成され
る。加圧及び未焼結シート２７、２８の拘束により焼成
体３０の上下の外表面の平坦性を維持することができ
る。なお、上下層導通用ビアホール２５も焼成されてビ
アホール導体１３を形成する。また、未焼結シート２
７、２８の拘束により焼成体３０は、平面方向の収縮は
発生しないが、厚み方向の収縮は発生する。
において、積層体２０の上、下面に金属や耐火物からな
る押え治具３１、３２をあてがい、荷重１０Ｋｇ／ｃｍ
2 を掛けながら、温度９００℃で加圧焼成する。これに
よって、セラミックグリーンシート２１〜２４が焼結
し、バインダー、溶剤及び可塑材が無くなった未焼結シ
ート２７、２８を上下面に有する焼成体３０が形成され
る。この加圧焼成によって、セラミックグリーンシート
２１〜２４のそれぞれの間に設けられた内層導体パター
ン２６が焼成されて内層配線パターン１２が形成され
る。加圧及び未焼結シート２７、２８の拘束により焼成
体３０の上下の外表面の平坦性を維持することができ
る。なお、上下層導通用ビアホール２５も焼成されてビ
アホール導体１３を形成する。また、未焼結シート２
７、２８の拘束により焼成体３０は、平面方向の収縮は
発生しないが、厚み方向の収縮は発生する。
【００１１】次に、図２（Ｃ）に示すように、第３工程
において、焼成体３０から未焼結シート２７、２８を除
去する。焼成された未焼結シート２７、２８はバインダ
ー、溶剤及び可塑材が無くなった状態であるので、アル
ミナ紛のみであり、焼成体３０の外表面に若干のアルミ
ナ紛の付着を残して、殆どは簡単に剥離除去できる。
において、焼成体３０から未焼結シート２７、２８を除
去する。焼成された未焼結シート２７、２８はバインダ
ー、溶剤及び可塑材が無くなった状態であるので、アル
ミナ紛のみであり、焼成体３０の外表面に若干のアルミ
ナ紛の付着を残して、殆どは簡単に剥離除去できる。
【００１２】次に、図２（Ｄ）に示すように、第４工程
において、焼成体３０の外表面にガラスビーズ等のブラ
スト材を使用してブラスト処理を施し、外表面に付着し
ているアルミナ紛を除去し、更にブラスト処理によって
外表面を研削し、焼成体３０の表面の表面粗さを１．５
μｍＲａ以上に仕上げる。これにより、配線パターンと
の接触面積を多くした面に仕上げることができ、後述す
る外層配線パターン１１のアンカー効果を引き出すこと
ができる。
において、焼成体３０の外表面にガラスビーズ等のブラ
スト材を使用してブラスト処理を施し、外表面に付着し
ているアルミナ紛を除去し、更にブラスト処理によって
外表面を研削し、焼成体３０の表面の表面粗さを１．５
μｍＲａ以上に仕上げる。これにより、配線パターンと
の接触面積を多くした面に仕上げることができ、後述す
る外層配線パターン１１のアンカー効果を引き出すこと
ができる。
【００１３】次に、図２（Ｅ）に示すように、第５工程
において、前工程で表面粗さを１．５μｍＲａ以上に仕
上げた焼成体３０の上下の表面にＡｇ系導体ペーストを
用いて、スクリーン印刷法で後付けの外層配線パターン
１１を形成し、印刷後、空気中で９００℃で焼成し、多
層のガラスセラミック基板１０を形成する。また、Ａｇ
系導体ペーストの代わりにＣｕ導体ペーストを用いるこ
とも可能で、この場合は、窒素雰囲気中で７５０℃で焼
成する。更に、導体ペーストによる配線パターン以外に
抵抗体ペーストを用いて、スクリーン印刷法で抵抗体を
形成する場合もある。この場合は、Ａｇ系導体の焼成と
同じ温度で焼成できる。なお、本実施の形態では、ガラ
スセラミック基板１０を４層のセラミックグリーンシー
ト２１〜２４で形成したが、この層数は限定されるもの
ではなく、３層以下、５層以上であってもよい。また、
セラミックグリーンシートの材料として、ＣａＯ−Ａｌ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との
混合物以外に、ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ
3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との混合物、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ
3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との混合物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との混合物、コージェ
ライト系結晶化ガラス等のセラミック材料を用いてもよ
い。
において、前工程で表面粗さを１．５μｍＲａ以上に仕
上げた焼成体３０の上下の表面にＡｇ系導体ペーストを
用いて、スクリーン印刷法で後付けの外層配線パターン
１１を形成し、印刷後、空気中で９００℃で焼成し、多
層のガラスセラミック基板１０を形成する。また、Ａｇ
系導体ペーストの代わりにＣｕ導体ペーストを用いるこ
とも可能で、この場合は、窒素雰囲気中で７５０℃で焼
成する。更に、導体ペーストによる配線パターン以外に
抵抗体ペーストを用いて、スクリーン印刷法で抵抗体を
形成する場合もある。この場合は、Ａｇ系導体の焼成と
同じ温度で焼成できる。なお、本実施の形態では、ガラ
スセラミック基板１０を４層のセラミックグリーンシー
ト２１〜２４で形成したが、この層数は限定されるもの
ではなく、３層以下、５層以上であってもよい。また、
セラミックグリーンシートの材料として、ＣａＯ−Ａｌ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との
混合物以外に、ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ
3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との混合物、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ
3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との混合物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との混合物、コージェ
ライト系結晶化ガラス等のセラミック材料を用いてもよ
い。
【００１４】
【実施例】本発明者は、本発明のガラスセラミック基板
の製造方法により作製されたガラスセラミック基板の外
層配線パターンの密着強度のばらつき（標準偏差σで示
す）を半田付け後のピール引張り法で測定し、従来方法
の比較例との比較を行った。ガラスセラミック基板は、
０．３ｍｍ厚みのセラミックグリーンシートを４層積層
し、更にアルミナからなる未焼結シートを載置した積層
体を形成し、焼成温度９００℃、荷重１０Ｋｇ／ｃｍ2
で加圧焼成を行った。ブラスト材は３０〜８０μｍφの
ガラスビーズを用いて、圧力２Ｋｇ／ｃｍ2 のブラスト
条件でブラスト処理を行い、後付けの導体ペーストはＡ
ｇＰｄを用いて２×２ｍｍの面積に厚み（乾燥厚み）１
５μｍで印刷し、９００℃で焼成してガラスセラミック
基板を作製した。比較例としては、通常のセラミックグ
リーンシートの積層体（未焼結シートなし）を焼成（加
圧なし）し、後付け導体ペーストを印刷し、焼成してガ
ラスセラミック基板を作製した。評価方法は、後付け外
層配線パターンに引き剥がし可能なピンを半田付けし、
引っ張ることで配線パターンがガラスセラミック基板か
ら剥がれる値を測定した。サンプルは、初期状態のもの
と、１５０℃、４８時間の高温保管後の状態のものを、
各３０個測定した。その測定結果を表１に示す。
の製造方法により作製されたガラスセラミック基板の外
層配線パターンの密着強度のばらつき（標準偏差σで示
す）を半田付け後のピール引張り法で測定し、従来方法
の比較例との比較を行った。ガラスセラミック基板は、
０．３ｍｍ厚みのセラミックグリーンシートを４層積層
し、更にアルミナからなる未焼結シートを載置した積層
体を形成し、焼成温度９００℃、荷重１０Ｋｇ／ｃｍ2
で加圧焼成を行った。ブラスト材は３０〜８０μｍφの
ガラスビーズを用いて、圧力２Ｋｇ／ｃｍ2 のブラスト
条件でブラスト処理を行い、後付けの導体ペーストはＡ
ｇＰｄを用いて２×２ｍｍの面積に厚み（乾燥厚み）１
５μｍで印刷し、９００℃で焼成してガラスセラミック
基板を作製した。比較例としては、通常のセラミックグ
リーンシートの積層体（未焼結シートなし）を焼成（加
圧なし）し、後付け導体ペーストを印刷し、焼成してガ
ラスセラミック基板を作製した。評価方法は、後付け外
層配線パターンに引き剥がし可能なピンを半田付けし、
引っ張ることで配線パターンがガラスセラミック基板か
ら剥がれる値を測定した。サンプルは、初期状態のもの
と、１５０℃、４８時間の高温保管後の状態のものを、
各３０個測定した。その測定結果を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】本測定結果では、実施例の外層配線パター
ンの密着強度のばらつきは初期の段階及び４８時間後共
に比較例より１／３に減少している。また平均密着強度
も若干（５％程度）向上している。
ンの密着強度のばらつきは初期の段階及び４８時間後共
に比較例より１／３に減少している。また平均密着強度
も若干（５％程度）向上している。
【００１７】
【発明の効果】請求項１記載のガラスセラミック基板の
製造方法においては、積層したセラミックグリーンシー
トの上下にセラミックグリーンシート焼結温度（８００
〜１０００℃）では焼結しない未焼結シートを載置し、
加熱圧着して積層体を形成する第１工程と、焼結温度で
積層体を加圧焼成して焼成体を形成する第２工程と、焼
成体から未焼結シートを除去する第３工程と、未焼結シ
ートを除去した焼成体の表面をブラスト処理して、表面
粗さを１．５μｍＲａ以上に形成する第４工程と、ブラ
スト処理された表面に外層配線パターンを印刷し、焼成
する第５工程とを有するので、ガラスセラミック基板の
表面のうねりを少なくして、後付け配線パターンの膜厚
みを均一化し、且つ表面粗さによる配線パターンの接触
面積を増加させてアンカー効果を発現させ、密着強度の
ばらつきを抑制することができる。
製造方法においては、積層したセラミックグリーンシー
トの上下にセラミックグリーンシート焼結温度（８００
〜１０００℃）では焼結しない未焼結シートを載置し、
加熱圧着して積層体を形成する第１工程と、焼結温度で
積層体を加圧焼成して焼成体を形成する第２工程と、焼
成体から未焼結シートを除去する第３工程と、未焼結シ
ートを除去した焼成体の表面をブラスト処理して、表面
粗さを１．５μｍＲａ以上に形成する第４工程と、ブラ
スト処理された表面に外層配線パターンを印刷し、焼成
する第５工程とを有するので、ガラスセラミック基板の
表面のうねりを少なくして、後付け配線パターンの膜厚
みを均一化し、且つ表面粗さによる配線パターンの接触
面積を増加させてアンカー効果を発現させ、密着強度の
ばらつきを抑制することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るガラスセラミック
基板の製造方法で形成したガラスセラミック基板の断面
図である。
基板の製造方法で形成したガラスセラミック基板の断面
図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は同ガラスセラミック基板の製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
１０：ガラスセラミック基板、１１：外層配線パター
ン、１２：内層配線パターン、１３：ビアホール導体、
２０：積層体、２１〜２４：セラミックグリーンシー
ト、２５：ビアホール、２６：内層導体パターン、２
７、２８：未焼結シート、３０：焼成体、３１、３２：
押え治具
ン、１２：内層配線パターン、１３：ビアホール導体、
２０：積層体、２１〜２４：セラミックグリーンシー
ト、２５：ビアホール、２６：内層導体パターン、２
７、２８：未焼結シート、３０：焼成体、３１、３２：
押え治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E343 AA02 AA24 BB21 BB25 BB72 DD02 EE33 GG04 5E346 AA12 AA15 AA24 AA32 AA38 BB01 CC18 CC31 CC60 DD02 DD34 EE24 EE25 EE27 EE28 GG03 GG09 GG10 HH11
Claims (1)
- 【請求項１】 焼結温度が８００〜１０００℃であるセ
ラミックグリーンシートを複数枚積層し、焼成した後、
配線導体が形成されるガラスセラミック基板の製造方法
において、前記積層したセラミックグリーンシートの上
下に前記焼結温度では焼結しない未焼結シートを載置
し、加熱圧着して積層体を形成する第１工程と、前記焼
結温度で前記積層体を加圧焼成して焼成体を形成する第
２工程と、前記焼成体から前記未焼結シートを除去する
第３工程と、前記未焼結シートを除去した焼成体の表面
をブラスト処理して、表面粗さを１．５μｍＲａ以上に
形成する第４工程と、前記ブラスト処理された表面に外
層配線パターンを印刷し、焼成する第５工程とを有する
ことを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257356A JP2002076628A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | ガラスセラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257356A JP2002076628A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | ガラスセラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076628A true JP2002076628A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18745825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000257356A Withdrawn JP2002076628A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | ガラスセラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076628A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100946017B1 (ko) | 2008-02-19 | 2010-03-09 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판의 제조 방법 |
| KR100948641B1 (ko) | 2007-10-02 | 2010-03-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| JP2019057708A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法、及び、多層セラミック基板 |
| WO2021085181A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 株式会社村田製作所 | 積層基板、電子部品モジュール、および、積層基板の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000257356A patent/JP2002076628A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100948641B1 (ko) | 2007-10-02 | 2010-03-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR100946017B1 (ko) | 2008-02-19 | 2010-03-09 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판의 제조 방법 |
| JP2019057708A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法、及び、多層セラミック基板 |
| JP7073996B2 (ja) | 2017-09-20 | 2022-05-24 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法、及び、多層セラミック基板 |
| WO2021085181A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 株式会社村田製作所 | 積層基板、電子部品モジュール、および、積層基板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040412 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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