JPS62173799A - 高密度実装基板の製造方法 - Google Patents
高密度実装基板の製造方法Info
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- JPS62173799A JPS62173799A JP61016302A JP1630286A JPS62173799A JP S62173799 A JPS62173799 A JP S62173799A JP 61016302 A JP61016302 A JP 61016302A JP 1630286 A JP1630286 A JP 1630286A JP S62173799 A JPS62173799 A JP S62173799A
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- Japan
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- grinding
- circuit board
- board
- high density
- mounting
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
高密度実装には基板の表裏だけでなく側面も使用すると
有利である。この基板の製造方法に関する０ 〔技術の背景〕 ＩＣの高集積化と平行し、基板に多数のＩＣチップ等の
素子を高密度に実装する方式が検討されている。特に、
ＬＳＩを高密度に実装し発生する膨大ガ熱を冷却するの
に、高密度実装基板そのものを冷却液体に浸漬して、熱
を効率良く逃がす液冷方式等の検討がなされつつある。
有利である。この基板の製造方法に関する０ 〔技術の背景〕 ＩＣの高集積化と平行し、基板に多数のＩＣチップ等の
素子を高密度に実装する方式が検討されている。特に、
ＬＳＩを高密度に実装し発生する膨大ガ熱を冷却するの
に、高密度実装基板そのものを冷却液体に浸漬して、熱
を効率良く逃がす液冷方式等の検討がなされつつある。
液冷方式では熱の伝達効率が良好な為、基板にいかに多
数のチップを実装するかが問題となる。
数のチップを実装するかが問題となる。
通常、ＬＳＩの実装は基板の表裏２面で行なわれるが、
第３図に示す如＜、ＬＳＩ’ｅ多面実装する多層セラミ
ック回路基板として立（直）刃体のものを用いることが
本発明者等により提案されている。
第３図に示す如＜、ＬＳＩ’ｅ多面実装する多層セラミ
ック回路基板として立（直）刃体のものを用いることが
本発明者等により提案されている。
図において、５面にＬＳＩ等の素子２ボンディング用端
子部が形成された多層セラミック回路基板である。２は
該基板にフリップチップボンディング等でボンディング
されたＬＳＩチップである。
子部が形成された多層セラミック回路基板である。２は
該基板にフリップチップボンディング等でボンディング
されたＬＳＩチップである。
これらの多面実装セラミック回路基ｙｔマザーボード等
の基板３上に搭載し、底面部分においてボンディングが
なされる。
の基板３上に搭載し、底面部分においてボンディングが
なされる。
第４図値）は上記した多面実装多層セラミック回路基板
の要部斜視図であり例として、３層構造のものを示した
。
の要部斜視図であり例として、３層構造のものを示した
。
第４図ｆｂ）、 （ｃ）は多面実装多層セラミック回路
基板全製造中る際に積層焼成されるべき第１層目。
基板全製造中る際に積層焼成されるべき第１層目。
第２層目のグリーンシートのスルーホール４．配線パタ
ーン５を各々示す。
ーン５を各々示す。
所定のパターンを形成したグリーンシー）ｔ−多層に積
層・焼成した後、多層セラミック回路基板をＡｌ線及び
ＢＢ＠まで研削ψ研磨をして、第４図（ａ）に示す如き
端面に配線パターンが形成された多面実装セラミック回
路基板が形成される。なお、研削・研磨により表出され
る配線パターン４ はグリーンシートの厚さ方向へのス
ルーホール４の切断によりなされる為、高精度の研削・
研磨が要求される。
層・焼成した後、多層セラミック回路基板をＡｌ線及び
ＢＢ＠まで研削ψ研磨をして、第４図（ａ）に示す如き
端面に配線パターンが形成された多面実装セラミック回
路基板が形成される。なお、研削・研磨により表出され
る配線パターン４ はグリーンシートの厚さ方向へのス
ルーホール４の切断によりなされる為、高精度の研削・
研磨が要求される。
基板の側面を研削する場合、第５図（ａ）に示す如くダ
イヤモンド砥石等の研削盤で行うが、通常ディスクの表
面にダイヤモンド砥粒が一層だけ溶融接着している。こ
のため研削最中にダイヤモンド砥粒が摩耗して減ってし
まったね、まったくなくなったりするため、研削に長時
間要する。あるいけ所定の切断面が露出する如く研削を
なすことを要するが、摩耗により所定の切断面が得られ
ず、第５図（ｂ）（ｃｌの如く凸もしくは凹状に曲面を
なし研削・研磨され、所定のＩＣチップ実装パッドが露
呈せずショート等の不具合の原因となる。
イヤモンド砥石等の研削盤で行うが、通常ディスクの表
面にダイヤモンド砥粒が一層だけ溶融接着している。こ
のため研削最中にダイヤモンド砥粒が摩耗して減ってし
まったね、まったくなくなったりするため、研削に長時
間要する。あるいけ所定の切断面が露出する如く研削を
なすことを要するが、摩耗により所定の切断面が得られ
ず、第５図（ｂ）（ｃｌの如く凸もしくは凹状に曲面を
なし研削・研磨され、所定のＩＣチップ実装パッドが露
呈せずショート等の不具合の原因となる。
第５図（ｄｌは多面実装回路基板の研磨面を示す斜視図
であり、焼成された多層回路基板ＡＢＣＤＭＮＯＦ（Ｎ
は図示されず）を研削・研磨して、多面実装回路基板Ｅ
ＦＧＨＩＪＫＬｔ−形成する際、正常な研削・研磨がな
されれば、ＡＢＣＤＥＦＧ）Ｔは同一平面にあるが、凹
状の研削・研磨がなされた場合、研磨面ＡＢＣＤＥ’Ｆ
’Ｇ′Ｈ’は曲面となり、所定のスルーホール位置の切
断面が得られないことになり、従って配線ショートの原
因となる。
であり、焼成された多層回路基板ＡＢＣＤＭＮＯＦ（Ｎ
は図示されず）を研削・研磨して、多面実装回路基板Ｅ
ＦＧＨＩＪＫＬｔ−形成する際、正常な研削・研磨がな
されれば、ＡＢＣＤＥＦＧ）Ｔは同一平面にあるが、凹
状の研削・研磨がなされた場合、研磨面ＡＢＣＤＥ’Ｆ
’Ｇ′Ｈ’は曲面となり、所定のスルーホール位置の切
断面が得られないことになり、従って配線ショートの原
因となる。
ＩＣ等の素子を多面に実装する立方体型回路基板の製法
において、研削・研磨を行ない複数の側面の実装用端子
を露出する際、研削に砥粒を深さ方向に複数個配列した
研削盤を用いる。
において、研削・研磨を行ない複数の側面の実装用端子
を露出する際、研削に砥粒を深さ方向に複数個配列した
研削盤を用いる。
基板の側面を研削する場合、研削−は約５間厚さである
ため、時間が非常にかかる。それは砥粒が研削中に摩耗
して削る能力が減少してくるからである。また、その摩
耗の度合がわかりにくいため、摩耗しているにもかかわ
らず使用してしまう。そこで、砥粒が一層摩耗しても次
の層がでてくれば、再び新しい砥粒となり、研削ができ
る。
ため、時間が非常にかかる。それは砥粒が研削中に摩耗
して削る能力が減少してくるからである。また、その摩
耗の度合がわかりにくいため、摩耗しているにもかかわ
らず使用してしまう。そこで、砥粒が一層摩耗しても次
の層がでてくれば、再び新しい砥粒となり、研削ができ
る。
このように砥粒を深さ方向数層形成したものである。
研削・砥粒を深さ方向に複数層形成した研削盤により研
削をなす。研削中に新しい砥粒が研削面に出てくるため
、多層セラミック回路基板を短時間に精度良く研削する
ことができる。
削をなす。研削中に新しい砥粒が研削面に出てくるため
、多層セラミック回路基板を短時間に精度良く研削する
ことができる。
粒子径４μｍのアルミナ粉末５０部と粒子径４μｍのほ
うけい酸ガラス（軟化点７００’Ｃ）５０部に表−１に
示すバインダ系を７０部を加えて４８ｈボールミリング
した。このスラリーによりドクターブレード法で０．３
ｍＭ ＦＸさのグリーンシートを作製し念。次に所定
の寸法鑓打抜くと同時（Ｃバイア用の穴を明ける。この
穴をＡｕペーストで埋め、さらに配線パターンをスクリ
ーン印刷で形成した。
うけい酸ガラス（軟化点７００’Ｃ）５０部に表−１に
示すバインダ系を７０部を加えて４８ｈボールミリング
した。このスラリーによりドクターブレード法で０．３
ｍＭ ＦＸさのグリーンシートを作製し念。次に所定
の寸法鑓打抜くと同時（Ｃバイア用の穴を明ける。この
穴をＡｕペーストで埋め、さらに配線パターンをスクリ
ーン印刷で形成した。
このようにして得た配線法グリーンシート８０層分子：
３００に９／ｍ、 １３０℃で３０分間加圧し、積層
した。これを大気雰囲気炉で９００’Ｃ１時間（合計２
５ｈ）焼成して８０邪の回路基板を作成しｆｃ（４０Ｘ
４０Ｘ４０ｍｍ）、 この基板は端面から５面内部に
研削することにより側面（４面）に導体パッドが露出す
るように作製した。
３００に９／ｍ、 １３０℃で３０分間加圧し、積層
した。これを大気雰囲気炉で９００’Ｃ１時間（合計２
５ｈ）焼成して８０邪の回路基板を作成しｆｃ（４０Ｘ
４０Ｘ４０ｍｍ）、 この基板は端面から５面内部に
研削することにより側面（４面）に導体パッドが露出す
るように作製した。
次に直伊１５０朋の円盤に直径５０μｍのダイヤモンド
砥粒全第１図のように配列した研削盤を作製し、この研
削盤ｔ−１０Ｏｒｐｍで回転しながら基板の端面をそれ
ぞれ研削した。これてより立方体型回路基板（５面実装
タイプ）が完成した。
砥粒全第１図のように配列した研削盤を作製し、この研
削盤ｔ−１０Ｏｒｐｍで回転しながら基板の端面をそれ
ぞれ研削した。これてより立方体型回路基板（５面実装
タイプ）が完成した。
問
表−２に本発明と従来法の研削時弊等全比較するＯ
表−１バインダー組成
表−２本発明と従来例の比較
上記実施例に於ては、ディスク表面にダイヤモンド砥粒
を接着した研削盤について述べたが、第２図に示す如く
、ディスクの細面にダイヤモンド砥粒を複数層形成する
場合も同様効果が得られる。
を接着した研削盤について述べたが、第２図に示す如く
、ディスクの細面にダイヤモンド砥粒を複数層形成する
場合も同様効果が得られる。
基板の側面研削が短時間でできるため、立方体型回路基
板の製造について時間短縮となる。
板の製造について時間短縮となる。
精度良く研削できる。
第１図は本発明に用いる研削盤の斜視図（ａ）及び断面
図（’ｏ）、 第２図は本発明に用いる他の研削盤の斜視図（ａｔ及び
断面図（ｂｌ、 第３図は多面実装回路基板による実装状態を示す斜視図
、 第４図は多面実装回路基板を評明する斜視図（ａ）と平
面図（ｂｌ、 （ｃｌ、 第５図は多面実装回路基板の研削・研磨工程を説明中る
斜視図（ａ）、 （ｄ）及び断面図（ｂＬ （ｃｌでち
る。
図（’ｏ）、 第２図は本発明に用いる他の研削盤の斜視図（ａｔ及び
断面図（ｂｌ、 第３図は多面実装回路基板による実装状態を示す斜視図
、 第４図は多面実装回路基板を評明する斜視図（ａ）と平
面図（ｂｌ、 （ｃｌ、 第５図は多面実装回路基板の研削・研磨工程を説明中る
斜視図（ａ）、 （ｄ）及び断面図（ｂＬ （ｃｌでち
る。
Claims (1)
- ＩＣ等の素子を多面に実装する立方体型回路基板の製
法において、研削、研磨を行ない複数の側面の実装用端
子を露出する際、研削に砥粒を深さ方向に複数個配列し
た研削盤を用いることを特徴とする高密度実装基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61016302A JPS62173799A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 高密度実装基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61016302A JPS62173799A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 高密度実装基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62173799A true JPS62173799A (ja) | 1987-07-30 |
Family
ID=11912746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61016302A Pending JPS62173799A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 高密度実装基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62173799A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351587A (en) * | 1976-10-21 | 1978-05-11 | Youzou Shimizu | Method of manufacturing rotary cutting grinding machine |
| JPS57103797A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-28 | Shinko Fuaudoraa Kk | Continuous pressure dehydration method for hydrous sludge |
| JPS57162396A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | High density mounting circuit board and method of producing same |
| JPS58122011A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-20 | Ryonichi Kk | フイルタプレス |
| JPS5937058A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-29 | Yozo Shimizu | 切断用回転砥石盤 |
| JPS6080562A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Disco Abrasive Sys Ltd | 電着砥石 |
| JPS60143811A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-30 | Shikishima Kanbasu Kk | ベルトプレス型脱水機用フエルト濾布 |
| JPS617100A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-13 | Kubota Ltd | 脱水方法 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP61016302A patent/JPS62173799A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351587A (en) * | 1976-10-21 | 1978-05-11 | Youzou Shimizu | Method of manufacturing rotary cutting grinding machine |
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| JPS58122011A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-20 | Ryonichi Kk | フイルタプレス |
| JPS5937058A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-29 | Yozo Shimizu | 切断用回転砥石盤 |
| JPS6080562A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Disco Abrasive Sys Ltd | 電着砥石 |
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| JPS617100A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-13 | Kubota Ltd | 脱水方法 |
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