JP2001102746A - 回路装置とその製造方法 - Google Patents

回路装置とその製造方法

Info

Publication number
JP2001102746A
JP2001102746A JP27997499A JP27997499A JP2001102746A JP 2001102746 A JP2001102746 A JP 2001102746A JP 27997499 A JP27997499 A JP 27997499A JP 27997499 A JP27997499 A JP 27997499A JP 2001102746 A JP2001102746 A JP 2001102746A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating
substrate
wiring
insulating base
circuit device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27997499A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Yoneyama
勝廣 米山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP27997499A priority Critical patent/JP2001102746A/ja
Publication of JP2001102746A publication Critical patent/JP2001102746A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】高性能でかつ高密度の回路基板を提供すること
を目的とする。 【解決手段】絶縁基板10とダミー基板12とを多段に
積層して立体配線基板から成る立体形状の絶縁基体35
を形成し、部品をこのような絶縁基体35の上面および
側面に配置することによって配線長を短くするようにし
たものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は回路装置とその製造
方法に係り、とくに立体的な絶縁基体を用いた回路装置
とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】各種の電子機器に用いられる配線基板
は、電子機器の小型化や軽量化あるいは薄型化の要求に
応じて、その構造が平面的で、しかも部品配置も上記配
線基板の表側と裏側の2面に実装する傾向にある。さら
なる小型化、軽量化、薄型化の要求に応えて、基板内層
部または表層部に受動素子を形成したり、LSIを基板
内層部に埋設して収納する構造が提案されている。この
ような構造は、基板内層または表層に部品が形成または
収納されることによって、基板内の配線の自由度を奪う
ことにもなりかねない。
【0003】このような観点から、配線基板を立体的な
構造として採用するという考え方が、特開昭61−16
8951号公報によって提案されている。この構造は、
熱伝導率の大きな材料によって、角部を曲面の稜線とし
た4角柱の4側面に配線を有し、4側面に複数の集積回
路チップを搭載し、各集積回路チップを配線によって電
気的に接続して構成したブロックを実装の基本単位とし
たもので、この基本単位を基板上に複数個配列した平面
実装、またはこの平面実装した基板を複数枚積重ねた立
体構造、さらにブロックの4側面にブロックを複数配置
した大ブロックを形成し、この大ブロックを基板上に配
列した大ブロック実装等、目的に応じ高密度化を容易に
達成できる半導体集積回路チップの実装構造である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】実開昭61−1689
51号公報に記載されている実装構造は、部品の放熱を
意識した立体構造であって、配線基板の有用性について
の考察がなされていない。また立体構造の側面、すなわ
ち4つの面に配線層を形成する手段については、側面と
側面の角を丸く加工してフォトプロセスによっ配線層を
形成する等、コストパフォーマンス的に難しい問題が存
在する。上記のような構造においてとくに4角柱の表面
にフレキシブルプリント回路基板を貼合わせ、その上に
電子部品をマウントすると、部品の電極間を接続する配
線長が従来の配線基板と大差がなくなる。またこのよう
な構造は、フレキシブル基板の表裏に部品を配置できな
いという不都合がある。
【0005】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、立体構造の絶縁基体の特徴を最大限に
引出し、高速デジタル回路等に用いて好適な高密度な配
線構造を有する回路装置とその製造方法を提供すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本願の一発明は、板状の
絶縁材の積層体から成る立体的な絶縁基体と、該絶縁基
体の外表面に装着されている電子部品と、を具備する回
路装置に関するものである。
【0007】ここで電子部品が絶縁基体に形成されてい
る導体配線によって電気的に接続されてよい。また導体
配線が絶縁基体を構成する板状の絶縁材の表面に形成さ
れてよい。また絶縁基体が絶縁基板とダミー基板の積層
体から構成されてよい。また積層方向に貫通して形成さ
れる層間接続手段によって前記絶縁基板上の導体配線と
前記ダミー基板の導体配線とが電気的に接続されてよ
い。また絶縁基体が直方体状の形状をなし、その上面と
4つの側面の内の少なくとも一面に部品が配置されると
ともに、その底面の電極が接続手段を介してマザー基板
に接続されてよい。また絶縁基体の外表面またはその近
傍に導電層が形成され、該導電層によって絶縁基体の内
部の回路がシールドされてよい。
【0008】製造方法に関する発明は、板状の絶縁材を
用意し、それぞれの絶縁材の表面に導体配線を施し、複
数枚の絶縁材を積層して絶縁基体を形成し、該絶縁基体
の側端面を研磨して絶縁基体の側面に電極を露出させ、
電極が露出した絶縁基体の側面に配線層を形成し、配線
層が形成された前記絶縁基体の側面に部品をマウントす
ることを特徴とする回路装置の製造方法に関するもので
ある。
【0009】
【作用】製造方法に関する発明によれば、導体配線を施
した板状の絶縁材を積層することによって絶縁基体が形
成される。このような絶縁基体の側端面を研磨すること
によって電極が露出される。そして電極が露出された絶
縁基体の側面に配線層を形成するとともに、配線層が形
成された絶縁基体の側面に部品をマウントすることによ
って回路装置が得られるようになる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態は、異なる
幾種類かの板状の絶縁材を用意し、これらの絶縁材の表
面に回路を形成して積層するとともに、配線を形成す
る。そして積層された板状の絶縁材の端面を配線時に形
成された電極部まで研磨することによって、基板の側端
面に電極を露出させる。そしてこのような電極の部分に
絶縁体と配線層とを形成して電子部品を実装するように
した回路装置に関するものである。
【0011】ここで絶縁基体の上面と4つの側面の内の
少なくとも1面に回路形成と部品配置とを行なうように
してよい。またこのような回路基板における側面部の回
路形成において、絶縁基体内部の回路の影響をシールド
する層を絶縁基体の表面側の部分に形成するようにして
よい。ここで配線基板は、縦方向と基板側面方向とを各
層に形成された導体パターンと絶縁体とを貫通するバイ
アホールあるいはスルーホール等の層間接続手段によっ
て電気的に接続されてよい。
【0012】このような回路装置によれば、絶縁基体内
の配線が立体的に行ない得ることから、例えば上面にメ
イン回路を配置し、絶縁基体の側面部に配されているブ
ロック回路へ多数の入出力配線を施す場合に、配線本数
の処理が容易になる。また立体配線基板構造を有する絶
縁基体を用いることによって、上面部にメインの回路を
配置したときに各側面に配置した回路間の配線を短くし
かもほぼ等しい長さにすることができるために、配線長
の違いによる信号のタイミングのずれ等に対して有利に
なる。
【0013】絶縁基体の側面に配置する配線層または部
品は、上面部に主として配置してその残る配線または部
品の程度によって、使用する側面の数を調整考慮でき
る。これによって新たな部品の追加があっても、使用し
ていない面に配線処理を行なうことによって対応が可能
になる。また側面に加工する配線構造を、その第1層を
グランドとしてシールド機能をもたせることにより、配
線基板からの影響をなくすことが可能になる。
【0014】また配線基板が立体構造の絶縁基体によっ
て構成されるために、基体の材料を例えばセラミックを
使用することによって、熱容量を大きくすることがで
き、このために外表面にマウントされる回路部品からの
熱の放散が容易になるとともに、過度の温度上昇が防止
される。
【0015】また取付けるマザー基板に占める絶縁基体
の面積を1としたときに、少なくともそのほぼ5倍の実
装面積を絶縁基体の表面に確保することが可能になる。
すなわち絶縁基体の上面と4つの側面にそれぞれ部品を
実装することが可能になる。そして主要な回路をブロッ
クに集約できることから、マザー基板との入出力ピンの
数を少なくすることが可能になる。
【0016】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る回路装置を製
造するためのプロセスをブロック図によって説明したも
のである。すなわち本実施例においては、絶縁基板10
から成る基板Aおよび基板Bと、ダミー基板12から成
る基板Cとを積層して絶縁基体35を形成し、その側面
を研磨して電極を露出させ、電極が露出した絶縁基体3
5の側面に配線層を形成するとともに、配線層が形成さ
れた側面に部品を実装するようにしたものである。
【0017】ここでとくに絶縁基板10から成る基板A
と基板Bについては、絶縁基体35の寸法よりも大きな
寸法の絶縁基板10を用いるようにし、このような基板
10を分割して積層するようにしている。
【0018】図2は絶縁基体35を形成するための絶縁
基板10から成る基板Aおよび基板Bの分割の構造を示
すものであって、絶縁基板10には予め分割ライン11
を形成しておく。すなわちセラミックあるいは板ガラス
の場合には、レーザーやダイサーによって深さが0.1
〜0.5mm程度のブレークライン11を形成してお
く。そしてこのようなブレークライン11で分割するこ
とによって、図3に示すように絶縁基体35を組立てる
のに適当な大きさの基板を得ることが可能になる。絶縁
基板10がガラスエポキシ材料等の有機材料基板の場合
においては、ミシン目処理やVカット処理によって分割
ライン11を形成する。そしてこのような分割ライン1
1に沿って分割することにより、有機材料基板について
も図3に示すように、絶縁基体35を積層するのに適当
な大きさにすることができる。
【0019】このように大きな絶縁基板10を分割する
のは、次のような理由による。すなわち多層基板の場合
には、通常500mm程度のワークに取出す個片を設け
て一括で各プロセスを経て形成されるようになってお
り、セラミック基板の場合には1片が3インチ程度の矩
形のサイズのものが多い。従って1片を例えば50mm
程度の立方体と形成する場合には、大きなワークサイズ
の絶縁基板10を用いて積層後に外周面を研磨等の方法
によって切断するには、その加工が面倒であり、かつ難
しいからである。
【0020】次に絶縁基体35を形成する上側の絶縁基
板10の構造について図4によりより詳細に説明する。
絶縁基板10の絶縁材料としては、アルミナ、ガラスセ
ラミック、窒化ケイ素、窒化アルミナ等のセラミック系
材料や、ガラスエポキシ、ポリイミド等の有機材料、そ
の他板ガラスであって従来の方法で積層されて単層また
は多層基板となる材料が得られる。
【0021】このような絶縁基板10には予め導体配線
15が形成される。絶縁基板10がセラミック系の基板
の場合には、W、Mo、Ag、Ag−Pt、Ag−Pd
等のペーストを印刷して積層−焼成することによって配
線形成と多層基板構造とを形成する。
【0022】これに対して有機材料系の絶縁基板10の
場合には、導体配線15の材料としてCuを用いる。す
なわちCu箔を接着剤で絶縁基板10に貼合わせた後に
ケミカルエッチングを施すか、電解メッキあるいは無電
解メッキ処理によって導体配線15を形成する。絶縁層
間に形成される部位は、絶縁体を貫通するバイアホール
によって電気的な接続を行なうようにしてよい。なお図
4に示す複数枚の絶縁基板10の積層構造を厚さ方向に
貫通する貫通スルーホールを用いて層間接続を行なうこ
とも可能である。
【0023】バイアホールの形成は、絶縁層にドリル、
CO2 ガスレーザーやエキシマレーザー等のレーザーで
穴をあけて、穴が形成された部位に導電性のペースト、
すなわち金属導体材料Cu、Ag等の粉末またはフレー
ク状の物質と有機溶剤とを混練りしたものを印刷して埋
込む方法、またはメッキ処理によるもの、あるいはその
両方で形成するものが存在する。セラミック系の導電性
ペーストは、先に記載の導電材料とガラスペーストとを
混練りしたものを用いる。図4に示す構造の絶縁基板1
0の多層積層構造において、セラミック系材料から絶縁
基板10が構成される場合には、穴あけ、バイア形成、
乾燥、配線印刷を各層毎に行なって積層し、焼成するこ
とによって形成される。
【0024】これに対して有機材料系の多層積層構造で
のバイアの形成方法としては、絶縁層に穴あけして導電
性ペーストを埋め、Cu箔を貼合わせ、エッチングして
積層プレスして形成する方法や、両面基板を形成してお
いてプリプレグで一括積層してプレスする方法等の各種
の方法が存在する。なお図4において上側の複数枚の絶
縁基板10の積層構造と下側の複数枚の絶縁基板10の
積層構造は同一の方法によって形成されてよい。
【0025】なお図4に示す絶縁基体35の形成におい
て、積層した後に立体構造の基体35の側面を研磨加工
するために、側面側の回路と接続する電極となる部分
は、研磨する寸法に合わせて基板の端面側まで形成して
おくとよい。積層された基板の上面と下面は、通常の基
板面であるから研磨を行なう必要はない。
【0026】次に図4において中間に位置するダミー基
板12の積層構造について説明する。中間のダミー基板
12の積層構造を囲む上下の絶縁基板10は通常の基板
であるから、その厚みは6層の積層状態で0.6〜1.
0mm程度と非常に薄く、絶縁基体35を形成するため
の寸法を確保することはできない。すなわちダミー基板
12によって少なくとも40mm程度の厚さ方向の寸法
を確保する必要があり、このために例えば厚さが10m
mのダミー基板を4枚重合わせる。なおダミー基板12
から成る層は、その上下に位置する絶縁基板10に形成
された配線を基板中心に再配置する機能をもつことや、
放熱および大型の部品を絶縁体部分に収納すること等の
機能を考えて形成される。
【0027】図4に示すダミー基板12の積層構造とし
ては、各絶縁体部分を上下の絶縁基板10の積層体と同
様に多段に積層形成して各ブロックを再積層する方法が
採用されてよい。あるいはまた初めから厚さ方向の寸法
が十分な絶縁体を用意し、これに穴をあけてスルーホー
ルによって層間接続を施し、さらに回路パターンを形成
して積層する方法が採用されてよい。あるいはまた各絶
縁体にパターン形成して積層し、貫通スルーホール用の
穴をあけ、導体ペーストを埋込み、メッキ処理等によっ
て形成する方法等が採用可能である。なおここではダミ
ー基板12間の層間接続手段としてバイアホール22を
用いているが、貫通スルーホールとしてもよい。またこ
こで中間のダミー基板12の材料は、上下の絶縁基板1
0の材料と同じ材料を選択するようにし、あるいはまた
異なった材料を使用することも可能である。絶縁基板1
0としてセラミック基板を採用し、ダミー基板12とし
て樹脂系材料を使用すると、絶縁基体35はセラミック
基板/樹脂系材料/セラミック基板の積層構造体にな
る。
【0028】次に図4に示す上下の絶縁基板10の積層
構造体と、中間のダミー基板12の積層構造体と、下側
の絶縁基板10の積層構造体の結合方法について説明す
ると、これらの構造体のブロックの所定の位置に導電性
ペーストを塗布して加熱圧着して積層するようにしてよ
い。すなわち図4に示す上側の絶縁基板10の積層構造
体と下側の絶縁基板10の積層構造体の下面と上面にそ
れぞれ露出するパッド18の部分に導電性ペーストを塗
布し、加熱圧着して積層するようにしてよい。あるいは
また導電性ペーストを埋込み、積層し加熱圧着する方法
によって結合してよい。3つのブロックを積層すること
によって、ダミー層とそれを囲む絶縁基板10側とは、
機械的および電気的に接続されて本実施例の立体構造の
基板素材、すなわち絶縁基体35が形成されることにな
る。
【0029】3つのブロックを積層して形成した構造体
の側面部のある1面を所定の部分まで研磨することによ
って、図5に示すように導体配線15、21が露出し、
これによって電極部が形成されるようになる。なおここ
で層間接続手段を構成するバイアホール17、22(図
4参照)は研磨された表面には出てきていない。
【0030】このようにダミー基板12の積層構造体と
これを挟む絶縁基板10とが存在することによって、各
部の配線は、上下または左右を問わず立体的に接続され
る構造になる。側面部の研磨および次工程の側面部の配
線工程は、存在する側面の総て、あるいはその1面のみ
を研磨し配線処理することによって行なわれる。なお部
品の実装をしない面については研磨を省略してもよい。
また研磨しないで取付けられる部品の場合には、その面
については研磨を必要としない。このような部品として
は、例えば放熱のためのヒートシンク等が挙げられる。
【0031】次に絶縁基体35の表面に配線処理を施す
工程を図6によって説明する。まず工程1に示すよう
に、部品をマウントしようとする側面に研磨によって電
極16を露出させる。そしてこのような側面に工程2に
示すように絶縁樹脂26をスピンコート法、スクリーン
印刷法等によって塗布し、必要な電極部16を選択して
開口を形成し、導電性ペースト27を埋めて導通をとる
ようにしている。
【0032】ここで絶縁樹脂26としては、液体ポリイ
ミド、熱硬化性エポキシ等であってよく、バイアホール
を形成するための開口は、絶縁樹脂26が感光性の場合
には、通常のフォトプロセスを用い、そうでなければC
2 やエキシマ等のレーザーを用いることによって開口
を形成する。
【0033】次に工程3で配線層を形成する。すなわち
接着剤を構成する樹脂から成る絶縁層を有する銅箔30
を表面に貼合わせ、必要な部分以外をエッチングして除
去する。別の方法は全面に銅メッキを施してエッチング
して配線を形成する。あるいは導電性ペーストを印刷し
て配線層30を形成することによって配線が施される。
なお第2の配線30との接続のためのバイアホールを形
成する部分については、銅箔等が除去される。
【0034】次に工程4で、第2の配線層を形成する。
この方法は工程2あるいは工程3の何れかの方法で可能
であるが、ここでは絶縁樹脂29を接着した銅箔30を
貼合わせ、バイアホールを形成する部分の銅箔30を除
去し、さらにバイアホールを形成する部分についてはレ
ーザーによって穴を形成した。
【0035】工程5は工程4で穴を形成した部分に導電
性ペースト31を塗布して接続を行なうものである。先
に形成した導電性樹脂材料の電極部への付着を除去する
ための工程を経た後に、導電性ペースト31の印刷によ
る穴埋め、またはメッキ処理を行なって形成する。
【0036】工程6はパターンの形成である。すなわち
工程5で形成されたCu等の配線層を選択的にエッチン
グして所定の配線パターン32を形成する。なおこの後
にソルダーレジスト、シルク印刷の工程に進むことにな
る。
【0037】以上のような加工を絶縁基体35の配線層
を形成する側面の数だけ行なうことによって絶縁基体3
5を得る。そして配線層が形成された側面に工程7に示
すようにベアチップIC33等の部品をマウントする。
【0038】図7は絶縁基体35に部品をマウントした
全体の構造を示している。すなわち絶縁基体35の上面
および側面にそれぞれベアチップIC33をマウントす
る。またベアチップIC33以外にチップ部品36から
成る能動素子や受動素子をもマウントする。ここでとく
に絶縁基体35の上面にCPUのような他の各LSIと
バスラインで接続されるLSIを接続し、絶縁基体35
の4面の側面部にメモリ等の周辺LSIを配置すること
が可能になる。配線は3つのブロック間を自由に縦方向
に行なうことができ、しかもその配線を各側面部へも行
なうことができることから、従来表裏2面の部品配置し
か行なえなく、その配線長も部品の大きさや配線処理に
大きく影響してなかなか思うようにならなかったという
不具合が解消される。
【0039】なおこのような絶縁基体35は図8に示す
ようにマザー基板37上にマウントされる。このときに
絶縁基体35の下面に形成されている電極を半田ボール
38によってマザー基板37の接続用パッド39に接続
する構造を採用するようにしている。
【0040】このように絶縁基体35の底部に外部接続
用の突起電極38を形成し、マザー基板37側の電極3
9と接続するものである。突起電極38は半田材を用い
て半田ボールを形成して接続する形態の他に、Au、C
u等の材料をメッキ処理等によって形成して半田または
異方性導電膜等によって接続する等の種々の形態が採用
できる。なおこのような形態の配線基板を採用すること
によって、この絶縁基体35にほとんど主たる回路実装
が可能なことからマザー基板37と接続されるI/Oの
数は少なくなる。
【0041】図9は絶縁基体35として、立方体状ある
いは直方体状の形状に代えて、6角柱状の形態としたも
のである。また図10は絶縁基体35として、2つの直
方体状の形状のものを横に接合して配置した構造を示し
ている。このように絶縁基体35は、立体的な形状をな
している限り、各種の形状を任意に採用することが可能
である。
【0042】
【発明の効果】本願の一発明は、板状の絶縁材の積層体
から成る立体的な絶縁基体と、このような絶縁基体の外
表面に装着されている電子部品と、を具備する回路装置
に関するものである。従ってこのような回路装置によっ
て、電子部品が絶縁基体の内部に形成されている配線を
介して互いに電気的に接続されることになり、上面部に
メイン回路を配してそこから側面部上の各ブロックへ多
数の入出力線を配した構造とすることが可能になり、高
性能でかつ高密度の回路装置を提供することが可能にな
る。
【0043】製造方法に関する発明は、板状の絶縁材を
用意し、それぞれの絶縁材の表面に導体配線を施し、複
数枚の絶縁材を積層して絶縁基体を形成し、該絶縁基体
の側端面を研磨して絶縁基体の側面に電極を露出させ、
電極が露出した絶縁基体の側面に配線層を形成し、配線
層が形成された絶縁基体の側面に部品をマウントするよ
うにしたものである。
【0044】従ってこのような構成よれば、上述の高性
能であって高密度の電子回路を提供することが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路装置の製造方法を説明
するブロック図である。
【図2】分割する前の絶縁基板の斜視図である。
【図3】分割された絶縁基板の斜視図である。
【図4】絶縁基板とダミー基板の積層の構造を示す分解
斜視図である。
【図5】積層された絶縁基体の研磨された側面の正面図
である。
【図6】研磨された側面に導体配線を形成する状態を示
す要部縦断面図である。
【図7】電子部品がマウントされた絶縁基体の斜視図で
ある。
【図8】同絶縁基体のマザー基板に対するマウントを示
す縦断面図である。
【図9】別の絶縁基体の斜視図である。
【図10】さらに別の絶縁基体の斜視図である。
【符号の説明】
10‥‥絶縁基板、11‥‥分割ライン、12‥‥ダミ
ー基板、15‥‥導体配線、16‥‥電極、17‥‥バ
イアホール(層間接続手段)、18‥‥導体パッド、2
1‥‥導体配線、22‥‥バイアホール(層間接続手
段)、23‥‥パッド、26‥‥絶縁樹脂、27‥‥導
体ペースト(バイアホール)、29‥‥絶縁層、30‥
‥配線層、31‥‥導体ペースト(バイアホール)、3
2‥‥配線パターン、33‥‥ベアチップIC、35‥
‥絶縁基体、36‥‥チップ部品、37‥‥マザー基
板、38‥‥半田ボール、39‥‥接続用パッド
フロントページの続き Fターム(参考) 5E317 AA07 AA24 BB01 BB02 BB04 BB12 BB14 BB16 BB17 BB18 CC22 CC25 CC31 CD34 GG11 GG14 5E321 AA17 GG05 5E338 AA03 AA05 BB65 CC01 CC05 CD33 EE13 5E346 AA02 AA32 AA43 BB11 BB16 FF42 FF45 GG28 HH25 HH31

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】板状の絶縁材の積層体から成る立体的な絶
    縁基体と、 該絶縁基体の外表面に装着されている電子部品と、 を具備する回路装置。
  2. 【請求項2】電子部品が絶縁基体に形成されている導体
    配線によって電気的に接続されていることを特徴とする
    請求項1に記載の回路装置。
  3. 【請求項3】導体配線が絶縁基体を構成する板状の絶縁
    材の表面に形成されていることを特徴とする請求項2に
    記載の回路装置。
  4. 【請求項4】絶縁基体が絶縁基板とダミー基板の積層体
    から構成されることを特徴とする請求項1に記載の回路
    装置。
  5. 【請求項5】積層方向に貫通して形成される層間接続手
    段によって前記絶縁基板上の導体配線と前記ダミー基板
    の導体配線とが電気的に接続されることを特徴とする請
    求項4に記載の回路装置。
  6. 【請求項6】絶縁基体が直方体状の形状をなし、その上
    面と4つの側面の内の少なくとも一面に部品が配置され
    るとともに、その底面の電極が接続手段を介してマザー
    基板に接続されることを特徴とする請求項1に記載の回
    路装置。
  7. 【請求項7】絶縁基体の外表面またはその近傍に導電層
    が形成され、該導電層によって絶縁基体の内部の回路が
    シールドされることを特徴とする請求項1に記載の回路
    装置。
  8. 【請求項8】板状の絶縁材を用意し、それぞれの絶縁材
    の表面に導体配線を施し、 複数枚の絶縁材を積層して絶縁基体を形成し、 該絶縁基体の側端面を研磨して絶縁基体の側面に電極を
    露出させ、 電極が露出した絶縁基体の側面に配線層を形成し、 配線層が形成された前記絶縁基体の側面に部品をマウン
    トすることを特徴とする回路装置の製造方法。
JP27997499A 1999-09-30 1999-09-30 回路装置とその製造方法 Pending JP2001102746A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27997499A JP2001102746A (ja) 1999-09-30 1999-09-30 回路装置とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27997499A JP2001102746A (ja) 1999-09-30 1999-09-30 回路装置とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001102746A true JP2001102746A (ja) 2001-04-13

Family

ID=17618548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27997499A Pending JP2001102746A (ja) 1999-09-30 1999-09-30 回路装置とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001102746A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011049406A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Nec Tokin Corp 電磁干渉抑制体
JP2012209524A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Dainippon Printing Co Ltd 多層プリント配線板、及びその製造方法
CN102809390A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 精工爱普生株式会社 保持部件、模块以及电子设备
CN102879597A (zh) * 2011-07-11 2013-01-16 精工爱普生株式会社 传感器装置以及电子设备
US8960000B2 (en) 2011-07-13 2015-02-24 Seiko Epson Corporation Sensor device, and electronic apparatus
US9243909B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Seiko Epson Corporation Module and electronic apparatus
US9316499B2 (en) 2011-05-31 2016-04-19 Seiko Epson Corporation Module and electronic apparatus
US9404755B2 (en) 2012-12-27 2016-08-02 Seiko Epson Corporation Sensor having a plurality of mounting boards on which sensor components are mounted, an electronic apparatus having the sensor, and a moving object having the sensor
US9468994B2 (en) 2013-05-24 2016-10-18 Seiko Epson Corporation Sensor unit, method of manufacturing the same, electronic apparatus, and moving object
US9523702B2 (en) 2012-06-08 2016-12-20 Seiko Epson Corporation Sensor unit, electronic device, and moving body
US9702890B2 (en) 2013-03-11 2017-07-11 Seiko Epson Corporation Mounting board, sensor unit, electronic apparatus, and moving body
US10070517B2 (en) 2015-03-03 2018-09-04 Omron Corporation Three-dimensional circuit structure
JPWO2020218326A1 (ja) * 2019-04-23 2020-10-29
EP4361561A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Arrangement of circuit boards for an inertial measurement unit
US12028970B2 (en) 2019-04-23 2024-07-02 Kyocera Corporation Wiring board, electronic device, and electronic module

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011049406A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Nec Tokin Corp 電磁干渉抑制体
JP2012209524A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Dainippon Printing Co Ltd 多層プリント配線板、及びその製造方法
US10072954B2 (en) 2011-05-31 2018-09-11 Seiko Epson Corporation Module and electronic apparatus
US10113875B2 (en) 2011-05-31 2018-10-30 Seiko Epson Corporation Module and electronic apparatus
US9052220B2 (en) 2011-05-31 2015-06-09 Seiko Epson Corporation Maintaining member, module, and electronic apparatus
US9243909B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Seiko Epson Corporation Module and electronic apparatus
US9316499B2 (en) 2011-05-31 2016-04-19 Seiko Epson Corporation Module and electronic apparatus
CN102809390A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 精工爱普生株式会社 保持部件、模块以及电子设备
US9541397B2 (en) 2011-07-11 2017-01-10 Seiko Epson Corporation Sensor device, and electronic apparatus
US9250260B2 (en) 2011-07-11 2016-02-02 Seiko Epson Corporation Sensor device, and electronic apparatus
CN102879597A (zh) * 2011-07-11 2013-01-16 精工爱普生株式会社 传感器装置以及电子设备
US11215484B2 (en) 2011-07-13 2022-01-04 Seiko Epson Corporation Sensor device and electronic apparatus
US10107653B2 (en) 2011-07-13 2018-10-23 Seiko Epson Corporation Sensor device and electronic apparatus
US8960000B2 (en) 2011-07-13 2015-02-24 Seiko Epson Corporation Sensor device, and electronic apparatus
US10612948B2 (en) 2011-07-13 2020-04-07 Seiko Epson Corporation Sensor device and electronic apparatus
US12031847B2 (en) 2011-07-13 2024-07-09 Seiko Epson Corporation Sensor device and electronic apparatus
US11709079B2 (en) 2011-07-13 2023-07-25 Seiko Epson Corporation Sensor device and electronic apparatus
US9523702B2 (en) 2012-06-08 2016-12-20 Seiko Epson Corporation Sensor unit, electronic device, and moving body
US9404755B2 (en) 2012-12-27 2016-08-02 Seiko Epson Corporation Sensor having a plurality of mounting boards on which sensor components are mounted, an electronic apparatus having the sensor, and a moving object having the sensor
US9702890B2 (en) 2013-03-11 2017-07-11 Seiko Epson Corporation Mounting board, sensor unit, electronic apparatus, and moving body
US9468994B2 (en) 2013-05-24 2016-10-18 Seiko Epson Corporation Sensor unit, method of manufacturing the same, electronic apparatus, and moving object
US10070517B2 (en) 2015-03-03 2018-09-04 Omron Corporation Three-dimensional circuit structure
CN113711348A (zh) * 2019-04-23 2021-11-26 京瓷株式会社 布线基板、电子装置以及电子模块
JP7177918B2 (ja) 2019-04-23 2022-11-24 京セラ株式会社 配線基板、電子装置及び電子モジュール
EP3961693A4 (en) * 2019-04-23 2023-05-24 Kyocera Corporation CONNECTION BOARD, ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC MODULE
WO2020218326A1 (ja) * 2019-04-23 2020-10-29 京セラ株式会社 配線基板、電子装置及び電子モジュール
US12028970B2 (en) 2019-04-23 2024-07-02 Kyocera Corporation Wiring board, electronic device, and electronic module
JPWO2020218326A1 (ja) * 2019-04-23 2020-10-29
EP4361561A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Arrangement of circuit boards for an inertial measurement unit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102213034B1 (ko) 임베디드 다이 기판 및 임베디드 다이 기판을 제조하는 방법
US6828670B2 (en) Module component
US10045436B2 (en) Printed circuit board and method of manufacturing the same
US5599747A (en) Method of making circuitized substrate
JP2960276B2 (ja) 多層配線基板、この基板を用いた半導体装置及び多層配線基板の製造方法
TW512497B (en) Semiconductor package and method for producing the same
JP2017123459A (ja) プリント回路基板
KR101155624B1 (ko) 임베디드 인쇄회로기판 및 제조방법
JPH06291216A (ja) 基板及びセラミックパッケージ
JP2001102746A (ja) 回路装置とその製造方法
JPS5826826B2 (ja) 集積回路用セラミック・パッケ−ジ
KR20120032217A (ko) 임베디드 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN109413836B (zh) 电路板及其制备方法
JP3894091B2 (ja) Icチップ内蔵多層基板及びその製造方法
JP2007165460A (ja) 部品内蔵型モジュール及びカメラモジュール
JP2002289747A (ja) セラミック基板、複合基板、及びセラミック基板の製造方法
JP2016096196A (ja) 電子部品内蔵プリント配線板
JP2715934B2 (ja) 多層印刷配線基板装置及びその製造方法
JPH0787223B2 (ja) プリント基板及びその製造方法
KR20090102119A (ko) 임베디드 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN112533349B (zh) 电路板及其制作方法
JP5257518B2 (ja) 基板製造方法および樹脂基板
WO2022162888A1 (ja) コア基板
JP4372407B2 (ja) 多層プリント配線板
JP2003031954A (ja) 電子部品内蔵型多層基板とその製造方法