JPS6310594A - 高熱伝導多層セラミツク配線基板 - Google Patents
高熱伝導多層セラミツク配線基板Info
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- JPS6310594A JPS6310594A JP15555086A JP15555086A JPS6310594A JP S6310594 A JPS6310594 A JP S6310594A JP 15555086 A JP15555086 A JP 15555086A JP 15555086 A JP15555086 A JP 15555086A JP S6310594 A JPS6310594 A JP S6310594A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910014813 CaC2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は多層セラミック基板、特に白金を導体として利
用する高熱伝導多層セラミック基板に関するものである
。
用する高熱伝導多層セラミック基板に関するものである
。
(従来の技@)
半導体工業の飛躍的な進展によって、IC,LSIが産
業用民需用に幅広く使用されるようになってきている。
業用民需用に幅広く使用されるようになってきている。
そしてそれに伴い、集積密度の高い、高速作動のLSI
の実装用基板として多層セラミック基板が注目されてい
る。一般にこのセラミック基板の材料としては、主にア
ルミナが使用されており、微細多層配線が可能であるこ
とから高密度実装に有効である。
の実装用基板として多層セラミック基板が注目されてい
る。一般にこのセラミック基板の材料としては、主にア
ルミナが使用されており、微細多層配線が可能であるこ
とから高密度実装に有効である。
(発明が解決しようとする問題点)
近年、電子装置及び機器は小型化、高密度化が強く要求
され基板の実装密度が高くなっている。
され基板の実装密度が高くなっている。
一方LSIにおいては、高速作動及び高密度化に従って
チップから発生する熱が多量になってくる傾向にある。
チップから発生する熱が多量になってくる傾向にある。
その結果、基板の発熱が大幅に増大し、アルミナ基板で
は熱の放散性が十分ではないという問題が生じている。
は熱の放散性が十分ではないという問題が生じている。
そのため、アルミナ基板よりも熱伝導率が大きく、熱の
放散性に優れた絶縁基板が必要になってきた。
放散性に優れた絶縁基板が必要になってきた。
そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化ケイ素を
主成分としたセラミック基板が開発された(特開昭57
−180006号公報)。しがし炭化ケイ素はそれ自体
電気的には半導体に属し、比抵抗が1〜10Ω・cm程
度で電気絶縁性がないため、絶縁基板としては用いるこ
とができない。また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結
しにくいので、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添
加し、高温で加圧するいわゆるホットプレス法により作
られる。この焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ
素を用いると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に
対しても有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が
1010Ωcm以上となる。しかし、LSI等の実装基
板において重要な原因の1つである誘電率はIMHzで
40とかなり高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が5v
程度になると粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧
に対しても問題がある。
主成分としたセラミック基板が開発された(特開昭57
−180006号公報)。しがし炭化ケイ素はそれ自体
電気的には半導体に属し、比抵抗が1〜10Ω・cm程
度で電気絶縁性がないため、絶縁基板としては用いるこ
とができない。また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結
しにくいので、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添
加し、高温で加圧するいわゆるホットプレス法により作
られる。この焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ
素を用いると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に
対しても有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が
1010Ωcm以上となる。しかし、LSI等の実装基
板において重要な原因の1つである誘電率はIMHzで
40とかなり高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が5v
程度になると粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧
に対しても問題がある。
又、BeO粉末を用いて多層セラミック基板を構成する
ことは可能であるが有毒性である為実用上困難な面がで
てくる。
ことは可能であるが有毒性である為実用上困難な面がで
てくる。
一方プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が大がかりになるばかりでなく、基
板の形状も大面積化は困難であり表面平滑性に対しても
問題が多い。さらに、炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。
ければならず、装置が大がかりになるばかりでなく、基
板の形状も大面積化は困難であり表面平滑性に対しても
問題が多い。さらに、炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。
ユニでいうグリーンシート法要1セラミック基板技術と
は次に示す技術である。まずセラミック粉末を有機ビヒ
クルとともに混合し、スラリー化する。このスラリーを
キャスティング製膜法により10pm〜400μm程度
の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する。該
シートを所定の大きさに切1析し、各層間の導通を得る
ためのスルーホールを形成巳たのち、厚膜印刷法により
所定の導体パターンを形成する。これらの各導体パター
ンを形成したセラミックグリーンシートを積層プレスし
脱バインダ一工程を経て焼成する。
は次に示す技術である。まずセラミック粉末を有機ビヒ
クルとともに混合し、スラリー化する。このスラリーを
キャスティング製膜法により10pm〜400μm程度
の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する。該
シートを所定の大きさに切1析し、各層間の導通を得る
ためのスルーホールを形成巳たのち、厚膜印刷法により
所定の導体パターンを形成する。これらの各導体パター
ンを形成したセラミックグリーンシートを積層プレスし
脱バインダ一工程を経て焼成する。
高密度実装基板として具備すべき主な性質としては、(
1)電気特性に対して誘電率が低く、誘電損失が小さく
、また電気絶縁性に優れていること、(2)機械的強度
が十分であること、(3)熱伝導性が高いこと、(4)
熱膨張係数がシリコンチップ等のそれに近いこと、およ
び(5)表面平滑性が優れていること、(6)高密度化
が容易であること等が必要である。
1)電気特性に対して誘電率が低く、誘電損失が小さく
、また電気絶縁性に優れていること、(2)機械的強度
が十分であること、(3)熱伝導性が高いこと、(4)
熱膨張係数がシリコンチップ等のそれに近いこと、およ
び(5)表面平滑性が優れていること、(6)高密度化
が容易であること等が必要である。
これらの基板性質全般に対して前述のセラミック基板は
決して十分なものであるとはいえない。
決して十分なものであるとはいえない。
本発明者らは、これらの具備すべき基板性質を留意しな
がら特に高熱伝導性及び多層高密度化に着目して窒化ア
ルミニウム多層セラミック基板の発明に至った。
がら特に高熱伝導性及び多層高密度化に着目して窒化ア
ルミニウム多層セラミック基板の発明に至った。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、セラミック層が窒化アルミニウムを主成分と
する多結晶体で構成され、導電層の主成分が白金(Pt
)からなることを特徴とする高熱伝導多層セラミック配
線基板。
する多結晶体で構成され、導電層の主成分が白金(Pt
)からなることを特徴とする高熱伝導多層セラミック配
線基板。
(作用)
本発明は、前述の手段によって従来技術の問題点を解決
した。まず、多層セラミック基板を構成する絶縁セラミ
ック材料として熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用い
たこの材料は、焼成後、窒化アルミニウム多結晶の綿密
な構造体を形成する。高熱伝導率を得るためには、焼結
体の含有酸素量が少ない方が好ましく、その為に添加物
として還元剤を入れることが好ましい。
した。まず、多層セラミック基板を構成する絶縁セラミ
ック材料として熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用い
たこの材料は、焼成後、窒化アルミニウム多結晶の綿密
な構造体を形成する。高熱伝導率を得るためには、焼結
体の含有酸素量が少ない方が好ましく、その為に添加物
として還元剤を入れることが好ましい。
次に、導体層に関しては、窒化アルミニウムで構成され
ているセラミック層に複数の電源層、グランド層および
微細な信号線等の導体層を形成しこれらの複数の導体層
は、セラミック層中に設けたピアホールを介して電気的
に接続されている。
ているセラミック層に複数の電源層、グランド層および
微細な信号線等の導体層を形成しこれらの複数の導体層
は、セラミック層中に設けたピアホールを介して電気的
に接続されている。
したがって、実装基板の配線密度が非常に高められると
ともにLSI等の素子から発生する熱を、効率的に外部
に放散することが可能である。
ともにLSI等の素子から発生する熱を、効率的に外部
に放散することが可能である。
(実施例)
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明による高熱伝導多層セラミック基板の実
施例を示す説明図である。1は絶縁セラミック層であり
、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成され
ている。2は信号線および電源等の導体層であり、白金
を主成分として形成されており、絶縁セラミック層に形
成されているピアホール3を介して各層間を電気的に接
続している。
施例を示す説明図である。1は絶縁セラミック層であり
、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成され
ている。2は信号線および電源等の導体層であり、白金
を主成分として形成されており、絶縁セラミック層に形
成されているピアホール3を介して各層間を電気的に接
続している。
このように構成されている多層セラミック基板上にはL
SIチップがマウント出来るようにグイパッド4および
ボンティングパッド5が形成され、該実装基板外に信号
を取り出したり、基板内へ信号を入れたりするためのT
Joバッド6が基板裏面に形成されている。基板上にマ
ウントされているLSIチップから発生する熱をグイパ
ッド4を介してセラミック基板内へ拡散させる。セラミ
ック基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率的に
行なわれることになり、LSIチップの発熱による高温
化を防止することができる。
SIチップがマウント出来るようにグイパッド4および
ボンティングパッド5が形成され、該実装基板外に信号
を取り出したり、基板内へ信号を入れたりするためのT
Joバッド6が基板裏面に形成されている。基板上にマ
ウントされているLSIチップから発生する熱をグイパ
ッド4を介してセラミック基板内へ拡散させる。セラミ
ック基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率的に
行なわれることになり、LSIチップの発熱による高温
化を防止することができる。
本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりである。
本発明の基板を構成しているセラミック材料としては窒
化アルミニウムの焼結性を高めるため添加剤としてCa
C2を混入させている。まず窒化アルミニウム粉末とC
aC2粉末とを秤量し、ボールミルにより有機溶媒中で
の湿式混合を48時間行なった。
化アルミニウムの焼結性を高めるため添加剤としてCa
C2を混入させている。まず窒化アルミニウム粉末とC
aC2粉末とを秤量し、ボールミルにより有機溶媒中で
の湿式混合を48時間行なった。
この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の窒素雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとともに溶媒中に分散し粘度3000〜70
00cpの範囲の泥漿を作成する。該泥漿をキャスティ
ング製膜法により10Ωm〜200pm程度の均一な厚
みになるように有機フィルム上にグリーンシートを作成
する。
リレート系樹脂等の窒素雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとともに溶媒中に分散し粘度3000〜70
00cpの範囲の泥漿を作成する。該泥漿をキャスティ
ング製膜法により10Ωm〜200pm程度の均一な厚
みになるように有機フィルム上にグリーンシートを作成
する。
次にこのグリーンシートを有機フィルムから剥離したの
ち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを形成
する。ここで形成したピアホールは機械的に、ポンチお
よびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。ピアホールの形
成されたグリーンシート上へ、白金(Pt)を主成分と
した導体用ペーストをスクリーン印刷法により所定の位
置に所定のパターンを印刷する。こうして導体を印刷し
た各グリーンシートを所望の枚数積層し、加熱プレスす
る。その後必要な形状になるようにカッターを用いて切
断し、1400°C〜1750°Cの温度で非酸化性雰
囲気中で焼成する。焼成の際、その昇温過程で400°
C〜600°Cの非酸化性雰囲気下で保持して脱バイン
ダーを充分行った。作製した基板の特性を第1表に示す
。
ち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを形成
する。ここで形成したピアホールは機械的に、ポンチお
よびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。ピアホールの形
成されたグリーンシート上へ、白金(Pt)を主成分と
した導体用ペーストをスクリーン印刷法により所定の位
置に所定のパターンを印刷する。こうして導体を印刷し
た各グリーンシートを所望の枚数積層し、加熱プレスす
る。その後必要な形状になるようにカッターを用いて切
断し、1400°C〜1750°Cの温度で非酸化性雰
囲気中で焼成する。焼成の際、その昇温過程で400°
C〜600°Cの非酸化性雰囲気下で保持して脱バイン
ダーを充分行った。作製した基板の特性を第1表に示す
。
第1表
ここに示したCaC2量は窒化アルミニウムをCaC2
を合せた重量に対する値である。また、フリット量は、
導体材料とフリット材料を合せた重量に対しての値であ
る。作成した基板の電気的特性を測定した結果、絶縁抵
抗がI X 1013Ωcm以上であり、誘電率は8.
8(IMHz)、誘電損失はI X 10−3以下(I
MHz)であった。電気的特性においても従来の基板に
対して同程度以上あり実装基板として十分であることが
わかる。− (発明の効果) 実施例からも明らかなように、本発明の構造を有するこ
とにより、容易に信号線および電源層等を含めた導体を
有する高密度な回路を形成することができ、熱放散性に
対しても非常に有効な高熱伝導多層セラミック基板が得
られる。
を合せた重量に対する値である。また、フリット量は、
導体材料とフリット材料を合せた重量に対しての値であ
る。作成した基板の電気的特性を測定した結果、絶縁抵
抗がI X 1013Ωcm以上であり、誘電率は8.
8(IMHz)、誘電損失はI X 10−3以下(I
MHz)であった。電気的特性においても従来の基板に
対して同程度以上あり実装基板として十分であることが
わかる。− (発明の効果) 実施例からも明らかなように、本発明の構造を有するこ
とにより、容易に信号線および電源層等を含めた導体を
有する高密度な回路を形成することができ、熱放散性に
対しても非常に有効な高熱伝導多層セラミック基板が得
られる。
従来、用いられているアルミナ基板の熱伝導率は20w
/nkであり、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレベ
ルであることがわかる。
/nkであり、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレベ
ルであることがわかる。
第1図は本発明の一実施例を示す高熱伝導多層セラミッ
ク基板の概略図である。 1・−・・・・絶縁セラミック層、 2・・・・・・
導体層、3・・・・・・ピアホール、 4・
・・・・・ダイパッド、5・・・・・・ボンディングバ
ンド、 6・・四I10ハツト。 第1図 4 ダイパッド 、1 6 110パッド
ク基板の概略図である。 1・−・・・・絶縁セラミック層、 2・・・・・・
導体層、3・・・・・・ピアホール、 4・
・・・・・ダイパッド、5・・・・・・ボンディングバ
ンド、 6・・四I10ハツト。 第1図 4 ダイパッド 、1 6 110パッド
Claims (1)
- 窒化アルミニウムを主成分とするセラミック層と、主
成分が白金(Pt)である導体層からなることを特徴と
する高熱伝導多層セラミック配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15555086A JPS6310594A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 高熱伝導多層セラミツク配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15555086A JPS6310594A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 高熱伝導多層セラミツク配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6310594A true JPS6310594A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15608514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15555086A Pending JPS6310594A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 高熱伝導多層セラミツク配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6310594A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102778A (ja) * | 1991-08-13 | 1993-04-23 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品 |
WO2018181160A1 (ja) | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 住友理工株式会社 | 振動提示装置 |
DE112017004098T5 (de) | 2016-10-31 | 2019-05-09 | Sumitomo Riko Company Limited | Elektrostatischer Wandler |
US10792704B2 (en) | 2016-11-25 | 2020-10-06 | Sumitomo Riko Company Limited | Electrostatic transducer and method for manufacturing same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60253294A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板 |
JPS60253295A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15555086A patent/JPS6310594A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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